JPH09148878A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
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- JPH09148878A JPH09148878A JP30143695A JP30143695A JPH09148878A JP H09148878 A JPH09148878 A JP H09148878A JP 30143695 A JP30143695 A JP 30143695A JP 30143695 A JP30143695 A JP 30143695A JP H09148878 A JPH09148878 A JP H09148878A
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- acoustic wave
- surface acoustic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡略化された製造工程で、かつインピーダン
ス不整合などの電気的特性の低下がない。 【解決手段】 電極パターン８と該電極パターンに電気
的に接続された素子側接続用導体部１とを有する弾性表
面波素子７と、素子側接続用導体部７と相対向する位置
にパッケージ側接続用導体部２を有する弾性表面波素子
収納用パッケージ９とを具備し、弾性表面波素子７と収
納用パッケージ９との両接続用導体部を接着剤にて接続
してなる内部実装構造を有する弾性表面波デバイスにお
いて、接着剤がシート状半田である。
ス不整合などの電気的特性の低下がない。 【解決手段】 電極パターン８と該電極パターンに電気
的に接続された素子側接続用導体部１とを有する弾性表
面波素子７と、素子側接続用導体部７と相対向する位置
にパッケージ側接続用導体部２を有する弾性表面波素子
収納用パッケージ９とを具備し、弾性表面波素子７と収
納用パッケージ９との両接続用導体部を接着剤にて接続
してなる内部実装構造を有する弾性表面波デバイスにお
いて、接着剤がシート状半田である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波デバイス
に関し、特に移動体通信用等の高周波用に適した内部実
装構造を有する弾性表面波デバイスに関する。
に関し、特に移動体通信用等の高周波用に適した内部実
装構造を有する弾性表面波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波デバイス、特に回路基
板等への表面実装可能な弾性表面波デバイスにあって
は、圧電性基板もしくは圧電性薄膜の上にくし歯型電極
パターンおよびこの電極パターンに電気的に接続された
導体部とが表面に形成された弾性表面波素子（以下、チ
ップと略称する。）を箱型のセラミックパッケージ内部
に収納し、気密性保持のためパッケージ上部を封止（シ
ーリング）した実装構造が良く知られている。
板等への表面実装可能な弾性表面波デバイスにあって
は、圧電性基板もしくは圧電性薄膜の上にくし歯型電極
パターンおよびこの電極パターンに電気的に接続された
導体部とが表面に形成された弾性表面波素子（以下、チ
ップと略称する。）を箱型のセラミックパッケージ内部
に収納し、気密性保持のためパッケージ上部を封止（シ
ーリング）した実装構造が良く知られている。
【０００３】図８は、従来の内部実装構造を有する弾性
表面波デバイスの断面を示した一例であり、この場合の
チップ１７とセラミックパッケージ１４の電気的接続と
しては、電極パターニングされたチップ１７をパターニ
ング面と対向する面がパッケージに接するようにパッケ
ージの所定位置に接着剤２４で固定し、その後、該チッ
プの電極パターニング面１８と同一面上に形成された接
続用導体部１９とパッケージ上に予め形成されたパッド
部２０とをワイヤボンディング２１にて接続するという
実装構造が知られている。なお、パッケージ上部はコバ
ールリング１５などの封止剤を用いて金属製蓋１６によ
り封止されている。さらには、別の実装構造として、電
極パターニングされたチップの電極パターニング面と同
一面上にあらかしめバンプとよばれる導体の塊を形成
し、セラミックパッケージの対向する面に形成された接
続用導体部とを熱圧着もしくはリフロー等の方法により
接合した、いわゆるバンプボンディングという実装構造
が知られている。また、パッケージ上部の封止には、例
えばシーム溶接等が知られている。
表面波デバイスの断面を示した一例であり、この場合の
チップ１７とセラミックパッケージ１４の電気的接続と
しては、電極パターニングされたチップ１７をパターニ
ング面と対向する面がパッケージに接するようにパッケ
ージの所定位置に接着剤２４で固定し、その後、該チッ
プの電極パターニング面１８と同一面上に形成された接
続用導体部１９とパッケージ上に予め形成されたパッド
部２０とをワイヤボンディング２１にて接続するという
実装構造が知られている。なお、パッケージ上部はコバ
ールリング１５などの封止剤を用いて金属製蓋１６によ
り封止されている。さらには、別の実装構造として、電
極パターニングされたチップの電極パターニング面と同
一面上にあらかしめバンプとよばれる導体の塊を形成
し、セラミックパッケージの対向する面に形成された接
続用導体部とを熱圧着もしくはリフロー等の方法により
接合した、いわゆるバンプボンディングという実装構造
が知られている。また、パッケージ上部の封止には、例
えばシーム溶接等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の構造にはつぎのような問題がある。ワイヤボンデイン
グは超音波印加を必要とする。また、ワイヤが金の場合
には、その上さらに高温での加熱を必要とする。また、
圧電体のチップをボンディング前に接着剤で固定すると
いう工程が余分に必要になる。さらには、ボンディング
するワイヤは有限の長さをもっているため、インダクタ
ンス分を生じてしまい、特に、高周波数で使用される弾
性表面波デバイスにとってはインピーダンス不整合など
の原因になりやすいという問題がある。
の構造にはつぎのような問題がある。ワイヤボンデイン
グは超音波印加を必要とする。また、ワイヤが金の場合
には、その上さらに高温での加熱を必要とする。また、
圧電体のチップをボンディング前に接着剤で固定すると
いう工程が余分に必要になる。さらには、ボンディング
するワイヤは有限の長さをもっているため、インダクタ
ンス分を生じてしまい、特に、高周波数で使用される弾
性表面波デバイスにとってはインピーダンス不整合など
の原因になりやすいという問題がある。
【０００５】また、バンプによる電気的接続では、電極
パターニングされたチップの電極パターニング面と同一
面上にあらかじめバンプとよばれる導体の塊をボンディ
ングにより形成する必要があるが、この際、チップをあ
