JP3002462B1 - 半導体パッケージ及び樹脂封止方法 - Google Patents
半導体パッケージ及び樹脂封止方法Info
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- JP3002462B1 JP3002462B1 JP34604698A JP34604698A JP3002462B1 JP 3002462 B1 JP3002462 B1 JP 3002462B1 JP 34604698 A JP34604698 A JP 34604698A JP 34604698 A JP34604698 A JP 34604698A JP 3002462 B1 JP3002462 B1 JP 3002462B1
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- Japan
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- release film
- lead
- resin
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【要約】
【課題】 半導体チップの外部接続端子と配線基板のラ
ンド部との接合部の信頼性を向上させた半導体パッケー
ジを提供する。 【解決手段】 樹脂封止部５の外面に沿って露出したリ
ード６間に相当する部位に、各リード６が接合金属８を
介して配線基板９のランド部１０に接合される際に、隣
接する接合金属８どうしが干渉することを防止する干渉
防止溝７が形成されている。
ンド部との接合部の信頼性を向上させた半導体パッケー
ジを提供する。 【解決手段】 樹脂封止部５の外面に沿って露出したリ
ード６間に相当する部位に、各リード６が接合金属８を
介して配線基板９のランド部１０に接合される際に、隣
接する接合金属８どうしが干渉することを防止する干渉
防止溝７が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ
・Ｆｌａｔ・Ｎｏｎｌｅａｄ）タイプのプラスチックパ
ッケージやＳＯＮタイプのチップサイズパッケージなど
の半導体パッケージ及び該半導体パッケージを製造する
ための樹脂封止方法に関する。
・Ｆｌａｔ・Ｎｏｎｌｅａｄ）タイプのプラスチックパ
ッケージやＳＯＮタイプのチップサイズパッケージなど
の半導体パッケージ及び該半導体パッケージを製造する
ための樹脂封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＱＦＮタイプなどのリードフレームに搭
載された半導体チップを樹脂封止されてなるプラスチッ
クパッケージ等の半導体パッケージにおいて、該半導体
パッケージを配線基板等に接合させる方式としては、配
線基板のランド部に予めはんだを形成し、その後ＱＦＮ
パッケージの電極（リード）を搭載した後、リフロー処
理することではんだを溶融させて接合していた。また、
他の方法としては、配線基板のランド部に半導体パッケ
ージの電極（リード）を搭載した後、リフロー処理して
接合していた。
載された半導体チップを樹脂封止されてなるプラスチッ
クパッケージ等の半導体パッケージにおいて、該半導体
パッケージを配線基板等に接合させる方式としては、配
線基板のランド部に予めはんだを形成し、その後ＱＦＮ
パッケージの電極（リード）を搭載した後、リフロー処
理することではんだを溶融させて接合していた。また、
他の方法としては、配線基板のランド部に半導体パッケ
ージの電極（リード）を搭載した後、リフロー処理して
接合していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体チップの高集積
化、高密度実装化が進行した今日では、外部接続端子と
してのリードのピッチも狭ピッチ化し、配線基板に形成
されるランドピッチも狭ピッチ化している。また、半導
体チップのサイズが大きくなると、配線基板と半導体チ
ップの熱膨張係数の差によりこれらに熱応力（歪み）が
作用してリードとランド部との接合部がずれ易くなる。
よって、半導体チップの隣接するリードと配線基板のラ
ンド部とを接合するはんだやはんだ合金が横方向に広が
って隣接するリード或いはランド部どうしが電気的に短
絡されてしまう（はんだブリッジを形成する）おそれが
