JPH06334106A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置１において、樹脂封止
体６の厚さを薄くし、小型化を図る。又耐湿性、封止能
力のいずれも向上する。 【構成】 樹脂封止型半導体装置１において、絶縁性樹
脂テープ４の一表面の周辺領域に前記リード３の内部リ
ード３０が接着され、前記絶縁性樹脂テープ４の一表面
の中央領域に半導体ペレット２が接着されるとともに、
この半導体ペレット２の外部端子２０と前記内部リード
３０とが電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープ４の
一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープ４の一表面に
接着された半導体ペレット２及び内部リード３０がトラ
ンスファモールド法で成型された樹脂封止体６で封止さ
れる。
体６の厚さを薄くし、小型化を図る。又耐湿性、封止能
力のいずれも向上する。 【構成】 樹脂封止型半導体装置１において、絶縁性樹
脂テープ４の一表面の周辺領域に前記リード３の内部リ
ード３０が接着され、前記絶縁性樹脂テープ４の一表面
の中央領域に半導体ペレット２が接着されるとともに、
この半導体ペレット２の外部端子２０と前記内部リード
３０とが電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープ４の
一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープ４の一表面に
接着された半導体ペレット２及び内部リード３０がトラ
ンスファモールド法で成型された樹脂封止体６で封止さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関する。本発明は、特に、半導体ペレット及びその外
部端子に電気的に接続されるリードの内部リードを樹脂
封止体で封止する樹脂封止型半導体装置に適用して有効
な技術に関する。
に関する。本発明は、特に、半導体ペレット及びその外
部端子に電気的に接続されるリードの内部リードを樹脂
封止体で封止する樹脂封止型半導体装置に適用して有効
な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は半導体ペレット
（半導体チップ）を樹脂封止体で封止する。半導体ペレ
ットはタブ（ダイパッド）の表面上に固着される。半導
体ペレットの素子形成面は、記憶回路システムや論理回
路システムが搭載されるとともに、これらの回路システ
ムと外部装置とを電気的に接続する外部端子（ボンディ
ングパッド）が配列される。この半導体ペレットの外部
端子はワイヤを通してリードの内部リードに電気的に接
続される。内部リードは、半導体ペレットと同様に樹脂
封止体で封止され、この樹脂封止体の外部に突出し配列
される外部リードに一体にかつ電気的に接続される。
（半導体チップ）を樹脂封止体で封止する。半導体ペレ
ットはタブ（ダイパッド）の表面上に固着される。半導
体ペレットの素子形成面は、記憶回路システムや論理回
路システムが搭載されるとともに、これらの回路システ
ムと外部装置とを電気的に接続する外部端子（ボンディ
ングパッド）が配列される。この半導体ペレットの外部
端子はワイヤを通してリードの内部リードに電気的に接
続される。内部リードは、半導体ペレットと同様に樹脂
封止体で封止され、この樹脂封止体の外部に突出し配列
される外部リードに一体にかつ電気的に接続される。
【０００３】前記半導体ペレットは現在のところ単結晶
珪素で形成されるものが主流である。この半導体ペレッ
トの素子形成面に配列される外部端子は、一般的に、回
路システム内の最上層の結線と同一材料のアルミニウム
合金膜又はそれを主体とする積層膜で形成される。タ
ブ、内部リード、外部リードの夫々はＦｅ−Ｎｉ合金で
形成されるものが主流である。樹脂封止体は、トランス
ファモールド法で成型され、例えばフェノール硬化型エ
ポキシ系樹脂で形成される。
珪素で形成されるものが主流である。この半導体ペレッ
トの素子形成面に配列される外部端子は、一般的に、回
路システム内の最上層の結線と同一材料のアルミニウム
合金膜又はそれを主体とする積層膜で形成される。タ
ブ、内部リード、外部リードの夫々はＦｅ−Ｎｉ合金で
形成されるものが主流である。樹脂封止体は、トランス
ファモールド法で成型され、例えばフェノール硬化型エ
ポキシ系樹脂で形成される。
【０００４】この種の樹脂封止型半導体装置は、通常、
半導体ペレットの外径サイズに比べて、タブの半導体ペ
レットを搭載する側の表面々積が大きく構成される。つ
まり、樹脂封止型半導体装置は樹脂封止体の内部に広い
範囲にわたってタブが配置される。樹脂封止体すなわち
エポキシ系樹脂、タブすなわちＦｅ−Ｎｉ合金の夫々
は、接着性が悪く、しかも熱膨張係数差がある。このた
め、樹脂封止型半導体装置の実装時の半田リフロー工程
時において、樹脂封止体とタブとの間の界面に剥離が発
生し、この剥離で形成された隙間に露結した水分が気化
膨張し、樹脂封止体にクラックが発生する。この樹脂封
止体のクラックの発生は、水分経路を形成し、半導体ペ
レットの外部端子を腐食するので、樹脂封止型半導体装
置の耐湿性、封止能力のいずれもが劣化する。
半導体ペレットの外径サイズに比べて、タブの半導体ペ
レットを搭載する側の表面々積が大きく構成される。つ
まり、樹脂封止型半導体装置は樹脂封止体の内部に広い
範囲にわたってタブが配置される。樹脂封止体すなわち
エポキシ系樹脂、タブすなわちＦｅ−Ｎｉ合金の夫々
は、接着性が悪く、しかも熱膨張係数差がある。このた
め、樹脂封止型半導体装置の実装時の半田リフロー工程
時において、樹脂封止体とタブとの間の界面に剥離が発
生し、この剥離で形成された隙間に露結した水分が気化
膨張し、樹脂封止体にクラックが発生する。この樹脂封
止体のクラックの発生は、水分経路を形成し、半導体ペ
レットの外部端子を腐食するので、樹脂封止型半導体装
