JP2518716B2 - 接着シ―ト及び半導体装置 - Google Patents

接着シ―ト及び半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、リードフレームのダイパッドに接着可能な
半導体装置のワイヤーボンディングに使用するための接
着シート及びそれを用いて作成された半導体装置に関す
る。
〈従来の技術〉 従来、半導体装置においては、第9図に示されるよう
に、リードフレームのダイパッド9aに接着剤10によって
半導体チップ7を固定し、半導体チップ7とリードフレ
ームのリードピン9bとの間を金ワイヤー8によってワイ
ヤーボンディングすることが行なわれている。そしてワ
イヤーボンディングされた半導体チップは、金ワイヤー
と共に、樹脂で封止される。
近年、これら半導体装置においては、情報量の増大に
伴ない、リードフレームを構成するリードピンの多ピン
化が要求され、その一方で、実装密度の増大、低コスト
指向に伴なう半導体チップの小型化が要求されるように
なる。したがってリードピンの長さが長くなり、それに
伴なってリードピンの幅およびリードピンの間隔が狭く
なるので、リードピンの先端部の精密さが必要になって
いる。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、リードフレームの作成にあたり、その
エッチングの精度には限界があり、上記の要求を満たす
ことは不可能である。すなわち、従来の技術において、
小型チップと多ピンのリードピンの先端部をワイヤーボ
ンディング可能な位置に接近させると、リードフレーム
のエッチング精度又は打抜き精度の限界からリードピン
の先端同士が接触するか、又はリードを形成できないと
いう問題を生じる。それを回避するためには、小型チッ
プとリードピンの先端部との間隔を広げる必要がある
が、その場合には半導体チップとリードピンの先端との
距離が長くなるため、それらを接続する金ワイヤー同士
が樹脂封止時のワイヤー流れ等により、接触するという
問題を発生する。
本発明は、従来の技術における上記のような問題点に
鑑みてなされたものである。すなわち本発明の目的は、
小型の半導体チップと多数本のリードピンの先端を信頼
性よくワイヤーボンディングさせる為に使用する接着シ
ートを提供することにある。
本発明の他の目的は、上記接着シートを使用した半導
体装置を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 本発明の接着シートは、半導体装置のワイヤーボンデ
ィングに使用するためのものであって、耐熱性支持体
が、銅箔上にキャスティング塗布法または押出し成形法
により形成された耐熱性樹脂層と、接着層と、耐熱性フ
ィルムからなり、そして、耐熱性フィルム上に半硬化状
接着剤層および保護フィルムを順次設けてなる構造を有
することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記の接着シートを使
用して作成されるものであって、その第1のものは、耐
熱性支持体の一面に、半導体チップを載置する部分と、
それを取巻く多数の条線とよりなる銅箔パターンが形成
された銅箔層を有し、他面に半硬化状接着剤層が積層さ
れた接着シートを、リードフレームのダイパッド上に接
着し、該接着シートの半導体チップを載置する部分に半
導体チップを固定し、半導体チップと各条線の一端との
間及び各条線の他端とリードフレームのリードピンとの
間にワイヤーボンティングを施し、半導体チップをワイ
ヤーボンディング部と共に樹脂で封止してなり、半導体
チップとリードピンが、接着シートの銅箔層に形成され
た条線を介して電気的に接続されてなることを特徴とす
る。
また、本発明の第2の半導体装置は、耐熱性支持体の
一面に多数の条線よりなる銅箔パターンが形成された銅
箔層を有し、他面に半硬化状接着剤層が積層され、か
つ、中央に打ち抜き孔部分を有するリング状の接着シー
トを、リードフレームのダイパッド上に接着し、ダイパ
ッド上の該接着シート中央の打ち抜き孔部分に半導体チ
ップを固定し、半導体チップと各条線の一端の間及び各
条線の他端とリードフレームのリードピンとの間にワイ
ヤーボンディングを施し、半導体チップをワイヤーボン
ディング部と共に樹脂で封止してなり、半導体チップと