る程度まで超音波併用加熱する必要があり、個々に分離
したチップ上へのバンプ形成はチップの形状が小さいた
めに多大な労力を必要とする。一方、電極パターニング
されたウェハー状態でこのようなバンプを形成する場合
には、加熱の際にウェハーが割れるという深刻な問題を
生じやすくなる。
パターニングされたチップの電極パターニング面と同一
面上にあらかじめバンプとよばれる導体の塊をボンディ
ングにより形成する必要があるが、この際、チップをあ
る程度まで超音波併用加熱する必要があり、個々に分離
したチップ上へのバンプ形成はチップの形状が小さいた
めに多大な労力を必要とする。一方、電極パターニング
されたウェハー状態でこのようなバンプを形成する場合
には、加熱の際にウェハーが割れるという深刻な問題を
生じやすくなる。
【０００６】本発明はこのような問題に対処するために
なされたもので、チップとそれを収納するパッケージと
の電気的接続を容易にし、かつ超音波印加もしくは超音
波併用加熱が必須なワイヤボンディングやチップ上また
はウェハー上へのバンプボンディング接続の工程を必要
とせず、製造が容易で、インピーダンス不整合などの電
気的特性の低下のない安価な弾性表面波デバイスを提供
することを目的とする。 また、本発明は、チップとそ
れを収納するパッケージとを電気的に接続する工程と同
時に、パッケージの気密性保持のための封止をも同時に
行うことのできる、簡略化された工程でできる弾性表面
波デバイスを提供することを目的とする。
なされたもので、チップとそれを収納するパッケージと
の電気的接続を容易にし、かつ超音波印加もしくは超音
波併用加熱が必須なワイヤボンディングやチップ上また
はウェハー上へのバンプボンディング接続の工程を必要
とせず、製造が容易で、インピーダンス不整合などの電
気的特性の低下のない安価な弾性表面波デバイスを提供
することを目的とする。 また、本発明は、チップとそ
れを収納するパッケージとを電気的に接続する工程と同
時に、パッケージの気密性保持のための封止をも同時に
行うことのできる、簡略化された工程でできる弾性表面
波デバイスを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の弾性表面波デ
バイスは、電極パターンと該電極パターンに電気的に接
続された素子側接続用導体部とを有する弾性表面波素子
と、素子側接続用導体部と相対向する位置にパッケージ
側接続用導体部を有する弾性表面波素子収納用パッケー
ジとを具備し、弾性表面波素子と収納用パッケージとの
両接続用導体部を接着剤にて接続してなる内部実装構造
を有する弾性表面波デバイスにおいて、接着剤がシート
状半田であることを特徴とする。
バイスは、電極パターンと該電極パターンに電気的に接
続された素子側接続用導体部とを有する弾性表面波素子
と、素子側接続用導体部と相対向する位置にパッケージ
側接続用導体部を有する弾性表面波素子収納用パッケー
ジとを具備し、弾性表面波素子と収納用パッケージとの
両接続用導体部を接着剤にて接続してなる内部実装構造
を有する弾性表面波デバイスにおいて、接着剤がシート
状半田であることを特徴とする。
【０００８】請求項２の弾性表面波デバイスは、請求項
１の弾性表面波デバイスにおいて、電極パターンおよび
素子側接続用導体部がアルミニウム（以下、Al）または
アルミニウム合金（以下、Al合金）で形成されており、
パッケージ側接続用導体部が金（以下、Au）、銀（以
下、Ag）または銀／パラジウム合金（以下、Ag/Pd 合
金）で形成されていることを特徴とする。
１の弾性表面波デバイスにおいて、電極パターンおよび
素子側接続用導体部がアルミニウム（以下、Al）または
アルミニウム合金（以下、Al合金）で形成されており、
パッケージ側接続用導体部が金（以下、Au）、銀（以
下、Ag）または銀／パラジウム合金（以下、Ag/Pd 合
金）で形成されていることを特徴とする。
【０００９】請求項３の弾性表面波デバイスは、請求項
１の弾性表面波デバイスにおいて、収納用パッケージが
セラミックからなり、パッケージ側接続用導体部がセラ
ミックの上にニッケル（以下、Ni）および又はチタン
（以下、Ti）、またはニッケルとチタンの合金（以下、
Ni/Ti 合金）が形成されその表面に Au めっきされてい
ることを特徴とする。
１の弾性表面波デバイスにおいて、収納用パッケージが
セラミックからなり、パッケージ側接続用導体部がセラ
ミックの上にニッケル（以下、Ni）および又はチタン
（以下、Ti）、またはニッケルとチタンの合金（以下、
Ni/Ti 合金）が形成されその表面に Au めっきされてい
ることを特徴とする。
【００１０】請求項４の弾性表面波デバイスは、請求項
１の弾性表面波デバイスにおいて、素子側接続用導体部
は、その表面の少なくとも一部に Au 、 Ag 、Ag/Pd 合
金または銅（以下、Cu）が形成されていることを特徴と
する。
１の弾性表面波デバイスにおいて、素子側接続用導体部
は、その表面の少なくとも一部に Au 、 Ag 、Ag/Pd 合
金または銅（以下、Cu）が形成されていることを特徴と
する。
【００１１】請求項５の弾性表面波デバイスは、電極パ
ターンと該電極パターンに電気的に接続された素子側接
続用導体部とを有する弾性表面波素子と、素子側接続用
導体部と相対向する位置にパッケージ側接続用導体部を
箱型の底面に有しかつ該箱型の上部縁に形成された蓋接
続用導体部とを有する弾性表面波素子収納用箱型パッケ
ージと、該弾性表面波素子収納用箱型パッケージの上部
に装着される金属製の蓋とを具備し、弾性表面波素子と
収納用箱型パッケージとの両接続用導体部、および蓋接
続用導体部と金属製の蓋とを接着剤にて接続してなる内
部実装構造を有する弾性表面波デバイスにおいて、接着
剤が半田であり、電極パターンおよび素子側接続用導体
部が Al またはAl合金で形成されており、パッケージ側
接続用導体部および蓋接続用導体部が Au 、 Ag または
Ag/Pd合金で形成されていることを特徴とする。
ターンと該電極パターンに電気的に接続された素子側接
続用導体部とを有する弾性表面波素子と、素子側接続用
導体部と相対向する位置にパッケージ側接続用導体部を
箱型の底面に有しかつ該箱型の上部縁に形成された蓋接
続用導体部とを有する弾性表面波素子収納用箱型パッケ
ージと、該弾性表面波素子収納用箱型パッケージの上部
に装着される金属製の蓋とを具備し、弾性表面波素子と
収納用箱型パッケージとの両接続用導体部、および蓋接
続用導体部と金属製の蓋とを接着剤にて接続してなる内
部実装構造を有する弾性表面波デバイスにおいて、接着
剤が半田であり、電極パターンおよび素子側接続用導体
部が Al またはAl合金で形成されており、パッケージ側
接続用導体部および蓋接続用導体部が Au 、 Ag または
Ag/Pd合金で形成されていることを特徴とする。
【００１２】請求項６の弾性表面波デバイスは、請求項
５の弾性表面波デバイスにおいて、収納用パッケージが
