JP2005209805A

JP2005209805A - 半導体装置およびその製造方法

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Publication number: JP2005209805A
Application number: JP2004013383A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Horibe; 裕史堀部; Kenjin Kobayashi; 剣人小林
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2004-01-21
Filing date: 2004-01-21
Publication date: 2005-08-04

Abstract

【課題】安定して製造することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１の製造方法は、表面にボンディングパッドが形成された半導体チップ６と、表面にボンディングパッドが形成された半導体チップ９とを備える半導体パッケージの製造方法であって、以下の工程を備えている。ダイパッド５に半導体チップ６が搭載される。半導体チップ６のボンディングパッドに金線７が接続される。半導体チップ６上にスペーサ８が搭載されその上に半導体チップ９が搭載され、半導体チップ９の表面上に保持板４が配置される。半導体チップ９の表面上に保持板４を配置した後で、半導体チップ９のボンディングパッドに金線１０が接続される。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、より特定的には、安定して製造することが可能な半導体装置およびその製造方法に関する。

従来、表面実装型の半導体パッケージは、銅合金または鉄−ニッケル系合金のリードフレームのダイパッドに半導体チップがダイボンディングにより搭載され、半導体チップのボンディングパッドとリードフレームのリードの先端とが金線等の金属細線でワイヤーボンディングされ、所定の形状を持った金型にて樹脂モールドされた構成を有していた。

近年、半導体パッケージの小型化や、１つで複数の機能を持つ半導体パッケージが要求されている。そこで、このような要求を満たすことのできる構成として、オーバーハング構造の半導体パッケージが提案されている。

オーバーハング構造の半導体パッケージの構成としては、大きく分けて２種類の構成が提案されている。オーバーハング構造の半導体パッケージの一の構成として、リードフレームと、リードフレームのダイパッドの表面に搭載されたダイパッドよりも面積の大きな第１の半導体チップと、リードフレームのダイパッドのもう一方の表面に搭載されたダイパッドよりも面積の大きな第２の半導体チップと、第１および第２の半導体チップの各々の表面の端部に形成されたボンディングパッド（電極パッド）とリードフレームのリード部の先端とを電気的に接続する金線と、これらを封止するための樹脂モールドとを有する半導体パッケージが提案されている。

また、オーバーハング構造の半導体パッケージの他の構成として、リードフレームと、リードフレームのダイパッドの表面に搭載されたダイパッドよりも面積の大きな第１の半導体チップと、第１の半導体チップ上に直接、またはスペーサを挟んで搭載された第１の半導体チップよりも面積の大きな第２の半導体チップと、第１および第２の半導体チップの各々の表面の端部に形成されたボンディングパッドとリードフレームのリード部の先端とを電気的に接続する金線と、これらを封止するための樹脂モールドとを有する半導体パッケージが提案されている。

なお、従来のオーバーハング構造の半導体パッケージの構成は、たとえば特開２００１−３５８２８６号公報に開示されている。
特開２００１−３５８２８６号公報

半導体パッケージの製造工程において、半導体チップのボンディングパッドに金線を接合する際には、半導体チップの表面の周辺部分にあるボンディングパッドに対して金線を押し付ける必要がある。しかしながら、上記オーバーハング構造の半導体パッケージでは、半導体パッケージの形状に起因して、半導体チップを裏面から支えることができなかった。

たとえば、上記一の構成のオーバーハング構造の半導体パッケージでは、第１の半導体チップの裏面にダイパッドを挟んで第２の半導体チップが搭載されているので、第１の半導体チップのボンディングパッドに接合している金線（以下、第１の金線）は、第２の半導体チップの裏面付近に存在している。このため、第２の半導体チップのボンディングパッドに金線（以下、第２の金線）を接合する際に、治工具が第１の金線に妨げられて、第２の半導体チップを裏面から支えることができないという問題があった。また、始めに第２の半導体チップを裏面から支えながら第２の金線を接合した後で、第１の金線を接合しようとすると、第２の金線と第１の半導体チップとのわずかな隙間に第１の金線を挿入して接合しなければならない。このため、第２の金線を接合した後で第１の金線を接合することも困難であった。

