JP2531963B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関するもので、特にダイパッド
の改良された構造を有する半導体装置に関するものであ
る 〔従来の技術〕 従来の半導体装置は、第１図に示すようなダイパッド
１、リード２およびサポートバー３を備えたリードフレ
ームが用いられ、そのダイパッド１の上に第２図に示す
ようにダイボンディング接着層５を介して半導体ペレッ
ト４を固着し、該ペレット上に形成された電極７とリー
ド２とを接続したボンディングワイヤー６とを共に封止
用樹脂８により一体化した構造を有する。
の改良された構造を有する半導体装置に関するものであ
る 〔従来の技術〕 従来の半導体装置は、第１図に示すようなダイパッド
１、リード２およびサポートバー３を備えたリードフレ
ームが用いられ、そのダイパッド１の上に第２図に示す
ようにダイボンディング接着層５を介して半導体ペレッ
ト４を固着し、該ペレット上に形成された電極７とリー
ド２とを接続したボンディングワイヤー６とを共に封止
用樹脂８により一体化した構造を有する。
この場合、ダイパッド１と、封止用樹脂８の熱膨張係
数に差があるために封止用樹脂８とリードフレームのダ
イパッド１の裏面との間の密着性が悪く、この間にリー
ド２と封止用樹脂８との界面などの外部から侵入した水
分が溜まり易く、半導体装置を回路基板などに実装する
際のはんだ付け工程の加熱処理の際、これがもとで水分
が急激に膨張して内部応力が生じ封止用樹脂にクラック
が発生するなどの問題点を有する。
数に差があるために封止用樹脂８とリードフレームのダ
イパッド１の裏面との間の密着性が悪く、この間にリー
ド２と封止用樹脂８との界面などの外部から侵入した水
分が溜まり易く、半導体装置を回路基板などに実装する
際のはんだ付け工程の加熱処理の際、これがもとで水分
が急激に膨張して内部応力が生じ封止用樹脂にクラック
が発生するなどの問題点を有する。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであり、本
発明の半導体装置は、厚さ方向に貫通孔が設けられたダ
イパッドの上に、金属膜よりなる支持体と、該支持体を
ダイパッドに固定するための接着層とからなる金属フィ
ルムが接合されており、該金属製フィルムを介して半導
体ペレットが固着され、該半導体ペレットが樹脂封止さ
れてなることを特徴とする。
発明の半導体装置は、厚さ方向に貫通孔が設けられたダ
イパッドの上に、金属膜よりなる支持体と、該支持体を
ダイパッドに固定するための接着層とからなる金属フィ
ルムが接合されており、該金属製フィルムを介して半導
体ペレットが固着され、該半導体ペレットが樹脂封止さ
れてなることを特徴とする。
また、支持体の半導体ペレットが固着される面に表面
処理層が形成されていることを特徴とする。
処理層が形成されていることを特徴とする。
また、表面処理層が、めっき層、樹脂層、または粗面
処理層であることを特徴とする。
処理層であることを特徴とする。
次に本発明を図面により説明する。
本発明の半導体装置の一例は第３図（Ａ）、（Ｂ）に
示す断面図のとおりで、同図（Ａ）はダイパッドとして
厚さ方向に貫通孔１−２を設けたダイパッド１−１を用
い、このダイパッドの上に支持体９の下面に接着層10を
設けた金属製フィルムを重ねて接合し、更に支持体９の
もう一方の面にダイボンディング接着剤５を介して半導
体ペレット４を固着してある。又、半導体ペレット４上
の電極７とリード２とはボンディングワイヤー６によっ
て接続され、これらは封止用樹脂８により一体化されて
いる。又、同図（Ｂ）は厚さ方向に貫通孔１−２を設け
たダイパッド１−１の上に、下面に接着層10を付し、上
面にめっき層11a、又は樹脂層11b、又は粗面処理層11c
からなる表面処理層11を設けた支持体９からなる金属製
フィルムを重ねて接合し、その上にダイボンディング接
着剤５を介して半導体ペレット４が固着され、これらは
封止用樹脂８で一体化されている。
示す断面図のとおりで、同図（Ａ）はダイパッドとして
厚さ方向に貫通孔１−２を設けたダイパッド１−１を用
い、このダイパッドの上に支持体９の下面に接着層10を
設けた金属製フィルムを重ねて接合し、更に支持体９の
もう一方の面にダイボンディング接着剤５を介して半導
体ペレット４を固着してある。又、半導体ペレット４上
の電極７とリード２とはボンディングワイヤー６によっ
て接続され、これらは封止用樹脂８により一体化されて
いる。又、同図（Ｂ）は厚さ方向に貫通孔１−２を設け
たダイパッド１−１の上に、下面に接着層10を付し、上
面にめっき層11a、又は樹脂層11b、又は粗面処理層11c
からなる表面処理層11を設けた支持体９からなる金属製
フィルムを重ねて接合し、その上にダイボンディング接
着剤５を介して半導体ペレット４が固着され、これらは
封止用樹脂８で一体化されている。
本発明の半導体装置のダイパッド１−１は貫通孔１−
２を有するため封止用樹脂８がこの中に入りこみ強固に
