JPH11274892A - 圧電振動子、ならびにその製造方法 - Google Patents
圧電振動子、ならびにその製造方法Info
- Publication number
- JPH11274892A JPH11274892A JP9227598A JP9227598A JPH11274892A JP H11274892 A JPH11274892 A JP H11274892A JP 9227598 A JP9227598 A JP 9227598A JP 9227598 A JP9227598 A JP 9227598A JP H11274892 A JPH11274892 A JP H11274892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- piezoelectric plate
- piezoelectric
- insulating substrate
- mounting portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サポートに圧電板を搭載し、押圧処理を伴う
超音波溶着、超音波熱圧着であっても、確実に電気的機
械的接合し、サポートの変形、水晶振動板の損傷等の不
具合を与えない。 【解決手段】 絶縁基板1と、前記絶縁基板の上面に配
置されたサポート31,32と、表裏面に電極が形成さ
れた圧電板2とを具備し、前記圧電板は、金属バンプ5
a〜5rを介して、前記サポートの上部に搭載され、超
音波溶着されて電気的機械的接続される圧電振動子であ
って、前記サポートは、絶縁基板結合部311,321
と、圧電板搭載部312,322と、連結部313,3
23とを有し、前記絶縁基板の上面で、前記サポートの
圧電板搭載部が配置される部分には、前記サポートの基
板結合部より高い位置で、かつ前記サポートの圧電板搭
載部より低い位置に、枕部17,18が形成されてい
る。
超音波溶着、超音波熱圧着であっても、確実に電気的機
械的接合し、サポートの変形、水晶振動板の損傷等の不
具合を与えない。 【解決手段】 絶縁基板1と、前記絶縁基板の上面に配
置されたサポート31,32と、表裏面に電極が形成さ
れた圧電板2とを具備し、前記圧電板は、金属バンプ5
a〜5rを介して、前記サポートの上部に搭載され、超
音波溶着されて電気的機械的接続される圧電振動子であ
って、前記サポートは、絶縁基板結合部311,321
と、圧電板搭載部312,322と、連結部313,3
23とを有し、前記絶縁基板の上面で、前記サポートの
圧電板搭載部が配置される部分には、前記サポートの基
板結合部より高い位置で、かつ前記サポートの圧電板搭
載部より低い位置に、枕部17,18が形成されてい
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子機器に用いられ
る水晶振動子等の圧電振動子に関するものであり、さら
に詳しくは圧電板とサポートを、超音波溶着、または超
音波併用の熱圧着により、電気的機械的に接合するため
の構造に関するものである。
る水晶振動子等の圧電振動子に関するものであり、さら
に詳しくは圧電板とサポートを、超音波溶着、または超
音波併用の熱圧着により、電気的機械的に接合するため
の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】圧電振動子は、電子素子である圧電板を
パッケージに収納してなるが、素子が振動体であるため
に、如何に支持するかはその電気的特性を決定づける重
要な要素となる。特にQ値の高い水晶振動子においては
支持構造が重要となる。また、圧電振動子の耐機械的衝
撃性を考慮すれば、サポートを介して素子を支持するこ
とが非常に好ましい。
パッケージに収納してなるが、素子が振動体であるため
に、如何に支持するかはその電気的特性を決定づける重
要な要素となる。特にQ値の高い水晶振動子においては
支持構造が重要となる。また、圧電振動子の耐機械的衝
撃性を考慮すれば、サポートを介して素子を支持するこ
とが非常に好ましい。
【0003】圧電板と外部導出用の電極との接続は、例
えば導電性接合材によって行われる。図6に導電性接合
材を用いて電気的機械的接合を行っている表面実装型の
水晶振動子の例をしめす。セラミック基板1の上面には
電極パッド15,16が形成され、ビア電極13,14
を介して導出電極11,12と電気的に接続されてい
る。この電極パッド15,16の上部には、スポット溶
接、あるいはレーザー溶接により、サポート31,32
が取り付けられている。表裏面に励振電極21,22が
形成された圧電板2は導電性接合材S1上に搭載され、
さらにその上部に導電性接合材S2が塗布され、圧電板
が電気的機械的接続される。蓋4により気密封止して圧
電振動子が完成する。
えば導電性接合材によって行われる。図6に導電性接合
材を用いて電気的機械的接合を行っている表面実装型の
水晶振動子の例をしめす。セラミック基板1の上面には
電極パッド15,16が形成され、ビア電極13,14
を介して導出電極11,12と電気的に接続されてい
る。この電極パッド15,16の上部には、スポット溶
接、あるいはレーザー溶接により、サポート31,32
が取り付けられている。表裏面に励振電極21,22が
形成された圧電板2は導電性接合材S1上に搭載され、
さらにその上部に導電性接合材S2が塗布され、圧電板
が電気的機械的接続される。蓋4により気密封止して圧
電振動子が完成する。
【0004】前記導電性接合材S1,S2は例えば導電
フィラーが混練された樹脂ペーストであるが、取り扱い
は面倒な側面を有している。すなわち、導電性接合材の
接合部分への供給はディスペンサによって行われるが、
粘性等が温度、湿度の周囲雰囲気の影響を受けやすく、
周囲環境によっては接合材の供給過多、供給過少による
塗布バラツキ、塗布バランスのバラツキ、液だれ等の不
具合の原因となる。このような接合材の塗布バラツキ
は、水晶振動子の電気的特性のバラツキにつながり、ま
た液だれが電極間等の短絡事故の原因となることがあっ
た。
フィラーが混練された樹脂ペーストであるが、取り扱い
は面倒な側面を有している。すなわち、導電性接合材の
接合部分への供給はディスペンサによって行われるが、
粘性等が温度、湿度の周囲雰囲気の影響を受けやすく、
