JP2003142615A

JP2003142615A - ハーメチックシールカバーの製造方法

Info

Publication number: JP2003142615A
Application number: JP2001336144A
Authority: JP
Inventors: Chiyuu Inoue; 注井上; Nobumoto Mori; 伸幹森
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 2001-11-01
Filing date: 2001-11-01
Publication date: 2003-05-16

Abstract

(57)【要約】【課題】安価であって効率的に大量生産することの可能
な半導体装置用のハーメチックシールカバーの製造方法
を提供すること。【解決手段】第１の方法は、ロウ材とシールカバー材と
を、ロウ材の融点より２０〜５０℃低い温度に加温した
加圧ロールによって熱圧着させる。その後、プレス機に
よって製品サイズに打ち抜き、一回の打ち抜き工程によ
ってハーメチックシールカバーを複数個得る。第２の方
法は、ロウ材とシールカバー材とを熱圧着してから製品
幅に切断したコイル材とする。また、第３の方法は、逆
に、ロウ材とシールカバー材とを製品幅に切断したコイ
ル材としておいてから熱圧着する。そして、第２，第３
の方法は、その後、製品幅の切断と熱圧着とが行われた
コイル材を、製品の長さ寸法に合わせてカッティング
し、ハーメチックシールカバーを得るようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体装置の
製作に好適なハーメチックシールカバーの製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体パッケージの一種にセラミックパ
ッケージというのがある。そこで、そのセラミックパッ
ケージの構成と従来の製造方法とを、図４〜図７を用い
て簡単に説明する。先ず、図４及び図５に示されている
セラミック基板１は、実際には、下層板，中間板，上層
板の三つの板が一体化された構造をしていて、下層板
は、中央部に半導体素子接合用のメタライズ層を有して
おり、中間板は、その表面にリードパターンが形成され
ていると共に、中央部に開口を有しており、上層板は、
上記リードパターンのリードの内側先端部が露出する大
きさの開口を有している。

【０００３】また、セラミック基板１は、平面形状がほ
ぼ長方形をしていて、その長辺の側部に、上記リードパ
ターンのリードの外側先端に接合された金属リード２が
設けられている。そして、上記上層板の表面の開口周囲
部には、メタライズ層３が形成されているが、そのメタ
ライズ層３と上記リードパターンは、通常Ｍｏ―Ｍｎ系
の導電ペーストで形成され、それらと金属リード２には
金メッキが施されている。

【０００４】次に、このセラミック基板１に対する半導
体素子４のパッケージング工程を説明するが、この種の
パッケージング工程は、通常、ハーメチックシール工程
と言われている。先ず、図５に示すように、半導体素子
４を、中央部の開口内において、上記半導体素子接合用
メタライズ層を介して下層板に接合し、半導体素子４の
電極と上記リードの内側先端部とを細いコネクター線で
結合した後、メタライズ層３の上にロウ材５付きシール
カバー６を載せ、ロウ材５の融点以上に加熱し、後冷却
することによって、シールカバー６をセラミック基板１
にロウ付けしている。

【０００５】図６は、従来のハーメチックシールカバ
ー、即ち上記のロウ材５付きシールカバー６の製造工程
を示したものである。先ず、ロウ材５は、圧延材料に金
メッキを施してから、プレス機を用いた打ち抜きによっ
て所定の製品サイズに成形加工される。シールカバー６
は、圧延材料に、ロウ材５が熱圧着される側にのみ金メ
ッキを施してから、プレス機を用いた打ち抜きによって
所定の製品サイズに成形加工される。また、図７に示さ
れているダミー材７は、圧延材料から、プレス機を用い
た打ち抜きによって所定の製品サイズに成形加工され
る。そして、それらのロウ材５，シールカバー６，ダミ
ー材７を、図７に示した順番に積載整列させ、一定荷重
を加えながら特定雰囲気において、ロウ材５の融点以下
の温度に加熱し冷却するという熱圧着法を用いて接合
し、ダミー材７を取り除くためのばらし工程を経て上記
のロウ材５付きシールカバー６を得ている。