あった。従って、半導体チップを接合する配線基板の接
合部の信頼性が低下させるという問題点があった。
化、高密度実装化が進行した今日では、外部接続端子と
してのリードのピッチも狭ピッチ化し、配線基板に形成
されるランドピッチも狭ピッチ化している。また、半導
体チップのサイズが大きくなると、配線基板と半導体チ
ップの熱膨張係数の差によりこれらに熱応力（歪み）が
作用してリードとランド部との接合部がずれ易くなる。
よって、半導体チップの隣接するリードと配線基板のラ
ンド部とを接合するはんだやはんだ合金が横方向に広が
って隣接するリード或いはランド部どうしが電気的に短
絡されてしまう（はんだブリッジを形成する）おそれが
あった。従って、半導体チップを接合する配線基板の接
合部の信頼性が低下させるという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、半導体チップの外部接続端子と配線基板のランド
部との接合部の信頼性を向上させた半導体パッケージ及
び該半導体パッケージを製造するための樹脂封止方法を
提供することにある。
決し、半導体チップの外部接続端子と配線基板のランド
部との接合部の信頼性を向上させた半導体パッケージ及
び該半導体パッケージを製造するための樹脂封止方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。即ち、半導体パッケージに
おいては、樹脂封止部の外面に沿って露出したリード間
に相当する部位に、各リードが接合金属を介して配線基
板のランド部に接合される際に、隣接する接合金属どう
しが干渉することを防止する干渉防止溝が、成形時樹脂
封止部を覆って敷設されたリリースフィルムのリード間
への逃げにより該リードに平行して、略リード長にわた
って形成されていることを特徴とする。また、干渉防止
溝は、成形時のクランプ圧によるリリースフィルムのリ
ード板厚方向の逃げにより、各リード間にリリースフィ
ルムの寄りが生じて形成された凹溝であることを特徴と
する。
するため次の構成を備える。即ち、半導体パッケージに
おいては、樹脂封止部の外面に沿って露出したリード間
に相当する部位に、各リードが接合金属を介して配線基
板のランド部に接合される際に、隣接する接合金属どう
しが干渉することを防止する干渉防止溝が、成形時樹脂
封止部を覆って敷設されたリリースフィルムのリード間
への逃げにより該リードに平行して、略リード長にわた
って形成されていることを特徴とする。また、干渉防止
溝は、成形時のクランプ圧によるリリースフィルムのリ
ード板厚方向の逃げにより、各リード間にリリースフィ
ルムの寄りが生じて形成された凹溝であることを特徴と
する。
【０００６】また、樹脂封止方法においては、モールド
金型に収容された被成形品のうち少なくとも樹脂封止部
の外面に露出した外部接続端子の接合面を覆うようにリ
リースフィルムをモールド金型のパーティング面に吸着
保持させ、モールド金型に搬入された被成形品をクラン
プし、樹脂封止部に露出した外部接続端子の接合面を覆
うリリースフィルムが外部接続端子間へ逃げて盛り上が
ったまま樹脂封止することにより、樹脂封止部に隣接す
る接合金属どうしが干渉することを防止する干渉防止溝
が形成されることを特徴とする。また、モールド金型
は、被形成品の外部接続端子間に相当する部位に凹面又
は凸面が形成されており、被成形品をクランプすると、
凹面又は凸面に吸着保持されたリリースフィルムが外部
接続端子間へ盛り上がったまま樹脂封止されるようにな
っていても良い。
金型に収容された被成形品のうち少なくとも樹脂封止部
の外面に露出した外部接続端子の接合面を覆うようにリ
リースフィルムをモールド金型のパーティング面に吸着
保持させ、モールド金型に搬入された被成形品をクラン
プし、樹脂封止部に露出した外部接続端子の接合面を覆
うリリースフィルムが外部接続端子間へ逃げて盛り上が
ったまま樹脂封止することにより、樹脂封止部に隣接す
る接合金属どうしが干渉することを防止する干渉防止溝
が形成されることを特徴とする。また、モールド金型
は、被形成品の外部接続端子間に相当する部位に凹面又
は凸面が形成されており、被成形品をクランプすると、
凹面又は凸面に吸着保持されたリリースフィルムが外部
接続端子間へ盛り上がったまま樹脂封止されるようにな
っていても良い。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の態様