周囲環境によっては接合材の供給過多、供給過少による
塗布バラツキ、塗布バランスのバラツキ、液だれ等の不
具合の原因となる。このような接合材の塗布バラツキ
は、水晶振動子の電気的特性のバラツキにつながり、ま
た液だれが電極間等の短絡事故の原因となることがあっ
た。
【0005】このような不具合を解決する目的で、例え
ば、特開平8−8684号公報には半田バンプや金バン
プを電極パッドに形成し、熱圧着あるいは超音波溶着に
より圧電板を電気的機械的接合する方法が考えられてい
る。このような接合構造は導電性接合材を用いないの
で、接合材の供給過多、供給過少、液だれ等の従来生じ
ていた不具合が発生しないという利点を有していた。
ば、特開平8−8684号公報には半田バンプや金バン
プを電極パッドに形成し、熱圧着あるいは超音波溶着に
より圧電板を電気的機械的接合する方法が考えられてい
る。このような接合構造は導電性接合材を用いないの
で、接合材の供給過多、供給過少、液だれ等の従来生じ
ていた不具合が発生しないという利点を有していた。
【0006】ところが、上述のような超音波溶着、ある
いは超音波併用の熱圧着によって圧電板を電気的機械的
接合する方法では、上部から押圧して、被接合部材同士
(上記では電極パッドと圧電板)が位置決め、固定され
た状態で、溶着、あるいは圧着されないと十分な接合強
度が得られないといった問題点を有しており、サポート
が介在する圧電振動子には不向きな方法であった。すな
わち、サポートが介在する圧電振動子では、被接合部材
同士(圧電板とサポート)の下には絶縁基板との空間を
有しており、サポートの柔軟性ゆえに、十分に押圧し、
位置決め、固定された状態で、溶着、あるいは圧着が行
えない。また、サポートの圧電板搭載部分を絶縁基板上
面にまで、無理矢理に押しつけて、溶着、あるいは圧着
する事が考えられるが、サポートの変形、圧電板の損傷
(特にコンベックス形状の圧電板においては損傷の可能
性が高くなる)等の不具合があった。つまり、サポート
を用いた圧電振動子では、金属バンプ、または電極膜を
介して圧着あるいは溶着された強固で安定した金属間接
合は行えないという問題点があった。
いは超音波併用の熱圧着によって圧電板を電気的機械的
接合する方法では、上部から押圧して、被接合部材同士
(上記では電極パッドと圧電板)が位置決め、固定され
た状態で、溶着、あるいは圧着されないと十分な接合強
度が得られないといった問題点を有しており、サポート
が介在する圧電振動子には不向きな方法であった。すな
わち、サポートが介在する圧電振動子では、被接合部材
同士(圧電板とサポート)の下には絶縁基板との空間を
有しており、サポートの柔軟性ゆえに、十分に押圧し、
位置決め、固定された状態で、溶着、あるいは圧着が行
えない。また、サポートの圧電板搭載部分を絶縁基板上
面にまで、無理矢理に押しつけて、溶着、あるいは圧着
する事が考えられるが、サポートの変形、圧電板の損傷
(特にコンベックス形状の圧電板においては損傷の可能
性が高くなる)等の不具合があった。つまり、サポート
を用いた圧電振動子では、金属バンプ、または電極膜を
介して圧着あるいは溶着された強固で安定した金属間接
合は行えないという問題点があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するためになされたもので、サポートに圧電板を搭
載し、押圧処理を伴う超音波溶着、あるいは超音波併用
の熱圧着であっても、確実に電気的機械的接合し、サポ
ートの変形、圧電板の損傷等の不具合を与えず、サポー
トと圧電板の電極の接合が安定して行え、圧電振動子の
各種特性に悪影響を与えない圧電振動子を提供すること
を目的とするものである。
解決するためになされたもので、サポートに圧電板を搭
載し、押圧処理を伴う超音波溶着、あるいは超音波併用
の熱圧着であっても、確実に電気的機械的接合し、サポ
ートの変形、圧電板の損傷等の不具合を与えず、サポー
トと圧電板の電極の接合が安定して行え、圧電振動子の
各種特性に悪影響を与えない圧電振動子を提供すること
を目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項1に示
すように、絶縁基板と、絶縁基板の上面に形成された電
極バッドと、当該電極パッドと電気的に接続され外部と
接続される導出電極と、前記電極パッドの上面に配置さ
れたサポートと、表裏主面に電極が形成され、当該電極
が表裏主面の少なくとも一主面端部に引き出された圧電
板とを具備し、前記圧電板は、金属バンプ、または金属
膜を介して、前記サポートの上部に搭載され、超音波溶
着、または超音波併用の熱圧着されて電気的機械的接続
される圧電振動子であって、前記サポートは、絶縁基板
結合部と、圧電板搭載部と、前記絶縁基板結合部から圧
電板搭載部にかけて立ち上げられた連結部とを有し、前
記絶縁基板の上面で、前記サポートの圧電板搭載部が配
置される部分には、枕部が形成されており、当該枕部の
上面は、前記サポートの基板結合部より高い位置で、か
つ前記サポートの圧電板搭載部より低い位置に形成され
ている事を特徴とする。
すように、絶縁基板と、絶縁基板の上面に形成された電
極バッドと、当該電極パッドと電気的に接続され外部と
接続される導出電極と、前記電極パッドの上面に配置さ
れたサポートと、表裏主面に電極が形成され、当該電極
が表裏主面の少なくとも一主面端部に引き出された圧電
板とを具備し、前記圧電板は、金属バンプ、または金属
膜を介して、前記サポートの上部に搭載され、超音波溶
着、または超音波併用の熱圧着されて電気的機械的接続
される圧電振動子であって、前記サポートは、絶縁基板
結合部と、圧電板搭載部と、前記絶縁基板結合部から圧
電板搭載部にかけて立ち上げられた連結部とを有し、前
記絶縁基板の上面で、前記サポートの圧電板搭載部が配
置される部分には、枕部が形成されており、当該枕部の
上面は、前記サポートの基板結合部より高い位置で、か
つ前記サポートの圧電板搭載部より低い位置に形成され
ている事を特徴とする。
【0009】上記構成により、サポートに圧電板を搭載
し、超音波溶着、あるいは超音波併用の熱圧着により、
サポートと圧電板を押圧しても、当該サポートが必要以
上に撓まない状態で、前記枕部に、当該サポートの圧電
板搭載部が確実に支えられ、強固な電気的機械的接続が