置の耐湿性、封止能力のいずれもが劣化する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の樹
脂封止型半導体装置の開発に先立ち、下記の問題点が生
じることを見出した。
脂封止型半導体装置の開発に先立ち、下記の問題点が生
じることを見出した。
【０００６】前述の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体
はその厚さ方向の中央部分にタブ及び半導体ペレットを
配置する。つまり、樹脂封止体はタブの一表面上に搭載
された半導体ペレットの上側表面上に、タブの一表面と
対向する裏面下に夫々存在する。現在の樹脂封止型半導
体装置の組立技術においては、例えば半導体ペレットの
厚さが ０.４〔ｍｍ〕、タブの厚さが０.１〜０.２〔ｍ
ｍ〕、樹脂封止体の上側の厚さが０.２〜０.３〔ｍ
ｍ〕、樹脂封止体の下側の厚さが０.２〜０.３〔ｍｍ〕
の夫々の寸法が加工限界の標準的な水準値であり、これ
に外部リードの長さが若干加わるので、樹脂封止型半導
体装置の実装高さは １.０〔ｍｍ〕を越えてしまう。前
記樹脂封止体の上側は、半導体ペレットの素子形成面に
搭載された回路システムの保護、外部端子や回路システ
ム内の結線の腐食の防止等を目的として、不可欠であ
る。樹脂封止体の下側は、前述のタブと樹脂封止体との
界面で発生する応力の抑制、トランスファモールド工程
中の流動性樹脂の金型内の流入特性の安定化（タブの上
下夫々に流れる流動性樹脂の均衡を保持し、樹脂封止体
の巣の発生を防止する）等を目的として、こちらも不可
欠である。このため、樹脂封止体の厚さ（実装高さ）が
厚くなるので、樹脂封止型半導体装置の小型化に限界が
ある。
はその厚さ方向の中央部分にタブ及び半導体ペレットを
配置する。つまり、樹脂封止体はタブの一表面上に搭載
された半導体ペレットの上側表面上に、タブの一表面と
対向する裏面下に夫々存在する。現在の樹脂封止型半導
体装置の組立技術においては、例えば半導体ペレットの
厚さが ０.４〔ｍｍ〕、タブの厚さが０.１〜０.２〔ｍ
ｍ〕、樹脂封止体の上側の厚さが０.２〜０.３〔ｍ
ｍ〕、樹脂封止体の下側の厚さが０.２〜０.３〔ｍｍ〕
の夫々の寸法が加工限界の標準的な水準値であり、これ
に外部リードの長さが若干加わるので、樹脂封止型半導
体装置の実装高さは １.０〔ｍｍ〕を越えてしまう。前
記樹脂封止体の上側は、半導体ペレットの素子形成面に
搭載された回路システムの保護、外部端子や回路システ
ム内の結線の腐食の防止等を目的として、不可欠であ
る。樹脂封止体の下側は、前述のタブと樹脂封止体との
界面で発生する応力の抑制、トランスファモールド工程
中の流動性樹脂の金型内の流入特性の安定化（タブの上
下夫々に流れる流動性樹脂の均衡を保持し、樹脂封止体
の巣の発生を防止する）等を目的として、こちらも不可
欠である。このため、樹脂封止体の厚さ（実装高さ）が
厚くなるので、樹脂封止型半導体装置の小型化に限界が
ある。
【０００７】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置に
おいて、樹脂封止体の厚さを薄くし、小型化を図ること
が可能な技術を提供することにある。
おいて、樹脂封止体の厚さを薄くし、小型化を図ること
が可能な技術を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、前記目的を達成する
とともに、耐湿性、封止能力のいずれも向上することが
可能な技術を提供することにある。
とともに、耐湿性、封止能力のいずれも向上することが
可能な技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【００１１】（１）半導体ペレットの外部端子にリード
の内部リードが電気的に接続され、前記半導体ペレット
及び内部リードが樹脂封止体で封止される樹脂封止型半
導体装置において、絶縁性樹脂テープの一表面の周辺領
域に前記リードの内部リードが接着され、前記絶縁性樹
脂テープの一表面の中央領域に半導体ペレットが接着さ
れるとともに、この半導体ペレットの外部端子と前記内
部リードとが電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープ
の一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープの一表面に
接着された半導体ペレット及び内部リードがトランスフ
ァモールド法で成型された樹脂封止体で封止される。
の内部リードが電気的に接続され、前記半導体ペレット
及び内部リードが樹脂封止体で封止される樹脂封止型半
導体装置において、絶縁性樹脂テープの一表面の周辺領
域に前記リードの内部リードが接着され、前記絶縁性樹
脂テープの一表面の中央領域に半導体ペレットが接着さ
れるとともに、この半導体ペレットの外部端子と前記内
部リードとが電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープ
の一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープの一表面に
接着された半導体ペレット及び内部リードがトランスフ
ァモールド法で成型された樹脂封止体で封止される。
【００１２】（２）半導体ペレットの外部端子にリード
の内部リードが電気的に接続され、前記半導体ペレット
及び内部リードが樹脂封止体で封止される樹脂封止型半
導体装置において、絶縁性樹脂テープの一表面の周辺領
域に前記リードの内部リードが接着され、前記絶縁性樹
脂テープの一表面の中央領域であって、前記内部リード
に前記半導体ペレットの外部端子がフェースダウンボン
ディング方式で電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テー
プの一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープの一表面
上の半導体ペレット及び内部リードがトランスファモー