リードピンが、接着シートの銅箔層に形成された条線を
介して電気的に接続されてなることを特徴とする。
次に、本発明の、接着シートについて、図面を参酌し
て説明する。
第1図は、本発明の接着シートの断面図を示すもので
あって、耐熱性支持体が、キャスティング塗布法又は押
出し成形法により形成された耐熱性樹脂層と、接着層
と、耐熱性フィルムからなるものである。図において、
銅箔3上にキャスティング塗工法または押出し成形法に
より形成された耐熱性樹脂層6を有する積層体が、耐熱
性フィルム1の一面に、接着層2を介して積層されてい
る。また、耐熱フィルム1の他面には、半硬化状接着剤
層4および保護フィルム5が順次設けられている。本発
明に接着シートは、キャスティング塗布法により形成す
る耐熱性樹脂層の膜厚が薄過ぎて、作業が困難である場
合にも適用することができるという利点がある。
次に、本発明の接着シートの各層を構成する材料につ
いて説明する。
(銅箔) 厚さ3オンス(1平方フィート当りの銅箔の重さ、以
下省略する)以下、好ましくは1オンス以下の圧延又は
電解銅箔又は合金銅箔が使用される。また、場合によっ
ては、銅箔の表面には酸化を抑えるためにクロメート処
理を、裏面には銅箔裏面からの隣接層への銅の拡散を抑
えるためにZn、Ni等のメッキ処理を行うこともできる。
(接着層) 接着層を構成する接着剤としては、ポリイミド系接着
剤、エポキシ/ポリアミド系接着剤、ポリアミドイミド
系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリエステル系接着剤等
が使用でき、更にまた、NBR/フェノール系接着剤、ポリ
アミド系接着剤、ポリブチラール/フェノール系接着
剤、およびこれらをエポキシ変性した接着剤等も使用で
きる。ポリイミド系接着剤としては、Tgが160℃以上で
分子内にイミド環又は縮合してイミド環を形成する付加
型ポリイミド、縮合型ポリイミド等が用いられる。接着
層は、この接着剤を耐熱性フィルムの一面又は耐熱性樹
脂層表面に、乾燥後の塗布厚が5〜50μm、好ましくは
20μm以下になるように塗布し、乾燥した後、ラミネー
トされた状態で完全硬化させることによって形成される
もので、それによって耐熱性フィルムと耐熱性樹脂層と
が接着される。
ポリイミド系接着剤の代表的なものとしては、縮重合
反応によってイミド環を形成する下記構造式で示される
単量体単位を有するポリアミック酸(例えば、商品名:L
ARK−TPI)、 両末端にアセチレン基を有するポリイミド(例えば、商
品名:MC−600、IP−6001、IP−630、FA−7001等)があ
げられる。
(耐熱性フィルム) 厚さ10〜150μm、好ましくは25〜75μmの、例えば
ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の耐熱性フィ
ルムや、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポキシ樹脂−
ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱性フィルムが使
用される。また、耐熱性フィルムと隣接する層との接着
力を高めるために、コロナ放電処理、プラズマ処理を行
うこともできる。
(耐熱性樹脂層) 銅箔上にキャスティング塗工法または押出し成形法に
より形成されるものであって、キャスティング塗工法に
使用する耐熱性樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリアミドイミド樹脂等があげられ、例えば、
カプトン型分子構造をもち、比較的高いTg(160℃以
上)を有するポリイミドワニスを主成分とする接着剤を
用いるのが好ましい。また、押出し成形法に使用する耐
熱性樹脂としては、例えばポリフェニレンサルファイド
樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテル
イミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等が使用できる。
(半硬化状接着剤層) 半硬化状接着剤層は、ポリイミド系、ポリイミド/ポ
リアミド系、又はエポキシ系接着剤を塗布することによ
って形成することができる。これらの接着剤には充填剤