また、上記他の構成のオーバーハング構造の半導体パッケージでは、第１の半導体チップの上に第２の半導体チップが搭載されているので、第１の半導体チップのボンディングパッドに接合している第１の金線は、第２の半導体チップの裏面付近に存在している。このため、上記他の構成の半導体パッケージでも同様に、治工具が第１の金線に妨げられて、第１または第２の半導体チップを裏面から支えることができないという問題があった。

このように、従来のオーバーハング構造の半導体パッケージの製造工程においては、半導体チップのボンディングパッドに金線を接合する際に、半導体チップを裏面から支えることはできなかった。このため、金線を押し付ける力を受けて半導体チップの位置がずれたり、半導体チップが撓んだりしてしまい、オーバーハング構造の半導体パッケージを安定して製造することができないという問題があった。特に、搭載される半導体チップの面積が下のチップの面積と比較して非常に大きい場合に、半導体チップの位置のずれや半導体チップの撓みは発生しやすいので、上記問題に起因して搭載する半導体チップの面積が制約されていた。

したがって、本発明の目的は、安定して製造することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。

本発明の半導体装置の製造方法は、表面に第１電極が形成された第１の半導体チップと、表面に第２電極が形成された第２の半導体チップとを備える半導体パッケージの製造方法であって、以下の工程を備えている。フレームに第１の半導体チップが搭載される。フレームに第２の半導体チップが搭載される。第１の半導体チップの第１電極に導線が接続される。第２の半導体チップの表面上に保持部材が配置される。第１電極に導線を接続し、第２の半導体チップの表面上に保持部材を配置した後で、第２の半導体チップの第２電極に導線が接続される。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、第２の半導体チップが表面から保持部材により保持されるので、第２電極に対して導線が押し付けられても、第２の半導体チップの位置がずれたり、第２の半導体チップが撓んだりしなくなる。したがって、半導体装置を安定して製造することができる。また、裏面から第２の半導体チップを保持しなくてすむので、第１の半導体チップの第１電極に接合している導線に保持部材が妨げられることがなくなり、容易に第２の半導体チップを保持することができる。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。

図１および図２に示すように、本実施の形態の半導体装置としての半導体パッケージ１は、モールド２と、複数のリード３と、保持部材として保持板４と、フレームとしてのダイパッド５と、第１の半導体チップとしての半導体チップ６と、第２の半導体チップとしての半導体チップ９と、導線としての複数の金線７および１０とを備えている。保持板４は、たとえば略正方形の平面形状を有しており、保持板４の表面は半導体パッケージ１の上面のモールド２から露出している。また、複数のリード３は、半導体チップ６および９の外周を囲むように配置されており、リード３の一端は外部へ露出している。

半導体チップ６は、図示しない銀ペーストなどにより固着されてダイパッド５の一方の表面上に搭載されている。半導体チップ６の表面上にはスペーサ８が配置されており、スペーサ８を挟んで半導体チップ６の表面上に半導体チップ９が搭載されている。さらに、半導体チップ９の表面上には保持板４が配置されている。ダイパッド５と、半導体チップ６および９と、スペーサ８との各々は、たとえば略正方形の平面形状を有している。また、保持板４は、たとえばシリコン、銅、または鉄などよりなっている。

半導体チップ６の表面の周辺部分には、図示しない複数のボンディングパッドが形成されており、複数のボンディングパッドの各々と複数のリード３の各々とが金線７によって接続されている。また、半導体チップ９の表面には、図示しない複数のボンディングパッドが形成されており、複数のボンディングパッドの各々と複数のリード３の各々とが金線１０によって接続されている。金線１０は、金線７の上を跨ぐように配置されている。複数のリード３と、保持板４と、ダイパッド５と、半導体チップ６および９と、スペーサ８と、金線７および１０との各々は、モールド２により封止されている。