行える。しかも、圧電板搭載後は、前記サポートの弾性
により基の位置に戻るため、前記枕部にサポートが当接
して緩衝作用を阻害することがない。これは、前記枕部
の上面は、前記サポートの基板結合部より高い位置で、
かつ前記サポートの圧電板搭載部より低い位置に形成さ
れている事によるものである。以上により、前記枕部を
形成することで、困難であったサポートを用いた圧電振
動子においても、金属バンプ、または金属膜を介して、
超音波溶着、あるいは超音波併用の熱圧着することがで
きる。
し、超音波溶着、あるいは超音波併用の熱圧着により、
サポートと圧電板を押圧しても、当該サポートが必要以
上に撓まない状態で、前記枕部に、当該サポートの圧電
板搭載部が確実に支えられ、強固な電気的機械的接続が
行える。しかも、圧電板搭載後は、前記サポートの弾性
により基の位置に戻るため、前記枕部にサポートが当接
して緩衝作用を阻害することがない。これは、前記枕部
の上面は、前記サポートの基板結合部より高い位置で、
かつ前記サポートの圧電板搭載部より低い位置に形成さ
れている事によるものである。以上により、前記枕部を
形成することで、困難であったサポートを用いた圧電振
動子においても、金属バンプ、または金属膜を介して、
超音波溶着、あるいは超音波併用の熱圧着することがで
きる。
【0010】そして、サポートを具備する構成と、金属
バンプ、または金属膜を介して、超音波溶着、あるいは
超音波併用の熱圧着し、当該サポートに圧電板を電気的
機械的に接続する構成を組み合わせることできる。この
ため、より耐機械的衝撃性の高いものとしつつ、サポー
トと圧電板が強固に安定して金属間接合され、圧電振動
子としての電気的特性向上およびそのバラツキがない、
より信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
さらに、樹脂ペーストを用いた導電性接合材を用いた場
合のように、接合材の供給量に起因する問題の発生や、
接合材の硬化を行う工程を必要とせず、製造歩留りの向
上、および原価低減ができる。
バンプ、または金属膜を介して、超音波溶着、あるいは
超音波併用の熱圧着し、当該サポートに圧電板を電気的
機械的に接続する構成を組み合わせることできる。この
ため、より耐機械的衝撃性の高いものとしつつ、サポー
トと圧電板が強固に安定して金属間接合され、圧電振動
子としての電気的特性向上およびそのバラツキがない、
より信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
さらに、樹脂ペーストを用いた導電性接合材を用いた場
合のように、接合材の供給量に起因する問題の発生や、
接合材の硬化を行う工程を必要とせず、製造歩留りの向
上、および原価低減ができる。
【0011】また請求項2に示すように、請求項1記載
の圧電振動子において、前記金属バンプをワイヤバンプ
としてもよい。ワイヤバンプはワイヤボンディング技術
を用いたボールボンダーにより金属ワイヤを凸形に形成
したバンプであり、容易に安定して作成できる。
の圧電振動子において、前記金属バンプをワイヤバンプ
としてもよい。ワイヤバンプはワイヤボンディング技術
を用いたボールボンダーにより金属ワイヤを凸形に形成
したバンプであり、容易に安定して作成できる。
【0012】また請求項3に示すように、請求項1、2
記載の圧電振動子において、金属バンプは、金(A
u)、アルミニウム(AL)、銅(Cu)で構成しても
よい。
記載の圧電振動子において、金属バンプは、金(A
u)、アルミニウム(AL)、銅(Cu)で構成しても
よい。
【0013】また請求項4に示すように、請求項1、
2、3記載の圧電振動子において、前記サポートの圧電
板搭載部と前記圧電板のサポート接合部分には、前記金
属バンプ、または、金属膜と同材質の金属膜が施される
と、接合性が向上する点で好ましい。
2、3記載の圧電振動子において、前記サポートの圧電
板搭載部と前記圧電板のサポート接合部分には、前記金
属バンプ、または、金属膜と同材質の金属膜が施される
と、接合性が向上する点で好ましい。
【0014】また請求項5に示すように、上面に電極パ
ッドと、下面に前記電極パッドと電気的に接続され外部
と接続される導出電極が形成され、前記電極パッドの上
面には、絶縁基板結合部と、圧電板搭載部と、連結部と
を具備し、前記圧電板搭載部上面にワイヤバンプが形成
されてなるサポートが配置され、当該サポートの圧電板
搭載部が配置される部分には、枕部が形成された絶縁基
板を作業ステージに設置し、前記ワイヤバンプの上部
に、表裏面に電極形成された圧電板を搭載し、前記枕部
にサポートの圧電板搭載部を接触させ、固定した状態
で、前記ワイヤバンプと圧電板の裏面に形成された電極
とを超音波ウェルダにて超音波溶着、あるい超音波併用
の熱圧着したことを特徴とする製造方法により製造する
とよい。
ッドと、下面に前記電極パッドと電気的に接続され外部
と接続される導出電極が形成され、前記電極パッドの上
面には、絶縁基板結合部と、圧電板搭載部と、連結部と
を具備し、前記圧電板搭載部上面にワイヤバンプが形成
されてなるサポートが配置され、当該サポートの圧電板
搭載部が配置される部分には、枕部が形成された絶縁基
板を作業ステージに設置し、前記ワイヤバンプの上部
に、表裏面に電極形成された圧電板を搭載し、前記枕部
にサポートの圧電板搭載部を接触させ、固定した状態
で、前記ワイヤバンプと圧電板の裏面に形成された電極
とを超音波ウェルダにて超音波溶着、あるい超音波併用
の熱圧着したことを特徴とする製造方法により製造する
とよい。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第1の実施形態を
表面実装型の水晶振動子を例にとり図1、図2、図3と
ともに説明する。図1は本発明の表面実装型水晶振動子
の断面図であり、図2は本発明の表面実装型水晶振動子
の蓋を被せる前の一部透視平面図である。図3は、サポ
ートと圧電板の接続部分の一部断面図である。尚、従来
と同様の部分については同番号を付した。
表面実装型の水晶振動子を例にとり図1、図2、図3と
ともに説明する。図1は本発明の表面実装型水晶振動子
の断面図であり、図2は本発明の表面実装型水晶振動子
の蓋を被せる前の一部透視平面図である。図3は、サポ
ートと圧電板の接続部分の一部断面図である。尚、従来