一体に結合しうるものであり、密着性を高めるものであ
る。
２を有するため封止用樹脂８がこの中に入りこみ強固に
一体に結合しうるものであり、密着性を高めるものであ
る。
本発明の実施に当たっては、貫通孔を有するダイパッ
ドを備えた半導体装置であれば半導体ペレットの固着は
樹脂系接着剤に限定されるものではなく、例えばAu−Si
共晶合金などを用いた固着によるものであってもよい。
ドを備えた半導体装置であれば半導体ペレットの固着は
樹脂系接着剤に限定されるものではなく、例えばAu−Si
共晶合金などを用いた固着によるものであってもよい。
金属製フィルムには先に述べたように、半導体ペレッ
トを固着する側に表面処理層11を設けた方がより接着性
が完全となり、半導体装置の信頼性を高めることができ
る。
トを固着する側に表面処理層11を設けた方がより接着性
が完全となり、半導体装置の信頼性を高めることができ
る。
又、ダイパッドの厚さ方向に貫通孔１−２を穿孔する
手段は、例えばタングステンカーバイド等の素材のポン
チを用いてプレスにより打ち抜き加工することにより容
易に加工することができる。
手段は、例えばタングステンカーバイド等の素材のポン
チを用いてプレスにより打ち抜き加工することにより容
易に加工することができる。
次に本発明で用いられるダイパッドの平面図を示せば
第４図のとおりである。
第４図のとおりである。
すなわち（Ａ）はダイパッド１−１に孔径φ0.3〜0.5
mmの貫通孔１−２を多数穿孔したものである。又（Ｂ）
はこれより大径の貫通孔を穿孔した場合、（Ｃ）、
（Ｄ）は正方形の貫通孔を穿孔した場合、（Ｅ）は三角
形の貫通孔を穿孔した場合、（Ｆ）は十字状の貫通孔を
穿孔した場合を示す。
mmの貫通孔１−２を多数穿孔したものである。又（Ｂ）
はこれより大径の貫通孔を穿孔した場合、（Ｃ）、
（Ｄ）は正方形の貫通孔を穿孔した場合、（Ｅ）は三角
形の貫通孔を穿孔した場合、（Ｆ）は十字状の貫通孔を
穿孔した場合を示す。
次に本発明において用いられる金属製フィルムを構成
する材料について述べる。
する材料について述べる。
支持体９は例えば厚さ10〜150μｍ、好ましくは25〜7
5μｍの無酸素銅、42合金などの鉄−ニッケル合金、鉄
−ニッケル−コバルト合金、ステンレス等の金属膜が使
用される。
5μｍの無酸素銅、42合金などの鉄−ニッケル合金、鉄
−ニッケル−コバルト合金、ステンレス等の金属膜が使
用される。
半導体ペレットを固着するダイボンディング接着剤５
は、金属製フィルムを構成する支持体９に十分接着力の
あるものを選択使用することが望ましく、この接着剤を
適当に選択することにより金属製フィルムに表面処理層
を設けることなく目的とする半導体装置を得られるが、
更に金属製フィルムの支持体９とダイボンディング接着
剤５との接着性を向上させるには、第３図（Ｂ）に示す
ように金属製フィルム表面が改良されていなければなら
ない。
は、金属製フィルムを構成する支持体９に十分接着力の
あるものを選択使用することが望ましく、この接着剤を
適当に選択することにより金属製フィルムに表面処理層
を設けることなく目的とする半導体装置を得られるが、
更に金属製フィルムの支持体９とダイボンディング接着
剤５との接着性を向上させるには、第３図（Ｂ）に示す
ように金属製フィルム表面が改良されていなければなら
ない。
すなわち、この接着性の向上を達成するために、金め
っき、銀めっき、ニッケルめっきなどのめっき層11a
が、１〜10μｍのめっき厚となるように施される。又、
このめっき層に代えてポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、
ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂もしくは約300℃以
上の融点を有する熱可塑性樹脂からなる樹脂層11bが、
通常１〜10μｍとなるように塗布し、熱硬化される。
っき、銀めっき、ニッケルめっきなどのめっき層11a
が、１〜10μｍのめっき厚となるように施される。又、
このめっき層に代えてポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、
ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂もしくは約300℃以
上の融点を有する熱可塑性樹脂からなる樹脂層11bが、
通常１〜10μｍとなるように塗布し、熱硬化される。
このように金属製フィルム表面にめっき層11aを形成
したり、樹脂層11bの材質を前記のダイボンディング接
着剤５と親和性のあるものを選択することにより極めて
容易にかつ強力に接着し、ダイボンディングの信頼性を
高めることができる。又、更に、このめっき層11aや樹
脂層11bに代えて圧延加工などによるマット加工、化学
エッチング、エンボス加工、マット艶消し加工等の粗面
処理を施すことにより、微細な凹凸を有する粗面処理層
11cを設けて接着性を向上させることができる。これに
よればダイパッド１−１の厚さや重量を増大させること