ルド法で成型された樹脂封止体で封止される。
の内部リードが電気的に接続され、前記半導体ペレット
及び内部リードが樹脂封止体で封止される樹脂封止型半
導体装置において、絶縁性樹脂テープの一表面の周辺領
域に前記リードの内部リードが接着され、前記絶縁性樹
脂テープの一表面の中央領域であって、前記内部リード
に前記半導体ペレットの外部端子がフェースダウンボン
ディング方式で電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テー
プの一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープの一表面
上の半導体ペレット及び内部リードがトランスファモー
ルド法で成型された樹脂封止体で封止される。
【００１３】
【作用】上述した手段によれば、以下の作用効果が得ら
れる。 （Ａ）前記樹脂封止型半導体装置において、Ｆｅ−Ｎｉ
合金、Ｃｕ等の合金材料や金属材料で形成されたタブに
変えて、前記半導体ペレットを絶縁性樹脂テープの一表
面に搭載し、この絶縁性樹脂テープの一表面と対向する
裏面側の樹脂封止体を廃止したので、この廃止された樹
脂封止体に相当する分、厚さ方向（配線基板に実装した
際の高さ方向）のサイズを縮小し、小型化が図れる。樹
脂封止型半導体装置の小型化は実装時の実装密度が向上
できる。 （Ｂ）前記樹脂封止型半導体装置において、前記絶縁性
樹脂テープ、樹脂封止体の夫々は同等の樹脂材料で形成
され、両者間の接着強度が向上できるので、両者間の界
面の剥離、この剥離された領域での水分の露結、この露
結された水分の気化膨張（主に、実装時の半田リフロー
工程で使用する加熱に基づく）の過程で発生する樹脂封
止体のクラックの発生を防止できる。この樹脂封止体の
クラックの発生の防止は、樹脂封止型半導体装置の耐湿
性が向上でき、又封止能力が向上できる。 （Ｃ）前記樹脂封止型半導体装置において、前記絶縁性
樹脂テープ、樹脂封止体の夫々は同等の熱膨張係数で形
成され、両者間の熱膨張係数差が小さいので、両者間の
反りの発生を防止できる。 （Ｄ）また、前記作用効果（Ｃ）の反りの発生は、前記
絶縁性樹脂テープ、樹脂封止体の夫々の間に配置され
た、いずれに対しても機械的強度の高い半導体ペレット
でより一層減少できる。 （Ｅ）前記絶縁性樹脂テープは、絶縁性を有するので、
半導体ペレット−内部リード間短絡の防止等を目的とす
る絶縁処理が不要になる。
れる。 （Ａ）前記樹脂封止型半導体装置において、Ｆｅ−Ｎｉ
合金、Ｃｕ等の合金材料や金属材料で形成されたタブに
変えて、前記半導体ペレットを絶縁性樹脂テープの一表
面に搭載し、この絶縁性樹脂テープの一表面と対向する
裏面側の樹脂封止体を廃止したので、この廃止された樹
脂封止体に相当する分、厚さ方向（配線基板に実装した
際の高さ方向）のサイズを縮小し、小型化が図れる。樹
脂封止型半導体装置の小型化は実装時の実装密度が向上
できる。 （Ｂ）前記樹脂封止型半導体装置において、前記絶縁性
樹脂テープ、樹脂封止体の夫々は同等の樹脂材料で形成
され、両者間の接着強度が向上できるので、両者間の界
面の剥離、この剥離された領域での水分の露結、この露
結された水分の気化膨張（主に、実装時の半田リフロー
工程で使用する加熱に基づく）の過程で発生する樹脂封
止体のクラックの発生を防止できる。この樹脂封止体の
クラックの発生の防止は、樹脂封止型半導体装置の耐湿
性が向上でき、又封止能力が向上できる。 （Ｃ）前記樹脂封止型半導体装置において、前記絶縁性
樹脂テープ、樹脂封止体の夫々は同等の熱膨張係数で形
成され、両者間の熱膨張係数差が小さいので、両者間の
反りの発生を防止できる。 （Ｄ）また、前記作用効果（Ｃ）の反りの発生は、前記
絶縁性樹脂テープ、樹脂封止体の夫々の間に配置され
た、いずれに対しても機械的強度の高い半導体ペレット
でより一層減少できる。 （Ｅ）前記絶縁性樹脂テープは、絶縁性を有するので、
半導体ペレット−内部リード間短絡の防止等を目的とす
る絶縁処理が不要になる。
【００１４】上述した手段（２）によれば、前記手段
（１）の作用効果（１）の他に、ワイヤによる電気的な
接続を廃止し、前記半導体ペレットの外部端子と内部リ
ードとの間の電気的な接続をフェースダウンボンディン
グ方式（バンプ電極を介在しての電気的接続かつ機械的
接続）で行ったので、前記ワイヤのループ高さに相当す
る分、厚さ方向のサイズを縮小し、小型化が図れる。樹
脂封止型半導体装置の小型化は前述と同様に実装時の実
装密度が向上できる。
（１）の作用効果（１）の他に、ワイヤによる電気的な
接続を廃止し、前記半導体ペレットの外部端子と内部リ
ードとの間の電気的な接続をフェースダウンボンディン
グ方式（バンプ電極を介在しての電気的接続かつ機械的
接続）で行ったので、前記ワイヤのループ高さに相当す
る分、厚さ方向のサイズを縮小し、小型化が図れる。樹
脂封止型半導体装置の小型化は前述と同様に実装時の実
装密度が向上できる。
【００１５】以下、本発明の構成について、実施例とと
もに説明する。
もに説明する。
【００１６】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１７】
【実施例】（実 施 例 １）本発明の実施例１である樹
脂封止型半導体装置の構成を図１（要部断面図）で示
す。
脂封止型半導体装置の構成を図１（要部断面図）で示
す。
【００１８】図１に示すように、樹脂封止型半導体装置
１は、半導体ペレット２の素子形成面に配置される外部
端子２０、リード３の内部リード３０の一端の夫々が電
気的に接続される。この半導体ペレット２及び内部リー
ド３０は樹脂封止体６で封止される。前記樹脂封止体６
の外側面（実際には、樹脂封止体６の外側面であると同
時に絶縁性樹脂テープ４の外周でもある）には前記内部
リード３０の他端に電気的に接続されかつ一体に構成さ
れた外部リード３１が複数本配列される。
１は、半導体ペレット２の素子形成面に配置される外部
端子２０、リード３の内部リード３０の一端の夫々が電
気的に接続される。この半導体ペレット２及び内部リー
