JPS6352451A - レジン封止型半導体装置 - Google Patents
レジン封止型半導体装置Info
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- JPS6352451A JPS6352451A JP61195480A JP19548086A JPS6352451A JP S6352451 A JPS6352451 A JP S6352451A JP 61195480 A JP61195480 A JP 61195480A JP 19548086 A JP19548086 A JP 19548086A JP S6352451 A JPS6352451 A JP S6352451A
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- pellet
- tab
- resin
- semiconductor device
- lead frame
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- Pending
Links
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジン封止型半導体装置の改良技術に関する。
従来のレジン封止型半導体装置にあっては、リードフレ
ームのタブの片面に半導体ペレット(以下単にペレット
という)をペレット付けし、該ペレットと当該リードフ
レームとをボンディングワイヤによりワイヤボンディン
グし、レジンをモールドするという方式が採用されてき
た。
ームのタブの片面に半導体ペレット(以下単にペレット
という)をペレット付けし、該ペレットと当該リードフ
レームとをボンディングワイヤによりワイヤボンディン
グし、レジンをモールドするという方式が採用されてき
た。
なお、当該レジン封止型半導体装置について述べた文献
の例として、1980年1月15日(株)工業調査会発
行rIC化実装技術j p135〜156があげられる
。
の例として、1980年1月15日(株)工業調査会発
行rIC化実装技術j p135〜156があげられる
。
しかしながら、このように片面のみにペレットを固着し
ている場合には、タブを境にして、上下の熱膨張係数の
アンバランスにより、リードフレームとレジン間に界面
剥離を生じたり、ペレットにクラック(割れ)などを生
じたりし、レジン封止型半導体装置の信頼性を損う場合
がある。
ている場合には、タブを境にして、上下の熱膨張係数の
アンバランスにより、リードフレームとレジン間に界面
剥離を生じたり、ペレットにクラック(割れ)などを生
じたりし、レジン封止型半導体装置の信頼性を損う場合
がある。
本発明はこのような上下の熱膨張係数のアンバランスを
なくし、リードフレームとレジン間の界面剥離を防止し
、また、ペレットクラックの発生を防止する技術を提供
することを目的とする。
なくし、リードフレームとレジン間の界面剥離を防止し
、また、ペレットクラックの発生を防止する技術を提供
することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明ではタブの裏面にも同じようなペレッ
トを固着させるようにした。すなわち、当該タブの両面
にペレットを固着するようにした。
トを固着させるようにした。すなわち、当該タブの両面
にペレットを固着するようにした。
これにより、レジン封止型半導体装置において、タブの
裏面側にも同様のペレットが位置しているので、上下の
熱膨張係数のバランスがとれ、したがって、当該熱膨張
係数のアンバランスにより生じる熱歪(応力)K基因し
たリードフレームとレジンとの界面剥*−’Pペレット
クラックを解消することができた。
裏面側にも同様のペレットが位置しているので、上下の
熱膨張係数のバランスがとれ、したがって、当該熱膨張
係数のアンバランスにより生じる熱歪(応力)K基因し
たリードフレームとレジンとの界面剥*−’Pペレット
クラックを解消することができた。
次に、本発明を、図面に示す実施例に基づいて説明する
。
。
第1図は本発明の実施例を示すレジン封止型半導体装置
の一例構成断面図、第2図は本発明に使用されるリード
フレームの一例平面図である。
の一例構成断面図、第2図は本発明に使用されるリード
フレームの一例平面図である。
リードフレーム1の中央部には、ペレットを搭載するタ
ブ2が位置している。この長方形のタブ2の左右2辺中
心から帯状のタブ吊りリード3゜3が引出されており、
このタブ吊りリード3,30両端部は、該リード3に対
し直角方向に伸びたフレーム(枠)4,4に連結してい
る。
ブ2が位置している。この長方形のタブ2の左右2辺中