セラミックからなり、パッケージ側接続用導体部がセラ
ミックの上に Ni および又は Ti 、または Ni/Ti合金が
形成されその表面に Au めっきされていることを特徴と
する。
５の弾性表面波デバイスにおいて、収納用パッケージが
セラミックからなり、パッケージ側接続用導体部がセラ
ミックの上に Ni および又は Ti 、または Ni/Ti合金が
形成されその表面に Au めっきされていることを特徴と
する。
【００１３】請求項７の弾性表面波デバイスは、請求項
５または請求項６の弾性表面波デバイスにおいて、素子
側接続用導体部は、その表面の少なくとも一部に Au 、
Agまたは Ag/Pd合金または Cu が形成されていること
を特徴とする。
５または請求項６の弾性表面波デバイスにおいて、素子
側接続用導体部は、その表面の少なくとも一部に Au 、
Agまたは Ag/Pd合金または Cu が形成されていること
を特徴とする。
【００１４】請求項８の弾性表面波デバイスは、請求項
５ないし請求項７のいずれか１項の弾性表面波デバイス
において、半田がシート状半田であることを特徴とす
る。
５ないし請求項７のいずれか１項の弾性表面波デバイス
において、半田がシート状半田であることを特徴とす
る。
【００１５】請求項９の弾性表面波デバイスは、請求項
５ないし請求項７のいずれか１項の弾性表面波デバイス
において、半田が前記パッケージ側接続用導体部にあら
かじめ接着されたボールバンプであることを特徴とす
る。
５ないし請求項７のいずれか１項の弾性表面波デバイス
において、半田が前記パッケージ側接続用導体部にあら
かじめ接着されたボールバンプであることを特徴とす
る。
【００１６】請求項１ないし請求項４の弾性表面波デバ
イスは、チップとそれを収納するパッケージを接続する
際に、それぞれの接続用導体部を相対向させ、薄い半田
シートをはさんで全体を加熱することにより、チップ側
およびパッケージ側に形成された接続用導体部を電気的
に接続する構造となっている。また、電気的接続と同時
に、チップをパッケージに固定する役割を果たしてい
る。
イスは、チップとそれを収納するパッケージを接続する
際に、それぞれの接続用導体部を相対向させ、薄い半田
シートをはさんで全体を加熱することにより、チップ側
およびパッケージ側に形成された接続用導体部を電気的
に接続する構造となっている。また、電気的接続と同時
に、チップをパッケージに固定する役割を果たしてい
る。
【００１７】このような内部実装構造を有する弾性表面
波デバイスは、次のようにして製造することができる。
まず、弾性表面波を励振する電極パターンを 3インチも
しくは 4インチ等の大きさの圧電体ウェハー、例えば36
°Y カット LiNbO3 基板上に形成する。このとき、電極
パターンと同一面上に接続用導体部を形成する。この場
合の電極および接続用導体部の材質は、 Al または Al
合金が一般的ではあるが、特にこれらに限定されること
なく、例えば Au などでも差し支えない。また、 Al も
しくは Al 合金にて電極パターニングと接続用導体部の
形成を同時におこなった後に、接続用導体部のみに Au
、 Ag 、 Ag/Pd合金あるいは Cu などを形成してもよ
い。さらに、この場合、必ずしもウェハー自体が圧電性
を有する必然性はなく、例えば、非圧電性のガラスウェ
ハーの上に形成された圧電体薄膜のようなものでもよ
い。
波デバイスは、次のようにして製造することができる。
まず、弾性表面波を励振する電極パターンを 3インチも
しくは 4インチ等の大きさの圧電体ウェハー、例えば36
°Y カット LiNbO3 基板上に形成する。このとき、電極
パターンと同一面上に接続用導体部を形成する。この場
合の電極および接続用導体部の材質は、 Al または Al
合金が一般的ではあるが、特にこれらに限定されること
なく、例えば Au などでも差し支えない。また、 Al も
しくは Al 合金にて電極パターニングと接続用導体部の
形成を同時におこなった後に、接続用導体部のみに Au
、 Ag 、 Ag/Pd合金あるいは Cu などを形成してもよ
い。さらに、この場合、必ずしもウェハー自体が圧電性
を有する必然性はなく、例えば、非圧電性のガラスウェ
ハーの上に形成された圧電体薄膜のようなものでもよ
い。
【００１８】その後、ウェハーを個々のチップに切断
し、形状を小さくする。一方、セラミックパッケージは
チップが装着される面に接続用の導体部が形成されてお
り、その表面に Au が形成されている。 Au の下地とし
ては、セラミック上にまず Tiが形成され、続いて Ni
が形成され、その上に Au がめっき等の手法で形成され
る。この場合の Au の厚みは数μm 程度が好ましい。ま
た、 Au に替えて、 Agもしくは Ag/Pd合金あるいは Cu
なども使用できる。
し、形状を小さくする。一方、セラミックパッケージは
チップが装着される面に接続用の導体部が形成されてお
り、その表面に Au が形成されている。 Au の下地とし
ては、セラミック上にまず Tiが形成され、続いて Ni
が形成され、その上に Au がめっき等の手法で形成され
る。この場合の Au の厚みは数μm 程度が好ましい。ま
た、 Au に替えて、 Agもしくは Ag/Pd合金あるいは Cu
なども使用できる。
【００１９】次に、材質が半田の薄いシートを用意し、
チップ側の接続用導体部およびパッケージ側の接続用導
体部の面積とほぼ同じ面積となるよう、半田の薄いシー
卜を打ち抜いて、セラミック側の接続用導体部に装着す
る。この場合の半田の材質としては、鉛（以下、Pb）−
錫（以下、Sn）、Pb−Ag、Sn−Ag、Au−Sn、Pb−Ag−S
n、Pb−Sb、Sn−ビスマス（以下、Bi）等があげられる
が、これらに限定されるものではない。
チップ側の接続用導体部およびパッケージ側の接続用導
体部の面積とほぼ同じ面積となるよう、半田の薄いシー
卜を打ち抜いて、セラミック側の接続用導体部に装着す
る。この場合の半田の材質としては、鉛（以下、Pb）−
錫（以下、Sn）、Pb−Ag、Sn−Ag、Au−Sn、Pb−Ag−S
n、Pb−Sb、Sn−ビスマス（以下、Bi）等があげられる
が、これらに限定されるものではない。
【００２０】続いて、この半田の薄いシートの上に、圧
電体チップをチップ側の接続用導体部が接するように装
着する。これら、半田シートの装着およびチップの装着
は、通常の自動チップ実装装置（マウンター）により容
易に実現できる。また、加熱や超音波印加などの余分な
工程を必要としない。続いて、これらを一様に加熱し、
半田の溶着によりチップ側の接続用導体部とパッケージ
側の接続用導体部とを電気的・機械的に接続する。こう
して、パッケージの外部に接続されている端子と電気的
に接続される。最後に、パッケージの上部に例えば金属
製の蓋を取り付け、シーム溶接等により密閉することに
よって、本発明の実装構造が形成される。