が配合されていてもよい。
本発明において、これら接着剤を塗布して形成される
接着剤層は、Bステージの半硬化状の状態にあることが
必要である。
半硬化状接着剤層の膜厚は、通常5〜50μmの範囲に
設定するのが好ましい。
(保護フィルム) 厚み10〜100μmの、シリコーン樹脂等で剥離性を付
与したポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロ
ピレンフィルム、フッ素樹脂系フィルム、離型処理した
紙等が適用され、前記した半硬化状接着剤層には貼着す
るが、容易に剥離することができる性質を持つものであ
る。
本発明の接着シートを用いた半導体装置について説明
する。本発明の第1および第2の半導体装置は、上記第
1図の接着シートを使用して形成することができる。
第1図に示される構造の接着シートの銅箔をエッチン
グ処理することにより所定の銅箔パターンを形成し、そ
の後、銅箔パターンにニッケル又は金メッキを施し、リ
ードフレームにおダイパッド部に接着可能な所定の大き
さに打ち抜き加工を行い、第2図に示されるような銅箔
パターンが形成された接着シート片を作成する。なお、
第2図(a)は断面図、(b)は平面図であり、図中、
12は第1図の接着シートの耐熱性フィルム、接着層およ
び耐熱性樹脂層の積層構造の部分(耐熱性支持体)を省
略して示したものであり、3aは、銅箔層に形成された銅
箔パターンの半導体チップを載置する部分、3bは条線を
示し、他の符号は前記と同様である。
次に、保護フィルム5を剥離した後、この接着シート
片をリードフレームのダイパッドに載置し、半硬化状接
着剤層を加熱硬化させることによって、接着させる。第
3図は、その状態を示す平面図である。図中、3a半導体
チップを載置する部分、3bは条線を示し、9はリードフ
レームであって、9aはリードフレームのダイパッド、9b
はリードピンである。
次いで、銅箔パターンの半導体チップを載置する部分
3a上に、半導体チップを接着ペーストを用いて接着し、
金ワイヤーによってワイヤーボンディングが施される。
〈実施例〉 次に、本発明の半導体装置の実施例を図面によって説
明する。
第4図は、本発明の半導体装置の一実施例の断面図で
あり、第5図は、その要部の断面図である。
それらの図面において、リードフレームのダイパッド
9aの上に、第2図に示される銅箔パターンが形成された
接着シート片が載置され、半硬化状接着剤層によって接
着されている。なお、4aは半硬化状接着剤層が硬化した
状態の接着層を示す。また、銅箔パターンの半導体チッ
プを載置する部分3aの上には、半導体チップ7が接着剤
10によって接着されている。半導体チップと銅箔パター
ンの条線3bとの間、および銅箔パターンの条線3bとリー
ドフレームのリードピン9bとの間には、それぞれ金ワイ
ヤー8aおよび8bによってワイヤーボンディングが施され
ている。それにより、半導体チップ7とリードピン9b
が、接着シートの銅箔層に形成された条線3bを介して電
気的に接着される。そしてこれら全体は、樹脂11によっ
て封止されている。
第6図は、本発明の半導体装置の他の実施例の断面図
であり、第7図は、その要部の断面図である。第6図に
おいては、第2図における銅箔パターンの半導体を載置
する部分3aが打ち抜き加工によって打ち抜かれた孔を有
するリング状の形状のものが使用されている。この場
合、第7図に示すように、半導体チップ7は、接着剤10
によってダイパッド9a上に直接接着されている。そし
て、半導体チップと銅箔パターンの条線3bとの間、およ
び銅箔パターンの条線3bとリードフレームのリードピン
9bとの間には、それぞれ金ワイヤー8aおよび8bによって
ワイヤーボンディングが施されている。それにより、半
導体チップ7とリードピン9bが、接着シートの銅箔層に
形成された条線3bを介して電気的に接続される。そして
半導体チップ及びワイヤーボンディング部の全体が、樹
脂11によって封止されている。
次に、本発明の接着シートについて、実施例を示す。
実施例1 厚さ1オンスの圧延銅箔(日本鉱業社製)に耐熱性ポ
リイミド樹脂(商品名:サーミッドIP−630、カネボウ
エヌエスシー社製)の固形分濃度20%のN−メチルピロ
リドン溶液をキャスティング塗工し、さらに200℃で1
時間加熱硬化して、銅箔の片面に厚さ30μmの耐熱性樹