続いて、本実施の形態の半導体パッケージ１の製造方法について説明する。

図３〜図８は、本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法を工程順に示す図である。なお、図３、図４、図６、図７は側面図であり、図５および図８は平面図である。

始めに、図３に示すように、リードフレームのダイパッド５と半導体チップ６とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、半導体チップ６がダイパッド５に搭載される。

次に、図４および図５に示すように、半導体チップ６の表面の周辺部分に形成された第１電極としての複数のボンディングパッド６ａの各々と、複数のリード３の各々とが、金線７により接続される。

ボンディングパッド６ａに金線７を接合する際には、半導体チップ６が従来の方法により保持される。すなわち、ボンディングパッド６ａに対応する半導体チップ６の裏面に治工具３０が配置され、半導体チップ６が治工具３０によって裏面から支えられる。これにより、金線７を接合する際に、半導体チップ６の周辺部分に加わる下向き（図４中下方向）の力が治工具３０で受け止められる。金線７を接合した後で治工具３０は除去される。

次に、図６に示すように、半導体チップ６とスペーサ８とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、半導体チップ６の表面上にスペーサ８が配置される。そして、スペーサ８と半導体チップ９とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、スペーサ８を挟んで半導体チップ６の表面上に半導体チップ９が搭載される。さらに、本実施の形態においては、半導体チップ９と保持板４とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、半導体チップ９の表面上に保持板４が配置される。

次に、図７および図８に示すように、半導体チップ９の表面の周辺部分に形成された第２電極としての複数のボンディングパッド９ａの各々と、複数のリード３の各々とが、金線１０により接続される。

ボンディングパッド９ａに金線１０を接合する際には、半導体チップ９の周辺部分に下向き（図７中下方向）の力が加わる。この力を受けて、中心部分が盛り上がるように半導体チップ９は撓もうとする。しかし、本実施の形態では保持板４が半導体チップ９の表面上に配置されているので、保持板４の自重により半導体チップ９の中心部分に対して下向きの力を加えることができる。保持板４の自重による力により、半導体チップ９が撓まなくなる。また、保持板４の自重による力により、半導体チップ９の位置を固定することができるので、ボンディングパッド９ａに金線１０を接合する際に半導体チップ９の位置がずれなくなる。

その後、図２に示すように、複数のリード３と、保持板４と、ダイパッド５と、半導体チップ６および９と、スペーサ８と、金線７および１０との各々が、たとえばエポキシ系の熱硬化性の封止用樹脂よりなるモールド２により樹脂封止される。すなわち、本実施の形態においては、表面がモールド２から露出するように保持板４も樹脂封止されている。
そして、モールド２から露出しているリード３が任意の形状に加工され、半導体パッケージ１が完成する。

本実施の形態の半導体パッケージ１およびその製造方法によれば、半導体チップ９が表面から保持板４により保持されるので、ボンディングパッド９ａに対して金線１０が押し付けられても、半導体チップ９の位置がずれたり、半導体チップ９が撓んだりしなくなる。したがって、半導体パッケージを安定して製造することができる。また、裏面から半導体チップ９を保持しなくてすむので、半導体チップ６のボンディングパッド６ａに接合している金線７に保持板が妨げられることがなくなり、容易に半導体チップ９を保持することができる。

本実施の形態の半導体パッケージ１およびその製造方法において、半導体チップ６はダイパッド５の一方の表面上に搭載され、半導体チップ９は半導体チップ６の表面上に搭載される。

