JPH11186428A - ハーメチックシールカバー - Google Patents
ハーメチックシールカバーInfo
- Publication number
- JPH11186428A JPH11186428A JP9353174A JP35317497A JPH11186428A JP H11186428 A JPH11186428 A JP H11186428A JP 9353174 A JP9353174 A JP 9353174A JP 35317497 A JP35317497 A JP 35317497A JP H11186428 A JPH11186428 A JP H11186428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seal cover
- hermetic seal
- thickness
- metal plating
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハーメチックシール工程において用いる
ロウ材付きのシールカバーは厚さ１μｍ以上の金メッキ
が施されており、かつこの金メッキ法としてバレルメッ
キ法が採用されているため、極めて高価なものとなって
いる。本発明の課題は安価なハーメチックシールカバー
の提供にある。 【解決手段】 コイル状あるいはシート状のカバー素材
のロウ材取り側の付け面側に厚さ０．０５〜１．０μｍ
の金メッキを施し、次いで所望形状に打ち抜き、次いで
ロウ材を金メッキ上に設けて得たことを特徴とするハー
メチックシールカバーであり、好ましくは打ち抜き加工
時に金メッキ側を打ち抜きのダレ面とする。また、シー
ルカバーの材質としてコバール合金、銅等を用い、ロウ
材として金錫合金ロウ、鉛錫合金ロウなどを用いる。
ロウ材付きのシールカバーは厚さ１μｍ以上の金メッキ
が施されており、かつこの金メッキ法としてバレルメッ
キ法が採用されているため、極めて高価なものとなって
いる。本発明の課題は安価なハーメチックシールカバー
の提供にある。 【解決手段】 コイル状あるいはシート状のカバー素材
のロウ材取り側の付け面側に厚さ０．０５〜１．０μｍ
の金メッキを施し、次いで所望形状に打ち抜き、次いで
ロウ材を金メッキ上に設けて得たことを特徴とするハー
メチックシールカバーであり、好ましくは打ち抜き加工
時に金メッキ側を打ち抜きのダレ面とする。また、シー
ルカバーの材質としてコバール合金、銅等を用い、ロウ
材として金錫合金ロウ、鉛錫合金ロウなどを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特に半導体装置に好
適なハーメチックシールカバーに関するものである。
適なハーメチックシールカバーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のパッケージングの一種に図
１に示すようなセラミックパッケージがある。図１のセ
ラミックパッケージにおいて、１のセラミック基板は、
中央部に半導体素子接合用のメタライズ層を有する下層
板と、その表面にリードパターンが形成され、かつ中央
部に開口を有する中間板と、該リードパターンのリード
の内側先端部が露出する大きさの開口を有する上層板の
３つの板が一体化された構造であり、その長辺側部には
上記リードパターンの各リード外側先端と導通するよう
に接合された金属リード２が設けられている。そして、
上記上層部表面の開口周囲部にはカバー接着用のメタラ
イズ層３が形成されている。メタライズ層３及び上記リ
ードパターンは通常Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペーストで形成
され、これらとリード２には金メッキが施されている。
１に示すようなセラミックパッケージがある。図１のセ
ラミックパッケージにおいて、１のセラミック基板は、
中央部に半導体素子接合用のメタライズ層を有する下層
板と、その表面にリードパターンが形成され、かつ中央
部に開口を有する中間板と、該リードパターンのリード
の内側先端部が露出する大きさの開口を有する上層板の
３つの板が一体化された構造であり、その長辺側部には
上記リードパターンの各リード外側先端と導通するよう
に接合された金属リード２が設けられている。そして、
上記上層部表面の開口周囲部にはカバー接着用のメタラ
イズ層３が形成されている。メタライズ層３及び上記リ