なく、強固な接着を実現した半導体装置を提供すること
ができる。
したり、樹脂層11bの材質を前記のダイボンディング接
着剤５と親和性のあるものを選択することにより極めて
容易にかつ強力に接着し、ダイボンディングの信頼性を
高めることができる。又、更に、このめっき層11aや樹
脂層11bに代えて圧延加工などによるマット加工、化学
エッチング、エンボス加工、マット艶消し加工等の粗面
処理を施すことにより、微細な凹凸を有する粗面処理層
11cを設けて接着性を向上させることができる。これに
よればダイパッド１−１の厚さや重量を増大させること
なく、強固な接着を実現した半導体装置を提供すること
ができる。
このように支持体９の表面にめっき層11a、又は樹脂
層11b、又は粗面処理層11cの表面処理層11を設けること
によりダイボンディングの信頼性を向上させることがで
きる。
層11b、又は粗面処理層11cの表面処理層11を設けること
によりダイボンディングの信頼性を向上させることがで
きる。
なお、ダイボンディング接着剤５を、金属製フィルム
の半導体ペレット４が固着される側の表面にあらかじめ
ダイボンディング用接着層として形成しておくことによ
り、該フィルムをダイパッドに接着して半導体ペレット
を搭載する際の工程を簡略化することができる。
の半導体ペレット４が固着される側の表面にあらかじめ
ダイボンディング用接着層として形成しておくことによ
り、該フィルムをダイパッドに接着して半導体ペレット
を搭載する際の工程を簡略化することができる。
ダイパッド１−１上の金属製フィルムの下面の接着層
10には耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を５〜50
μｍ、好ましくは20〜30μｍの塗布厚となるように半硬
化の状態で塗布して形成される。この場合、接着層10と
しては、これらの樹脂に代えて、はんだなどのろう材を
用いたり、スポット溶接などの方法により、金属製フィ
ルムを直接ダイパッドに接着してもよい。このような層
構成および材料よりなる金属製フィルムは通常例えば原
反を幅３〜10mm、長さ200〜300mのフィルム状に加工さ
れ、リールに巻回されて供給することができ、その場
合、半導体ペレットの寸法に合わせて裁断した上で所定
のリードフレームに適用され接着される。
10には耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を５〜50
μｍ、好ましくは20〜30μｍの塗布厚となるように半硬
化の状態で塗布して形成される。この場合、接着層10と
しては、これらの樹脂に代えて、はんだなどのろう材を
用いたり、スポット溶接などの方法により、金属製フィ
ルムを直接ダイパッドに接着してもよい。このような層
構成および材料よりなる金属製フィルムは通常例えば原
反を幅３〜10mm、長さ200〜300mのフィルム状に加工さ
れ、リールに巻回されて供給することができ、その場
合、半導体ペレットの寸法に合わせて裁断した上で所定
のリードフレームに適用され接着される。
このようにして得られた金属製フィルム／リードフレ
ーム積層体は前記第３図に示した構成に組み込まれ、本
発明の半導体装置を得ることができる。
ーム積層体は前記第３図に示した構成に組み込まれ、本
発明の半導体装置を得ることができる。
実施例1. 厚さ76μｍの無酸素銅フィルム（C102古河電工社製）
からなる支持体９の片面に接着層10としてアクリル樹脂
（巴川製紙所製）を半硬化（Ｂステージ）になるよう
に、かつ150℃、３分間加熱条件で乾燥後の塗布厚が25
μｍとなるように塗布し、金属製フィルムを作成した。
からなる支持体９の片面に接着層10としてアクリル樹脂
（巴川製紙所製）を半硬化（Ｂステージ）になるよう
に、かつ150℃、３分間加熱条件で乾燥後の塗布厚が25
μｍとなるように塗布し、金属製フィルムを作成した。
得られた金属製フィルムを所望の大きさに切断して第
４図（Ａ）に示す形状のダイパッド１−１（リードフレ
ームは鉄系、銅系等の金属板例えば、鉄−ニッケル合金
板を打ち抜き加工してなる）に接着層10により加熱接着
した後、第３図（Ａ）に示すような半導体装置を組立て
た。
４図（Ａ）に示す形状のダイパッド１−１（リードフレ
ームは鉄系、銅系等の金属板例えば、鉄−ニッケル合金
板を打ち抜き加工してなる）に接着層10により加熱接着
した後、第３図（Ａ）に示すような半導体装置を組立て
た。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性
を見たところ、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリティーも良好で樹脂封止したときワイヤ
ー流れもなく信頼性のある半導体装置を構成することが
でき、又85℃、85％RH（相対湿度）の雰囲気にて24時間
放置後260℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちプレッシ
ャークッカーテスター（PCT）にて250時間試験したが全