ド３０は樹脂封止体６で封止される。前記樹脂封止体６
の外側面（実際には、樹脂封止体６の外側面であると同
時に絶縁性樹脂テープ４の外周でもある）には前記内部
リード３０の他端に電気的に接続されかつ一体に構成さ
れた外部リード３１が複数本配列される。
【００１９】前記半導体ペレット２は、平面形状が方形
状で形成され、単結晶珪素基板を主体に構成される。こ
の半導体ペレット２の素子形成面（図１中、上側表面）
は記憶回路システム若しくは論理回路システムが搭載さ
れる。半導体ペレット２つまり単結晶珪素基板は２×１
０~6〜３×１０~6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有する。
半導体ペレット２の外部端子２０は回路システムが搭載
された素子形成面に複数個配置される。外部端子２０
は、回路システムの最上層の結線と同一材料、例えばア
ルミニウム合金膜又はそれを主体とする積層膜で構成さ
れる。半導体ペレット２は例えば０.２５〜０.４０〔ｍ
ｍ〕程度の厚さで形成される（本実施例１の場合、 ０.
２８〔ｍｍ〕の厚さで形成される）。この半導体ペレッ
ト２は、素子形成面を上方に配置し、裏面を後述する絶
縁性樹脂テープ４の一表面上に接着する、所謂フェース
アップボンディング方式で実装される。
状で形成され、単結晶珪素基板を主体に構成される。こ
の半導体ペレット２の素子形成面（図１中、上側表面）
は記憶回路システム若しくは論理回路システムが搭載さ
れる。半導体ペレット２つまり単結晶珪素基板は２×１
０~6〜３×１０~6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有する。
半導体ペレット２の外部端子２０は回路システムが搭載
された素子形成面に複数個配置される。外部端子２０
は、回路システムの最上層の結線と同一材料、例えばア
ルミニウム合金膜又はそれを主体とする積層膜で構成さ
れる。半導体ペレット２は例えば０.２５〜０.４０〔ｍ
ｍ〕程度の厚さで形成される（本実施例１の場合、 ０.
２８〔ｍｍ〕の厚さで形成される）。この半導体ペレッ
ト２は、素子形成面を上方に配置し、裏面を後述する絶
縁性樹脂テープ４の一表面上に接着する、所謂フェース
アップボンディング方式で実装される。
【００２０】前記半導体ペレット２の外部端子２０、内
部リード３０の夫々はワイヤ５を通して電気的に接続さ
れる。ワイヤ５は、例えばＡｕワイヤが使用され、熱圧
着に超音波振動を併用したボンディング法でボンディン
グされる。
部リード３０の夫々はワイヤ５を通して電気的に接続さ
れる。ワイヤ５は、例えばＡｕワイヤが使用され、熱圧
着に超音波振動を併用したボンディング法でボンディン
グされる。
【００２１】前記リード３の内部リード３０、外部リー
ド３１の夫々はＦｅ−Ｎｉ合金（例えば、Ｎｉ含有量は
４２又は５０〔％〕）で形成される。このリード３は例
えば０.１〜０.２〔ｍｍ〕程度の板厚（本実施例１の場
合、０.１５〔ｍｍ〕の板厚）で形成される。リード３
は、４２〔％〕のＮｉ含有量の場合、 ５.２×１０~
6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有し、５０〔％〕のＮｉ
含有量の場合、１０×１０~6〜１１×１０~6〔Ｋ~1〕程
度の線膨張係数を有する。リード３の内部リード３０、
外部リード３１の夫々は、１枚のリードフレームから切
断されかつ成型される。
ド３１の夫々はＦｅ−Ｎｉ合金（例えば、Ｎｉ含有量は
４２又は５０〔％〕）で形成される。このリード３は例
えば０.１〜０.２〔ｍｍ〕程度の板厚（本実施例１の場
合、０.１５〔ｍｍ〕の板厚）で形成される。リード３
は、４２〔％〕のＮｉ含有量の場合、 ５.２×１０~
6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有し、５０〔％〕のＮｉ
含有量の場合、１０×１０~6〜１１×１０~6〔Ｋ~1〕程
度の線膨張係数を有する。リード３の内部リード３０、
外部リード３１の夫々は、１枚のリードフレームから切
断されかつ成型される。
【００２２】また、前記リード３は、Ｆｅ−Ｎｉ合金に
変えて、Ｃｕ若しくはＣｕ系合金を使用してもよい。
変えて、Ｃｕ若しくはＣｕ系合金を使用してもよい。
【００２３】前記半導体ペレット２、リード３の夫々は
樹脂封止体６の内部において、絶縁性樹脂テープ４の一
表面（半導体ペレット２の裏面に接着される表面）に接
着される。つまり、本実施例１の樹脂封止型半導体装置
１は、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の合金材料（通常は、リード３
と同一リードフレームから成型される）で形成されるタ
ブに変えて、絶縁性樹脂テープ４が採用される（所謂、
ＣＯＴ(Ｃhip Ｏn Ｔape）構造を採用する）。絶縁性樹
脂テープ４は基材としての樹脂テープ本体４１及びその
少なくとも一表面上に形成された接着層４０を主体に構
成される。絶縁性樹脂テープ４の樹脂テープ本体４１
は、樹脂封止体６の内部において、半導体ペレット２の
領域及び内部リード３０の領域を含む広い範囲（実質的
に、樹脂封止体６の平面形状と同等のサイズ）で形成さ
れる。接着層４０は同様に樹脂テープ本体４１の一表面
上の広い範囲で形成される。また、接着層４０は樹脂テ
ープ本体４１の一表面の半導体ペレット２が接着される
領域及び内部リード３０が接着される領域のみの一部に
形成してもよい。
樹脂封止体６の内部において、絶縁性樹脂テープ４の一
表面（半導体ペレット２の裏面に接着される表面）に接
着される。つまり、本実施例１の樹脂封止型半導体装置
１は、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の合金材料（通常は、リード３
と同一リードフレームから成型される）で形成されるタ
ブに変えて、絶縁性樹脂テープ４が採用される（所謂、
ＣＯＴ(Ｃhip Ｏn Ｔape）構造を採用する）。絶縁性樹
脂テープ４は基材としての樹脂テープ本体４１及びその