脂層を形成した。
上記耐熱性樹脂層の表面に、エポキシ/ポリアミド系
樹脂(商品名:エスダイン3611、積水化学社製)からな
る接続剤を厚さ10μmになるように塗布し、乾燥した
後、ポリイミド樹脂(商品名:ユーピレックス75SS、宇
部興産社製)からなる耐熱性フィルムを貼り合わせ、16
0℃で2時間加熱処理して、接着層を硬化させた。
その後、上記耐熱性フィルムの表面に、上記と同一の
エポキシ/ポリアミド系樹脂からなる接着剤を、厚さ30
μmになるように塗布し、150℃で5分間加熱して、半
硬化状接着剤層を設けた。
次いで、形成された半硬化状接着剤層の表面に、厚さ
38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる
保護フィルムを貼り合わせ、第1図に示す構造の接着シ
ートを作成した。
上記のようにして作成された本発明の接着シートにつ
いて、銅箔を常法によりエッチングして銅箔パターンを
作成し、Niおよび金メッキ処理した後、打ち抜き加工を
施して第2図に示される状態の形状の接着シート片を得
た。保護フィルムを剥離した後、第4図に示すように、
リードフレームのダイパッド上に接着した。これら一連
の工程を通して、エッチング性、耐メッキ性、打ち抜き
加工性及びダイパッドへの接着性は、いずれも良好であ
った。
次に、接着シート片の中央部の銅箔パターン上に半導
体チップを接着して搭載した後、超音波を利用し、250
℃でワイヤーボンディングを施した(第4図参照)。
これらのものについて、ワイヤーボンディングの状態
を調査した。すなわち、第8図に示されるA、B及びC
の3箇所の接着強度をワイヤーボンディングテスターで
測定した。その結果、次に示すとおり十分な接着強度を
有することが確認された。
A:10g/本、 B:7g/本、 C:8g/本、 また、X線観察の結果、ワイヤーボンディング後の樹
脂モールド性には何等異常がないことが確認され、これ
ら接着シートが半導体装置の構成要素として、十分な信
頼性を有していることが確認できた。
〈発明の効果〉 従来の半導体装置においては、半導体チップとリード
ピンとが直接ワイヤーボンディングされているため、半
導体チップが小型化したり、リードピンが多ピン化した
場合、リードピン先端が接触したり、ワイヤーが接触し
たりする問題があったが、本発明の接着シートを用いる
ことによって、これらの問題が解決される。すなわち、
本発明の接着シートは、その表面の銅箔にエッチングに
より銅箔パターンを形成させることができるため、半導
体チップとリードピンとの間のワイヤーボンディング
が、形成された銅箔パターンを介して二段階的に施され
ることになる。したがって、それぞれのワイヤーの長さ
が短くなり、ワイヤー同士が接触するという欠点が解消
される。また、上記銅箔パターンは、直接耐熱性樹脂層
に強固に固定された状態で形成されているため、信頼性
よくワイヤーボンディングを施すことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の接着シートの断面図、第2図(a)
は表面に銅箔パターンが形成された接着シート片の断面
図、第2図(b)はその平面図、第3図は、第2図の接
着シート片をリードフレームに接着した状態を示す平面
図、第4図、本発明の半導体装置の一実施例の断面図、
第5図は、第4図の半導体装置の要部を示す説明図、第
6図は、本発明の半導体装置の他の実施例の断面図、第
7図は、第6図の半導体装置の要部を説明する説明図、
第8図はワイヤーボンディングの接着強度を測定する位
置を説明する説明図、第9図は従来の半導体装置におけ
るワイヤーボンディングが施された状態を説明する説明
図である。 1……耐熱性フィルム、2……接着層、3……銅箔、3a
……半導体チップを載置する部分、3b……条線、4……
半硬化状接着剤層、5……保護フィルム、6……耐熱性
樹脂層、7……半導体チップ、8、8aおよび8b……金ワ
イヤー、9……リードフレーム、9a……ダイパッド、9b
……リードピン、10……接着剤、11……樹脂、12……接
着シートの耐熱性フィルム、接着層および耐熱性樹脂層