これにより、半導体パッケージ１が、ダイパッド５の表面上に半導体チップ６および半導体チップ９が積層した構造となる。

本実施の形態の半導体パッケージ１およびその製造方法において、保持板４はシリコンを含んでいる。

シリコンは硬いので、半導体チップ９を安定して保持することができる。また、シリコンは、保持板４以外でも半導体パッケージ１に含まれている材料である。このため、半導体パッケージ１が保持板４を含むような構成となっても、半導体パッケージ１内に不純物（異なる材料）を混入することにはならない。したがって、不純物が混入することにより半導体パッケージ１の品質が低下することを抑止できる。さらに、半導体チップ９は通常シリコンを主成分としているので、保持板４と半導体チップ９との線膨張係数が近くなる。このため、半導体チップ９の動作時に半導体チップ９が高温になった場合でも、半導体チップ９と保持板４との間に線膨張係数の違いによる熱応力が発生しにくくなる。

本実施の形態の半導体パッケージ１およびその製造方法において、保持板４は銅を含んでいる。

銅は硬いので、半導体チップ９を安定して保持することができる。また、銅は、保持板４以外でも半導体パッケージ１に含まれている材料である。このため、半導体パッケージ１が保持板４を含むような構成となっても、半導体パッケージ１内に不純物（異なる材料）を混入することにはならない。したがって、不純物が混入することにより半導体パッケージ１の品質が低下することを抑止できる。さらに、銅は熱伝導率が高いので、半導体チップ９の動作時に半導体チップ９が高温になった場合でも、半導体チップ９の熱が保持板４を介して外部へ放熱されやすくなる。

本実施の形態の半導体パッケージ１およびその製造方法において、保持板４は鉄を含んでいる。

鉄は硬いので、半導体チップ９を安定して保持することができる。また、鉄は、保持板４以外でも半導体パッケージ１に含まれている材料である。このため、半導体パッケージ１が保持板４を含むような構成となっても、半導体パッケージ１内に不純物（異なる材料）を混入することにはならない。したがって、不純物が混入することにより半導体パッケージ１の品質が低下することを抑止できる。さらに、半導体チップ９は通常シリコンを主成分としており、鉄とシリコンとの線膨張係数は近い。このため、保持板４と半導体チップ９との線膨張係数が近くなり、半導体チップ９の動作時に半導体チップ９が高温になった場合でも、半導体チップ９と保持板４との間に線膨張係数の違いによる熱応力が発生しにくくなる。

本実施の形態の半導体パッケージ１は、ダイパッド５と、半導体チップ６および９と、保持板４との各々を封止するためのモールド２をさらに備えている。保持板４がモールド２から外部に露出している。

これにより、半導体チップ９の動作時に半導体チップ９が高温になった場合でも、半導体チップ９の熱が保持板４を介して外部へ放熱されやすくなる。

なお、本実施の形態の半導体パッケージ１においては、半導体チップ６の表面上にスペーサ８が配置される場合について示したが、スペーサ８が配置されずに、半導体チップ６の表面上に半導体チップ９が直接配置されてもよい。

また、本実施の形態の半導体パッケージ１においては、保持板４がモールド２から外部に露出している場合について示したが、保持板４は露出せずにモールド２の中に完全に埋め込まれていてもよい。

また、本実施の形態の半導体パッケージ１の製造方法においては、ボンディングパッド６ａに金線７を接合する際には、図４に示すように、半導体チップ６が従来の方法により保持される場合について示した。しかしながら、半導体チップ６が従来の方法により保持される代わりに、半導体チップ６の表面に保持板を配置することにより半導体チップ６が保持され、ボンディングパッド６ａに金線７を接合した後にこの保持板が除去されてもよい。この場合には、保持板の自重による力により、ボンディングパッド６ａに金線７を接合する際に、半導体チップ６の位置がずれたり、半導体チップ６が撓んだりしなくなる。

