JPS63179557A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS63179557A JPS63179557A JP1161387A JP1161387A JPS63179557A JP S63179557 A JPS63179557 A JP S63179557A JP 1161387 A JP1161387 A JP 1161387A JP 1161387 A JP1161387 A JP 1161387A JP S63179557 A JPS63179557 A JP S63179557A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- plastic resin
- molding
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレームに関し、プラスチ
ック封止型半導体装置に用いられるリードフレームに関
する。
ック封止型半導体装置に用いられるリードフレームに関
する。
従来のこの種のリードフレームの一例を、第３図（ａ）
〜（Ｃ）により説明する。すなわち、プラスチック樹脂
１からリード１が突出して設けられ、このリード２の曲
げ部分３でリードが曲げられている。このプラスチック
封止型半導体装置は、セラミックパッケージや、ガラス
封止型パッケージに比較してより廉価で製造できるが、
プラスチック樹脂１の吸湿性、不純物含有量などの問題
で耐湿性が他のパッケージに比較して劣るという欠点が
あった。
〜（Ｃ）により説明する。すなわち、プラスチック樹脂
１からリード１が突出して設けられ、このリード２の曲
げ部分３でリードが曲げられている。このプラスチック
封止型半導体装置は、セラミックパッケージや、ガラス
封止型パッケージに比較してより廉価で製造できるが、
プラスチック樹脂１の吸湿性、不純物含有量などの問題
で耐湿性が他のパッケージに比較して劣るという欠点が
あった。
近年、プラスチック樹脂材料の改良及び半導体チップの
パッシベーション膜（表面保護膜）の改良により、耐湿
性は改善されつつあるが、プラスチック樹脂１とリード
フレーム２の界面の密着性が、樹脂１とリードフレーム
２の熱膨張率の違い、及びリード加工時の機械的ストレ
スによりそこなわれ水分が侵入し、パッシベーション膜
のないポンディングパッドを腐食させるという不良モー
ドが問題になってきている。
パッシベーション膜（表面保護膜）の改良により、耐湿
性は改善されつつあるが、プラスチック樹脂１とリード
フレーム２の界面の密着性が、樹脂１とリードフレーム
２の熱膨張率の違い、及びリード加工時の機械的ストレ
スによりそこなわれ水分が侵入し、パッシベーション膜
のないポンディングパッドを腐食させるという不良モー
ドが問題になってきている。
上述した従来のリードフレームでは、リード成形時にプ
ラスチック樹脂１とリードフレーム２の界面に機械的ス
トレスが加わりその界面の密着性が弱くなり、リードよ
り侵入してくる水分を防ぐ事ができず、半導体チップ内
のパッシベーション膜のない部分（ポンディングパッド
）を腐食させてしまうという欠点があった。
ラスチック樹脂１とリードフレーム２の界面に機械的ス
トレスが加わりその界面の密着性が弱くなり、リードよ
り侵入してくる水分を防ぐ事ができず、半導体チップ内
のパッシベーション膜のない部分（ポンディングパッド
）を腐食させてしまうという欠点があった。
本発明の目的は、リードの曲げ部分を他のリードに比べ
薄くする事により、リード成型時に加われ機械的ストレ
スを、その薄いリード部分に集中させ、プラスチック樹
脂とリードフレームの界面には余分な力をかけないよう
にし、リードから侵入する水分に対する耐湿性をよくし
た半導体装置用リードフレームを提供することにある。
薄くする事により、リード成型時に加われ機械的ストレ
スを、その薄いリード部分に集中させ、プラスチック樹
脂とリードフレームの界面には余分な力をかけないよう
にし、リードから侵入する水分に対する耐湿性をよくし
た半導体装置用リードフレームを提供することにある。
本発明の構成は、プラスチック樹脂により封入された半
導体装置の半導体装置用リードフレームにおいて、この
リードフレームはそのリード曲げ部分のリード厚を薄く
したことにより−１このリードフレームと前記プラスチ
ック樹脂との界面にかかる機械的ストレスを少くしたこ
とを特徴とする。
導体装置の半導体装置用リードフレームにおいて、この
リードフレームはそのリード曲げ部分のリード厚を薄く
したことにより−１このリードフレームと前記プラスチ
ック樹脂との界面にかかる機械的ストレスを少くしたこ
とを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施例のリ
ード成型前の側面図、リード成型後の側面図および平面
図を示す０本実施例は、プラスチック樹脂１から突出し
たり−ド２の曲げ部分３の厚さを他のリード２より薄く
したものである。この構成によって、リード成型時に加
わる機械的ストレスをリードの曲げ部分３に集中させる
事ができ、他の部分に余分なストレスがかからずに、リ
ード成型を行なう事が出来る。
ード成型前の側面図、リード成型後の側面図および平面
図を示す０本実施例は、プラスチック樹脂１から突出し
たり−ド２の曲げ部分３の厚さを他のリード２より薄く
したものである。この構成によって、リード成型時に加
わる機械的ストレスをリードの曲げ部分３に集中させる
事ができ、他の部分に余分なストレスがかからずに、リ
ード成型を行なう事が出来る。
第２図（ａ＞、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第２の実施例
のリード成型前の側面図、リード成型後の側面図および
平面図を示す。この実施例は、第１の実施例の構造と共
に、リードフレーム２とプラスチック樹脂１との密着部
分４のリード２の幅を細くしたものである。そのため、
この実施例では、リードフレーム２とプラスチック樹脂
１の密着性を強化する事が出来るという効果がある。
のリード成型前の側面図、リード成型後の側面図および
平面図を示す。この実施例は、第１の実施例の構造と共
に、リードフレーム２とプラスチック樹脂１との密着部
分４のリード２の幅を細くしたものである。そのため、
この実施例では、リードフレーム２とプラスチック樹脂
１の密着性を強化する事が出来るという効果がある。
以上説明したように、本発明による半導体装置用リード
フレームは、リード成型時に加わる力をリードフレーム
におけるリードの薄くした部分のみに集中させる事がで
き、プラスチック樹脂とリードフレームの界面に、スト
レスを加える事なくリード成型ができるため、プラスチ
ック樹脂とリードフレームとの密着性を強くさせる事が
でき、耐湿性を向上させる事が出来るという効果がある
。
フレームは、リード成型時に加わる力をリードフレーム
におけるリードの薄くした部分のみに集中させる事がで
き、プラスチック樹脂とリードフレームの界面に、スト
レスを加える事なくリード成型ができるため、プラスチ
ック樹脂とリードフレームとの密着性を強くさせる事が
でき、耐湿性を向上させる事が出来るという効果がある
。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第１の実施例
のリード成型前、後の側面図および平面図、第２図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第２の実施例のリード成
型前後の側面図および平面図、第３図（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は従来のリードフレームの一例のリード成型前後
の側面図および平面図である。 １・・・プラスチック樹脂、２・・・リード、３・・・