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の態様
は、半導体パッケージのうちリードフレームに搭載され
た半導体チップを樹脂封止されてなる外部リード露出型
のプラスチックパッケージ及びこれを樹脂封止する樹脂
封止方法について説明するものとする。図１はプラスチ
ックパッケージの配線基板への接合部を示す説明図、図
２は図１の矢印Ａ−Ａ断面図、図３は第１の実施例に係
る樹脂封止方法に用いるモールド金型の要部の構成を示
す説明図、図４は第２の実施例に係る樹脂封止方法に用
いるモールド金型の要部の構成を示す説明図、図５は第
３の実施例に係る樹脂封止方法に用いるモールド金型の
要部の構成を示す説明図である。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の態様
は、半導体パッケージのうちリードフレームに搭載され
た半導体チップを樹脂封止されてなる外部リード露出型
のプラスチックパッケージ及びこれを樹脂封止する樹脂
封止方法について説明するものとする。図１はプラスチ
ックパッケージの配線基板への接合部を示す説明図、図
２は図１の矢印Ａ−Ａ断面図、図３は第１の実施例に係
る樹脂封止方法に用いるモールド金型の要部の構成を示
す説明図、図４は第２の実施例に係る樹脂封止方法に用
いるモールド金型の要部の構成を示す説明図、図５は第
３の実施例に係る樹脂封止方法に用いるモールド金型の
要部の構成を示す説明図である。
【０００８】先ず、図１及び図２を参照して半導体パッ
ケージの概略構成について説明する。ＱＦＮタイプのプ
ラスチックパッケージ１は、リードフレームに半導体チ
ップを搭載されてなる被成形品が、パーティング面の所
要部位にリリースフィルム２を被覆したモールド金型３
によりクランプされて樹脂封止されてなる。
ケージの概略構成について説明する。ＱＦＮタイプのプ
ラスチックパッケージ１は、リードフレームに半導体チ
ップを搭載されてなる被成形品が、パーティング面の所
要部位にリリースフィルム２を被覆したモールド金型３
によりクランプされて樹脂封止されてなる。
【０００９】この被成形品は、長尺状或いは短冊状のリ
ードフレーム４に半導体チップ（図示せず）がダイボン
ディングされてなる。この被成形品をリリースフィルム
２をパーティング面に張設されたモールド金型３により
クランプされてトランスファーモールドにより樹脂封止
されてなる。この樹脂封止部５の外面に露出した外部接
続端子としてのリード６間に相当する部位に、干渉防止
溝７が形成されている。この干渉防止溝７は、各リード
６が接合金属８を介して配線基板９のランド部１０に接
合される際に、接合部の隣接する接合金属８どうしが横
方向に広がって互いに干渉するのを防止するため（いわ
ゆるはんだブリッジを形成するのを防止するため）に形
成されている。この接合金属８としては、例えばはんだ
又ははんだ合金が好適に用いられる。
ードフレーム４に半導体チップ（図示せず）がダイボン
ディングされてなる。この被成形品をリリースフィルム
２をパーティング面に張設されたモールド金型３により
クランプされてトランスファーモールドにより樹脂封止
されてなる。この樹脂封止部５の外面に露出した外部接
続端子としてのリード６間に相当する部位に、干渉防止
溝７が形成されている。この干渉防止溝７は、各リード
６が接合金属８を介して配線基板９のランド部１０に接
合される際に、接合部の隣接する接合金属８どうしが横
方向に広がって互いに干渉するのを防止するため（いわ
ゆるはんだブリッジを形成するのを防止するため）に形
成されている。この接合金属８としては、例えばはんだ
又ははんだ合金が好適に用いられる。
【００１０】次に、上述したように構成されたプラスチ
ックパッケージ１を製造するための樹脂封止方法につい
て図３〜図５を参照して説明する。先ず第１の実施例に
ついて図３に示すモールド金型の要部の構成を参照しな
がら説明する。モールド金型３は、リードフレーム４に
半導体チップ（図示せず）を搭載された被成形品をクラ
ンプして樹脂封止するものである。本実施例ではモール
ド金型３は、片面モールドタイプのものが用いられ、上
型１１にキャビティ１３、ランナ１４及びゲート１５が
形成され、下型１２は平板状に形成されたものが用いら
れている。
ックパッケージ１を製造するための樹脂封止方法につい