【０００６】そして、上記のロウ材５としては、一般的
に金錫合金ロウ，鉛錫合金ロウなどが用いられ、シール
カバー６の材質としては、一般的に鉄ニッケル合金，コ
バール系合金，銅又は銅合金，セラミック等が用いら
れ、ダミー材７としては、コバール合金が用いられてい
る。また、ロウ材５とシールカバー６の接合方法として
は、上記の熱圧着法のほかに、溶融法、圧接法、スポッ
ト溶接法なども知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の熱圧
着法によるハーメチックシールカバーの製造工程におい
ては、ロウ材５は、プレス機を用いた打ち抜きによって
所定の寸法に成形加工されるため、収率が極めて低く、
また、打ち抜き残りからは有価金属を回収する必要があ
るため、非常にコスト高になるという問題点がある。ま
た、ロウ材５とシールカバー６の接合は、ロウ材５，シ
ールカバー６，ダミー材７を積載整列させ、一定荷重を
加えながら特定雰囲気においてロウ材の融点以下の温度
に加熱し冷却するものであるから、ダミー材７を用意し
ておかなければならず、また、積載整列のためや加熱・
冷却にかなりの時間を要するという問題点がある。

【０００８】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、安
価であって効率的に大量生産することの可能なハーメチ
ックシールカバーの製造方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、ロウ材とシールカバー材とを、前記ロ
ウ材の融点よりも２０〜５０℃低い温度に加温した加圧
ロールによって熱圧着する。その場合、ロウ材を熱圧着
するシールカバー材の面に、予め金メッキを施しておく
のが望ましい。また、熱圧着時に加圧ロール付近を脱酸
化雰囲気にしておくと好適である。

【００１０】本発明においては、ロウ材とシールカバー
材とを、加温した加圧ロールによって熱圧着した後に、
プレス機による打ち抜きによって製品サイズに加工する
ことが望ましい。また、ロウ材とシールカバーとを、加
温した加圧ロールによって熱圧着した後に、製品幅に切
断したコイル材としておき、それを所定の長さ寸法にカ
ッティングするようにしてもよいし、ロウ材とシールカ
バー材とを、製品幅に切断した後に、加温した加圧ロー
ラによって熱圧着したコイル材としておき、それを所定
の長さ寸法にカッティングするようにしてもよい。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図１〜図
３を用いて説明する。尚、図１は、本発明によって製作
されたハーメチックシールカバーを用いた半導体装置の
一例を示す断面図である。また、図２は、本発明のハー
メチックシールカバーの製造工程を示す流れ図であり、
図３は、本発明によって製作されたハーメチックシール
カバーの断面図である。そして、図１及び図３において
は、一部形態が異なるものの、上記の図４，図５，図７
において用いた符合をそのまま採用している。

【００１２】先ず、図１に示されているセラミック基板
１は、上記の図４及び図５に記載のセラミック基板１と
全く同じ構成をしている。また、そのような構成のセラ
ミック基板１に半導体素子４を組み付ける工程も同じで
ある。従って、それらについての説明は、重複を避ける
ために省略する。そして、半導体素子４が組み付けられ
た後、本発明のハーメチックシールカバーが、メタライ
ズ層３の上にロウ材５を下に向けて載せられ、ロウ材５
の融点以上に加熱し、後冷却して融着されている。

【００１３】そこで、本発明のハーメチックシールカバ
ーの製造工程を、図２を用いて説明する。先ず、圧延さ
れたロウ材の両面に金メッキを施しておく。他方、圧延
されたシールカバー材には、ロウ材が熱圧着される面に
のみ金メッキを施しておく。その後、ロウ材とシールカ
バー材とを重ねておいて加工することになるが、その加
工方法は、次の三つのうちのどれかを選択することにな
る。

【００１４】先ず、最初の加工方法は、ロウ材とシール
カバー材とを重ね、ロウ材の融点よりも２０〜５０℃低
い温度に加温した加圧ロールによって、両者を熱圧着さ
せる。この熱圧着方法は、後述する二つの加工方法の場
合も同じである。そして、その後、プレス機によって製
品サイズに打ち抜き、一回の打ち抜き工程によって、図
３に示すようなハーメチックシールカバーを複数個得る
ようにする。