と同様の部分については同番号を付した。
【0016】表面実装型水晶振動子は、絶縁基板1と、
絶縁基板1上の電極パッド15,16に電気的機械的に
接続され、配置されるサポート31,32と、サポート
に搭載され、電気的機械的に接合される圧電板2と、サ
ポート31,32と圧電板2間に介在する金属ワイヤバ
ンプ5a〜5rと、圧電板2を気密封止する蓋4とから
なる。
絶縁基板1上の電極パッド15,16に電気的機械的に
接続され、配置されるサポート31,32と、サポート
に搭載され、電気的機械的に接合される圧電板2と、サ
ポート31,32と圧電板2間に介在する金属ワイヤバ
ンプ5a〜5rと、圧電板2を気密封止する蓋4とから
なる。
【0017】絶縁基板1は、矩形のアルミナ等のセラミ
ック板からなり、表面に電極パッド15,16が絶縁基
板の幅方向に並んで形成されている。また、裏面には導
出電極11,12形成されており、それぞれ前記電極パ
ッド15,16とビア電極13,14を介して電気的に
対応接続されている。これら各電極は周知のメタライズ
技術、メッキ技術等を用いて形成され、例えば下層にタ
ングステン層、上層に金層が施されている。また、絶縁
基板1の上面で、後述する各サポートの圧電板結合部が
配置される部分には、当該絶縁基板の上面に対して高い
段差をなす枕部17,18が形成されており、例えば、
セラミック積層技術を用いて、絶縁基板と一体的に形成
されたセラミックからなるものである。尚、前記枕部
は、後工程により、例えばろう付けにて絶縁基板に機械
的に接合されて取り付けたものであってもよい。そし
て、枕部は、セラミック材料に限ることなく、後述する
溶接チップの押圧力に耐えうる硬度と強度を有し、前記
絶縁基板と接合可能で、前記サポートと超音波溶着され
ない材料であれば好ましい。また、枕部上面は、後述す
るサポートの圧電板搭載部が傾いたり、歪んだりしない
状態で位置決め固定されるように、平たく平行な上面形
状であることが好ましい。
ック板からなり、表面に電極パッド15,16が絶縁基
板の幅方向に並んで形成されている。また、裏面には導
出電極11,12形成されており、それぞれ前記電極パ
ッド15,16とビア電極13,14を介して電気的に
対応接続されている。これら各電極は周知のメタライズ
技術、メッキ技術等を用いて形成され、例えば下層にタ
ングステン層、上層に金層が施されている。また、絶縁
基板1の上面で、後述する各サポートの圧電板結合部が
配置される部分には、当該絶縁基板の上面に対して高い
段差をなす枕部17,18が形成されており、例えば、
セラミック積層技術を用いて、絶縁基板と一体的に形成
されたセラミックからなるものである。尚、前記枕部
は、後工程により、例えばろう付けにて絶縁基板に機械
的に接合されて取り付けたものであってもよい。そし
て、枕部は、セラミック材料に限ることなく、後述する
溶接チップの押圧力に耐えうる硬度と強度を有し、前記
絶縁基板と接合可能で、前記サポートと超音波溶着され
ない材料であれば好ましい。また、枕部上面は、後述す
るサポートの圧電板搭載部が傾いたり、歪んだりしない
状態で位置決め固定されるように、平たく平行な上面形
状であることが好ましい。
【0018】サポート31,32は、例えばCu−Ni
−Zn系合金、SUS、洋白等の金属板からなり、絶縁
基板結合部311,321と、圧電板搭載部と312,
322、前記絶縁基板結合部から圧電板搭載部にかけて
立ち上げられた連結部313,323とが形成されてい
る。前記各サポートの圧電板結合部には、例えば金ワイ
ヤを用いたワイヤバンプ5a〜5rが形成されている。
これらワイヤバンプはスタッドバンプとも称され、ワイ
ヤボンディング技術を用いて、例えば直径50μmm程度
の金ワイヤの先端を加熱することによりボール状にし、
前記サポートの圧電板結合部に接続後、ワイヤの切断を
バンプ直近部分で行うことにより得られる。この得られ
たワイヤバンプは例えば幅約100μmm、高さ60μmm
程度の外形寸法となるが、この大きさは、ワイヤの線
径、圧着力、圧着時間等を選択、調整する事により適宜
変更することができる。そして、前記各サポートの絶縁
板結合部311,321を、前記各電極パッド15,1
6の上面に配置し、周知のスポット溶接法、レーザー溶
接法等を用いて電気的機械的に接続されて取り付けられ
ている。尚、前記金ワイヤバンプをサポートに形成する
前に、前記サポートの圧電板搭載部に金メッキ(前記ワ
イヤバンプと同材質の金属膜)を施しておくと前記ワイ
ヤバンプとの接合性が向上する点で好ましい。
−Zn系合金、SUS、洋白等の金属板からなり、絶縁
基板結合部311,321と、圧電板搭載部と312,
322、前記絶縁基板結合部から圧電板搭載部にかけて
立ち上げられた連結部313,323とが形成されてい
る。前記各サポートの圧電板結合部には、例えば金ワイ
ヤを用いたワイヤバンプ5a〜5rが形成されている。
これらワイヤバンプはスタッドバンプとも称され、ワイ
ヤボンディング技術を用いて、例えば直径50μmm程度
の金ワイヤの先端を加熱することによりボール状にし、
前記サポートの圧電板結合部に接続後、ワイヤの切断を
バンプ直近部分で行うことにより得られる。この得られ
たワイヤバンプは例えば幅約100μmm、高さ60μmm
程度の外形寸法となるが、この大きさは、ワイヤの線
径、圧着力、圧着時間等を選択、調整する事により適宜
変更することができる。そして、前記各サポートの絶縁
板結合部311,321を、前記各電極パッド15,1
6の上面に配置し、周知のスポット溶接法、レーザー溶
接法等を用いて電気的機械的に接続されて取り付けられ
ている。尚、前記金ワイヤバンプをサポートに形成する
前に、前記サポートの圧電板搭載部に金メッキ(前記ワ
イヤバンプと同材質の金属膜)を施しておくと前記ワイ
ヤバンプとの接合性が向上する点で好ましい。
【0019】圧電板2は矩形ATカット水晶振動板から
なり、厚みすべり振動を励振するよう表裏面各々に励振
用の主電極21,22が形成され、また各主電極21,
22から引出電極21a,22aが圧電板の長手方向に
導出されている。また、引出電極21aに対応する裏面
の一部には引出電極21bが形成され、かつ引出電極2
2aに対応する表面の一部には引出電極22bが形成さ
れている。上記圧電板の外形寸法は、長さ4mm、幅1.
