JPS61137352A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61137352A
JPS61137352A JP59259147A JP25914784A JPS61137352A JP S61137352 A JPS61137352 A JP S61137352A JP 59259147 A JP59259147 A JP 59259147A JP 25914784 A JP25914784 A JP 25914784A JP S61137352 A JPS61137352 A JP S61137352A
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JP
Japan
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lead
resin
wire bonding
wirings
semiconductor device
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JP59259147A
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English (en)
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Hiroshi Tsuneno
常野　宏
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に。
当該装置に使用するリードフレームの改良技術に関する
。
〔背景技術〕　− リードフレームは、一般に、第４図に示すように、半導
体素子を搭載するタブ１と、このタブ１から延在し、こ
のタブｌを吊りリード２と、前記半導体素子の内部配線
を外部に引き出しするり一ド３と、各リード３を固定し
たり、あるいはモールドレジンの流れを止めるなどの役
割を果たすダム４と、外枠５と、内枠６とを有して成っ
ている。
このリードフレームを使用する半導体装置の製法の一例
を簡単に述べると次の通りである。
すなわち、タブ１上に半導体素子７を搭載し。
該素子７の電極とリード３とをコネクタワイヤ８により
ワイヤボンディング後、当該半導体素子組立品をモール
ド金型に入れて点線内に樹脂（レジン）をトランスファ
モールドし、切断分離、リード折曲げ、メッキ工程など
を経て樹脂封止型半導体装置を得る。
かかる樹脂封止型半導体装置に−おいては、上記点線に
より封止部に占めるリード（インナーリード）占有面積
が大きくなるとリード（一般に、金属製）とレジンとの
熱膨張係数差のミスマツチから、レジンにクラックが発
生したり、リードとレジンとの界面剥離が生じ易く、耐
湿性を低下させるという問題がある。
このため、リードの占有面積をできるだけ小さくしたい
が、単純にリード占有面積を小さくすると、レジンとの
引掛（喰い付き）が弱くなり、ちょっとした力でリード
が引張られただけで、リードが極端な場合には抜けてし
まったり、あるいは緩んでしまったりして、水分など汚
染物質が容易に半導体素子部分に迄到達してしまうよう
な隙間ができてしまうという問題がある。
このため、一般に第４図に示すように、リード先端部に
引掛になるような横方向に張り出した出っ張り９を設け
るなど、リード先端部を複雑な形状にしてリードとの喰
い付きを良くする方法が採用されているが、大容量素子
を搭載するような半導体装置では、そもそも封止面積が
極端に小さくならざるを得ないため、喰い付きを良くす
るためにリードを複雑な形状にしようとするとそれだけ
で、リード占有面積を増してしまうという欠点がある。
一方、レジンとの喰い付きを良くするためにリードに貫
通孔を設けることも考えられる。
しかし、この方法では貫通孔のほかに、ワイヤボンディ
ングする場所を確保しなければならず、このワイヤボン
ディングする場合を確保するために勢いリード占有面積
が大きくなり、前記したように、熱応力によりリードと
レジンとの界面に隙間を生じてしまう。
なお、リードフレームの構造例や樹脂封止型半導体装置
の製法や問題点を記述した文献の例として、１９８０年
１月１５日−工業調査会発行日本マイクロエレクトロニ
クス協会ｌｉ　ｒＩＣ化実装技術：ＪＰ１３９〜１５３
、工業調査会発行「電子材料Ｊ　１９８３年７月号、昭
和５８年７月１日発行Ｐ３５〜３９がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、リードの占有面積をできるだけ小さく
し、リードとレジンとの熱膨張係数差に基因する間者の
界面剥離やレジンクラックを防止でき、耐温性に優れた
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、リード占有面積を小さくしてもレ
ジンとの喰い付きを確保し、充分にリード引抜き強度を
得ることができる樹脂封止型半導体装置を提供すること
にある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は１
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、リードの先端部を、当該リードの上表面に対
し、凸状に突起させ、その突起の上にワイヤボンディン
グする。
これにより、リードの占有面積を小さくすることができ
、また、突起の上にワイヤボンディングするので、ワイ
ヤボンディング部を殊更に確保する必要もなく、リード
引抜き強度を充分に確保することができる。
〔実施例〕