また、半導体チップ６が従来の方法により保持される代わりに、半導体チップ６の表面上にスペーサ８および半導体チップ９および保持板４のうち少なくともいずれか１つを配置した後で、ボンディングパッド６ａに金線７が接合されてもよい。この場合には、スペーサ８、半導体チップ９、または保持板４の自重による力により、ボンディングパッド６ａに金線７を接合する際に、半導体チップ６の位置がずれたり、半導体チップ６が撓んだりしなくなる。

（実施の形態２）
図９は、本発明の実施の形態２における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。

図９に示すように、本実施の形態の半導体パッケージ１１は保持板を備えていない。本実施の形態における半導体パッケージ１１は、実施の形態１の図７および図８においてボンディングパッド９ａに金線１０を接合した後、保持板４を除去することにより製造される。

なお、これ以外の半導体パッケージ１１の構成およびその製造方法は、図１〜図８に示す実施の形態１の半導体パッケージ１の構成およびその製造方法とほぼ同様であるので、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。

本実施の形態における半導体パッケージ１１の製造方法においては、半導体チップ９のボンディングパッド９ａに金線１０を接続した後、保持板４が除去される。

これにより、半導体パッケージ１１が保持板を備えていない構成となるので、保持板がない分だけ半導体パッケージ１１の小型化を図ることができる。

（実施の形態３）
実施の形態１および２においては、半導体チップ９の表面上に配置された保持板４を用いて半導体チップ９が保持される場合について示した。しかしながら、本発明の保持部材としては、保持板４を用いる代わりに、たとえば以下に示すような治工具を用いてもよい。

図１０は、本発明の実施の形態３における半導体パッケージの製造方法を示す側面図である。なお、図１０の治工具４ａは、内部の概略的な構造が明らかになるような形態で模式的に示されている。

図１０に示すように、本実施の形態の半導体パッケージの製造方法においては、実施の形態１の図６において保持板４の代わりに治工具４ａが半導体チップ９の表面上に配置される。治工具４ａの半導体チップ９と接触する表面には複数の微小穴が開口されており、この微小穴から半導体チップ９が図１０中矢印方向に吸引される。半導体チップ９のボンディングパッド９ａに金線１０を接続した後、治工具４ａは除去される。

ボンディングパッド９ａに金線１０を接合する際には、半導体チップ９の周辺部分に下向き（図１０中下方向）の力が加わる。しかし、半導体チップ９には、引っ張るような上向き（図１０中上方向）の力が治工具４ａによって加えられるので、金線１０を接合する際に半導体チップ９に加わる下向きの力が打ち消される。したがって、半導体チップに加わる下向きの力が打ち消されるので半導体チップ９が撓まなくなり、半導体チップ９の位置がずれなくなる。

なお、本実施の形態においては、治工具４ａに複数の微小穴が開口されている場合について示したが、微小穴の代わりに治工具４ａをポーラスな材料により作成し、ポーラスな材料が有している穴から半導体チップ９を吸引してもよい。

また、本実施の形態においては、治工具４ａが半導体チップ９を吸引する機能を有している場合について示したが、このような機能を治工具４ａが有している場合に代わって、粘着力のある表面を有する治工具４ａを用いて、治工具４ａを半導体チップ９の表面に粘着させることにより半導体チップ９に上向きの力を加えてもよい。治工具４ａがこのような構成であっても、半導体チップ９が撓まなくなり、半導体チップ９の位置がずれなくなる。

（実施の形態４）
図１１は、本発明の実施の形態４における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。

図１１に示すように、本実施の形態の半導体パッケージ１２において、半導体チップ６は図示しない銀ペーストにより固着されてダイパッド５の一方の表面（図１１中下側）上に搭載されている。また、半導体チップ９は図示しない銀ペーストにより固着されてダイパッド５のもう一方の表面（図１１中上側）上に搭載されている。半導体チップ９の表面上には保持板４が配置されている。

なお、これ以外の半導体パッケージ１２の構成は、図１および図２に示す実施の形態１の半導体パッケージ１の構成とほぼ同様であるので、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。