6mmで、32MHzの周波数を得る厚さのものを使用し
ており、各主電極、引出電極は、クロム層の上面に、金
層を構成した。尚、上記各電極の最上層を金層以外で実
施する場合(例えば、クロム層+銀層、クロム層+銀層
+クロム層)、前記引出電極21a、21b、引出電極
22a,22bの部分に、金層(前記ワイヤバンプと同
材質の金属膜)を施しておくと前記ワイヤバンプとの接
合性が低下することがない。これらの電極(金属膜)
は、真空蒸着法、スパッタリング法等により行う。
なり、厚みすべり振動を励振するよう表裏面各々に励振
用の主電極21,22が形成され、また各主電極21,
22から引出電極21a,22aが圧電板の長手方向に
導出されている。また、引出電極21aに対応する裏面
の一部には引出電極21bが形成され、かつ引出電極2
2aに対応する表面の一部には引出電極22bが形成さ
れている。上記圧電板の外形寸法は、長さ4mm、幅1.
6mmで、32MHzの周波数を得る厚さのものを使用し
ており、各主電極、引出電極は、クロム層の上面に、金
層を構成した。尚、上記各電極の最上層を金層以外で実
施する場合(例えば、クロム層+銀層、クロム層+銀層
+クロム層)、前記引出電極21a、21b、引出電極
22a,22bの部分に、金層(前記ワイヤバンプと同
材質の金属膜)を施しておくと前記ワイヤバンプとの接
合性が低下することがない。これらの電極(金属膜)
は、真空蒸着法、スパッタリング法等により行う。
【0020】蓋4はセラミック等の絶縁材からなり、断
面形状が逆凹形状となっており、圧電板2が気密封止さ
れる空間が形成されている。
面形状が逆凹形状となっており、圧電板2が気密封止さ
れる空間が形成されている。
【0021】そして、前記絶縁基板上に配置された前記
サポートの圧電板搭載部312,322に、圧電板2を
搭載して、電気的機械的に接続した後、ガラスGを介し
て、蓋4により気密封止される。
サポートの圧電板搭載部312,322に、圧電板2を
搭載して、電気的機械的に接続した後、ガラスGを介し
て、蓋4により気密封止される。
【0022】次に、サポートの圧電板搭載部にワイヤバ
ンプを形成し、電極形成された圧電板2を当該サポート
に搭載し、電気的機械的接続する方法の例を図3ととも
に説明する(一方のサポートのみ図示)。
ンプを形成し、電極形成された圧電板2を当該サポート
に搭載し、電気的機械的接続する方法の例を図3ととも
に説明する(一方のサポートのみ図示)。
【0023】バンプボンダの接合ジグT(キャピラリチ
ップ等)により、サポート31の圧電板搭載部312の
下面を枕部17に押しあてた状態で、当該圧電板搭載部
の上面に、ワイヤバンプ5a,5b,5c(一部のみ図
示)が、熱圧着法等のワイヤボンディング技術を用いて
連続して形成される(図3のa)。
ップ等)により、サポート31の圧電板搭載部312の
下面を枕部17に押しあてた状態で、当該圧電板搭載部
の上面に、ワイヤバンプ5a,5b,5c(一部のみ図
示)が、熱圧着法等のワイヤボンディング技術を用いて
連続して形成される(図3のa)。
【0024】各ワイヤバンプ5a,5b,5c(一部の
み図示)上に圧電板2を搭載し、引出電極21bが接す
るように配置する(図3のb)。
み図示)上に圧電板2を搭載し、引出電極21bが接す
るように配置する(図3のb)。
【0025】その後、超音波ウェルダの溶接チップCに
より、再び、サポート31の圧電板搭載部312の下面
を枕部17に押しあてた状態で、圧電板をバンプ上に押
しつけ、静圧力を印加する。そして、超音波チップを所
定の周波数(例えば、60kHz〜120kHz、好ま
しくは110kHz)で振動させることにより、ワイヤ
バンプ5a,5b,5c(一部のみ図示)と圧電板の引
出電極21bが超音波溶接される。(図3のc)
より、再び、サポート31の圧電板搭載部312の下面
を枕部17に押しあてた状態で、圧電板をバンプ上に押
しつけ、静圧力を印加する。そして、超音波チップを所
定の周波数(例えば、60kHz〜120kHz、好ま
しくは110kHz)で振動させることにより、ワイヤ
バンプ5a,5b,5c(一部のみ図示)と圧電板の引
出電極21bが超音波溶接される。(図3のc)
【0026】上記第1の実施形態では、絶縁基板にサポ
ートを取り付けた後、サポートの圧電板搭載部にワイヤ
バンプを形成したが、予め圧電板搭載部にワイヤバンプ
が形成されたサポートを絶縁基板に取り付けてもよい。
また、サポートにワイヤバンプを形成するのではなく、
圧電板の引出電極(図3では21b)にワイヤバンプを
形成してもよく、サポートと圧電板の両方にワイヤバン
プを形成してもよい。
ートを取り付けた後、サポートの圧電板搭載部にワイヤ
バンプを形成したが、予め圧電板搭載部にワイヤバンプ
が形成されたサポートを絶縁基板に取り付けてもよい。
また、サポートにワイヤバンプを形成するのではなく、
圧電板の引出電極(図3では21b)にワイヤバンプを
形成してもよく、サポートと圧電板の両方にワイヤバン
プを形成してもよい。
【0027】また、上記第1の実施形態では、金属バン
プとして、金のみならず、アルミニウム、銅、はんだ等
の他の材料を用いてもよい。さらに、金属バンプに限ら
ず金属膜、例えば金メッキ、アルミメッキ、銅メッキ、
はんだメッキ等を採用してもよい。金属膜を採用する場
合、接続強度を考慮して、前記金属の膜厚を設定する必
要がある。特に金メッキの場合、0.3μmm〜0.5μ
mm以上が好ましい。
プとして、金のみならず、アルミニウム、銅、はんだ等
の他の材料を用いてもよい。さらに、金属バンプに限ら
ず金属膜、例えば金メッキ、アルミメッキ、銅メッキ、
はんだメッキ等を採用してもよい。金属膜を採用する場
合、接続強度を考慮して、前記金属の膜厚を設定する必
要がある。特に金メッキの場合、0.3μmm〜0.5μ
mm以上が好ましい。
【0028】次に、本発明の他の実施の形態を図4,図
5とともに説明する。図4はサポート配置位置の変形例
(第2〜第4の形態)を示し、図5は絶縁基板の変形例
と金属膜を使用した例(第5の形態)を示している。基
本構成は上記実施の形態と同じであるので、同じ構造部
分は同番号を用いて説明するとともに、一部説明を割愛
し、変形点を中心に説明する。
5とともに説明する。図4はサポート配置位置の変形例
(第2〜第4の形態)を示し、図5は絶縁基板の変形例
と金属膜を使用した例(第5の形態)を示している。基
本構成は上記実施の形態と同じであるので、同じ構造部
分は同番号を用いて説明するとともに、一部説明を割愛
し、変形点を中心に説明する。
【0029】図4(a)は、サポート31B,32Bが