ードパターンは通常Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペーストで形成
され、これらとリード２には金メッキが施されている。
【０００３】このような基板１を用いるパッケージング
工程はハーメチックシール工程と言われるが、図２に示
すように、まず半導体素子４を基板１の中央くぼみに上
記半導体素子接合用メタライズ層を介して接合し、該半
導体素子４上の電極とリード内側先端部とを細いコネク
ター線で結合した後、メタライズ層３の上に図２で示す
ようなロウ材５つきのシールカバー６を載せ、ロウ材の
融点以上に加熱し、冷却してシールカバー６をロウ付け
する。
工程はハーメチックシール工程と言われるが、図２に示
すように、まず半導体素子４を基板１の中央くぼみに上
記半導体素子接合用メタライズ層を介して接合し、該半
導体素子４上の電極とリード内側先端部とを細いコネク
ター線で結合した後、メタライズ層３の上に図２で示す
ようなロウ材５つきのシールカバー６を載せ、ロウ材の
融点以上に加熱し、冷却してシールカバー６をロウ付け
する。
【０００４】シールカバー６のロウ材５には一般的に金
錫合金ロウ、鉛錫合金ロウなどが用いられ、シールカバ
ー６の材質としては一般的にコバール合金、銅あるいは
銅合金、セラミック等が用いられている。またロウ材５
とシールカバーの接合には熱圧着法、溶融法、圧接法、
スポット溶接法等が用いられている。
錫合金ロウ、鉛錫合金ロウなどが用いられ、シールカバ
ー６の材質としては一般的にコバール合金、銅あるいは
銅合金、セラミック等が用いられている。またロウ材５
とシールカバーの接合には熱圧着法、溶融法、圧接法、
スポット溶接法等が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ハーメ
チックシール工程においてロウ材付きのシールカバー５
は厚さ１μｍ以上の金メッキが施されており、かつこの
金メッキ法としてバレルメッキ法が採用されているた
め、極めて高価なものとなっている。すなわち、従来品
は所定の寸法に成形加工した金属板にバレルメッキ法で
金メッキをするため、金属板全面に金メッキが施される
からである。
チックシール工程においてロウ材付きのシールカバー５
は厚さ１μｍ以上の金メッキが施されており、かつこの
金メッキ法としてバレルメッキ法が採用されているた
め、極めて高価なものとなっている。すなわち、従来品
は所定の寸法に成形加工した金属板にバレルメッキ法で
金メッキをするため、金属板全面に金メッキが施される
からである。
【０００６】本発明の課題は安価なハーメチックシール
カバーの提供にある。
カバーの提供にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく種々の検討を行った結果、金メッキを薄く
し、メッキ後打ち抜き加工すれば上記課題を解決できる
ことを見出し本発明に至った。
解決すべく種々の検討を行った結果、金メッキを薄く
し、メッキ後打ち抜き加工すれば上記課題を解決できる
ことを見出し本発明に至った。
【０００８】すなわち、上記課題を解消する本発明の方
法は、コイル状あるいはシート状のカバー素材のロウ材
取り付け面側に厚さ０．０５〜１．０μｍの金メッキを
施し、次いで所望形状に打ち抜き、次いでロウ材を金メ
ッキ上に設けて得たことを特徴とするハーメチックシー
ルカバーであり、好ましくは打ち抜き加工時に金メッキ
側を打ち抜きのダレ面とするものである。
法は、コイル状あるいはシート状のカバー素材のロウ材
取り付け面側に厚さ０．０５〜１．０μｍの金メッキを
施し、次いで所望形状に打ち抜き、次いでロウ材を金メ
ッキ上に設けて得たことを特徴とするハーメチックシー
ルカバーであり、好ましくは打ち抜き加工時に金メッキ
側を打ち抜きのダレ面とするものである。
【０００９】また、シールカバーの材質としてコバール
合金、銅等を用い、ロウ材として金錫合金ロウ、鉛錫合
金ロウなどを用いるものである。
合金、銅等を用い、ロウ材として金錫合金ロウ、鉛錫合
金ロウなどを用いるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】図３は本発明のハーメチックシー
ルカバーの一例を断面図で示してある。シールカバー６
はコバール合金製でありロウ材取り付け面に金メッキ７
設けられており、ロウ材５はＡｕ−Ｓｎ合金である。以
下実施例を用いて更に本発明を説明する。
ルカバーの一例を断面図で示してある。シールカバー６