電体チップをチップ側の接続用導体部が接するように装
着する。これら、半田シートの装着およびチップの装着
は、通常の自動チップ実装装置（マウンター）により容
易に実現できる。また、加熱や超音波印加などの余分な
工程を必要としない。続いて、これらを一様に加熱し、
半田の溶着によりチップ側の接続用導体部とパッケージ
側の接続用導体部とを電気的・機械的に接続する。こう
して、パッケージの外部に接続されている端子と電気的
に接続される。最後に、パッケージの上部に例えば金属
製の蓋を取り付け、シーム溶接等により密閉することに
よって、本発明の実装構造が形成される。
【００２１】接着剤の半田がバンプでなく、薄いシート
状であることによる効果としては、第１に、接着剤の高
さを揃えて供給できることがあげられる。電気的接続を
完全に行うためにはチップ側の接続用導体部の表面とパ
ッケージ側の接続用導体部との表面の間隔がすべての接
続部について同じであることが好ましい。このために
は、相対的に高さばらつきの大きい半田バンプよりも、
同じ厚みで供給できる半田シートの方が好ましい。
状であることによる効果としては、第１に、接着剤の高
さを揃えて供給できることがあげられる。電気的接続を
完全に行うためにはチップ側の接続用導体部の表面とパ
ッケージ側の接続用導体部との表面の間隔がすべての接
続部について同じであることが好ましい。このために
は、相対的に高さばらつきの大きい半田バンプよりも、
同じ厚みで供給できる半田シートの方が好ましい。
【００２２】第２には、接着用部材を短時間で形成でき
ることである。バンプ形成の場合には通常複数個のバン
プをひとつのパッケージの底面内に個々に形成しなけれ
ばならず、例えば 1バンプあたり 0.2秒とすると 1チッ
プ 8個のバンプを形成するにはチップ 1個あたり 1.6秒
を要する。しかし、薄い半田シートを用いる場合、あら
かじめ必要な接続予定部分を打ち抜いてあるために 1回
のシート供給で済むため、はるかに短時間に接着用部材
を形成できる。
ることである。バンプ形成の場合には通常複数個のバン
プをひとつのパッケージの底面内に個々に形成しなけれ
ばならず、例えば 1バンプあたり 0.2秒とすると 1チッ
プ 8個のバンプを形成するにはチップ 1個あたり 1.6秒
を要する。しかし、薄い半田シートを用いる場合、あら
かじめ必要な接続予定部分を打ち抜いてあるために 1回
のシート供給で済むため、はるかに短時間に接着用部材
を形成できる。
【００２３】請求項５ないし請求項９の弾性表面波デバ
イスにおいては、パッケージの上部に例えば金属製の蓋
を取り付け、シーム溶接等により密閉することに替え
て、次のように工程を簡略化できる。すなわち、パッケ
ージ底面に薄いシート状の半田を装着し、続いてチップ
を装着し、さらに続けて、接続用導体部と金属製の蓋の
間に薄いシート状の半田でできた枠を装着し、続けて、
これらを一様に加熱し、半田の溶着によりチップ側の接
続用導体部とパッケージ側の接続用導体部を電気的・機
械的に接続すると同時にパッケージの気密性保持のため
の封止をも行うことが可能となる。この場合には、両者
に同じ半田シート材が使用できるという大きな利点を有
している。
イスにおいては、パッケージの上部に例えば金属製の蓋
を取り付け、シーム溶接等により密閉することに替え
て、次のように工程を簡略化できる。すなわち、パッケ
ージ底面に薄いシート状の半田を装着し、続いてチップ
を装着し、さらに続けて、接続用導体部と金属製の蓋の
間に薄いシート状の半田でできた枠を装着し、続けて、
これらを一様に加熱し、半田の溶着によりチップ側の接
続用導体部とパッケージ側の接続用導体部を電気的・機
械的に接続すると同時にパッケージの気密性保持のため
の封止をも行うことが可能となる。この場合には、両者
に同じ半田シート材が使用できるという大きな利点を有
している。
【００２４】また、請求項５ないし請求項９の本発明の
別の態様としては、チップ側の接続用導体部とパッケー
ジ側の接続用導体部の間に存在する接着剤の半田は、パ
ッケージ側の接続用導体部にあらかじめ接着されたボー
ルバンプである。パッケージ上のバンプ形成は、例えば
バンプボンダー等で容易に形成できる。また、ウェハー
あるいはチップへのバンプ形成の際に生ずる割れ等の問
題は生じない。この場合には、ボールバンプの半田材質
をシート状半田と同一か近い融点を持つ組成としておく
ことにより、やはり、チップ側の接続用導体部とパッケ
ージ側の接続用導体部を電気的・機械的に接続すると同
時にパッケージの気密性保持のための封止をも行うこと
が可能となる。
別の態様としては、チップ側の接続用導体部とパッケー
ジ側の接続用導体部の間に存在する接着剤の半田は、パ
ッケージ側の接続用導体部にあらかじめ接着されたボー
ルバンプである。パッケージ上のバンプ形成は、例えば
バンプボンダー等で容易に形成できる。また、ウェハー
あるいはチップへのバンプ形成の際に生ずる割れ等の問
題は生じない。この場合には、ボールバンプの半田材質
をシート状半田と同一か近い融点を持つ組成としておく
ことにより、やはり、チップ側の接続用導体部とパッケ
ージ側の接続用導体部を電気的・機械的に接続すると同
時にパッケージの気密性保持のための封止をも行うこと
が可能となる。
【００２５】セラミックパッケージの底面の接続用導体
部はパッケージのセラミックの底面より高く形成されて
おり、チップ表面の電極パターニングがパッケージのセ
ラミックに接触しないことが必要であるが、このような
構造は、例えば、パッケージ側の接続用導体部の厚みを
厚く形成することによって容易に形成できるし、または
セラミックパッケージ製造時に底面に凹部を形成するこ
とによって容易に達成できる。もしくは、セラミックパ
ッケージの底面を 2段構造とし、接続用導体部の形成さ
れる面を他の底面の部分より高めに形成しておけばよ
い。以上のような方法により、本発明に係る内部実装構
造を有する弾性表面波デバイスを得ることができる。
部はパッケージのセラミックの底面より高く形成されて
おり、チップ表面の電極パターニングがパッケージのセ
ラミックに接触しないことが必要であるが、このような
構造は、例えば、パッケージ側の接続用導体部の厚みを
厚く形成することによって容易に形成できるし、または
セラミックパッケージ製造時に底面に凹部を形成するこ
とによって容易に達成できる。もしくは、セラミックパ
ッケージの底面を 2段構造とし、接続用導体部の形成さ
れる面を他の底面の部分より高めに形成しておけばよ
い。以上のような方法により、本発明に係る内部実装構
造を有する弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００２６】請求項１ないし請求項９の発明において
は、パッケージ底面に装着した半田のシートは電気的な
接続と同時にチップとセラミックパッケージとを接続す
る接着剤の役割を果たしている。また、パッケージの周