少なくとも一表面上に形成された接着層４０を主体に構
成される。絶縁性樹脂テープ４の樹脂テープ本体４１
は、樹脂封止体６の内部において、半導体ペレット２の
領域及び内部リード３０の領域を含む広い範囲（実質的
に、樹脂封止体６の平面形状と同等のサイズ）で形成さ
れる。接着層４０は同様に樹脂テープ本体４１の一表面
上の広い範囲で形成される。また、接着層４０は樹脂テ
ープ本体４１の一表面の半導体ペレット２が接着される
領域及び内部リード３０が接着される領域のみの一部に
形成してもよい。
【００２４】前記絶縁性樹脂テープ４の樹脂テープ本体
４１は、例えばポリイミド系樹脂若しくはカプトン系樹
脂が使用され、４０〜６０〔μｍ〕程度の膜厚で構成さ
れる。接着層４０は、熱可塑性樹脂例えばポリアミドイ
ミド系樹脂が使用され、２０〜３０〔μｍ〕程度の膜厚
で構成される。絶縁性樹脂テープ４は、基材としての樹
脂テープ本体４１の膜厚が厚いので、この樹脂テープ本
体４１の線膨張係数に全体の線膨張係数が律則される。
つまり、絶縁性樹脂テープ４は、基材としての樹脂テー
プ本体４１がポリイミド系樹脂で形成される場合、約３
×１０~6〜５×１０~6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数にな
る。
４１は、例えばポリイミド系樹脂若しくはカプトン系樹
脂が使用され、４０〜６０〔μｍ〕程度の膜厚で構成さ
れる。接着層４０は、熱可塑性樹脂例えばポリアミドイ
ミド系樹脂が使用され、２０〜３０〔μｍ〕程度の膜厚
で構成される。絶縁性樹脂テープ４は、基材としての樹
脂テープ本体４１の膜厚が厚いので、この樹脂テープ本
体４１の線膨張係数に全体の線膨張係数が律則される。
つまり、絶縁性樹脂テープ４は、基材としての樹脂テー
プ本体４１がポリイミド系樹脂で形成される場合、約３
×１０~6〜５×１０~6〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数にな
る。
【００２５】前記樹脂封止体６は、トランスファモール
ド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂が使用
される。熱硬化性エポキシ系樹脂は例えば １.０×１０
~5〜２.０×１０~5〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有す
る。また、熱硬化性エポキシ系樹脂は、通常、フィラー
（酸化珪素粒）、可撓材（例えばシリコーンゴム）等が
添加され、紫外線の吸収、静電気の防止などを目的とし
てカーボン粒も併せて添加される。
ド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂が使用
される。熱硬化性エポキシ系樹脂は例えば １.０×１０
~5〜２.０×１０~5〔Ｋ~1〕程度の線膨張係数を有す
る。また、熱硬化性エポキシ系樹脂は、通常、フィラー
（酸化珪素粒）、可撓材（例えばシリコーンゴム）等が
添加され、紫外線の吸収、静電気の防止などを目的とし
てカーボン粒も併せて添加される。
【００２６】樹脂封止体６は、図１に示すように、絶縁
性樹脂テープ４の一表面つまり絶縁性樹脂テープ４の半
導体ペレット２が搭載された表面上に形成され、絶縁性
樹脂テープ４の裏面には基本的に形成されない。樹脂封
止体６の半導体ペレット２の素子形成面上の厚さは約
０.２〜０.３〔ｍｍ〕程度で形成される。
性樹脂テープ４の一表面つまり絶縁性樹脂テープ４の半
導体ペレット２が搭載された表面上に形成され、絶縁性
樹脂テープ４の裏面には基本的に形成されない。樹脂封
止体６の半導体ペレット２の素子形成面上の厚さは約
０.２〜０.３〔ｍｍ〕程度で形成される。
【００２７】次に、このように構成される樹脂封止型半
導体装置１の組立プロセスについて、図２（組立プロセ
スの工程毎に示す断面図）を使用し、簡単に説明する。
導体装置１の組立プロセスについて、図２（組立プロセ
スの工程毎に示す断面図）を使用し、簡単に説明する。
【００２８】まず、リード３（リードフレーム）を用意
し、図２（Ａ）に示すように、このリード３の内部リー
ド３０に絶縁性樹脂テープ４を貼付る。この絶縁性樹脂
テープ４は前述のように樹脂テープ本体４１及び接着層
４０で形成され、絶縁性樹脂テープ４は樹脂テープ本体
４１に接着層４０を介在して内部リード３０を貼付る。
絶縁性樹脂テープ４は、３５０〜４５０〔℃〕程度の温
度で熱圧着を行い、内部リード３０に接着する。絶縁性
樹脂テープ４は、複数個の樹脂封止型半導体装置１で使
用できるテープ状のもの、又は個々の樹脂封止型半導体
装置１に使用される毎葉状のもののいずれかが使用さ
れ、内部リード３０に貼付ける際に外径が規定される
（打抜き法等で加工する）。
し、図２（Ａ）に示すように、このリード３の内部リー
ド３０に絶縁性樹脂テープ４を貼付る。この絶縁性樹脂
テープ４は前述のように樹脂テープ本体４１及び接着層
４０で形成され、絶縁性樹脂テープ４は樹脂テープ本体
４１に接着層４０を介在して内部リード３０を貼付る。
絶縁性樹脂テープ４は、３５０〜４５０〔℃〕程度の温
度で熱圧着を行い、内部リード３０に接着する。絶縁性
樹脂テープ４は、複数個の樹脂封止型半導体装置１で使
用できるテープ状のもの、又は個々の樹脂封止型半導体
装置１に使用される毎葉状のもののいずれかが使用さ
れ、内部リード３０に貼付ける際に外径が規定される
（打抜き法等で加工する）。
【００２９】次に、前記絶縁性樹脂テープ４の中央部分
の一表面上に半導体ペレット２を接着する。同様に、３
００〜４５０〔℃〕程度の温度で熱圧着が行われ、絶縁
性樹脂テープ４はその樹脂テープ本体４１に接着層４０
を介在して半導体ペレット２の裏面が接着される。
の一表面上に半導体ペレット２を接着する。同様に、３
００〜４５０〔℃〕程度の温度で熱圧着が行われ、絶縁
性樹脂テープ４はその樹脂テープ本体４１に接着層４０
を介在して半導体ペレット２の裏面が接着される。
【００３０】次に、図２（Ｂ）に示すように、前記絶縁
性樹脂テープ４に接着された半導体ペレット２の外部端