く異常がなかった。
を見たところ、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリティーも良好で樹脂封止したときワイヤ
ー流れもなく信頼性のある半導体装置を構成することが
でき、又85℃、85％RH（相対湿度）の雰囲気にて24時間
放置後260℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちプレッシ
ャークッカーテスター（PCT）にて250時間試験したが全
く異常がなかった。
実施例2. 実施例１における支持体９としてステンレスフィルム
（三菱金属社製）を使用した以外は実施例１と同様にし
て本発明の半導体装置を組立てた。
（三菱金属社製）を使用した以外は実施例１と同様にし
て本発明の半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について実装試験による信頼性を
見たところ、安定した接着が確認された。又、ワイヤー
ボンダビリティーも良好で信頼性のある半導体装置を構
成することができた。又85℃、85％RHの雰囲気にて24時
間放置後、260℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちPCTに
て250時間試験したが、全く異常がなかった。
見たところ、安定した接着が確認された。又、ワイヤー
ボンダビリティーも良好で信頼性のある半導体装置を構
成することができた。又85℃、85％RHの雰囲気にて24時
間放置後、260℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちPCTに
て250時間試験したが、全く異常がなかった。
実施例3. 厚さ76μｍの無酸素銅フィルム（C102古河電工社製）
からなる支持体９の片面にめっき層11aとして銀めっき
皮膜を設けた。
からなる支持体９の片面にめっき層11aとして銀めっき
皮膜を設けた。
この際めっき厚は３μｍで、10A/dm2の陰極電流密
度、浴温75℃の条件にてめっきを行った。
度、浴温75℃の条件にてめっきを行った。
次に前記めっき層11aの反対側の支持体面に接着層10
としてアクリル樹脂（巴川製紙所製）を半硬化（Ｂステ
ージ）になるよう、かつ150℃、３分間の加熱条件で乾
燥後の塗布厚が25μｍとなるように塗布し本発明の金属
製フィルムを作成した。得られた金属製フィルムを第４
図（Ｂ）に示したリードフレームのダイパッドに接着層
10により加熱接着した後、第３図（Ｂ）に示す半導体装
置を組立てた。得られた半導体装置について、実装試験
による信頼性を見たところ、安定した接着が確認され
た。又、ワイヤーボンダビリティーも良好で信頼性のあ
る半導体装置を構成することができた。
としてアクリル樹脂（巴川製紙所製）を半硬化（Ｂステ
ージ）になるよう、かつ150℃、３分間の加熱条件で乾
燥後の塗布厚が25μｍとなるように塗布し本発明の金属
製フィルムを作成した。得られた金属製フィルムを第４
図（Ｂ）に示したリードフレームのダイパッドに接着層
10により加熱接着した後、第３図（Ｂ）に示す半導体装
置を組立てた。得られた半導体装置について、実装試験
による信頼性を見たところ、安定した接着が確認され
た。又、ワイヤーボンダビリティーも良好で信頼性のあ
る半導体装置を構成することができた。
実施例4. 実施例１の支持体９の片面に樹脂層11bとしてポリエ
ステル樹脂からなる熱硬化性樹脂層を設けた。この際の
塗布厚は５μｍで、150℃、２分間の乾燥後、250℃、５
分間の条件で完全に硬化した。しかる後、反対側面に実
施例１に使用した接着層10を設けて本発明の金属製フィ
ルムを作成しした。
ステル樹脂からなる熱硬化性樹脂層を設けた。この際の
塗布厚は５μｍで、150℃、２分間の乾燥後、250℃、５
分間の条件で完全に硬化した。しかる後、反対側面に実
施例１に使用した接着層10を設けて本発明の金属製フィ
ルムを作成しした。
得られた金属製フィルムを第４図（Ｃ）に示したリー
ドフレームのダイパッドに接着層10により加熱接着した
後第３図（Ｂ）に示す半導体装置を組立てた。
ドフレームのダイパッドに接着層10により加熱接着した
後第３図（Ｂ）に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性
を見たところ、安定した接着が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリティーも良好で信頼性のある半導体装置を
構成することができた。
を見たところ、安定した接着が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリティーも良好で信頼性のある半導体装置を
構成することができた。
実施例5. 実施例１の支持体９に表面粗さRaが0.2〜0.3μｍ、Rm
axが１〜２μｍとなるように圧延加工によるマット処理
を施し、粗面処理槽11cを設けた金属製フィルムを作成
