JP2758677B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JP2758677B2 JP2758677B2 JP1333819A JP33381989A JP2758677B2 JP 2758677 B2 JP2758677 B2 JP 2758677B2 JP 1333819 A JP1333819 A JP 1333819A JP 33381989 A JP33381989 A JP 33381989A JP 2758677 B2 JP2758677 B2 JP 2758677B2
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- lead
- semiconductor device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体装置を薄
形にする技術に適用して有効な技術に関するものであ
る。
形にする技術に適用して有効な技術に関するものであ
る。
半導体装置は、半導体チップを保護するためにモール
ド樹脂で封止されている。この半導体装置には半導体チ
ップをモールド樹脂で封止する前に、前記半導体チップ
を吊りリードにより支持されているタブの上に接着固定
され、リードフレームが位置決めされる。そして、半導
体チップとインナーリードとがボンディングワイヤーで
電気的に接続される。
ド樹脂で封止されている。この半導体装置には半導体チ
ップをモールド樹脂で封止する前に、前記半導体チップ
を吊りリードにより支持されているタブの上に接着固定
され、リードフレームが位置決めされる。そして、半導
体チップとインナーリードとがボンディングワイヤーで
電気的に接続される。
なお、本願において、インナーリードとはリードの封
止体内部に延在している部分を言い、アウターリードと
はリードの封止体外部に延在している部分を言う。
止体内部に延在している部分を言い、アウターリードと
はリードの封止体外部に延在している部分を言う。
しかし、前記従来の半導体装置では、タブを使用して
いるので、その分だけ半導体装置が厚くなるという問題
があった。
いるので、その分だけ半導体装置が厚くなるという問題
があった。
本発明の目的は、半導体装置の厚さを薄くすることが
可能な技術を提供することにある。
可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）四角形の半導体チップの対向する側面に沿って複
数個の信号伝送路用リードがそれぞれ設けられ、該複数
個の信号リードと前記半導体チップの素子形成面上に設
けられている複数個の外部端子とがそれぞれボンディン
グワイヤで電気的に接続され、かつ、それらが封止体に
より封止されて成る半導体装置であって、前記半導体チ
ップの対向する側面に当該半導体チップを支持する支持
リードがそれぞれ設けられ、該支持リードの一端は前記
半導体チップの側面に接着固定され、他端は前記封止体
から外部に突出されて成るものである。
数個の信号伝送路用リードがそれぞれ設けられ、該複数
個の信号リードと前記半導体チップの素子形成面上に設
けられている複数個の外部端子とがそれぞれボンディン
グワイヤで電気的に接続され、かつ、それらが封止体に
より封止されて成る半導体装置であって、前記半導体チ
ップの対向する側面に当該半導体チップを支持する支持
リードがそれぞれ設けられ、該支持リードの一端は前記
半導体チップの側面に接着固定され、他端は前記封止体
から外部に突出されて成るものである。
（２）前記支持リードは前記半導体チップの厚さよりも
薄いものである。
薄いものである。
（３）前記支持リードは信号伝送路用リードと同一面に
設けられているものである。
設けられているものである。
（４）四角形の半導体チップの対向する側面に沿って複
数個の信号伝送路用リードをそれぞれ配列し、該複数個
の信号リードと前記半導体チップの素子形成面上に設け
られている複数個の外部端子とをそれぞれワイヤボンデ
ィングして電気的に接続し、それらを封止体により封止
する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップ
の対向する側面にそれぞれ支持リードを接着固定させ、
弾性力を持たせて半導体チップ側面を支持し、その後、
前記ワイヤボンディングを行うものである。
数個の信号伝送路用リードをそれぞれ配列し、該複数個
の信号リードと前記半導体チップの素子形成面上に設け
られている複数個の外部端子とをそれぞれワイヤボンデ
ィングして電気的に接続し、それらを封止体により封止
する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップ
の対向する側面にそれぞれ支持リードを接着固定させ、
弾性力を持たせて半導体チップ側面を支持し、その後、
前記ワイヤボンディングを行うものである。
〔作用〕 上述した手段によれば、支持リード又は前記インナー
リードの内、信号伝送路として使用しないインナーリー
ドを前記半導体チップの側端面に接着固定させ、リード
フレームに前記半導体チップを固定させる構造にしたこ
とにより、半導体チップを固定させるタブを使用しない
ので、その分だけ半導体装置を薄くすることができる。