囲の縁に装着した半田のシートの枠はパッケージの気密
性保持のための封止材料として機能している。
は、パッケージ底面に装着した半田のシートは電気的な
接続と同時にチップとセラミックパッケージとを接続す
る接着剤の役割を果たしている。また、パッケージの周
囲の縁に装着した半田のシートの枠はパッケージの気密
性保持のための封止材料として機能している。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面に
基づいて詳細に説明する。 実施例１ 図１は、実施例１に係る内部実装構造を有する弾性表面
波デバイスの接続前の断面図である。７は圧電体ウェハ
ーをチップ状に切断したもの、９はセラミックパッケー
ジである。セラミックパッケージの所定位置には Ti/Ni
/Au の 3層構造のパッケージ側接続用導体部２が形成さ
れている。また、圧電体チップの表面片側には、電極パ
ターン８とそれに電気的に接続された素子側接続用導体
部１が Al-2%Cu合金（Cuを2%含む Al 合金）で形成され
ている。Pb-60Sn の組成（Pbを40% 、 Sn を60% 含む組
成）の半田シート３を打ち抜き、パッケージ側接続用導
体部２上に配置する。さらに、この半田シート３の上に
素子側接続用導体部１を装着する。この際、パッケー
ジ、半田シート、チップの必要な位置合わせを行うこと
はいうまでもない。この後、これらを一様に加熱し、半
田の溶着により素子側接続用導体部１とパッケージ側接
続用導体部２とを電気的・機械的に接続する。こうし
て、パッケージの外部に接続されている端子（図示を省
略）と電気的に接続される。なお、素子側接続用導体部
１、半田シート３、パッケージ側接続用導体部２は環状
を呈するが図中では要部が明確になるよう実線を省略し
た。また気密封止が達成できる手段であれば環状部品に
は限定されない。
基づいて詳細に説明する。 実施例１ 図１は、実施例１に係る内部実装構造を有する弾性表面
波デバイスの接続前の断面図である。７は圧電体ウェハ
ーをチップ状に切断したもの、９はセラミックパッケー
ジである。セラミックパッケージの所定位置には Ti/Ni
/Au の 3層構造のパッケージ側接続用導体部２が形成さ
れている。また、圧電体チップの表面片側には、電極パ
ターン８とそれに電気的に接続された素子側接続用導体
部１が Al-2%Cu合金（Cuを2%含む Al 合金）で形成され
ている。Pb-60Sn の組成（Pbを40% 、 Sn を60% 含む組
成）の半田シート３を打ち抜き、パッケージ側接続用導
体部２上に配置する。さらに、この半田シート３の上に
素子側接続用導体部１を装着する。この際、パッケー
ジ、半田シート、チップの必要な位置合わせを行うこと
はいうまでもない。この後、これらを一様に加熱し、半
田の溶着により素子側接続用導体部１とパッケージ側接
続用導体部２とを電気的・機械的に接続する。こうし
て、パッケージの外部に接続されている端子（図示を省
略）と電気的に接続される。なお、素子側接続用導体部
１、半田シート３、パッケージ側接続用導体部２は環状
を呈するが図中では要部が明確になるよう実線を省略し
た。また気密封止が達成できる手段であれば環状部品に
は限定されない。
【００２８】上述のごとく超音波併用加熱工程を用いる
ことなく、 1回の加熱工程で素子側接続用導体部１とパ
ッケージ側接続用導体部２とを電気的・機械的に接続す
ると同時にパッケージの気密性保持のための封止をも行
うことができるので、両者に同じ半田シート材が使用で
き、工程が簡略化できる。また得られた弾性表面波デバ
イスは、ワイヤボンディングによって生ずる寄生インダ
クタンスを減らすことができ、電気的特性が向上する。
ことなく、 1回の加熱工程で素子側接続用導体部１とパ
ッケージ側接続用導体部２とを電気的・機械的に接続す
ると同時にパッケージの気密性保持のための封止をも行
うことができるので、両者に同じ半田シート材が使用で
き、工程が簡略化できる。また得られた弾性表面波デバ
イスは、ワイヤボンディングによって生ずる寄生インダ
クタンスを減らすことができ、電気的特性が向上する。
【００２９】実施例２ 図２は、実施例２に係る内部実装構造を有する弾性表面
波デバイスの接続前の断面図である。この例において
は、セラミックパッケージ９の所定位置には Ti膜１
２、 Ni めっき膜１１、 Au めっき膜２２の 3層構造の
パッケージ側接続用導体部２が形成されている。また、
チップの表面片側には、電極パターン８とそれに電気的
に接続された素子側接続用導体部１の下地２３が Al-2%
Cu合金で形成されている。さらに、接続用導体部１の下
地２３の表面には Au がめっきされている。Pb−60Snの
組成の半田シート３を打ち抜き、パッケージ側接続用導
体部２上に配置する。さらに、この半田シート３の上に
素子側接続用導体部１を装着する。この後、これらを一
様に加熱し、半田の溶着により素子側接続用導体部１と
パッケージ側接続用導体部２とを電気的・機械的に接続
する。こうして、実施例１と同様にパッケージの外部に
接続されている端子（図示を省略）と電気的に接続され
る。
波デバイスの接続前の断面図である。この例において
は、セラミックパッケージ９の所定位置には Ti膜１
２、 Ni めっき膜１１、 Au めっき膜２２の 3層構造の
パッケージ側接続用導体部２が形成されている。また、
チップの表面片側には、電極パターン８とそれに電気的
に接続された素子側接続用導体部１の下地２３が Al-2%
Cu合金で形成されている。さらに、接続用導体部１の下
地２３の表面には Au がめっきされている。Pb−60Snの
組成の半田シート３を打ち抜き、パッケージ側接続用導
体部２上に配置する。さらに、この半田シート３の上に
素子側接続用導体部１を装着する。この後、これらを一
様に加熱し、半田の溶着により素子側接続用導体部１と
パッケージ側接続用導体部２とを電気的・機械的に接続
する。こうして、実施例１と同様にパッケージの外部に
接続されている端子（図示を省略）と電気的に接続され
る。
【００３０】図３は、実施例２に係る内部実装構造を有
する弾性表面波デバイスの接続後の断面図である。ま
た、図４は図３のＡ部の部分拡大図である。ここでは、
チップ７とセラミックパッケージ９が、図４に示すよう
に、接続用導体部１、半田３、接続用導体部２を介して
接続されている。
する弾性表面波デバイスの接続後の断面図である。ま
た、図４は図３のＡ部の部分拡大図である。ここでは、
チップ７とセラミックパッケージ９が、図４に示すよう
に、接続用導体部１、半田３、接続用導体部２を介して
接続されている。
【００３１】上述のごとく超音波併用加熱工程を用いる
ことなく、 1回の加熱工程で素子側接続用導体部１とパ
ッケージ側接続用導体部２とを電気的・機械的に接続す
ると同時にパッケージの気密性保持のための封止をも行
うことができるので、両者に同じ半田シート材が使用で
き、工程が簡略化できる。また得られた弾性表面波デバ