【００１５】第２の加工方法は、ロウ材とシールカバー
材とを重ねておいて、上記のようにして熱圧着した後、
製品幅に切断したコイル材とする。また、第３の加工方
法は、逆に、ロウ材とシールカバー材とを重ねておき、
製品幅に切断してコイル材としておいてから熱圧着す
る。従って、第２，第３の方法は、製品幅の切断と熱圧
着とが行われた段階では、コイル材となっているから、
その後は、製品の長さ寸法に合わせてカッティングし、
図３に示すようなハーメチックシールカバーを得るよう
にする。

【００１６】尚、本発明で使用できるロウ材５の材質は
多岐にわたるが、ハーメチックシール工程における低融
点化という点では、特に鉛錫合金と金錫合金が優れてお
り、そのうち、経済性では鉛錫合金が特に優れ、ロウ付
けの信頼性では金錫合金が特に優れている。また、シー
ルカバー６の材料としては、ニッケル材を両側に圧接し
たコバール合金，４２アロイ合金，コバール合金のいず
れかに片面に金メッキを施したものを使用するが、４２
アロイ合金又はコバール合金を使用した場合は加工性と
経済性に優れ、ニッケル材を両側に圧接したコバール合
金を使用した場合は、耐酸化性に優れたものとなる。

【００１７】このような本発明の製造方法によれば、加
圧ロールを、使用するロウ材の融点より２０〜５０℃低
い温度に加温するので、シールカバー６へのロウ材５の
接合力が増加し、信頼性に優れている。また、その場
合、加圧ロール付近が大気中であっても何ら問題はない
が、脱酸化雰囲気にすると、ロウ材の表面酸化によるヌ
レ不良への信頼性が特に向上する。

【００１８】また、本発明によれば、所定の製品サイズ
に加工する前に、ロウ材とシールカバー料とを、加温し
た加圧ロールにより熱圧着させるので、熱圧着時に従来
必要とされていた上記のような積載整列工程が省力で
き、経済性に優れたものとなる。

【００１９】また、本発明によれば、加温した加圧ロー
ルによって熱圧着してから製品幅に切断するようにした
場合は、熱圧着と切断の工数をそれぞれ削減することが
でき、経済性に優れたものとなる。また、製品幅に切断
した後、加温した加圧ローラによって熱圧着するように
した場合は、有価金属の回収が効果的であり、やはり経
済性に優れたものになる。

【００２０】更に、本発明によれば、ロウ材とコイル材
とを、加温した加圧ロールによって熱圧着された製品幅
のコイル材に加工しておいてから、それを製品の長さ寸
法にカッティングしていくようにした場合、従来のよう
に、熱圧着する前にロウ材５とシールカバー６をそれぞ
れ所定の寸法に加工しておく場合に比較して、打ち抜き
残りを減少させることができるなど、収率向上を図るこ
とが可能になる。

【００２１】

【実施例】次に、表１を参照しながら本発明の実施例１
〜１５を説明する。表１

【００２２】［実施例１］両面に厚さ１０μｍのニッケ
ル材を圧接した厚さ０．２５ｍｍのコバール合金に対
し、厚さ０．１μｍの金メッキを片面に施した後、その
金メッキを施した面側に、両面に金メッキを施した錫２
０％含有の金錫共晶合金を重ね、２３５℃に加温した加
圧ロールにて熱圧着した。そして、このようにして得ら
れたフォイルを、２．８５ｍｍ角の板状にコバール合金
側から打ち抜き、ハーメチックシールカバーを５０個作
製した。次に、それらのハーメチックシールカバーを用
いて連続炉により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃で
パッケージに封止した。そして、その封止した５０個の
パッケージを用いて、０．４５ＭＰａで２時間のヘリウ
ムリーク試験を行ったが、その結果は、リーク不良がな
かった。

【００２３】［実施例２］両面に厚さ１０μｍのニッケ
ル材を圧接した厚さ０．２５ｍｍのコバール合金のコイ
ル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを片面に施した
後、２．８５ｍｍ幅に切断し、その金メッキを施した面
側に、２．８５幅に切断され両面に金メッキを施した錫
２０％含有の金錫共晶合金を重ね、２４５℃に加温した
加圧ロールにて熱圧着した。そして、このようにして得
られたフォイルをコバール合金側から打ち抜き切断し、
２．８５ｍｍ角の板状のハーメチックシールカバーを５
０個作製した。次に、それらのハーメチックシールカバ
ーを用いて連続炉により窒素雰囲気中にて最高温度３２
０℃でパッケージに封止した。そして、その封止した５
０個のパッケージを用いて、０．４５ＭＰａで２時間の
ヘリウムリーク試験を行ったが、その結果は、リーク不
良がなかった。