心から帯状のタブ吊りリード3゜3が引出されており、
このタブ吊りリード3,30両端部は、該リード3に対
し直角方向に伸びたフレーム(枠)4,4に連結してい
る。
タブ2の周辺には、適宜間隔をおいて複数のリード5・
・・が配設されている。
・・が配設されている。
タブ吊りリード3,3に平行にダム6.6が設けられ、
当該ダム6.6により、前記リード5・・・が連結され
ている。当該ダム6.6はレジンを、トランスファーモ
ールドなどによりモールドする際の、当該レジンの流れ
止めの機能をも来す。
当該ダム6.6により、前記リード5・・・が連結され
ている。当該ダム6.6はレジンを、トランスファーモ
ールドなどによりモールドする際の、当該レジンの流れ
止めの機能をも来す。
タブ2の片面には、第2図では図示していないが、ペレ
ットを搭載し、固着する。ペレットは例えば長方形状に
構成されている。当該ペレット付は、−例えば導電性樹
脂接着剤を用いて行われる。
ットを搭載し、固着する。ペレットは例えば長方形状に
構成されている。当該ペレット付は、−例えば導電性樹
脂接着剤を用いて行われる。
ペレット付されたペレットはそのボンディングパノド部
にボンディングワイヤの一端部を、例えば超音波ボンデ
ィング法により、ボンディングし、一方、当該ボンディ
ングワイヤの他端部を同様の方法により、リードフレー
ム1のリード5にボンディングする。当該ワイヤボンデ
ィング後K、モールド成形金型内に当該組立品を装着し
て、レジンモールドを行なうのであるが、本発明では、
前記タブ2の裏面側にも上記と同様のペレット(ダミー
ペレット)を固着した後に、片面のペレット(正規ペレ
ット)のみにワイヤボンディングを施し、次いで上記レ
ジンモールドを行なうようにする。
にボンディングワイヤの一端部を、例えば超音波ボンデ
ィング法により、ボンディングし、一方、当該ボンディ
ングワイヤの他端部を同様の方法により、リードフレー
ム1のリード5にボンディングする。当該ワイヤボンデ
ィング後K、モールド成形金型内に当該組立品を装着し
て、レジンモールドを行なうのであるが、本発明では、
前記タブ2の裏面側にも上記と同様のペレット(ダミー
ペレット)を固着した後に、片面のペレット(正規ペレ
ット)のみにワイヤボンディングを施し、次いで上記レ
ジンモールドを行なうようにする。
第1図は当該モールド後の本発明を適用した半導体装置
の断面図で、第1図と共通する以外の符号中、7は正規
ペレット、8はダミーペレ7)、9はボンディングワイ
ヤ、10はレジン封止部である。
の断面図で、第1図と共通する以外の符号中、7は正規
ペレット、8はダミーペレ7)、9はボンディングワイ
ヤ、10はレジン封止部である。
当該半導体装置の完成に際しては、ダム6やフレームの
切断分離などが行われる。
切断分離などが行われる。
リードフレーム1は、例えばN i −p 6系合金や
Cu −V’t’系合金などの導電性材料により構成さ
れる。
Cu −V’t’系合金などの導電性材料により構成さ
れる。
正規ペレット7は、例えばシリコーン半導体結晶基板か
ら成り、周知の技術によって、このペレット内には多数
の回路素子が形成され、1つの回路機能が与えられてい
る。回路素子の具体例は、例えばMOSトランジスタか
ら成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路お
よびメモリの回路機能が形成されている。
ら成り、周知の技術によって、このペレット内には多数
の回路素子が形成され、1つの回路機能が与えられてい
る。回路素子の具体例は、例えばMOSトランジスタか
ら成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路お
よびメモリの回路機能が形成されている。
ダミーペレット8は、上記正規ペレット7と同様の構成
より成るものでよい。ダミーペレット8は正規ペレット
7のごとく回路機能を果丁ものである必要はない。ワイ
ヤボンディングする必要もない。不良とされたペレット
を使用すれば都合がよい。ダミーペレット8は正規ペレ
ットと同一材料により構成し、かつ、同一の大きさとす
るとともに同一接合材料によりタブ2に固着することが
、熱膨張の整合という点で好ましい。
より成るものでよい。ダミーペレット8は正規ペレット
7のごとく回路機能を果丁ものである必要はない。ワイ
ヤボンディングする必要もない。不良とされたペレット
を使用すれば都合がよい。ダミーペレット8は正規ペレ
ットと同一材料により構成し、かつ、同一の大きさとす
るとともに同一接合材料によりタブ2に固着することが
、熱膨張の整合という点で好ましい。
ボンディングワイヤ9は、例えばA u −? A−!