て図３〜図５を参照して説明する。先ず第１の実施例に
ついて図３に示すモールド金型の要部の構成を参照しな
がら説明する。モールド金型３は、リードフレーム４に
半導体チップ（図示せず）を搭載された被成形品をクラ
ンプして樹脂封止するものである。本実施例ではモール
ド金型３は、片面モールドタイプのものが用いられ、上
型１１にキャビティ１３、ランナ１４及びゲート１５が
形成され、下型１２は平板状に形成されたものが用いら
れている。
【００１１】リリースフィルム２は、下型１２を覆って
いる。このリリースフィルム２は、モールド金型３に収
容された被成形品のうち少なくとも外部接続端子として
外面に露出したリード６の配線基板９のランド部１０へ
の接合面を含む樹脂封止部を覆うように張設される。リ
リースフィルム２は、上型１１と下型１２のパーティン
グ面にじかに封止樹脂を付着させず（樹脂バリを生じさ
せず）に樹脂封止できるため有効である。リリースフィ
ルム２は、後述するように、エア吸引によってキャビテ
ィ１３の内面形状にならって吸着支持される柔軟性を有
すると共に、モールド金型３の加熱温度に耐えられる耐
熱性を有する。また、樹脂封止後にモールド金型３から
容易に離型し、封止樹脂と容易に剥離できるものである
必要がある。このようなフィルムとしては、例えばＦＥ
Ｐフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ＰＥＴフィル
ム、ＥＴＦＥフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ
塩化ビニリジンなどが好適に用いられる。リリースフィ
ルム２は、送り機構及び巻き取り機構に各々巻き取られ
る長尺状のもの或いは短冊状に切断されたものいずれを
用いてもよい。
いる。このリリースフィルム２は、モールド金型３に収
容された被成形品のうち少なくとも外部接続端子として
外面に露出したリード６の配線基板９のランド部１０へ
の接合面を含む樹脂封止部を覆うように張設される。リ
リースフィルム２は、上型１１と下型１２のパーティン
グ面にじかに封止樹脂を付着させず（樹脂バリを生じさ
せず）に樹脂封止できるため有効である。リリースフィ
ルム２は、後述するように、エア吸引によってキャビテ
ィ１３の内面形状にならって吸着支持される柔軟性を有
すると共に、モールド金型３の加熱温度に耐えられる耐
熱性を有する。また、樹脂封止後にモールド金型３から
容易に離型し、封止樹脂と容易に剥離できるものである
必要がある。このようなフィルムとしては、例えばＦＥ
Ｐフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ＰＥＴフィル
ム、ＥＴＦＥフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ
塩化ビニリジンなどが好適に用いられる。リリースフィ
ルム２は、送り機構及び巻き取り機構に各々巻き取られ
る長尺状のもの或いは短冊状に切断されたものいずれを
用いてもよい。
【００１２】また、モールド金型３には、リリースフィ
ルム２をパーティング面に吸着保持させるための図示し
ない吸着保持手段が装備されている。具体的には、キャ
ビティ１３の内底面にはスリット状に開口する図示しな
いキャビティ吸着孔が形成されている。また、上型１１
及び下型１２のパーティング面には図示しない吸着孔が
形成されている。これらキャビティ吸着孔及び吸着孔は
モールドベースに設けられたエア流路を経由して図示し
ない外部エア吸引機構に接続されている。
ルム２をパーティング面に吸着保持させるための図示し
ない吸着保持手段が装備されている。具体的には、キャ
ビティ１３の内底面にはスリット状に開口する図示しな
いキャビティ吸着孔が形成されている。また、上型１１
及び下型１２のパーティング面には図示しない吸着孔が
形成されている。これらキャビティ吸着孔及び吸着孔は
モールドベースに設けられたエア流路を経由して図示し
ない外部エア吸引機構に接続されている。
【００１３】図３において、リリースフィルム２が張設
されたモールド金型３に被成形品が搬入され、該被成形
品がクランプされると、樹脂封止部５に露出したリード
６のランド部１０への接合面を覆うように吸着保持され
たリリースフィルム２が、加圧によりリード６の板厚分
だけ周囲に逃げるため、リード６間へ盛り上がって進入
したまま樹脂封止される。このように、リリースフィル