【００２４】［実施例３］両面に厚さ１０μｍのニッケ
ル材を圧接した厚さ０．２５ｍｍのコバール合金のコイ
ル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを片面に施した
後、２．８５ｍｍ幅に切断し、その金メッキを施した面
側に、２．８５幅に切断され両面に金メッキを施した錫
２０％含有の金錫共晶合金を重ね、２４５℃に加温した
加圧ロールにて熱圧着した。そして、このようにして得
られたフォイルから両刃切断により２．８５ｍｍ角の板
状のハーメチックシールカバーを５０個作製した。次
に、それらのハーメチックシールカバーを用いて連続炉
により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃でパッケージ
に封止した。そして、その封止した５０個のパッケージ
を用いて、０．４５ＭＰａで２時間のヘリウムリーク試
験を行ったが、その結果は、リーク不良がなかった。

【００２５】［実施例４］両面に厚さ１０μｍのニッケ
ル材を圧接した厚さ０．２５ｍｍのコバール合金のコイ
ル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを片面に施した
後、その金メッキを施した面側に、両面に金メッキを施
した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、２４５℃に加
温した加圧ロールにて熱圧着して得られたフォイルを、
コバール合金側から２．８５ｍｍ幅に切断し、更にコバ
ール合金側から打ち抜き切断して、２．８５ｍｍ角の板
状のハーメチックシールカバーを５０個作製した。次
に、それらのハーメチックシールカバーを用いて連続炉
により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃でパッケージ
に封止した。そして、その封止した５０個のパッケージ
を用いて、０．４５ＭＰａで２時間のヘリウムリーク試
験を行ったが、その結果は、リーク不良がなかった。

【００２６】［実施例５］両面に厚さ１０μｍのニッケ
ル材を圧接した厚さ０．２５ｍｍのコバール合金のコイ
ル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを片面に施した
後、その金メッキを施した面側に、両面に金メッキを施
した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、２４５℃に加
温した加圧ロールによって熱圧着して得られたフォイル
を、コバール合金側から２．８５ｍｍ幅に切断し、更に
両刃切断によって２．８５ｍｍ角の板状のハーメチック
シールカバーを５０個作製した。次に、それらのハーメ
チックシールカバーを用いて連続炉により窒素雰囲気中
にて最高温度３２０℃でパッケージに封止した。そし
て、その封止した５０個のパッケージを用いて、０．４
５ＭＰａで２時間のヘリウムリーク試験を行ったが、そ
の結果は、リーク不良がなかった。

【００２７】［実施例６］厚さ０．２５ｍｍの４２アロ
イ合金のコイル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを
片面に施した後、その金メッキを施した面側に、両面に
金メッキを施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、
２３０℃に加温した加圧ロールにて熱圧着した。そし
て、このようにして得られたフォイルを、２．８５ｍｍ
角の板状に４２アロイ合金側から打ち抜き、ハーメチッ
クシールカバーを５０個作製した。次に、それらのハー
メチックシールカバーを用いて連続炉により窒素雰囲気
中にて最高温度３２０℃でパッケージに封止した。そし
て、その封止した５０個のパッケージを用いて、０．４
５ＭＰａで２時間のヘリウムリーク試験を行ったが、そ
の結果は、リーク不良がなかった。

【００２８】［実施例７］厚さ０．２５ｍｍの４２アロ
イ合金のコイル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを
片面に施した後、２．８５ｍｍ幅に切断し、その金メッ
キを施した面側に、２．８５幅に切断され両面に金メッ
キを施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、２４０
℃に加温した加圧ロールにて熱圧着した。そして、この
ようにして得られたフォイルを４２アロイ合金側から打
ち抜き切断し、２．８５ｍｍ角の板状のハーメチックシ
ールカバーを５０個作製した。次に、それらのハーメチ
ックシールカバーを用いて連続炉により窒素雰囲気中に
て最高温度３２０℃でパッケージに封止した。そして、
その封止した５０個のパッケージを用いて、０．４５Ｍ
Ｐａで２時間のヘリウムリーク試験を行ったが、その結
果は、リーク不良がなかった。