リードの内、信号伝送路として使用しないインナーリー
ドを前記半導体チップの側端面に接着固定させ、リード
フレームに前記半導体チップを固定させる構造にしたこ
とにより、半導体チップを固定させるタブを使用しない
ので、その分だけ半導体装置を薄くすることができる。
また、前記支持リード又は信号伝送路として使用しな
いインナーリードに弾性力を持たせて前記リードフレー
ムを前記半導体チップの側端面に接着固定される構成に
したことにより、接着剤を使用しないので、前記リード
フレームを前記半導体チップの側端面に接着固定させる
作業を容易にすることができる。
いインナーリードに弾性力を持たせて前記リードフレー
ムを前記半導体チップの側端面に接着固定される構成に
したことにより、接着剤を使用しないので、前記リード
フレームを前記半導体チップの側端面に接着固定させる
作業を容易にすることができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機
能を有するものを同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
能を有するものを同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
〔実施例１〕 本発明の実施例１である樹脂封止型半導体装置の封止
樹脂の上部を除去した状態の概略構成を第１図（平面
図），第２図（第１図のII−II線で切った断面図）及び
第３図（第１図のIII−III線で切った断面図）で示す。
樹脂の上部を除去した状態の概略構成を第１図（平面
図），第２図（第１図のII−II線で切った断面図）及び
第３図（第１図のIII−III線で切った断面図）で示す。
第１図，第２図及び第３図に示すように、本実施例の
半導体チップ１は、面実装型のSOJ（Smoll Out J−Type
Lead）型の樹脂封止型パッケージ２で封止されてい
る。
半導体チップ１は、面実装型のSOJ（Smoll Out J−Type
Lead）型の樹脂封止型パッケージ２で封止されてい
る。
前記半導体チップ１の対向する長辺の周辺には複数の
インナーリード3Aが配設されている。
インナーリード3Aが配設されている。
そして、前記半導体チップ１は、前記複数のインナー
リード3Aと一体に形成された支持リード（吊りリード）
3Cにより、前記半導体チップ１の側端面が接着剤４で接
着固定され、リードフレーム３（第４図）に前記半導体
チップが固定される構造になっている。
リード3Aと一体に形成された支持リード（吊りリード）
3Cにより、前記半導体チップ１の側端面が接着剤４で接
着固定され、リードフレーム３（第４図）に前記半導体
チップが固定される構造になっている。
前記リードフレーム３は、前記複数のインナーリード
3A、アウターリード3B及び支持リード（吊りリード）3C
等が一体に形成されたものである。このリードフレーム
３においては、前記支持リード（吊りリード）3Cの構造
以外の部分は、通常のものと同様の形状になっている。
3A、アウターリード3B及び支持リード（吊りリード）3C
等が一体に形成されたものである。このリードフレーム
３においては、前記支持リード（吊りリード）3Cの構造
以外の部分は、通常のものと同様の形状になっている。
前記インナーリード3Aの先端はボンディングワイヤ５
を介在させて半導体チップ１の長辺部分に配列されたボ
ンディングパッド（外部端子）BPに接続されている。前
記ボンディングワイヤ５はアルミニウム（Al）ワイヤを
使用する。また、ボンディングワイヤ５としては、金
（Au）ワイヤ、銅（Cu）ワイヤ、金属ワイヤの表面に絶
縁性樹脂を被覆した被覆ワイヤ等を使用してもよい。ボ
ンディングワイヤ５は熱圧着に超音波振動を併用したボ
ンディング法によりボンディングされている。
を介在させて半導体チップ１の長辺部分に配列されたボ
ンディングパッド（外部端子）BPに接続されている。前
記ボンディングワイヤ５はアルミニウム（Al）ワイヤを
使用する。また、ボンディングワイヤ５としては、金
（Au）ワイヤ、銅（Cu）ワイヤ、金属ワイヤの表面に絶
縁性樹脂を被覆した被覆ワイヤ等を使用してもよい。ボ
ンディングワイヤ５は熱圧着に超音波振動を併用したボ
ンディング法によりボンディングされている。
前記半導体チップ１、ボンディングワイヤー５、イン
ナーリード3A及び支持リード3Cはモールド樹脂2Aで封止
されている。このモールド樹脂2Aは、低応力化を図るた
めに、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラ
ーが添加されたエポキシ系樹脂を使用している。シリコ
ーンゴムはエポキシ系樹脂の弾性率と同時に熱膨張率を
低下させる作用がある。フィラーは球形の酸化珪素粒で
形成されており、同様に熱膨張率を低下させる作用があ
る。また、パッケージ２の所定位置にインデックスが設
けられている。
ナーリード3A及び支持リード3Cはモールド樹脂2Aで封止
されている。このモールド樹脂2Aは、低応力化を図るた
めに、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラ
ーが添加されたエポキシ系樹脂を使用している。シリコ