子２０、内部リード３０の夫々をワイヤ５で電気的に接
続する。
性樹脂テープ４に接着された半導体ペレット２の外部端
子２０、内部リード３０の夫々をワイヤ５で電気的に接
続する。
【００３１】次に、前記半導体ペレット２、内部リード
３０、ワイヤ５及び絶縁性樹脂テープ４の一表面を樹脂
封止体６で封止する。この樹脂封止体６は、前述のよう
に、トランスファモールド法で成型する。
３０、ワイヤ５及び絶縁性樹脂テープ４の一表面を樹脂
封止体６で封止する。この樹脂封止体６は、前述のよう
に、トランスファモールド法で成型する。
【００３２】次に、前記外部リード３１をリード３（リ
ードフレーム）から切断し、外部リード３１を成型する
ことにより、前述の図１に示す、樹脂封止型半導体装置
１が完成する。
ードフレーム）から切断し、外部リード３１を成型する
ことにより、前述の図１に示す、樹脂封止型半導体装置
１が完成する。
【００３３】なお、この樹脂封止型半導体装置１を実装
する際の半田リフロー工程は、２００〜３００〔℃〕程
度の温度で行われる。
する際の半田リフロー工程は、２００〜３００〔℃〕程
度の温度で行われる。
【００３４】このように、半導体ペレット２の外部端子
２０にリード３の内部リード３０が電気的に接続され、
前記半導体ペレット２及び内部リード３０が樹脂封止体
６で封止される樹脂封止型半導体装置１において、絶縁
性樹脂テープ４の一表面の周辺領域に前記リード３の内
部リード３０が接着され、前記絶縁性樹脂テープ４の一
表面の中央領域に半導体ペレット２が接着されるととも
に、この半導体ペレット２の外部端子２０と前記内部リ
ード３０とが電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープ
４の一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープ４の一表
面に接着された半導体ペレット２及び内部リード３０が
トランスファモールド法で成型された樹脂封止体６で封
止される。
２０にリード３の内部リード３０が電気的に接続され、
前記半導体ペレット２及び内部リード３０が樹脂封止体
６で封止される樹脂封止型半導体装置１において、絶縁
性樹脂テープ４の一表面の周辺領域に前記リード３の内
部リード３０が接着され、前記絶縁性樹脂テープ４の一
表面の中央領域に半導体ペレット２が接着されるととも
に、この半導体ペレット２の外部端子２０と前記内部リ
ード３０とが電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープ
４の一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープ４の一表
面に接着された半導体ペレット２及び内部リード３０が
トランスファモールド法で成型された樹脂封止体６で封
止される。
【００３５】この構成により、樹脂封止型半導体装置１
において、以下の作用効果が得られる。（Ａ）Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金、Ｃｕ等の合金材料や金属材料で形成されたタブ
に変えて、前記半導体ペレット２を絶縁性樹脂テープ４
の一表面に搭載し、この絶縁性樹脂テープ４の一表面と
対向する裏面側の樹脂封止体６を廃止したので、この廃
止された樹脂封止体６に相当する分、厚さ方向（実装高
さ方向）のサイズを縮小し、小型化が図れる。本実施例
１の樹脂封止型半導体装置１は ０.６〔ｍｍ〕又はそれ
以下の実装高さＨを実現できる。樹脂封止型半導体装置
１の小型化は実装時の実装密度が向上できる。（Ｂ）前
記絶縁性樹脂テープ４、樹脂封止体６の夫々は同等の樹
脂材料で形成され、両者間の接着強度が向上できるの
で、両者間の界面の剥離、この剥離された領域での水分
の露結、この露結された水分の気化膨張（主に、実装時
の半田リフロー工程で使用する加熱に基づく）の過程で
発生する樹脂封止体６のクラックの発生を防止できる。
この樹脂封止体６のクラックの発生の防止は、樹脂封止
型半導体装置１の耐湿性が向上でき、又封止能力が向上
できる。（Ｃ）前記絶縁性樹脂テープ４、樹脂封止体６
の夫々は同等の熱膨張係数で形成され、両者間の熱膨張
係数差が小さいので、両者間の反りの発生を防止でき
る。（Ｄ）また、前記作用効果（Ｃ）の反りの発生は、
前記絶縁性樹脂テープ４、樹脂封止体６の夫々の間に配
置された、いずれに対しても機械的強度の高い半導体ペ
レット２でより一層減少できる。（Ｅ）前記絶縁性樹脂
テープ４は、絶縁性を有するので、半導体ペレット２−
内部リード３０間短絡の防止等を目的とする絶縁処理が
不要になる。
において、以下の作用効果が得られる。（Ａ）Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金、Ｃｕ等の合金材料や金属材料で形成されたタブ
に変えて、前記半導体ペレット２を絶縁性樹脂テープ４
の一表面に搭載し、この絶縁性樹脂テープ４の一表面と
対向する裏面側の樹脂封止体６を廃止したので、この廃
止された樹脂封止体６に相当する分、厚さ方向（実装高
さ方向）のサイズを縮小し、小型化が図れる。本実施例
１の樹脂封止型半導体装置１は ０.６〔ｍｍ〕又はそれ
以下の実装高さＨを実現できる。樹脂封止型半導体装置
１の小型化は実装時の実装密度が向上できる。（Ｂ）前
記絶縁性樹脂テープ４、樹脂封止体６の夫々は同等の樹
脂材料で形成され、両者間の接着強度が向上できるの
で、両者間の界面の剥離、この剥離された領域での水分
の露結、この露結された水分の気化膨張（主に、実装時
の半田リフロー工程で使用する加熱に基づく）の過程で
発生する樹脂封止体６のクラックの発生を防止できる。
この樹脂封止体６のクラックの発生の防止は、樹脂封止
型半導体装置１の耐湿性が向上でき、又封止能力が向上
できる。（Ｃ）前記絶縁性樹脂テープ４、樹脂封止体６
の夫々は同等の熱膨張係数で形成され、両者間の熱膨張
係数差が小さいので、両者間の反りの発生を防止でき
る。（Ｄ）また、前記作用効果（Ｃ）の反りの発生は、