ム２に各リード６間において寄りが発生した状態で、封
止樹脂が加熱硬化することにより、樹脂封止部５に干渉
防止溝７を形成することができる。
されたモールド金型３に被成形品が搬入され、該被成形
品がクランプされると、樹脂封止部５に露出したリード
６のランド部１０への接合面を覆うように吸着保持され
たリリースフィルム２が、加圧によりリード６の板厚分
だけ周囲に逃げるため、リード６間へ盛り上がって進入
したまま樹脂封止される。このように、リリースフィル
ム２に各リード６間において寄りが発生した状態で、封
止樹脂が加熱硬化することにより、樹脂封止部５に干渉
防止溝７を形成することができる。
【００１４】上記構成によれば、リード６をランド部１
０へ接合する接合金属８が加熱加圧される際に熱応力に
よって両側に広がっても、樹脂封止部５の干渉防止溝７
により広がった接合金属８を逃がすことができるので、
隣接するランド部１０どうしやリード６どうしが短絡す
るのを防止し、プラスチックパッケージ１と配線基板９
との接合部の信頼性を高めることができる。また、モー
ルド金型３に搬入された被成形品をクランプし、樹脂封
止部５に露出したリード６の接合面を覆うリリースフィ
ルム２がリードの両側へ逃げて盛り上がったまま樹脂封
止することにより、樹脂封止部５に干渉防止溝７を形成
できるので、樹脂封止工程に使用するリリースフィルム
２を用いて半導体パッケージの離型性を高め、封止樹脂
の金型面への樹脂漏れを防止すると共に、リード６を配
線基板９のランド部１０に接合する隣接する接合金属８
が干渉することを有効に防止できる。
０へ接合する接合金属８が加熱加圧される際に熱応力に
よって両側に広がっても、樹脂封止部５の干渉防止溝７
により広がった接合金属８を逃がすことができるので、
隣接するランド部１０どうしやリード６どうしが短絡す
るのを防止し、プラスチックパッケージ１と配線基板９
との接合部の信頼性を高めることができる。また、モー
ルド金型３に搬入された被成形品をクランプし、樹脂封
止部５に露出したリード６の接合面を覆うリリースフィ
ルム２がリードの両側へ逃げて盛り上がったまま樹脂封
止することにより、樹脂封止部５に干渉防止溝７を形成
できるので、樹脂封止工程に使用するリリースフィルム
２を用いて半導体パッケージの離型性を高め、封止樹脂
の金型面への樹脂漏れを防止すると共に、リード６を配
線基板９のランド部１０に接合する隣接する接合金属８
が干渉することを有効に防止できる。
【００１５】次に、第２の実施例に係る樹脂封止方法に
ついて、図４に示すモールド金型の要部の構成を参照し
ながら説明する。尚、第１の実施例と同一部材には同一
番号を付して説明を援用する。モールド金型３は第１の
実施例と同様に片面モールドタイプのものが用いられ、
被成形品を搭載される下型１２のパーティング面がリー
ド６間に相当する部位が凹面１６となるように形成され
ている。
ついて、図４に示すモールド金型の要部の構成を参照し
ながら説明する。尚、第１の実施例と同一部材には同一
番号を付して説明を援用する。モールド金型３は第１の
実施例と同様に片面モールドタイプのものが用いられ、
被成形品を搭載される下型１２のパーティング面がリー
ド６間に相当する部位が凹面１６となるように形成され
ている。
【００１６】リリースフィルム２が張設されたモールド
金型３に被成形品が搬入され、該被成形品がクランプさ
れると、樹脂封止部５に露出したリード６のランド部１
０への接合面を覆うように吸着保持されたリリースフィ
ルム２が、加圧によりリード６の板厚分だけ周囲に逃げ
るため、リード６間の凹面１６に両側より押圧されるた
めにリード６間へ盛り上がったまま樹脂封止される。こ
のように、リリースフィルム２に各リード６間において
厚肉部が発生した状態で、封止樹脂が加熱硬化すること
により、樹脂封止部５に干渉防止溝７を形成することが
できる。これによって、リード６をランド部１０へ接合
する接合金属８が加熱加圧される際に熱応力によって両
側へ広がっても、樹脂封止部５の干渉防止溝７により広
がった接合金属８を逃がすことができるので、隣接する
ランド部１０どうしやリード６どうしが短絡するのを防
止し、プラスチックパッケージ１と配線基板９との接合
部の信頼性を高めることができる。
金型３に被成形品が搬入され、該被成形品がクランプさ
れると、樹脂封止部５に露出したリード６のランド部１