イスは、ワイヤボンディングによって生ずる寄生インダ
クタンスを減らすことができ、電気的特性が向上する。
ことなく、 1回の加熱工程で素子側接続用導体部１とパ
ッケージ側接続用導体部２とを電気的・機械的に接続す
ると同時にパッケージの気密性保持のための封止をも行
うことができるので、両者に同じ半田シート材が使用で
き、工程が簡略化できる。また得られた弾性表面波デバ
イスは、ワイヤボンディングによって生ずる寄生インダ
クタンスを減らすことができ、電気的特性が向上する。
【００３２】実施例３ 図５は、実施例３に係る弾性表面波デバイスの実装構造
の接続後の断面図である。また、図６は図５に示すＢ部
の部分拡大図である。この例においては、箱型セラミッ
クパッケージ１３の所定位置には、実施例２と同様な T
i 膜、 Ni めっき膜、 Au めっき膜の 3層構造のパッケ
ージ側接続用導体部２が形成されている。また、チップ
の表面片側には、電極パターン８とそれに電気的に接続
された接続用導体部１の下地２３が Al-2%Cu合金で形成
されており、素子側接続用導体部１の表面には Au がめ
っきされている。さらに、箱型セラミックパッケージ１
３の上部縁には、図６に示すように、 Au めっきされた
コバールリング４が埋め込み形成されている。Pb-60Sn
の組成の半田シート３を打ち抜き、パッケージ側接続用
導体部２上に配置する。さらに、この半田シート３の上
に素子側接続用導体部１を装着する。さらに、箱型セラ
ミックパッケージの上部縁の Au めっきされたリング上
に、同じ材質の半田シート６を装着し、この上に、金属
性の蓋５を装着する。この後、これらを一様に加熱し、
半田の溶着により素子側接続用導体部１とパッケージ側
接続用導体部２とを電気的・機械的に接続することによ
って、実施例１と同様にパッケージの外部に接続されて
いる端子（図示を省略）と電気的に接続される。これと
同時に、パッケージ側接続用導体部４と金属性の蓋５を
接着し、パッケージ気密性保持のための封止が行われ
る。
の接続後の断面図である。また、図６は図５に示すＢ部
の部分拡大図である。この例においては、箱型セラミッ
クパッケージ１３の所定位置には、実施例２と同様な T
i 膜、 Ni めっき膜、 Au めっき膜の 3層構造のパッケ
ージ側接続用導体部２が形成されている。また、チップ
の表面片側には、電極パターン８とそれに電気的に接続
された接続用導体部１の下地２３が Al-2%Cu合金で形成
されており、素子側接続用導体部１の表面には Au がめ
っきされている。さらに、箱型セラミックパッケージ１
３の上部縁には、図６に示すように、 Au めっきされた
コバールリング４が埋め込み形成されている。Pb-60Sn
の組成の半田シート３を打ち抜き、パッケージ側接続用
導体部２上に配置する。さらに、この半田シート３の上
に素子側接続用導体部１を装着する。さらに、箱型セラ
ミックパッケージの上部縁の Au めっきされたリング上
に、同じ材質の半田シート６を装着し、この上に、金属
性の蓋５を装着する。この後、これらを一様に加熱し、
半田の溶着により素子側接続用導体部１とパッケージ側
接続用導体部２とを電気的・機械的に接続することによ
って、実施例１と同様にパッケージの外部に接続されて
いる端子（図示を省略）と電気的に接続される。これと
同時に、パッケージ側接続用導体部４と金属性の蓋５を
接着し、パッケージ気密性保持のための封止が行われ
る。
【００３３】上述のごとく超音波併用加熱工程を用いる
ことなく、 1回の加熱工程で素子側接続用導体部１とパ
ッケージ側接続用導体部２とを電気的・機械的に接続す
ると同時にパッケージの気密性保持のための封止をも行
うことができるので、両者に同じ半田シート材が使用で
き、工程が簡略化できる。また得られた弾性表面波デバ
イスは、ワイヤボンディングによって生ずる寄生インダ
クタンスを減らすことができ、電気的特性が向上する。
ことなく、 1回の加熱工程で素子側接続用導体部１とパ
ッケージ側接続用導体部２とを電気的・機械的に接続す
ると同時にパッケージの気密性保持のための封止をも行
うことができるので、両者に同じ半田シート材が使用で
き、工程が簡略化できる。また得られた弾性表面波デバ
イスは、ワイヤボンディングによって生ずる寄生インダ
クタンスを減らすことができ、電気的特性が向上する。
【００３４】なお、実施例１〜３の半田Pb-60Sn の代わ
りに、Au80-Sn20 の組成の半田シートを、または Pb-Ag
2.5-Sn10の組成の半田シートを用いた場合のいずれも実
施例１〜３と同様の良好な結果が得られた。
りに、Au80-Sn20 の組成の半田シートを、または Pb-Ag
2.5-Sn10の組成の半田シートを用いた場合のいずれも実
施例１〜３と同様の良好な結果が得られた。
【００３５】実施例４ 図７は、実施例４に係る内部実装構造を有する弾性表面
波デバイスの接続前の断面図である。この例において
は、箱型セラミックパッケージ１３の所定位置には Ti
膜１２、 Ni めっき膜１１、 Au めっき膜２２の 3層構
造のパッケージ側接続用導体部２が形成されている。ま
た、チップの表面片側には、電極パターン８とそれに電
気的に接続された接続用導体部１の下地２３が Al-2%Cu
合金で形成されており、接続用導体部１の下地２３の表
面には Au がめっきされている。さらに、箱型セラミッ
クパッケージ１３の上部縁には Au めっきされたコバー
ルリング４が埋め込み形成されている（図示を省略）。
Pb-60Sn の組成の40μm 径の半田ワイヤを用いて、バン
プボンダーにてパッケージ側接続用導体部２上にバンプ
２５を形成する。さらに、この半田のボールバンプ２５
の上にチップ側接続用導体部１を装着する。さらに、箱
型セラミックパッケージの上部縁の Au めっきされたリ
ング上に、 Pb-60Snの組成の薄い半田シート６を枠状に
装着し、この上に、金属性の蓋５を装着する（図示を省
略）。この後、これらを一様に加熱し、半田の溶着によ
りチップ側接続用導体部１とパッケージ側接続用導体部
２とを電気的・機械的に接続することによって、実施例
１と同様にパッケージの外部に接続されている端子（図
示を省略）と電気的に接続される。これと同時に、パッ
ケージ側の接続用導体部４と金属性の蓋５とを接着し、
パッケージ気密性保持のための封止が行われる。この場
合にも、実施例３と同様に良好な結果が得られた。
波デバイスの接続前の断面図である。この例において
は、箱型セラミックパッケージ１３の所定位置には Ti
膜１２、 Ni めっき膜１１、 Au めっき膜２２の 3層構
造のパッケージ側接続用導体部２が形成されている。ま
た、チップの表面片側には、電極パターン８とそれに電
気的に接続された接続用導体部１の下地２３が Al-2%Cu
合金で形成されており、接続用導体部１の下地２３の表
面には Au がめっきされている。さらに、箱型セラミッ
クパッケージ１３の上部縁には Au めっきされたコバー