お互いに交差し、前記各サポートの絶縁基板結合部31
1B,321Bから離隔した側の圧電板2の端部にて支
持した場合の枕部17B,18Bの形成位置を示したも
のである。尚、図中、312B,322Bはサポートの
圧電板搭載部、Bは金属バンプ(金バンプ、アルミニウ
ムバンプ、銅バンプ、はんだバンプ等)を示し、当該金
属バンプBはサポートと圧電板の両方に形成した。
お互いに交差し、前記各サポートの絶縁基板結合部31
1B,321Bから離隔した側の圧電板2の端部にて支
持した場合の枕部17B,18Bの形成位置を示したも
のである。尚、図中、312B,322Bはサポートの
圧電板搭載部、Bは金属バンプ(金バンプ、アルミニウ
ムバンプ、銅バンプ、はんだバンプ等)を示し、当該金
属バンプBはサポートと圧電板の両方に形成した。
【0030】図4(b)は、長手方向一端部に電極が引
き出された圧電板2と、絶縁基板の長手方向一端部に並
列した状態で配設されたサポート31C(一方のみ)と
を用いて(片持支持)支持した場合の枕部17Cの形成
位置を示したものである。尚、図中、312Cはサポー
トの圧電板搭載部、Bは金属バンプ(金バンプ、アルミ
ニウムバンプ、銅バンプ、はんだバンプ等)を示し、当
該金属バンプBは圧電板のみに形成した。
き出された圧電板2と、絶縁基板の長手方向一端部に並
列した状態で配設されたサポート31C(一方のみ)と
を用いて(片持支持)支持した場合の枕部17Cの形成
位置を示したものである。尚、図中、312Cはサポー
トの圧電板搭載部、Bは金属バンプ(金バンプ、アルミ
ニウムバンプ、銅バンプ、はんだバンプ等)を示し、当
該金属バンプBは圧電板のみに形成した。
【0031】図4(c)は、長手方向一端部に電極が引
き出された圧電板2と、絶縁基板の長手方向に並列した
状態で配設されたサポート31D(一方のみ)とを用い
て(片持支持)、前記各サポートの絶縁基板結合部31
1Dから離隔した側の圧電板2の端部にて支持した場合
の枕部17Dの形成位置を示したものである。尚、図
中、312Dはサポートの圧電板搭載部、Bは金属バン
プ(金バンプ、アルミニウムバンプ、銅バンプ、はんだ
バンプ等)を示す。
き出された圧電板2と、絶縁基板の長手方向に並列した
状態で配設されたサポート31D(一方のみ)とを用い
て(片持支持)、前記各サポートの絶縁基板結合部31
1Dから離隔した側の圧電板2の端部にて支持した場合
の枕部17Dの形成位置を示したものである。尚、図
中、312Dはサポートの圧電板搭載部、Bは金属バン
プ(金バンプ、アルミニウムバンプ、銅バンプ、はんだ
バンプ等)を示す。
【0032】図5は、圧電板を収容する周壁71と、当
該周壁上部に取り付けられたシールリング711とを具
備する絶縁基板7であって、金属製の蓋8を前記シール
リング711上部に配置し、シーム溶接(抵抗溶接)に
よる気密封止される構成である。周壁71と絶縁基板
7、枕部77,78は、セラミック積層技術を用いて一
体的に焼成されたものであり、シールリング711は前
記周壁上面にろう接されている。そして、第5の形態で
は、金属バンプBのかわりに金属膜(金メッキ、アルミ
ニウムメッキ、銅メッキ、はんだメッキ等)Mを形成し
た。図中、2は圧電板、312E,322Eはサポート
の圧電板結合部である。尚、前記金属膜は、圧電板結合
部のみに形成するのでなく、サポート全体に形成しても
よい。
該周壁上部に取り付けられたシールリング711とを具
備する絶縁基板7であって、金属製の蓋8を前記シール
リング711上部に配置し、シーム溶接(抵抗溶接)に
よる気密封止される構成である。周壁71と絶縁基板
7、枕部77,78は、セラミック積層技術を用いて一
体的に焼成されたものであり、シールリング711は前
記周壁上面にろう接されている。そして、第5の形態で
は、金属バンプBのかわりに金属膜(金メッキ、アルミ
ニウムメッキ、銅メッキ、はんだメッキ等)Mを形成し
た。図中、2は圧電板、312E,322Eはサポート
の圧電板結合部である。尚、前記金属膜は、圧電板結合
部のみに形成するのでなく、サポート全体に形成しても
よい。
【0033】尚、本発明では、金属バンプ、並びに金属
膜として、金、アルミニウム、銅、はんだ等の材料を用
いており、ワイヤボンディング技術を用いて金属バンプ
の形成する場合、金は熱圧着法、あるいは超音波併用の
熱圧着法(サーモソニックボンディング)が適してお
り、アルミニウムは超音波ボンディング法が適してお
り、銅は超音波併用の熱圧着法(サーモソニックボンデ
ィング)が適しており、はんだは熱圧着法が適してい
る。また、金属膜をサポート側に形成する場合、電解メ
ッキ法、無電解メッキ法を採用し、金属膜を圧電板側に
形成する場合、真空蒸着法、スパッタリング法等を採用
している。尚、サポートに金属膜を形成する場合、サポ
ートの材質によっては、下地メッキを施し、上記金属膜
(金、アルミニウム、銅、はんだ等)をメッキするのが
好ましい。
膜として、金、アルミニウム、銅、はんだ等の材料を用
いており、ワイヤボンディング技術を用いて金属バンプ
の形成する場合、金は熱圧着法、あるいは超音波併用の
熱圧着法(サーモソニックボンディング)が適してお
り、アルミニウムは超音波ボンディング法が適してお
り、銅は超音波併用の熱圧着法(サーモソニックボンデ
ィング)が適しており、はんだは熱圧着法が適してい
る。また、金属膜をサポート側に形成する場合、電解メ
ッキ法、無電解メッキ法を採用し、金属膜を圧電板側に
形成する場合、真空蒸着法、スパッタリング法等を採用
している。尚、サポートに金属膜を形成する場合、サポ
ートの材質によっては、下地メッキを施し、上記金属膜
(金、アルミニウム、銅、はんだ等)をメッキするのが
好ましい。
【0034】また、本発明の実施例では、圧電振動子と
して、矩形ATカット水晶振動子を例にしたが、他の板
形状(円盤形状、多角形状、音叉型形状)、他の切断カ
ット(BTカット、CTカット、DTカット、GTカッ
ト、SCカット、SLカット、HTカット等)、他の振
動モードの水晶振動子にも適用でき、水晶振動子に限ら
ず、水晶フィルタ、セラミック振動子、セラミックフィ
ルタ等にも適用できる。
して、矩形ATカット水晶振動子を例にしたが、他の板
形状(円盤形状、多角形状、音叉型形状)、他の切断カ
ット(BTカット、CTカット、DTカット、GTカッ
ト、SCカット、SLカット、HTカット等)、他の振
動モードの水晶振動子にも適用でき、水晶振動子に限ら
ず、水晶フィルタ、セラミック振動子、セラミックフィ
ルタ等にも適用できる。
【0035】
【発明の効果】本発明の請求項1により、サポートに圧