０への接合面を覆うように吸着保持されたリリースフィ
ルム２が、加圧によりリード６の板厚分だけ周囲に逃げ
るため、リード６間の凹面１６に両側より押圧されるた
めにリード６間へ盛り上がったまま樹脂封止される。こ
のように、リリースフィルム２に各リード６間において
厚肉部が発生した状態で、封止樹脂が加熱硬化すること
により、樹脂封止部５に干渉防止溝７を形成することが
できる。これによって、リード６をランド部１０へ接合
する接合金属８が加熱加圧される際に熱応力によって両
側へ広がっても、樹脂封止部５の干渉防止溝７により広
がった接合金属８を逃がすことができるので、隣接する
ランド部１０どうしやリード６どうしが短絡するのを防
止し、プラスチックパッケージ１と配線基板９との接合
部の信頼性を高めることができる。
【００１７】次に、第３の実施例に係る樹脂封止方法に
ついて、図５に示すモールド金型の要部の構成を参照し
ながら説明する。尚、第１の実施例と同一部材には同一
番号を付して説明を援用する。モールド金型３は第１の
実施例と同様に片面モールドタイプのものが用いられ、
被成形品を搭載される下型１２のパーティング面が、リ
ード６間に相当する部位が凸面１７となるように形成さ
れている。
ついて、図５に示すモールド金型の要部の構成を参照し
ながら説明する。尚、第１の実施例と同一部材には同一
番号を付して説明を援用する。モールド金型３は第１の
実施例と同様に片面モールドタイプのものが用いられ、
被成形品を搭載される下型１２のパーティング面が、リ
ード６間に相当する部位が凸面１７となるように形成さ
れている。
【００１８】リリースフィルム２が張設されたモールド
金型３に被成形品が搬入され、該被成形品がクランプさ
れると、樹脂封止部５に露出したリード６のランド部１
０への接合面を覆うように吸着保持されたリリースフィ
ルム２は凸面１７にならって樹脂封止部５側へ膨出し、
しかも加圧によりリード６の板厚分だけ周囲に逃げるた
め、リリースフィルム２はリード６間へ盛り上がったま
ま樹脂封止される。このように、リリースフィルム２に
各リード６間において厚肉膨出部が発生した状態で、封
止樹脂が加熱硬化することにより、樹脂封止部５に干渉
防止溝７を形成することができる。これによって、リー
ド６をランド部１０へ接合する接合金属８が加熱加圧さ
れる際に熱応力によって両側に広がっても、樹脂封止部
５の干渉防止溝７により広がった接合金属８を逃がすこ
とができるので、隣接するランド部１０どうしやリード
６どうしが短絡するのを防止し、プラスチックパッケー
ジ１と配線基板９との接合部の信頼性を高めることがで
きる。
金型３に被成形品が搬入され、該被成形品がクランプさ
れると、樹脂封止部５に露出したリード６のランド部１
０への接合面を覆うように吸着保持されたリリースフィ
ルム２は凸面１７にならって樹脂封止部５側へ膨出し、
しかも加圧によりリード６の板厚分だけ周囲に逃げるた
め、リリースフィルム２はリード６間へ盛り上がったま
ま樹脂封止される。このように、リリースフィルム２に
各リード６間において厚肉膨出部が発生した状態で、封
止樹脂が加熱硬化することにより、樹脂封止部５に干渉
防止溝７を形成することができる。これによって、リー
ド６をランド部１０へ接合する接合金属８が加熱加圧さ
れる際に熱応力によって両側に広がっても、樹脂封止部
５の干渉防止溝７により広がった接合金属８を逃がすこ
とができるので、隣接するランド部１０どうしやリード
６どうしが短絡するのを防止し、プラスチックパッケー
ジ１と配線基板９との接合部の信頼性を高めることがで
きる。
【００１９】上記実施例は、半導体パッケージの外部接
続端子として樹脂封止部より露出するリード６を用いた
パッケージを例示したが、これに限定されるものではな
く、樹脂封止部より露出する突起部のピッチが狭い場合
にも適用できる。また、モールド金型３に張設されるリ
リースフィルム２は下型１２のみならず、上型１１にも
張設されていても良い等、発明の精神を逸脱しない範囲
内でさらに多くの改変を施し得るのはもちろんのことで
ある。
続端子として樹脂封止部より露出するリード６を用いた
パッケージを例示したが、これに限定されるものではな
く、樹脂封止部より露出する突起部のピッチが狭い場合
にも適用できる。また、モールド金型３に張設されるリ
リースフィルム２は下型１２のみならず、上型１１にも
張設されていても良い等、発明の精神を逸脱しない範囲