ルリング４が埋め込み形成されている（図示を省略）。
Pb-60Sn の組成の40μm 径の半田ワイヤを用いて、バン
プボンダーにてパッケージ側接続用導体部２上にバンプ
２５を形成する。さらに、この半田のボールバンプ２５
の上にチップ側接続用導体部１を装着する。さらに、箱
型セラミックパッケージの上部縁の Au めっきされたリ
ング上に、 Pb-60Snの組成の薄い半田シート６を枠状に
装着し、この上に、金属性の蓋５を装着する（図示を省
略）。この後、これらを一様に加熱し、半田の溶着によ
りチップ側接続用導体部１とパッケージ側接続用導体部
２とを電気的・機械的に接続することによって、実施例
１と同様にパッケージの外部に接続されている端子（図
示を省略）と電気的に接続される。これと同時に、パッ
ケージ側の接続用導体部４と金属性の蓋５とを接着し、
パッケージ気密性保持のための封止が行われる。この場
合にも、実施例３と同様に良好な結果が得られた。
【００３６】上記実施例においてセラミックパッケージ
１３の接続用導体部２の最下層は Ti 膜によって構成さ
れているが、W 膜を用いても同様の効果が期待できる。
１３の接続用導体部２の最下層は Ti 膜によって構成さ
れているが、W 膜を用いても同様の効果が期待できる。
【００３７】以上の実施例からわかるように、本発明の
内部実装構造を有する弾性表面波デバイスを用いること
によって、チップとそれを収納するパッケージとの電気
的接続を容易にし、かつ超音波印加もしくは超音波併用
加熱が必須なワイヤボンディングやチップまたはウェハ
ー上へのバンプボンディング接続の工程を必要とせず、
製造が容易で、電気的特性の低下のない安価な弾性表面
波デバイスを提供することができる。また、チップとそ
れを収納するパッケージとを電気的に接続する工程と同
時に、パッケージの気密性保持のための封止をも同時に
行うことのでき、簡略化された工程でできる弾性表面波
デバイスを得ることができる。
内部実装構造を有する弾性表面波デバイスを用いること
によって、チップとそれを収納するパッケージとの電気
的接続を容易にし、かつ超音波印加もしくは超音波併用
加熱が必須なワイヤボンディングやチップまたはウェハ
ー上へのバンプボンディング接続の工程を必要とせず、
製造が容易で、電気的特性の低下のない安価な弾性表面
波デバイスを提供することができる。また、チップとそ
れを収納するパッケージとを電気的に接続する工程と同
時に、パッケージの気密性保持のための封止をも同時に
行うことのでき、簡略化された工程でできる弾性表面波
デバイスを得ることができる。
【００３８】
【発明の効果】請求項１ないし請求項９の発明は、以上
説明したように、ワイヤボンディングによって生ずる寄
生インダクタンスを減らすことができ、特に、移動体通
信用等の高周波用に適した内部実装構造を有する弾性表
面波デバイスを得ることができる。
説明したように、ワイヤボンディングによって生ずる寄
生インダクタンスを減らすことができ、特に、移動体通
信用等の高周波用に適した内部実装構造を有する弾性表
面波デバイスを得ることができる。
【００３９】また予めチップ側にバンプを形成しなけれ
ばならないバンプボンディング接続と比べて工程を大幅
に削減することができる。特に、超音波併用加熱の工程
が不要であり、また、一回の加熱工程で半田の溶着によ
りチップ側の接続用導体部とパッケージ例の接続用導体
部を電気的・機械的に接続すると同時にパッケージの気
密性保持のための封止をも行うことができるので、両者
に同じ半田シート材が使用でき、工程が簡略化できると
いう大きな利点を有する。
ばならないバンプボンディング接続と比べて工程を大幅
に削減することができる。特に、超音波併用加熱の工程
が不要であり、また、一回の加熱工程で半田の溶着によ
りチップ側の接続用導体部とパッケージ例の接続用導体
部を電気的・機械的に接続すると同時にパッケージの気
密性保持のための封止をも行うことができるので、両者
に同じ半田シート材が使用でき、工程が簡略化できると
いう大きな利点を有する。
【図１】実施例１に係る内部実装構造を有する弾性表面
波デバイスの接続前の断面図である。
波デバイスの接続前の断面図である。
【図２】実施例２に係る内部実装構造を有する弾性表面
波デバイスの接続前の断面図である。
波デバイスの接続前の断面図である。
【図３】実施例２に係る内部実装構造を有する弾性表面
波デバイスの接続後の断面図である。
波デバイスの接続後の断面図である。
【図４】図３のＡ部の部分拡大図である。
【図５】実施例３に係る弾性表面波デバイスの実装構造
の接続後の断面図である。
の接続後の断面図である。
【図６】図５のＢ部の部分拡大図である。
【図７】実施例４に係る内部実装構造を有する弾性表面
波デバイスの接続前の断面図である。
波デバイスの接続前の断面図である。
【図８】従来の内部実装構造を有する弾性表面波デバイ
スの断面を示した図である。
スの断面を示した図である。
１……チップ側接続用導体部、２……パッケージ側接続
用導体部、３……半田シート、４……パッケージ上部縁
の接続用導体部、５……金属製の蓋、６……半田シー
ト、７……圧電体チップまたは圧電性薄膜を形成したチ
ップ、８……電極パターン、９……セラミックパッケー
ジ、１０…… Au 層、１１…… Ni 層、１２…… Ti
層、１３……箱型セラミックパッケージ、１４……箱型
セラミックパッケージ、１５……コバールリング、１６
……金属製の蓋、１７……チップ、１８……電極パター
ン、１９……接続用導体部、２０……パッケージ上のパ
ッド部、２１……ボンデイングワイヤ、２２…… Au
層、２３…… Al-2%Cu層、２４……接着剤、２５……半
田のボールバンプ。
用導体部、３……半田シート、４……パッケージ上部縁
の接続用導体部、５……金属製の蓋、６……半田シー
ト、７……圧電体チップまたは圧電性薄膜を形成したチ
ップ、８……電極パターン、９……セラミックパッケー
ジ、１０…… Au 層、１１…… Ni 層、１２…… Ti
層、１３……箱型セラミックパッケージ、１４……箱型
セラミックパッケージ、１５……コバールリング、１６
……金属製の蓋、１７……チップ、１８……電極パター
ン、１９……接続用導体部、２０……パッケージ上のパ
ッド部、２１……ボンデイングワイヤ、２２…… Au
層、２３…… Al-2%Cu層、２４……接着剤、２５……半
田のボールバンプ。
Claims (9)
- 【請求項１】 電極パターンと該電極パターンに電気的
に接続された素子側接続用導体部とを有する弾性表面波
素子と、前記素子側接続用導体部と相対向する位置にパ
ッケージ側接続用導体部を有する弾性表面波素子収納用
パッケージとを具備し、前記弾性表面波素子と前記収納
用パッケージとの両接続用導体部を接着剤にて接続して
なる内部実装構造を有する弾性表面波デバイスにおい
て、 前記接着剤がシート状半田であることを特徴とする弾性