電板を搭載し、超音波溶着、あるいは超音波併用の熱圧
着により、サポートと圧電板を押圧しても、当該サポー
トが必要以上に撓まない状態で、前記枕部に、当該サポ
ートの圧電板搭載部が確実に支えられ、強固な電気的機
械的接続が行える。しかも、圧電板搭載後は、前記サポ
ートの弾性により基の位置に戻るため、前記枕部にサポ
ートが当接して緩衝作用を阻害することがない。これ
は、前記枕部の上面は、前記サポートの基板結合部より
高い位置で、かつ前記サポートの圧電板搭載部より低い
位置に形成されている事によるものである。以上によ
り、前記枕部を形成することで、困難であったサポート
を用いた圧電振動子においても、金属バンプ、または金
属膜を介して、超音波溶着、あるいは超音波併用の熱圧
着することができる。
電板を搭載し、超音波溶着、あるいは超音波併用の熱圧
着により、サポートと圧電板を押圧しても、当該サポー
トが必要以上に撓まない状態で、前記枕部に、当該サポ
ートの圧電板搭載部が確実に支えられ、強固な電気的機
械的接続が行える。しかも、圧電板搭載後は、前記サポ
ートの弾性により基の位置に戻るため、前記枕部にサポ
ートが当接して緩衝作用を阻害することがない。これ
は、前記枕部の上面は、前記サポートの基板結合部より
高い位置で、かつ前記サポートの圧電板搭載部より低い
位置に形成されている事によるものである。以上によ
り、前記枕部を形成することで、困難であったサポート
を用いた圧電振動子においても、金属バンプ、または金
属膜を介して、超音波溶着、あるいは超音波併用の熱圧
着することができる。
【0036】そして、サポートを具備する構成と、金属
バンプ、または金属膜を介して、超音波溶着、あるいは
超音波併用の熱圧着し、当該サポートに圧電板を電気的
機械的に接続する構成を組み合わせることできる。この
ため、より耐機械的衝撃性の高いものとしつつ、サポー
トと圧電板が強固に安定して金属間接合され、圧電振動
子としての電気的特性向上およびそのバラツキがない、
より信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
さらに、樹脂ペーストを用いた導電性接合材を用いた場
合のように、接合材の供給量に起因する問題の発生や、
接合材の硬化を行う工程を必要とせず、製造歩留りの向
上、および原価低減ができる。
バンプ、または金属膜を介して、超音波溶着、あるいは
超音波併用の熱圧着し、当該サポートに圧電板を電気的
機械的に接続する構成を組み合わせることできる。この
ため、より耐機械的衝撃性の高いものとしつつ、サポー
トと圧電板が強固に安定して金属間接合され、圧電振動
子としての電気的特性向上およびそのバラツキがない、
より信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
さらに、樹脂ペーストを用いた導電性接合材を用いた場
合のように、接合材の供給量に起因する問題の発生や、
接合材の硬化を行う工程を必要とせず、製造歩留りの向
上、および原価低減ができる。
【0037】また、請求項2によれば、上記効果に加え
て、ワイヤボンディング技術を応用したワイヤバンプを
金属バンプとして用いることにより、きわめて容易にバ
ンプを形成することができ、また形成位置、バンプサイ
ズ等を任意に決定することができるので、圧着、溶着の
調整が簡便に行える。
て、ワイヤボンディング技術を応用したワイヤバンプを
金属バンプとして用いることにより、きわめて容易にバ
ンプを形成することができ、また形成位置、バンプサイ
ズ等を任意に決定することができるので、圧着、溶着の
調整が簡便に行える。
【0038】また、請求項3によれば、上記効果に加え
て、金、アルミニウム、銅を用いることにより接合性が
向上する。特に、金を用いる場合、酸化の問題がなく、
接合性が優れているという利点を有している。
て、金、アルミニウム、銅を用いることにより接合性が
向上する。特に、金を用いる場合、酸化の問題がなく、
接合性が優れているという利点を有している。
【0039】また、請求項4によれば、上記効果に加え
て、サポートの圧電板搭載部や圧電板のサポート接合部
分には、前記金属バンプ、または、金属膜と同材質の金
属膜が施されていることによりさらに接合性が向上す
る。
て、サポートの圧電板搭載部や圧電板のサポート接合部
分には、前記金属バンプ、または、金属膜と同材質の金
属膜が施されていることによりさらに接合性が向上す
る。
【0040】さらに請求項5によれば、サポートの圧電
板搭載部のワイヤバンプと、圧電板の裏面に形成された
電極との超音波溶接法による電気的機械的接続が、枕部
を介して確実かつ強固に行うことができる。
板搭載部のワイヤバンプと、圧電板の裏面に形成された
電極との超音波溶接法による電気的機械的接続が、枕部
を介して確実かつ強固に行うことができる。
【図1】第1の実施の形態による内部断面図。
【図2】第1の実施の形態による一部透視平面図。
【図3】製造工程を示す図。
【図4】第2〜第4の実施の形態による内部断面図。
【図5】第5の実施の形態による内部断面図。
【図6】従来例を示す図。
1,7・・・絶縁基板 2・・・圧電板(水晶振動板) 31,32・・・サポート 4,8・・・蓋 5a〜5r,B・・・金属バンプ(ワイヤバンプ) M・・・金属膜
Claims (5)
- 【請求項1】 絶縁基板と、絶縁基板の上面に形成され
た電極バッドと、当該電極パッドと電気的に接続され外
部と接続される導出電極と、前記電極パッドの上面に配
置されたサポートと、表裏主面に電極が形成され、当該
電極が表裏主面の少なくとも一主面端部に引き出された
圧電板とを具備し、前記圧電板は、金属バンプ、または
金属膜を介して、前記サポートの上部に搭載され、超音
波溶着、または超音波併用の熱圧着されて電気的機械的
接続される圧電振動子であって、 前記サポートは、絶縁基板結合部と、圧電板搭載部と、
前記絶縁基板結合部から圧電板搭載部にかけて立ち上げ
られた連結部とを有し、 前記絶縁基板の上面で、前記サポートの圧電板搭載部が
配置される部分には、枕部が形成されており、 当該枕部の上面は、前記サポートの基板結合部より高い
位置で、かつ前記サポートの圧電板搭載部より低い位置
に形成されている事を特徴とする圧電振動子。 - 【請求項2】 前記金属バンプはワイヤバンプであるこ
とを特徴とする請求項1記載の圧電振動子。 - 【請求項3】 前記金属バンプは、金、アルミニウム、
銅のいずれか一つからなることを特徴とする請求項1、
2記載の圧電振動子。 - 【請求項4】 前記サポートの圧電板搭載部と前記圧電
板のサポート接合部分には、前記金属バンプ、または、