し、得られた金属製フィルムを第４図（Ｄ）に示したリ
ードフレームのダイパッドに接着層10により加熱接着し
た後、第３図（Ｂ）に示す半導体装置を組立てた。
axが１〜２μｍとなるように圧延加工によるマット処理
を施し、粗面処理槽11cを設けた金属製フィルムを作成
し、得られた金属製フィルムを第４図（Ｄ）に示したリ
ードフレームのダイパッドに接着層10により加熱接着し
た後、第３図（Ｂ）に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について実装試験による信頼性を
見たところ、安定した接着が確認された。又ワイヤーボ
ンダビリティーも良好で信頼性のある半導体装置を構成
することができた。
見たところ、安定した接着が確認された。又ワイヤーボ
ンダビリティーも良好で信頼性のある半導体装置を構成
することができた。
実施例6. 実施例１の支持体９の片面に銀粉末とポリイミド樹脂
とを混合した導電性の樹脂からなる樹脂層５を設けた。
この際の塗布厚は５μｍで、150℃、２分間の乾燥後、2
50℃、５分間の条件で完全に硬化した。しかる後、反対
側面に実施例１に使用した接着層10を設けて本発明の金
属製フィルムを作成した。
とを混合した導電性の樹脂からなる樹脂層５を設けた。
この際の塗布厚は５μｍで、150℃、２分間の乾燥後、2
50℃、５分間の条件で完全に硬化した。しかる後、反対
側面に実施例１に使用した接着層10を設けて本発明の金
属製フィルムを作成した。
得られた金属製フィルムを第４図（Ｅ）に示したリー
ドフレームのダイパッドに接着層10により加熱接着した
後、第３図（Ａ）に示す半導体装置を組立てた。
ドフレームのダイパッドに接着層10により加熱接着した
後、第３図（Ａ）に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性
を見たところ、安定した接着が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリティーも良好で信頼性のある半導体装置を
構成することができた。
を見たところ、安定した接着が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリティーも良好で信頼性のある半導体装置を
構成することができた。
本発明は上記の構成よりなるのでダイパッドと封止用
樹脂との密着性、すなわち封止性が向上し、ダイパッド
と封止用樹脂との熱膨張係数の差に伴う封止用樹脂のク
ラックの発生等を防止することができる。
樹脂との密着性、すなわち封止性が向上し、ダイパッド
と封止用樹脂との熱膨張係数の差に伴う封止用樹脂のク
ラックの発生等を防止することができる。
特に本発明においては厚さ方向に貫通孔を有するダイ
パッドの上に金属製フィルムを介在させたのでペースト
状ダイボンディング接着剤を用いて半導体ペレットをダ
イパッドに搭載する際、該ダイボンディング接着剤が貫
通孔を通してダイパッドの裏面に垂れることを防止する
ことができる。
パッドの上に金属製フィルムを介在させたのでペースト
状ダイボンディング接着剤を用いて半導体ペレットをダ
イパッドに搭載する際、該ダイボンディング接着剤が貫
通孔を通してダイパッドの裏面に垂れることを防止する
ことができる。
さらに、金属製フィルムは、熱伝導性が優れているた
め、半導体ペレットより発生する熱の放散性を向上させ
ることができる。
め、半導体ペレットより発生する熱の放散性を向上させ
ることができる。
又、金属製フィルムの表面にあらかじめダイボンディ
ング接着剤を形成しておくことにより、金属製フィルム
をダイパッドに接着して半導体ペレットを搭載する際の
工程を簡略化することも可能である。
ング接着剤を形成しておくことにより、金属製フィルム
をダイパッドに接着して半導体ペレットを搭載する際の
工程を簡略化することも可能である。
又、金属製フィルムを構成する支持体の表面側にめっ
き層、樹脂層又は粗面処理層といった表面処理層を設け
たものは、十分強固なダイボンディング強度を得ること
ができるし、層厚が薄くて済むので半導体装置の軽量小
型化に有効である。
き層、樹脂層又は粗面処理層といった表面処理層を設け
たものは、十分強固なダイボンディング強度を得ること
ができるし、層厚が薄くて済むので半導体装置の軽量小
型化に有効である。
又、導電性のダイボンディング接着剤を用いることに
より支持体が金属膜よりなることから、サポートバーあ
るいはリードのうちのグランドリードより金属製フィル
ムの支持体、めっき層または粗面処理層へワイヤーボン
ディングすることにより半導体ペレット裏面からグラン
ドをとることが可能となる。
より支持体が金属膜よりなることから、サポートバーあ
るいはリードのうちのグランドリードより金属製フィル
ムの支持体、めっき層または粗面処理層へワイヤーボン
ディングすることにより半導体ペレット裏面からグラン
ドをとることが可能となる。
第１図はリードフレームの平面図、第２図は従来の半導
体装置の断面図、第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の半導