リードの曲げ部分、４・・・密着部分。 ヘ ヘ ヘ畑
−ム Ｑ箭３図
のリード成型前、後の側面図および平面図、第２図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第２の実施例のリード成
型前後の側面図および平面図、第３図（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は従来のリードフレームの一例のリード成型前後
の側面図および平面図である。 １・・・プラスチック樹脂、２・・・リード、３・・・
リードの曲げ部分、４・・・密着部分。 ヘ ヘ ヘ畑
−ム Ｑ箭３図
Claims (1)
- プラスチック樹脂により封入された半導体装置の半導体
装置用リードフレームにおいて、このリードフレームは
そのリード曲げ部分のリード厚を薄くしたことにより、
このリードフレームと前記プラスチック樹脂との界面に
かかる機械的ストレスを少くしたことを特徴とする半導
体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161387A JPS63179557A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161387A JPS63179557A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63179557A true JPS63179557A (ja) | 1988-07-23 |
Family
ID=11782763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1161387A Pending JPS63179557A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63179557A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4924292A (en) * | 1988-04-12 | 1990-05-08 | Kaufman Lance R | Direct bond circuit assembly with crimped lead frame |
| US5264990A (en) * | 1990-05-11 | 1993-11-23 | U.S. Philips Corporation | Integrated circuit card that aids in reducing stress on an integrated circuit |
| JPH08321521A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-12-03 | Seiko Epson Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| US5594282A (en) * | 1993-12-16 | 1997-01-14 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5633529A (en) * | 1994-07-13 | 1997-05-27 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5652461A (en) * | 1992-06-03 | 1997-07-29 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with a convex heat sink |
| US5686361A (en) * | 1992-06-03 | 1997-11-11 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device having a heat radiator |
| US5719442A (en) * | 1994-11-11 | 1998-02-17 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device |
| US5801435A (en) * | 1995-02-27 | 1998-09-01 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP1161387A patent/JPS63179557A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4924292A (en) * | 1988-04-12 | 1990-05-08 | Kaufman Lance R | Direct bond circuit assembly with crimped lead frame |
| US5264990A (en) * | 1990-05-11 | 1993-11-23 | U.S. Philips Corporation | Integrated circuit card that aids in reducing stress on an integrated circuit |
| US5652461A (en) * | 1992-06-03 | 1997-07-29 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with a convex heat sink |
| US5653891A (en) * | 1992-06-03 | 1997-08-05 | Seiko Epson Corporation | Method of producing a semiconductor device with a heat sink |
| US5686361A (en) * | 1992-06-03 | 1997-11-11 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device having a heat radiator |
| US5594282A (en) * | 1993-12-16 | 1997-01-14 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5891759A (en) * | 1993-12-16 | 1999-04-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a multiple heat sink resin sealing type semiconductor device |
| US5633529A (en) * | 1994-07-13 | 1997-05-27 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5719442A (en) * | 1994-11-11 | 1998-02-17 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device |
| US5801435A (en) * | 1995-02-27 | 1998-09-01 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| JPH08321521A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-12-03 | Seiko Epson Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
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