前記絶縁性樹脂テープ４、樹脂封止体６の夫々の間に配
置された、いずれに対しても機械的強度の高い半導体ペ
レット２でより一層減少できる。（Ｅ）前記絶縁性樹脂
テープ４は、絶縁性を有するので、半導体ペレット２−
内部リード３０間短絡の防止等を目的とする絶縁処理が
不要になる。
【００３６】（実 施 例 ２）本実施例２は、前述の樹
脂封止型半導体装置において、半導体ペレットをフェー
スダウンボンディング方式で搭載した、本発明の第２実
施例である。
脂封止型半導体装置において、半導体ペレットをフェー
スダウンボンディング方式で搭載した、本発明の第２実
施例である。
【００３７】本発明の実施例２である樹脂封止型半導体
装置の構成を図３（要部断面図）で示す。
装置の構成を図３（要部断面図）で示す。
【００３８】本実施例２の樹脂封止型半導体装置１は、
図３に示すように、絶縁性樹脂テープ４の周辺領域にリ
ード３の内部リード３０が接着され、この内部リード３
０の一端に半導体ペレット２の外部端子２０がフェース
ダウンボンディング方式で電気的かつ機械的に接続され
る。半導体ペレット２の外部端子２０、内部リード３０
の夫々の間にはＡｕバンプ電極７が介在される。内部リ
ード３０のボンディング領域となる表面には必要に応じ
て、ボンダビリティの向上を目的とし、図示しないが、
Ａｕメッキ層、Ｓｎメッキ層等が設けられる。
図３に示すように、絶縁性樹脂テープ４の周辺領域にリ
ード３の内部リード３０が接着され、この内部リード３
０の一端に半導体ペレット２の外部端子２０がフェース
ダウンボンディング方式で電気的かつ機械的に接続され
る。半導体ペレット２の外部端子２０、内部リード３０
の夫々の間にはＡｕバンプ電極７が介在される。内部リ
ード３０のボンディング領域となる表面には必要に応じ
て、ボンダビリティの向上を目的とし、図示しないが、
Ａｕメッキ層、Ｓｎメッキ層等が設けられる。
【００３９】このように、半導体ペレット２の外部端子
２０にリード３の内部リード３０が電気的に接続され、
前記半導体ペレット２及び内部リード３０が樹脂封止体
６で封止される樹脂封止型半導体装置１において、絶縁
性樹脂テープ４の一表面の周辺領域に前記リード３の内
部リード３０が接着され、前記絶縁性樹脂テープ４の一
表面の中央領域であって、前記内部リード３０に前記半
導体ペレット２の外部端子２０がフェースダウンボンデ
ィング方式で電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープ
４の一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープ４の一表
面上の半導体ペレット２及び内部リード３０がトランス
ファモールド法で成型された樹脂封止体６で封止され
る。
２０にリード３の内部リード３０が電気的に接続され、
前記半導体ペレット２及び内部リード３０が樹脂封止体
６で封止される樹脂封止型半導体装置１において、絶縁
性樹脂テープ４の一表面の周辺領域に前記リード３の内
部リード３０が接着され、前記絶縁性樹脂テープ４の一
表面の中央領域であって、前記内部リード３０に前記半
導体ペレット２の外部端子２０がフェースダウンボンデ
ィング方式で電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープ
４の一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープ４の一表
面上の半導体ペレット２及び内部リード３０がトランス
ファモールド法で成型された樹脂封止体６で封止され
る。
【００４０】この構成により、前記実施例１の効果の他
に、ワイヤ５による電気的な接続を廃止し、前記半導体
ペレット２の外部端子２０と内部リード３０との間の電
気的な接続をフェースダウンボンディング方式（Ａｕバ
ンプ電極７を介在しての電気的接続かつ機械的接続）で
行ったので、前記ワイヤ５のループ高さに相当する分、
厚さ方向のサイズを縮小し、小型化が図れる。
に、ワイヤ５による電気的な接続を廃止し、前記半導体
ペレット２の外部端子２０と内部リード３０との間の電
気的な接続をフェースダウンボンディング方式（Ａｕバ
ンプ電極７を介在しての電気的接続かつ機械的接続）で
行ったので、前記ワイヤ５のループ高さに相当する分、
厚さ方向のサイズを縮小し、小型化が図れる。
【００４１】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００４２】例えば、本発明は、ＺＩＰ(Ｚig-zag Ｉn-
line Ｐackage)、ＳＩＰ(ＳingleＩn-line Ｐackage)等
の１方向リード配列構造、ＤＩＰ(Ｄuale Ｉn-line Ｐa
ckage)等の２方向リード配列構造、ＱＦＰ(Ｑuad Ｆlat
Ｐackage)等の４方向リード配列構造等、いずれの構造
を採用する樹脂封止型半導体装置にも適用できる。
line Ｐackage)、ＳＩＰ(ＳingleＩn-line Ｐackage)等
の１方向リード配列構造、ＤＩＰ(Ｄuale Ｉn-line Ｐa
ckage)等の２方向リード配列構造、ＱＦＰ(Ｑuad Ｆlat
Ｐackage)等の４方向リード配列構造等、いずれの構造
を採用する樹脂封止型半導体装置にも適用できる。
【００４３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００４４】樹脂封止型半導体装置において、樹脂封止
体の厚さを薄くし、小型化が図れる。
体の厚さを薄くし、小型化が図れる。
【００４５】樹脂封止型半導体装置において、前記効果
が得られるとともに、耐湿性、封止能力のいずれも向上
できる。
が得られるとともに、耐湿性、封止能力のいずれも向上
できる。
【図１】 本発明の実施例１である樹脂封止型半導体装
置の断面図。
置の断面図。
【図２】 （Ａ）はリードボンディング工程での断面
図、（Ｂ）はペレット及びワイヤボンディング工程での
断面図。
図、（Ｂ）はペレット及びワイヤボンディング工程での
断面図。