続いて、本実施の形態の半導体パッケージ１２の製造方法について説明する。

本実施の形態の製造方法は、まず図３〜図５に示す実施の形態１の製造工程と同様の製造工程を経る。よってその説明を省略する。

図１２および図１３は、本発明の実施の形態４における半導体パッケージの製造方法を工程順に示す側面図である。

図１２に示すように、ダイパッド５を裏返し、ダイパッド５と半導体チップ９とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、半導体チップ６とは反対側のダイパッド５の表面（図１２中上側）上に半導体チップ９が搭載される。さらに、半導体チップ９と保持板４とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、半導体チップ９の表面上に保持板４が配置される。

次に、図１３に示すように、半導体チップ９の表面の周辺部分に形成された第２電極としての複数のボンディングパッド９ａの各々と、複数のリード３の各々とが、金線１０により接続される。

ボンディングパッド９ａに金線１０を接合する際には、半導体チップ９の周辺部分に下向き（図１３中下方向）の力が加わる。この力を受けて、中心部分が盛り上がるように半導体チップ９は撓もうとする。しかし、本実施の形態では保持板４が半導体チップ９の表面上に配置されているので、保持板４の自重により半導体チップ９の中心部分に対して下向きの力を加えることができる。保持板４の自重による力により、半導体チップ９が撓まなくなる。また、保持板４の自重による力により、半導体チップ９の位置を固定することができるので、ボンディングパッド９ａに金線１０を接合する際に半導体チップ９の位置がずれなくなる。

その後、図１１に示すように、複数のリード３と、保持板４と、ダイパッド５と、半導体チップ６および９と、金線７および１０の各々が、たとえばエポキシ系の熱硬化性の封止用樹脂よりなるモールド２により樹脂封止される。すなわち、本実施の形態においては、保持板４が除去されることなく、モールド２により樹脂封止される。そして、モールド２から露出しているリード３が任意の形状に加工され、半導体パッケージ１２が完成する。

本実施の形態の半導体パッケージ１２およびその製造方法において、半導体チップ６はダイパッド５の一方の表面上に搭載され、半導体チップ９はダイパッド５の他方の表面上に搭載される。

これにより、半導体パッケージ１２が、ダイパッド５の表面上に半導体チップ６および半導体チップ９が積層した構造となる。このような構造の半導体パッケージ１１によっても、実施の形態１の半導体パッケージ１とほぼ同様の効果を得ることができる。

（実施の形態５）
図１４は、本発明の実施の形態５における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。

図１４に示すように、本実施の形態の半導体パッケージ１３は保持板を備えていない。本実施の形態における半導体パッケージ１３は、実施の形態４の図１３においてボンディングパッド９ａに金線１０を接合した後、保持板４を除去することにより製造される。

なお、これ以外の半導体パッケージ１３の構成およびその製造方法は、図１１〜図１３に示す実施の形態４の半導体パッケージ１２の構成およびその製造方法とほぼ同様であるので、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。

本実施の形態における半導体パッケージ１３の製造方法においては、半導体チップ９のボンディングパッド９ａに金線１０を接続した後、保持板４が除去される。

これにより、半導体パッケージ１３が保持板を備えていない構成となるので、保持板がない分だけ半導体パッケージ１３の小型化を図ることができる。

（実施の形態６）
実施の形態３および４においては、半導体チップ９の表面上に配置された保持板４を用いて半導体チップ９が保持される場合について示した。しかしながら、本発明の保持部材としては、保持板４を用いる代わりに、たとえば以下に示すような治工具を用いて半導体チップ９が保持されてもよい。

図１５は、本発明の実施の形態６における半導体パッケージの製造方法を示す側面図である。なお、図１５の治工具４ａは、内部の概略的な構造が明らかになるような形態で模式的に示されている。