はコバール合金製でありロウ材取り付け面に金メッキ７
設けられており、ロウ材５はＡｕ−Ｓｎ合金である。以
下実施例を用いて更に本発明を説明する。
【００１１】
【実施例】（実施例１）厚さ０．２ｍｍのコバール合金
コイル材の片面に常法に従い厚さ０．１μｍの金メッキ
を施した後、１０ｍｍ角にプレスで打ち抜いた。このう
ち抜いた部材の金メッキ面に圧着法で金・錫ロウ材を接
合し、ハーメチックシールカバーを３０個作成した。
コイル材の片面に常法に従い厚さ０．１μｍの金メッキ
を施した後、１０ｍｍ角にプレスで打ち抜いた。このう
ち抜いた部材の金メッキ面に圧着法で金・錫ロウ材を接
合し、ハーメチックシールカバーを３０個作成した。
【００１２】次にこれらを用いて連続炉により窒素雰囲
気中にて最高温度３２０℃でパッケージに封止した。こ
の封止したものを３０個用いて０．４５ＭＰａ、２時間
のヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良
はなかった。
気中にて最高温度３２０℃でパッケージに封止した。こ
の封止したものを３０個用いて０．４５ＭＰａ、２時間
のヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良
はなかった。
【００１３】（実施例２、３）厚さ０．２ｍｍのコバー
ル合金コイル材の片面に常法に従い厚さ０．１μｍの金
メッキを施した後、５ｍｍ角にプレスで金メッキ面がダ
レ面となるように、打ち抜いた。このうち抜いた部材の
金メッキ面に圧着法で０．０４（実施例２）、０．０５
ｍｍ（実施例３）の厚さに金・錫ロウ材を接合し、それ
ぞれ３０個のハーメチックシールカバーを作成した。
ル合金コイル材の片面に常法に従い厚さ０．１μｍの金
メッキを施した後、５ｍｍ角にプレスで金メッキ面がダ
レ面となるように、打ち抜いた。このうち抜いた部材の
金メッキ面に圧着法で０．０４（実施例２）、０．０５
ｍｍ（実施例３）の厚さに金・錫ロウ材を接合し、それ
ぞれ３０個のハーメチックシールカバーを作成した。
【００１４】これらを用いて連続炉により窒素雰囲気中
にて最高温度３２０℃でパッケージに封止した。この封
止したものを３０個用いて０．４５ＭＰａ、２時間のヘ
リウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良は出
なかった。
にて最高温度３２０℃でパッケージに封止した。この封
止したものを３０個用いて０．４５ＭＰａ、２時間のヘ
リウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良は出
なかった。
【００１５】（実施例４〜８）金メッキの厚さを０．０
５（実施例４）、０．２５（実施例５）、０．５０（実
施例６）、０．７５（実施例７）、１．０（実施例８）
とした以外は実施例１と同様にそれぞれ３０個のハーメ
チックシールカバーを作成し、０．４５ＭＰａ、２時間
のヘリウムリーク評価した。
５（実施例４）、０．２５（実施例５）、０．５０（実
施例６）、０．７５（実施例７）、１．０（実施例８）
とした以外は実施例１と同様にそれぞれ３０個のハーメ
チックシールカバーを作成し、０．４５ＭＰａ、２時間
のヘリウムリーク評価した。
【００１６】その結果、リーク不良はなかった。
【００１７】（実施例９）リードフレーム製造用の厚さ
０．２ｍｍの短冊状銅板を用いた以外は実施例１と同様
にそれぞれ３０個のハーメチックシールカバーを作成
し、０．４５ＭＰａ、２時間のヘリウムリーク試験を評
価した。
０．２ｍｍの短冊状銅板を用いた以外は実施例１と同様
にそれぞれ３０個のハーメチックシールカバーを作成
し、０．４５ＭＰａ、２時間のヘリウムリーク試験を評
価した。
【００１８】その結果、リーク不良はなかった。
【００１９】（比較例１、２）次に金メッキ面がバリ面
となる用にした以外は実施例２，３と同様にしてそれぞ
れ３０個のハーメチックシールカバーを作成した。
となる用にした以外は実施例２，３と同様にしてそれぞ
れ３０個のハーメチックシールカバーを作成した。
【００２０】これらを用いて連続炉により窒素雰囲気中
にて最高温度３２０℃でパッケージに封止した。この封
止したものを３０個用いて０．４５ＭＰａ、２時間のヘ
リウムリーク試験を行った。その結果、ロウ材の厚さを
０．０５ｍｍとしたものではリーク不良は出なかったも
のの、ロウ材の厚さを０．０４ｍｍとしたものでリーク
不良が１つ出た。この結果、金メッキ面をバリ面とする