【図３】 本発明の実施例２である樹脂封止型半導体装
置の断面図。
置の断面図。
１…樹脂封止型半導体装置、２…半導体ペレット、２０
…外部端子、３…リード、３０…内部リード、３１…外
部リード、４…絶縁性樹脂テープ、４１…樹脂テープ本
体、４０…接着層、５…ワイヤ、６…樹脂封止体、７…
電極。
…外部端子、３…リード、３０…内部リード、３１…外
部リード、４…絶縁性樹脂テープ、４１…樹脂テープ本
体、４０…接着層、５…ワイヤ、６…樹脂封止体、７…
電極。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図３】
【図２】
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ペレットの外部端子にリードの内
部リードが電気的に接続され、前記半導体ペレット及び
内部リードが樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体
装置において、絶縁性樹脂テープの一表面の周辺領域に
前記リードの内部リードが接着され、前記絶縁性樹脂テ
ープの一表面の中央領域に半導体ペレットが接着される
とともに、この半導体ペレットの外部端子と前記内部リ
ードとが電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープの一
表面側であって、前記絶縁性樹脂テープの一表面に接着
された半導体ペレット及び内部リードがトランスファモ
ールド法で成型された樹脂封止体で封止される。 - 【請求項２】 半導体ペレットの外部端子にリードの内
部リードが電気的に接続され、前記半導体ペレット及び
内部リードが樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導体
装置において、絶縁性樹脂テープの一表面の周辺領域に
前記リードの内部リードが接着され、前記絶縁性樹脂テ
ープの一表面の中央領域であって、前記内部リードに前
記半導体ペレットの外部端子がフェースダウンボンディ
ング方式で電気的に接続され、前記絶縁性樹脂テープの
一表面側であって、前記絶縁性樹脂テープの一表面上の
半導体ペレット及び内部リードがトランスファモールド
法で成型された樹脂封止体で封止される。 - 【請求項３】 前記請求項１又は請求項２に記載される
絶縁性樹脂テープは表面層にポリアミドイミド系樹脂を
主体とする接着層を有するポリイミド系樹脂を基材とし
て形成され、前記半導体ペレットは珪素で形成され、前
記リードは鉄−ニッケル合金で形成され、前記樹脂封止
体はエポキシ系樹脂で形成される。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4057644A JPH06334106A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4057644A JPH06334106A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334106A true JPH06334106A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=13061606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4057644A Pending JPH06334106A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334106A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5942794A (en) * | 1996-10-22 | 1999-08-24 | Matsushita Electronics Corporation | Plastic encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6333212B1 (en) | 1995-08-25 | 2001-12-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2008545278A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | サンディスク コーポレイション | 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP4057644A patent/JPH06334106A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333212B1 (en) | 1995-08-25 | 2001-12-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US5942794A (en) * | 1996-10-22 | 1999-08-24 | Matsushita Electronics Corporation | Plastic encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6130115A (en) * | 1996-10-22 | 2000-10-10 | Matsushita Electronics Corporation | Plastic encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2008545278A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | サンディスク コーポレイション | 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ |
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