次に本発明を実施例を示す図面により説明する第１図は
、本発明の実施例を示す要部断面図で第２図Ａ部の拡大
断面を示す。第２図は同要部平面図を示す、なお、これ
ら要部を除く全体のリードフレーム構成などは第４図と
同様であり、その説明を省略する。
第１図および第２ｒｊ！ｉに示すように、インナーリー
ド３の一部すなわち先端部、ワイヤボンディングしよう
とするボンディングエリア部を突起させる。
この突起は、絞り加工により、インナーリード３の一部
を上方向にくぼませる形で形成する。
この突起部１０は、リードフレームのインナーリード３
の上表面に対し、凸状に形成され、この突起部１０の上
面に第１図および第２図に示すように、こネクタワイヤ
８を周知の超音波ボンディングワイヤ法などによりワイ
ヤボンディングする次に、第３図に本発明を適用して成
る樹脂封止型半導体装！（デュアル・イン・ライン型）
の断面図を示す。なお、第３図にて、第１図、第２図お
よび第４図と共通する符号は同一の機能を示し、その説
明を省略する。
第３図にて、ＩＩは樹脂封止体、１２は当該パッケージ
外に引き出されたアウターリードを示す６本発明に係る
リードフレームは、例えば、　４２Ｎｉ合金（４２％Ｎ
ｉ−５８％Ｆｅ）やＣｕ系合金などから成る。
半導体素子（チップ）７は、例えば、シリコン単結晶基
板から成り１周知の技術によって、このチップ内には多
数の回路素子が形成され、１つの回路機能が与えられて
いる０回路素子の具体例は例えばＭＯＳトランジスタか
ら成り、これらの回路素子によって、例えばメモリや論
理回路の回路機能が形成されている。
コネクタワイヤ８は、例えばＡｕ細線やＡｕ細線により
構成される。
樹脂封止体１１は、例えば、エポキシ樹脂により構成さ
れる。
〔効果〕
（１）リードフレームの少なくともワイヤボンディング
部を該フレームの上表面に対し凸状に突起させ、当該突
起部のワイヤボンディング部を施すようにしたので、従
来のごとく出張りを設けたり、あるいは貫通孔を設ける
場合のごとくリード占有面積を大とする必要がなくなり
、最小のリード占有面積とすることができ、したがって
、リードとレジンとの熱膨張係数差により生ずるリード
とレジンの隙間の形成（界面剥離）を防止し、また、レ
ジンクラックの発生を防止することができる。
（２）ワイヤボンディング部が突起状に高くなっている
ため、リード界面を伝わってきた水分がボンディング部
に到達するのを阻げる作用をなし。
ボンディングワイヤを伝わって素子に達する水分を押え
ることができ、上記（１）に述べた事項とも合わせ１本
発明によれば、極めて耐湿性の向上した半導体装置が得
られ、耐湿性の弱い樹脂封止体半導体装置に極めて有用
な技術を提供することができる。
（３）突起部にワイヤボンディングを施せばよいので、
従来の貫通孔を設ける場合のごとくワイヤボンディング
のための場合を殊更に確保する必要がなく、リード占有
面積を小さくすることができる。
（４）予期しない効果として、リード側のワイヤボンデ
ィング位置が絞り突起加工により持ち上げられるために
タブ下げと同様な効果をもたらし、コネクタワイヤのシ
ョートの心配なしにワイヤボンディングでき、かつ、タ
ブ寸法を大きくすることができ、大容量の素子を信頼性
よく搭載できる。
（５）突起の存在により、リード占有面積を小さくして
も、この突起によりレジンの喰い付きがよいので、充分
なリード孔抜き強度を確保でき、したがって上記した大
容量の素子を搭載し封止代が狭くなってきても、充分リ
ード引抜強度を確保した半導体装置を得ることができる
。
以上述べたことがら、本発明によれば、耐湿性に優れ、
リード引き抜き強度が高く、ワイヤショートなどがない
、高信頼性のＶＡ脂封止型半導体装置を得ることができ
る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
〔利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置全般に適用でき。
デュアル・イン・ライン型の他、フラットパック型やＰ
ＬＣＣ型などのプラスチックパッケージにも適用できる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す要部断面図第２図は同平
面図、 第３図は本発明実施例を示す半導体装置の断面図、 第４図は従来例を示すリードフレームの平面図である。 ■・・・タブ、２・・・タブ吊りリード、３・・・リー
ド（インナーリード）、４・・・ダム、５・・・外枠、
６・・−内枠、７・・・半導体素子、８・・・コネクタ
ワイヤ、９・・・出っ張り、１０・・・突起部、１１　
山樹脂封止体。 １２・・・アウターリード。 第　　１　　図 Ｆ 第　　２　　図 第　　３　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、リードフレームの少なくともワイヤボンディング部
    を、該フレームの上表面に対し凸状に突起させ、当該突
    起部にワイヤボンディングを施して成ることを特徴とす
    る樹脂封止型半導体装置。 ２、突起部が、絞り加工により形成されて成る、特許請
    求の範囲１項記載の樹脂封止型半導体装置。
JP59259147A 1984-12-10 1984-12-10 半導体装置 Pending JPS61137352A (ja)

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Cited By (5)

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