3よりなる細線により構成される。
3よりなる細線により構成される。
レジン封止部10を構成するレジンには、例えばエポキ
シ樹脂が使用される。充填剤などを必要に応じて混入せ
しめてもよい。
シ樹脂が使用される。充填剤などを必要に応じて混入せ
しめてもよい。
本発明によれば、タブ2の片面に正規ペレット7が固着
され、一方、その反対面にダミーペレット8が固着され
ている。
され、一方、その反対面にダミーペレット8が固着され
ている。
当該ダミーペレット8が存在しない場合、タブ2の一方
の面(裏面)はペレットでなく、七−ルドレジンに接す
ることになり、これらペレットとモールドレジンとの間
に熱膨張係数に差がある場合、本発明のごとくタブ20
両面に同様の熱膨張係数のもの(正規ペレット7、ダミ
ーベレット8)が接合していれば、タブ2の上下で熱膨
張収縮の度合が同じになり、タブ2の上方向への“そり
”も抑えられ、熱歪が緩和される。したがって、これら
に起因するリードフレーム1とレジン封止部10との間
の界面剥離が防止され、また、正規ペレット7にもクラ
ックを生ぜしめないようにすることが可能となった。
の面(裏面)はペレットでなく、七−ルドレジンに接す
ることになり、これらペレットとモールドレジンとの間
に熱膨張係数に差がある場合、本発明のごとくタブ20
両面に同様の熱膨張係数のもの(正規ペレット7、ダミ
ーベレット8)が接合していれば、タブ2の上下で熱膨
張収縮の度合が同じになり、タブ2の上方向への“そり
”も抑えられ、熱歪が緩和される。したがって、これら
に起因するリードフレーム1とレジン封止部10との間
の界面剥離が防止され、また、正規ペレット7にもクラ
ックを生ぜしめないようにすることが可能となった。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
本発明はデュアル・イン・ラインタイプのパッケージの
他フラットパックパッケージなど各種のレジン封止型半
導体装置に適用することができる。
他フラットパックパッケージなど各種のレジン封止型半
導体装置に適用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明子れば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明子れば、下記のとおりであ
る。
テなわち、本発明によれば、リードフレームとレシンと
の界面剥離を防止し、ペレットクラックを防止し、半導
体装置の耐湿信頼性を向上させることができた。
の界面剥離を防止し、ペレットクラックを防止し、半導
体装置の耐湿信頼性を向上させることができた。
第1図は本発明の実施例を示す半導体装置の断面図、
第2図は本発明に使用されるリードフレームの一例平面
図である。 1・・・リードフレーム、2・・・タブ、3・・・タブ
吊りリード、4・・・フレーム、5・・・リード、6・
・・ダム、7・・・正規ペレット、8・・・ダミーベレ
ット、9・・・ボンディングワイヤ、10・・・レジン
封止部。 第 1 因 第 2 図
図である。 1・・・リードフレーム、2・・・タブ、3・・・タブ
吊りリード、4・・・フレーム、5・・・リード、6・
・・ダム、7・・・正規ペレット、8・・・ダミーベレ
ット、9・・・ボンディングワイヤ、10・・・レジン
封止部。 第 1 因 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、リードフレームのタブ上に半導体ペレットを固着し
、該ペレットと当該リードフレームとをボンディングワ
イヤによりワイヤボンディングし、レジンをモールドし
て成るレジン封止型半導体装置において、前記ペレット
を固着しているタブの裏面側にダミーペレットを固着し
て成ることを特徴とするレジン封止型半導体装置。 2、レジン封止型半導体装置が、その半導体ペレットと
ダミーペレットとを同一材料により構成し、かつ、同一
の大きさとするとともに同一接合材料によりタブに固着
して成る、特許請求の範囲第1項記載のレジン封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61195480A JPS6352451A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | レジン封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61195480A JPS6352451A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | レジン封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6352451A true JPS6352451A (ja) | 1988-03-05 |
Family
ID=16341785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61195480A Pending JPS6352451A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | レジン封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6352451A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03232257A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-16 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
WO1994020986A1 (en) * | 1993-03-02 | 1994-09-15 | National Semiconductor Corporation | Device and method for reducing thermal cycling in a semiconductor package |
JPH07211846A (ja) * | 1995-02-23 | 1995-08-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | リードフレーム |
JP2008172115A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP61195480A patent/JPS6352451A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03232257A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-16 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
WO1994020986A1 (en) * | 1993-03-02 | 1994-09-15 | National Semiconductor Corporation | Device and method for reducing thermal cycling in a semiconductor package |
US5901043A (en) * | 1993-03-02 | 1999-05-04 | National Semiconductor Corporation | Device and method for reducing thermal cycling in a semiconductor package |
JPH07211846A (ja) * | 1995-02-23 | 1995-08-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | リードフレーム |
JP2008172115A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
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