内でさらに多くの改変を施し得るのはもちろんのことで
ある。
【００２０】
【発明の効果】本発明は前述したように、樹脂封止部の
外面に沿って露出したリード間に相当する部位に、各リ
ードが接合金属を介して配線基板のランド部に接合され
る際に、隣接する接合金属どうしが干渉することを防止
する干渉防止溝が、成形時樹脂封止部を覆って敷設され
たリリースフィルムのリード間への逃げにより該リード
に平行して、略リード長にわたって形成されているの
で、リードを配線基板のランド部へ接合する際に接合金
属が加熱加圧されて熱応力によって両側へ広がっても、
樹脂封止部に形成された干渉防止溝により広がった接合
金属を逃がすことができるので、隣接するランド部どう
しやリードどうしが短絡するのを防止し、半導体パッケ
ージと配線基板の接合部の信頼性を高めることができ
る。また、モールド金型に搬入された被成形品をクラン
プし、樹脂封止部に露出したリードの接合面を覆うリリ
ースフィルムがリードの両側へ逃げて盛り上がったまま
樹脂封止することにより樹脂封止部に干渉防止溝を形成
できるので、樹脂封止工程に使用するリリースフィルム
を用いて半導体パッケージの離型性を高め、封止樹脂の
金型面への樹脂漏れを防止すると共に、リードピッチが
狭まっても干渉防止溝を形成してリードを配線基板のラ
ンド部に接合する隣接する接合金属どうしが干渉するこ
とを有効に防止できる。
外面に沿って露出したリード間に相当する部位に、各リ
ードが接合金属を介して配線基板のランド部に接合され
る際に、隣接する接合金属どうしが干渉することを防止
する干渉防止溝が、成形時樹脂封止部を覆って敷設され
たリリースフィルムのリード間への逃げにより該リード
に平行して、略リード長にわたって形成されているの
で、リードを配線基板のランド部へ接合する際に接合金
属が加熱加圧されて熱応力によって両側へ広がっても、
樹脂封止部に形成された干渉防止溝により広がった接合
金属を逃がすことができるので、隣接するランド部どう
しやリードどうしが短絡するのを防止し、半導体パッケ
ージと配線基板の接合部の信頼性を高めることができ
る。また、モールド金型に搬入された被成形品をクラン
プし、樹脂封止部に露出したリードの接合面を覆うリリ
ースフィルムがリードの両側へ逃げて盛り上がったまま
樹脂封止することにより樹脂封止部に干渉防止溝を形成
できるので、樹脂封止工程に使用するリリースフィルム
を用いて半導体パッケージの離型性を高め、封止樹脂の
金型面への樹脂漏れを防止すると共に、リードピッチが
狭まっても干渉防止溝を形成してリードを配線基板のラ
ンド部に接合する隣接する接合金属どうしが干渉するこ
とを有効に防止できる。
【図１】プラスチックパッケージの配線基板への接合部
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図２】図１の矢印Ａ−Ａ断面図である。
【図３】第１の実施例に係る樹脂封止方法に用いるモー
ルド金型の要部の構成を示す説明図である。
ルド金型の要部の構成を示す説明図である。
【図４】第２の実施例に係る樹脂封止方法に用いるモー
ルド金型の要部の構成を示す説明図である。
ルド金型の要部の構成を示す説明図である。
【図５】第３の実施例に係る樹脂封止方法に用いるモー
ルド金型の要部の構成を示す説明図である。
ルド金型の要部の構成を示す説明図である。
１ プラスチックパッケージ ２ リリースフィルム ３ モールド金型 ４ リードフレーム ５ 樹脂封止部 ６ リード ７ 干渉防止溝 ８ 接合金属 ９ 配線基板 １０ ランド部 １１ 上型 １２ 下型 １３ キャビティ １４ ランナ １５ ゲート １６ 凹面 １７ 凸面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56,23/28
Claims (4)
- 【請求項１】 樹脂封止部の外面に沿って露出したリー
ド間に相当する部位に、各リードが接合金属を介して配
線基板のランド部に接合される際に、隣接する接合金属
どうしが干渉することを防止する干渉防止溝が、成形時
前記樹脂封止部を覆って敷設されたリリースフィルムの
前記各リード間への逃げにより該リードに平行して、略
リード長にわたって形成されていることを特徴とする半
導体パッケージ。 - 【請求項２】 前記干渉防止溝は、成形時のクランプ圧
による前記リリースフィルムのリード板厚方向の逃げに