図１５に示すように、本実施の形態の半導体パッケージの製造方法においては、実施の形態３の図１２において保持板４の代わりに治工具４ａが半導体チップ９の表面上に配置される。治工具４ａの半導体チップ９と接触する表面には複数の微小穴が開口されており、この微小穴から半導体チップ９が図１０中矢印方向に吸引される。半導体チップ９のボンディングパッド９ａに金線１０を接続した後、治工具４ａは除去される。

ボンディングパッド９ａに金線１０を接合する際には、半導体チップ９の周辺部分に下向き（図１５中下方向）の力が加わる。しかし、半導体チップ９には、引っ張るような上向き（図１５中上方向）の力が治工具４ａによって加えられるので、金線１０を接合する際に半導体チップ９に加わる下向きの力が打ち消される。したがって、半導体チップ９が撓まなくなり、半導体チップ９の位置がずれなくなる。

以上に開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものと意図される。

本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第１工程を示す側面図である。本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第２工程を示す側面図である。本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第２工程を示す平面図である。本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第３工程を示す側面図である。本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第４工程を示す側面図である。本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第４工程を示す平面図である。本発明の実施の形態２における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。本発明の実施の形態３における半導体パッケージの製造方法を示す側面図である。本発明の実施の形態４における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。本発明の実施の形態４における半導体パッケージの製造方法の第１工程を示す側面図である。本発明の実施の形態４における半導体パッケージの製造方法の第２工程を示す側面図である。本発明の実施の形態５における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。本発明の実施の形態６における半導体パッケージの製造方法を示す側面図である。

符号の説明

１，１１〜１３半導体パッケージ、２モールド、３リード、４保持板、４ａ，３０治工具、５ダイパッド、６，９半導体チップ、６ａ，９ａボンディングパッド、７，１０金線、８スペーサ。

Claims

表面に第１電極が形成された第１の半導体チップと、表面に第２電極が形成された第２の半導体チップとを備える半導体パッケージの製造方法であって、
フレームに前記第１の半導体チップを搭載する工程と、
前記フレームに第２の半導体チップを搭載する工程と、
前記第１半導体チップの前記第１電極に導線を接続する第１接続工程と、
前記第２の半導体チップの表面上に保持部材を配置する配置工程と、
前記第１接続工程および前記配置工程の後で、前記第２の半導体チップの前記第２電極に導線を接続する第２接続工程とを含む半導体装置の製造方法。
前記第１の半導体チップは前記フレームの表面上に搭載され、前記第２の半導体チップは前記第１の半導体チップの表面上に搭載されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記第１の半導体チップは前記フレームの一方の表面上に搭載され、前記第２の半導体チップは前記フレームの他方の表面上に搭載されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２接続工程の後で、前記保持部材を除去する除去工程をさらに含む、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記保持部材は前記第２の半導体チップを吸引する機能を有することを特徴とする、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
前記保持部材は前記第２の半導体チップと接着するための接着部分を有することを特徴とする、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
前記保持部材はシリコンを含んでいることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記保持部材は銅を含んでいることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記保持部材は鉄を含んでいることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
フレームと、
前記フレームに搭載された第１および第２の半導体チップと、
前記第２の半導体チップの表面上に配置された保持部材とを備える半導体装置。
前記第１の半導体チップは前記フレームの表面上に搭載され、前記第２の半導体チップは前記第１の半導体チップの表面上に搭載されていることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
前記第１の半導体チップは前記フレームの一方の表面上に搭載され、前記第２の半導体チップは前記フレームの他方の表面上に搭載されることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
前記保持部材はシリコンを含んでいることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
前記保持部材は銅を含んでいることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
前記保持部材は鉄を含んでいることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
前記フレームと、前記第１および前記第２の半導体チップと、前記保持部材との各々を封止するためのモールドをさらに備え、
前記保持部材が前記モールドから外部に露出していることを特徴とする、請求項１０〜１５のいずれかに記載の半導体装置。