とリーク不良が発生する確率が高く、好ましくないこと
がわかった。
にて最高温度３２０℃でパッケージに封止した。この封
止したものを３０個用いて０．４５ＭＰａ、２時間のヘ
リウムリーク試験を行った。その結果、ロウ材の厚さを
０．０５ｍｍとしたものではリーク不良は出なかったも
のの、ロウ材の厚さを０．０４ｍｍとしたものでリーク
不良が１つ出た。この結果、金メッキ面をバリ面とする
とリーク不良が発生する確率が高く、好ましくないこと
がわかった。
【００２１】
【発明の効果】本発明のハーメチックシールカバーは製
造時にロウ材を設ける側のみしか金メッキを施さないた
め、従来のように全面メッキを施したものと比較して製
造コストを大幅に削減でき、経済性に優れる。また、性
能的にも従来のものと同程度であり、ボイドが生成せ
ず、シールの信頼性及び収率を良好に維持できる。
造時にロウ材を設ける側のみしか金メッキを施さないた
め、従来のように全面メッキを施したものと比較して製
造コストを大幅に削減でき、経済性に優れる。また、性
能的にも従来のものと同程度であり、ボイドが生成せ
ず、シールの信頼性及び収率を良好に維持できる。
【図１】従来のセラミックパッケージの要部を示した図
である。
である。
【図２】従来のパケージの断面図である。
【図３】本発明のハーメチックシールカバーの一例を示
した断面図である。
した断面図である。
１−−−セラミック基板 ２−−−金属リード ３−−−カバー接着用メタライズ層 ４−−−導体素子 ５−−−ロウ材 ６−−−シールカバー ７−−−金メッキ
Claims (3)
- 【請求項１】 コイル状あるいはシート状のカバー素
材のロウ材取り付け面側に厚さ０．０５〜１．０μｍの
金メッキを施し、次いで所望形状に打ち抜き、次いでロ
ウ材を金メッキ上に設けて得たことを特徴とするハーメ
チックシールカバー。 - 【請求項２】 打ち抜き加工時に金メッキ側が打ち抜
きのダレ面となっている請求項１記載のハーメチックシ
ールカバー。 - 【請求項３】 シールカバーの材質としてコバール合
金、銅等を用い、ロウ材として金錫合金ロウ、鉛錫合金
ロウなどを用いる請求項１または２記載のハーメチック
シールカバー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9353174A JPH11186428A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | ハーメチックシールカバー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9353174A JPH11186428A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | ハーメチックシールカバー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186428A true JPH11186428A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18429065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9353174A Pending JPH11186428A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | ハーメチックシールカバー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199600A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-09-09 | Tokuriki Honten Co Ltd | 封止材料およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP9353174A patent/JPH11186428A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199600A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-09-09 | Tokuriki Honten Co Ltd | 封止材料およびその製造方法 |
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