ーンゴムはエポキシ系樹脂の弾性率と同時に熱膨張率を
低下させる作用がある。フィラーは球形の酸化珪素粒で
形成されており、同様に熱膨張率を低下させる作用があ
る。また、パッケージ２の所定位置にインデックスが設
けられている。
次に、前記リードフレームの詳細について説明する。
第４図（リードフレーム全体平面図）に示すように、
前記リードフレーム３は、20本の信号用インナーリード
3A及びアウターリード3B及び支持リード（吊りリード）
3Cで構成されている。このリードフレーム３は例えばFe
−Ni（例えばNi含有率42又は50［％］）合金、Cu等で形
成されている。
前記リードフレーム３は、20本の信号用インナーリード
3A及びアウターリード3B及び支持リード（吊りリード）
3Cで構成されている。このリードフレーム３は例えばFe
−Ni（例えばNi含有率42又は50［％］）合金、Cu等で形
成されている。
以上、本実施例１の説明からわかるように、支持リー
ド3Cを前記半導体チップ１の側端面に接着固定させ、リ
ードフレーム３に前記半導体チップ１を固定させる構造
にしたことにより、半導体チップ１を固定させるタブを
使用しないので、その分だけ半導体装置を薄くすること
ができる。
ド3Cを前記半導体チップ１の側端面に接着固定させ、リ
ードフレーム３に前記半導体チップ１を固定させる構造
にしたことにより、半導体チップ１を固定させるタブを
使用しないので、その分だけ半導体装置を薄くすること
ができる。
また、前記支持リード3Cに弾性力を持たせて前記リー
ドフレーム３を前記半導体チップ１の側端面に接着固定
させる構成にしてもよい。
ドフレーム３を前記半導体チップ１の側端面に接着固定
させる構成にしてもよい。
このように半導体装置を薄くすることにより、接着剤
４を使用しないので、前記リードフレーム３を前記半導
体チップ１の側端面に接着固定させる作業を容易にする
ことができる。
４を使用しないので、前記リードフレーム３を前記半導
体チップ１の側端面に接着固定させる作業を容易にする
ことができる。
これにより、本発明をICカードや重ねモジュールに適
用した場合、極めて有効である。
用した場合、極めて有効である。
例えば、重ねモジュールにしてメモリの容量増大の設
計，製作等を極めて容易に行うことができる。
計，製作等を極めて容易に行うことができる。
〔実施例２〕 本発明の実施例２である樹脂封止型半導体装置の封止
樹脂の上部を除去した状態の概略構成を第５図（平面
図），第６図（第５図のVI−VI線で切った断面図）及び
第７図（第５図のVII−VII線で切った断面図）で示す。
樹脂の上部を除去した状態の概略構成を第５図（平面
図），第６図（第５図のVI−VI線で切った断面図）及び
第７図（第５図のVII−VII線で切った断面図）で示す。
第５図，第６図及び第７図に示すように、本実施例２
の半導体チップ１は、前記実施例１の複数のインナーリ
ード3Aと一体に形成された支持リード（吊りリード）3C
の代りに、前記複数のインナーリード3Aの内、信号伝送
路として使用しないインナーリード3A1の複数本により
前記半導体チップ１の側端面を接着剤４で接着固定さ
せ、リードフレーム３の前記半導体チップ１を固定させ
る構造にしたものである。
の半導体チップ１は、前記実施例１の複数のインナーリ
ード3Aと一体に形成された支持リード（吊りリード）3C
の代りに、前記複数のインナーリード3Aの内、信号伝送
路として使用しないインナーリード3A1の複数本により
前記半導体チップ１の側端面を接着剤４で接着固定さ
せ、リードフレーム３の前記半導体チップ１を固定させ
る構造にしたものである。
前記信号伝送路として使用しないインナーリード3A1
の数は、３本,4本又はそれ以上の本数により半導体チッ
プ１が安定する状態が好ましい。
の数は、３本,4本又はそれ以上の本数により半導体チッ
プ１が安定する状態が好ましい。
このようにすることにより、前記実施例１の支持リー
ド3Cを省略することができる。
ド3Cを省略することができる。
以上、本発明を実施例に基づき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を説明すれば、下記のとおりである。
って得られる効果を説明すれば、下記のとおりである。
（１）半導体チップを固定させるタブを使用しないの
で、その分だけ半導体装置を薄くすることができる。
で、その分だけ半導体装置を薄くすることができる。
（２）前記支持リード又は信号伝送路として使用しない
インナーリードに弾性力を持たせて前記リードフレーム
を前記半導体チップの側端面に接着固定させる構成にし
たことにより、接着剤を使用しないので、前記リードフ
レームを前記半導体チップの側端面に接着固定させる作
業を容易にすることができる。
インナーリードに弾性力を持たせて前記リードフレーム
を前記半導体チップの側端面に接着固定させる構成にし
たことにより、接着剤を使用しないので、前記リードフ
レームを前記半導体チップの側端面に接着固定させる作
業を容易にすることができる。
第１図は、本発明の実施例１である樹脂封止型半導体装
置の封止樹脂の上部を除去した状態の概略構成を示す平
面図、 第２図は、第１図のII−II線で切った断面図、 第３図は、第１図のIII−III線で切った断面図、 第４図は、実施例１のリードフレーム全体平面図、 第５図は、本発明の実施例２である樹脂封止型半導体装