【００２９】［実施例８］厚さ０．２５ｍｍの４２アロ
イ合金のコイル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを
片面に施した後、２．８５ｍｍ幅に切断し、その金メッ
キを施した面側に、２．８５幅に切断され両面に金メッ
キを施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、２４０
℃に加温した加圧ロールにて熱圧着した。そして、この
ようにして得られたフォイルから両刃切断により２．８
５ｍｍ角の板状のハーメチックシールカバーを５０個作
製した。次に、それらのハーメチックシールカバーを用
いて連続炉により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃で
パッケージに封止した。そして、その封止した５０個の
パッケージを用いて、０．４５ＭＰａで２時間のヘリウ
ムリーク試験を行ったが、その結果は、リーク不良がな
かった。

【００３０】［実施例９］厚さ０．２５ｍｍの４２アロ
イ合金のコイル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを
片面に施した後、その金メッキを施した面側に、両面に
金メッキを施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、
２４０℃に加温した加圧ロールにて熱圧着して得られた
フォイルを４２アロイ合金側から２．８５ｍｍ幅に切断
し、更に４２アロイ合金側から打ち抜き切断して、２．
８５ｍｍ角の板状のハーメチックシールカバーを５０個
作製した。次に、それらのハーメチックシールカバーを
用いて連続炉により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃
でパッケージに封止した。そして、その封止した５０個
のパッケージを用いて、０．４５ＭＰａで２時間のヘリ
ウムリーク試験を行ったが、その結果は、リーク不良が
なかった。

【００３１】［実施例１０］厚さ０．２５ｍｍの４２ア
ロイ合金のコイル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキ
を片面に施した後、その金メッキを施した面側に、両面
に金メッキを施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重
ね、２４０℃に加温した加圧ロールによって熱圧着して
得られたフォイルを、４２アロイ合金側から２．８５ｍ
ｍ幅に切断し、更に両刃切断によって２．８５ｍｍ角の
板状のハーメチックシールカバーを５０個作製した。次
に、それらのハーメチックシールカバーを用いて連続炉
により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃でパッケージ
に封止した。そして、その封止した５０個のパッケージ
を用いて、０．４５ＭＰａで２時間のヘリウムリーク試
験を行ったが、その結果は、リーク不良がなかった。

【００３２】［実施例１１］厚さ０．２５ｍｍのコバー
ル合金に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを片面に施し
た後、その金メッキを施した面側に、両面に金メッキを
施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、２３０℃に
加温した加圧ロールにて熱圧着した。そして、このよう
にして得られたフォイルを、２．８５ｍｍ角の板状にコ
バール合金側から打ち抜き、ハーメチックシールカバー
を５０個作製した。次に、それらのハーメチックシール
カバーを用いて連続炉により窒素雰囲気中にて最高温度
３２０℃でパッケージに封止した。そして、その封止し
た５０個のパッケージを用いて、０．４５ＭＰａで２時
間のヘリウムリーク試験を行ったが、その結果は、リー
ク不良がなかった。

【００３３】［実施例１２］厚さ０．２５ｍｍのコバー
ル合金のコイル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを
片面に施した後、２．８５ｍｍ幅に切断し、その金メッ
キを施した面側に、２．８５幅に切断され両面に金メッ
キを施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、２４０
℃に加温した加圧ロールにて熱圧着した。そして、この
ようにして得られたフォイルをコバール合金側から打ち
抜き切断し、２．８５ｍｍ角の板状のハーメチックシー
ルカバーを５０個作製した。次に、それらのハーメチッ
クシールカバーを用いて連続炉により窒素雰囲気中にて
最高温度３２０℃でパッケージに封止した。そして、そ
の封止した５０個のパッケージを用いて、０．４５ＭＰ
ａで２時間のヘリウムリーク試験を行ったが、その結果
は、リーク不良がなかった。