より、各リード間に前記リリースフィルムの寄りが生じ
て形成された凹溝であることを特徴とする請求項１記載
の半導体パッケージ。 - 【請求項３】 モールド金型に収容された被成形品のう
ち少なくとも樹脂封止部の外面に露出した外部接続端子
の接合面を覆うようにリリースフィルムを前記モールド
金型のパーティング面に吸着保持させ、前記モールド金
型に搬入された前記被成形品をクランプし、前記樹脂封
止部に露出した前記外部接続端子の接合面を覆う前記リ
リースフィルムが前記外部接続端子間へ逃げて盛り上が
ったまま樹脂封止することにより、前記樹脂封止部に隣
接する接合金属どうしが干渉することを防止する干渉防
止溝が形成されることを特徴とする樹脂封止方法。 - 【請求項４】 前記モールド金型は、前記被形成品の前
記外部接続端子間に相当する部位に凹面又は凸面が形成
されており、前記被成形品をクランプすると、前記凹面
又は凸面に吸着保持された前記リリースフィルムが前記
外部接続端子間へ盛り上がったまま樹脂封止されること
を特徴とする請求項３記載の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34604698A JP3002462B1 (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 半導体パッケージ及び樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34604698A JP3002462B1 (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 半導体パッケージ及び樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3002462B1 true JP3002462B1 (ja) | 2000-01-24 |
| JP2000174065A JP2000174065A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18380778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34604698A Expired - Lifetime JP3002462B1 (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 半導体パッケージ及び樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3002462B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109449655A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-08 | 绵阳昱丰电子科技有限公司 | 一种耐环境的微矩形连接器及其制作方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4186756B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2008-11-26 | 松下電器産業株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-12-04 JP JP34604698A patent/JP3002462B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109449655A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-08 | 绵阳昱丰电子科技有限公司 | 一种耐环境的微矩形连接器及其制作方法 |
| CN109449655B (zh) * | 2018-11-21 | 2024-04-12 | 绵阳昱丰电子科技有限公司 | 一种耐环境的微矩形连接器及其制作方法 |
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|---|---|
| JP2000174065A (ja) | 2000-06-23 |
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