置の封止樹脂の上部を除去した状態の概略構成を示す平
面図、 第６図は、第５図のVI−VI線で切った断面図、 第７図は、第５図のVII−VII線で切った断面図である。 図中、１……半導体チップ、２……樹脂封止型パッケー
ジ、2A……モールド樹脂、３……リードフレーム、3A…
…インナーリード、3B……アウターリード、3C……支持
リード（吊りリード）、４……接着剤、５……ボンディ
ングワイヤ。
置の封止樹脂の上部を除去した状態の概略構成を示す平
面図、 第２図は、第１図のII−II線で切った断面図、 第３図は、第１図のIII−III線で切った断面図、 第４図は、実施例１のリードフレーム全体平面図、 第５図は、本発明の実施例２である樹脂封止型半導体装
置の封止樹脂の上部を除去した状態の概略構成を示す平
面図、 第６図は、第５図のVI−VI線で切った断面図、 第７図は、第５図のVII−VII線で切った断面図である。 図中、１……半導体チップ、２……樹脂封止型パッケー
ジ、2A……モールド樹脂、３……リードフレーム、3A…
…インナーリード、3B……アウターリード、3C……支持
リード（吊りリード）、４……接着剤、５……ボンディ
ングワイヤ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/50 H01L 23/495
Claims (4)
- 【請求項１】四角形の半導体チップの対向する側面に沿
って複数個の信号伝送路用リードがそれぞれ設けられ、
該複数個の信号リードと前記半導体チップの素子形成面
上に設けられている複数個の外部端子とがそれぞれボン
ディングワイヤで電気的に接続され、かつ、それらが封
止体により封止されて成る半導体装置であって、前記半
導体チップの対向する側面に当該半導体チップを支持す
る支持リードがそれぞれ設けられ、該支持リードの一端
は前記半導体チップの側面に接着固定され、他端は前記
封止体から外部に突出されて成ることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】前記支持リードは前記半導体チップの厚さ
よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項３】前記支持リードは信号伝送路用リードと同
一面に設けられていることを特徴とする請求項１又は請
求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】四角形の半導体チップの対向する側面に沿
って複数個の信号伝送路用リードをそれぞれ配列し、該
複数個の信号リードと前記半導体チップの素子形成面上
に設けられている複数個の外部端子とをそれぞれワイヤ
ボンディングして電気的に接続し、それらを封止体によ
り封止する半導体装置の製造方法であって、前記半導体
チップの対向する側面にそれぞれ支持リードを接着固定
させ、弾性力を持たせて半導体チップ側面を支持し、そ
の後、前記ワイヤボンディングを行うことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333819A JP2758677B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333819A JP2758677B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03192736A JPH03192736A (ja) | 1991-08-22 |
| JP2758677B2 true JP2758677B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=18270302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1333819A Expired - Lifetime JP2758677B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2758677B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950034719A (ko) * | 1994-04-13 | 1995-12-28 | 알. 제이. 보토스 | 리드 프레임 및 이 리드 프레임을 포함한 패키지 디바이스 제조 방법 |
| TW335545B (en) * | 1996-06-12 | 1998-07-01 | Hitachi Cable | Lead frame, method of making the same and semiconductor device using the same |
-
1989
- 1989-12-21 JP JP1333819A patent/JP2758677B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03192736A (ja) | 1991-08-22 |
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