【００３４】［実施例１３］厚さ０．２５ｍｍのコバー
ル合金のコイル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを
片面に施した後、２．８５ｍｍ幅に切断し、その金メッ
キを施した面側に、２．８５幅に切断され両面に金メッ
キを施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、２４０
℃に加温した加圧ロールにて熱圧着した。そして、この
ようにして得られたフォイルから両刃切断により２．８
５ｍｍ角の板状のハーメチックシールカバーを５０個作
製した。次に、それらのハーメチックシールカバーを用
いて連続炉により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃で
パッケージに封止した。そして、その封止した５０個の
パッケージを用いて、０．４５ＭＰａで２時間のヘリウ
ムリーク試験を行ったが、その結果は、リーク不良がな
かった。

【００３５】［実施例１４］厚さ０．２５ｍｍのコバー
ル合金のコイル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを
片面に施した後、その金メッキを施した面側に、両面に
金メッキを施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、
２４０℃に加温した加圧ロールにて熱圧着して得られた
フォイルを、コバール合金側から２．８５ｍｍ幅に切断
し、更にコバール合金側から打ち抜き切断して、２．８
５ｍｍ角の板状のハーメチックシールカバーを５０個作
製した。次に、それらのハーメチックシールカバーを用
いて連続炉により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃で
パッケージに封止した。そして、その封止した５０個の
パッケージを用いて、０．４５ＭＰａで２時間のヘリウ
ムリーク試験を行ったが、その結果は、リーク不良がな
かった。

【００３６】［実施例１５］厚さ０．２５ｍｍのコバー
ル合金のコイル材に対し、厚さ０．１μｍの金メッキを
片面に施した後、その金メッキを施した面側に、両面に
金メッキを施した錫２０％含有の金錫共晶合金を重ね、
２４０℃に加温した加圧ロールによって熱圧着して得ら
れたフォイルを、コバール合金側から２．８５ｍｍ幅に
切断し、更に両刃切断によって２．８５ｍｍ角の板状の
ハーメチックシールカバーを５０個作製した。次に、そ
れらのハーメチックシールカバーを用いて連続炉により
窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃でパッケージに封止
した。そして、その封止した５０個のパッケージを用い
て、０．４５ＭＰａで２時間のヘリウムリーク試験を行
ったが、その結果は、リーク不良がなかった。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、製造時における収率向
上と工数削減が可能になるから、ハーメチックシールカ
バーの製造コストを大幅に削減することができる。ま
た、従来品と同等の性能と信頼性を有するハーメチック
シールカバーを、大量に生産することも可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によって製作されたハーメチックシール
カバーを用いている半導体装置の一例を示した断面図で
ある。

【図２】本発明のハーメチックシールカバーの製造工程
を示す流れ図である。

【図３】本発明によって製作されたハーメチックシール
カバーの断面図である。

【図４】セラミック基板を用いた一般的な半導体パッケ
ージを説明するためにその要部を示した斜視図である。

【図５】従来の方法で製作されたハーメチックシールカ
バーを用いている半導体装置の一例を示す断面図であ
る。

【図６】従来のハーメチックシールカバーの製造工程を
示す流れ図である。

【図７】従来の方法で製作されたハーメチックシールカ
バーの断面図である。

【符号の説明】

１セラミック基板２金属リード３メタライズ層４半導体素子５ロウ材６シールカバー７ダミー材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ロウ材とシールカバー材とを、前記ロウ
材の融点よりも２０〜５０℃低い温度に加温した加圧ロ
ールによって熱圧着することを特徴とするハーメチック
シールカバーの製造方法。
【請求項２】前記ロウ材と前記シールカバー材とを前
記加圧ロールによって熱圧着した後に、プレス機による
打ち抜きによって製品サイズに加工することを特徴とす
る請求項１に記載のハーメチックシールカバーの製造方
法。
【請求項３】前記ロウ材と前記シールカバー材とを前
記加圧ロールによって熱圧着した後に、製品幅に切断し
たコイル材としておいてから所定の長さ寸法にカッティ
ングすることすることを特徴とする請求項１に記載のハ
ーメチックシールカバーの製造方法。
【請求項４】前記ロウ材と前記シールカバー材とを製
品幅に切断した後に、加温した前記加圧ローラによって
熱圧着し、その熱圧着された製品幅のコイル材を所定の
長さ寸法にカッティングすることを特徴とする請求項１
に記載のハーメチックシールカバーの製造方法。