金属膜と同材質の金属膜が施されていることを特徴とす
る請求項1、2、3記載の圧電振動子。 - 【請求項5】 上面に電極パッドと、下面に前記電極パ
ッドと電気的に接続され外部と接続される導出電極が形
成され、前記電極パッドの上面には、絶縁基板結合部
と、圧電板搭載部と、連結部とを具備し、前記圧電板搭
載部上面にワイヤバンプが形成されてなるサポートが配
置され、当該サポートの圧電板搭載部が配置される部分
には、枕部が形成された絶縁基板を作業ステージに設置
し、 前記ワイヤバンプの上部に、表裏面に電極形成された圧
電板を搭載し、 前記枕部にサポートの圧電板搭載部を接触させ、固定し
た状態で、 前記ワイヤバンプと圧電板の裏面に形成された電極とを
超音波ウェルダにて超音波溶着、あるい超音波併用の熱
圧着したことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9227598A JPH11274892A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 圧電振動子、ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9227598A JPH11274892A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 圧電振動子、ならびにその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11274892A true JPH11274892A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=14049860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9227598A Pending JPH11274892A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 圧電振動子、ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11274892A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186748A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
JP2006211089A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
JP2007096945A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Daishinku Corp | 水晶振動デバイスおよび水晶振動デバイスの製造方法 |
JP2007274104A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP9227598A patent/JPH11274892A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186748A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
JP2006211089A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
JP2007096945A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Daishinku Corp | 水晶振動デバイスおよび水晶振動デバイスの製造方法 |
JP2007274104A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3826875B2 (ja) | 圧電デバイスおよびその製造方法 | |
JP5262946B2 (ja) | 電子デバイス | |
JP3678148B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP4770643B2 (ja) | 圧電デバイス及び、その製造方法 | |
JP2001053178A (ja) | 電子回路装置が封止され回路基板に実装される電子部品及びその製造方法 | |
JP3911838B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
JP2000232332A (ja) | 表面実装型圧電共振子 | |
JP4051452B2 (ja) | 圧電振動子 | |
JP2006211089A (ja) | 圧電振動デバイス | |
JPH11274892A (ja) | 圧電振動子、ならびにその製造方法 | |
JP2008166884A (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法、およびその製造方法による圧電振動デバイス | |
US20060175939A1 (en) | Piezoelectric device and method of producing the same | |
JPH11289238A (ja) | 圧電振動子 | |
JP5239782B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP2002084159A (ja) | 表面実装型圧電振動子 | |
JP2009239475A (ja) | 表面実装型圧電発振器 | |
JP3968782B2 (ja) | 電子部品用パッケージおよび当該パッケージを用いた圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP3546506B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
JP3398295B2 (ja) | 圧電部品及びその製造方法 | |
JP2001320256A (ja) | 圧電振動デバイスの気密封止方法 | |
JPH10284972A (ja) | 圧電振動子のパッケージ内支持構造 | |
JPH11307661A (ja) | 電子部品用パッケージおよび電子部品用パッケージの製造方法 | |
JPH05144956A (ja) | 半導体素子収納用パツケージ | |
JP3374395B2 (ja) | 電子部品用パッケージ | |
JP2001156193A (ja) | 電子部品装置 |