の積層構造の部分。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 越村 淳 静岡県静岡市用宗巴町3番1号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−52854(JP,A) 特開 昭63−34968(JP,A) 実開 昭64−57641(JP,U)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】耐熱性支持体が、銅箔上にキャスティング
    塗工法または押出し成形法により形成された耐熱性樹脂
    層と、接着層と、耐熱性フィルムからなり、該耐熱性フ
    ィルム上に半硬化状接着剤層および保護フィルムを順次
    設けてなることを特徴とする半導体装置のワイヤーボン
    ディングに使用するための接着シート。
  2. 【請求項2】銅箔上にキャスティング塗工法または押出
    し成形法により形成された耐熱性樹脂層と、その上に接
    着層を介して設けられた耐熱性フィルムとからなる耐熱
    性支持体の、該耐熱性フィルムの上に半硬化状接着剤層
    を設けた接着シートから形成されたものであって、該耐
    熱性支持体の一面に半導体チップを載置する部分と、そ
    れを取巻く多数の条線とよりなる銅箔パターンが形成さ
    れた銅箔層を有し、他面に半硬化状接着剤層を有する接
    着シートを、リードフレームのダイパッド上に接着し、
    該接着シートの半導体チップを載置する部分に半導体チ
    ップを固定し、半導体チップと各条線の一端との間及び
    各条線の他端とリードフレームのリードピンとの間にワ
    イヤーボンディングを施し、半導体チップをワイヤーボ
    ンディング部と共に樹脂で封止してなり、半導体チップ
    とリードピンが、接着シートの銅箔層に形成された条線
    を介して電気的に接続されてなることを特徴とする半導
    体装置。
  3. 【請求項3】銅箔上にキャスティング塗工法または押出
    し成形法により形成された耐熱性樹脂層と、その上に接
    着層を介して設けられた耐熱性フィルムとからなる耐熱
    性支持体の、該耐熱性フィルムの上に半硬化状接着剤層
    を設けた接着シートから形成されたものであって、耐熱
    性支持体の一面に多数の条線よりなる銅箔パターンが形
    成された銅箔層を有し、他面に半硬化状接着剤層を有
    し、かつ、中央に打ち抜き孔部分を有するリング状の接
    着シートを、リードフレームのダイパッド上に接着し、
    ダイパッド上の該接着シート中央の打ち抜き孔部分に半
    導体チップを固定し、半導体チップと各条線の一端との
    間及び各条線の他端とリードフレームのリードピンとの
    間にワイヤーボンディングを施し、半導体チップをワイ
    ヤーボンディング部と共に樹脂で封止してなり、半導体
    チップとリードピンが、接着シートの銅箔層に形成され
    た条線を介して電気的に接続されてなることを特徴とす
    る半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5952854A (ja) * 1982-09-20 1984-03-27 Hitachi Ltd 絶縁型半導体装置の製法
JPS62165349A (ja) * 1986-01-14 1987-07-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS62141038U (ja) * 1986-03-01 1987-09-05
JPH0666354B2 (ja) * 1986-07-29 1994-08-24 日本電気株式会社 半導体装置
JPS6457641U (ja) * 1987-09-30 1989-04-10
JPH01192192A (ja) * 1988-01-27 1989-08-02 Toray Ind Inc 回路基板及びその製造方法
JP2691352B2 (ja) * 1988-08-24 1997-12-17 イビデン株式会社 電子部品塔載装置
JPH0297092A (ja) * 1988-10-04 1990-04-09 Hitachi Chem Co Ltd プリント配線板およびその製造法

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