表面波デバイス。 - 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波デバイスにお
いて、 前記電極パターンおよび前記素子側接続用導体部がアル
ミニウムまたはアルミニウム合金で形成されており、前
記パッケージ側接続用導体部が金、銀または銀／パラジ
ウム合金で形成されていることを特徴とする弾性表面波
デバイス。 - 【請求項３】 請求項１記載の弾性表面波デバイスにお
いて、 前記収納用パッケージがセラミックからなり、前記パッ
ケージ側接続用導体部が前記セラミックの上にニッケル
および又はチタン、またはニッケルとチタンの合金が形
成されその表面に金めっきされていることを特徴とする
弾性表面波デバイス。 - 【請求項４】 請求項１記載の弾性表面波デバイスにお
いて、 前記素子側接続用導体部は、その表面の少なくとも一部
に金、銀、銀／パラジウム合金または銅が形成されてい
ることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項５】 電極パターンと該電極パターンに電気的
に接続された素子側接続用導体部とを有する弾性表面波
素子と、前記素子側接続用導体部と相対向する位置にパ
ッケージ側接続用導体部を箱型の底面に有しかつ該箱型
の上部縁に形成された蓋接続用導体部とを有する弾性表
面波素子収納用箱型パッケージと、該弾性表面波素子収
納用箱型パッケージの上部に装着される金属製の蓋とを
具備し、前記弾性表面波素子と前記収納用箱型パッケー
ジとの両接続用導体部、および前記蓋接続用導体部と金
属製の蓋とを接着剤にて接続してなる内部実装構造を有
する弾性表面波デバイスにおいて、 前記接着剤が半田であり、 前記電極パターンおよび素子側接続用導体部がアルミニ
ウムまたはアルミニウム合金で形成されており、 前記パッケージ側接続用導体部および前記蓋接続用導体
部が金、銀または銀／パラジウム合金で形成されている
ことを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項６】 請求項５記載の弾性表面波デバイスにお
いて、 前記収納用パッケージがセラミックからなり、前記パッ
ケージ側接続用導体部が前記セラミックの上にニッケル
および又はチタン、またはニッケルとチタンの合金が形
成されその表面に金めっきされていることを特徴とする
弾性表面波デバイス。 - 【請求項７】 請求項５または請求項６記載の弾性表面
波デバイスにおいて、 前記素子側接続用導体部は、その表面の少なくとも一部
に金、銀、銀／パラジウム合金または銅が形成されてい
ることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項８】 請求項５ないし請求項７のいずれか１項
記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記半田がシート
状半田であることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項９】 請求項５ないし請求項７のいずれか１項
記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記半田が前記パ
ッケージ側接続用導体部にあらかじめ接着されたボール
バンプであることを特徴とする弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30143695A JPH09148878A (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30143695A JPH09148878A (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148878A true JPH09148878A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17896870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30143695A Withdrawn JPH09148878A (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148878A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004194290A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-07-08 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| KR100488616B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2005-05-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 소자 및 그 제조방법 |
| JP2007184859A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Epson Toyocom Corp | 気密封止構造および圧電デバイスとその製造方法 |
-
1995
- 1995-11-20 JP JP30143695A patent/JPH09148878A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100488616B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2005-05-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 소자 및 그 제조방법 |
| JP2004194290A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-07-08 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| JP2007184859A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Epson Toyocom Corp | 気密封止構造および圧電デバイスとその製造方法 |
| JP4665768B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2011-04-06 | エプソントヨコム株式会社 | 気密封止構造および圧電デバイスとその製造方法 |
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Legal Events
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