体装置の断面図、第４図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）、（Ｅ）、および（Ｆ）は本発明を構成するダイ
パッドの平面図である。 1,1−１……ダイパッド、１−２……貫通孔、２……リ
ード、３……サポートバー、４……半導体ペレット、５
……ダイボンディング接着剤、６……ボンディングワイ
ヤー、７……電極、８……封止用樹脂、９……支持体、
10……接着層、11……表面処理層。
体装置の断面図、第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の半導
体装置の断面図、第４図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）、（Ｅ）、および（Ｆ）は本発明を構成するダイ
パッドの平面図である。 1,1−１……ダイパッド、１−２……貫通孔、２……リ
ード、３……サポートバー、４……半導体ペレット、５
……ダイボンディング接着剤、６……ボンディングワイ
ヤー、７……電極、８……封止用樹脂、９……支持体、
10……接着層、11……表面処理層。
Claims (3)
- 【請求項１】厚さ方向に貫通孔が設けられたダイパッド
の上に、金属膜よりなる支持体と、該支持体をダイパッ
ドに固定するための接着層とからなる金属製フィルムが
接合されており、 該金属製フィルムを介して半導体ペレットが固着され、
該半導体ペレットが樹脂封止されてなることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】支持体の半導体ペレットが固着される面に
表面処理層が形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。 - 【請求項３】表面処理層が、めっき層、樹脂層、または
粗面処理層であることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30646187A JP2531963B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30646187A JP2531963B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147836A JPH01147836A (ja) | 1989-06-09 |
| JP2531963B2 true JP2531963B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=17957289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30646187A Expired - Lifetime JP2531963B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531963B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575006A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置 |
| JPH05136320A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-06-01 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
| KR970008355B1 (ko) * | 1992-09-29 | 1997-05-23 | 가부시키가이샤 도시바 | 수지밀봉형 반도체장치 |
| JP3610787B2 (ja) * | 1998-03-24 | 2005-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体チップの実装構造体、液晶装置及び電子機器 |
| JP6063689B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2017-01-18 | 株式会社ニコン | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
| JP6081903B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-02-15 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP30646187A patent/JP2531963B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01147836A (ja) | 1989-06-09 |
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