KR20000076704A - 탄성표면파 장치의 제조방법 - Google Patents

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무라타 야스타카
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Abstract

본 발명의 탄성표면파 장치의 제조방법은 탄성표면파 소자가 베이스 부재의 오목부 저면에 페이스 다운 구조로 고정되도록 융점이 약 450℃ 이상인 금속 범프 51에 의해 탄성표면파 소자와 베이스 부재를 범프 접합하는 공정; 및 베이스 부재와 캡 부재를 왁스 재료와 함께 접합할 때에 왁스 재료의 융점보다도 높은 온도에서 베이스 부재와 캡 부재를 균일하게 가열하여 왁스 재료를 용융시켜서 베이스 부재와 캡 부재를 접합하는 공정을 포함한다.

Description

탄성표면파 장치의 제조방법{A method of manufacturing a surface acoustic wave apparatus}
본 발명은 탄성표면파 소자를 패키지 내에 기밀 봉지한 탄성표면파 장치의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 탄성표면파 장치는 탄성표면파 소자를 범프 접합하여 베이스 부재에 접속·고정하고, 그런 다음 베이스 부재 위에 캡 부재를 접합하여 형성한 패키지 내에 탄성표면파 소자를 기밀 봉지하여 형성된다. 종래의 이러한 탄성표면파 장치에서는, 심 용접 공법(seam welding method)과 코바르(Kovar) 합금이 베이스 부재와 캡 부재의 기밀 봉지를 위한 접합을 형성하도록 사용되었다.
또한, 심 용접 공법 이외의 기밀 봉지 방법으로서는, 베이스 부재 또는 캡 부재 중의 어느 한쪽의 접합부에 왁스 재료(wax material)를 도포하고, 그런 다음, 예를 들어 캡 부재에 소형 히터 블록(small heater block)을 직접 접속시키고 이것으로 왁스 재료가 용융되도록 캡 부재를 가열한 후에 냉각하여 베이스 부재와 캡 부재를 접합하는 왁스 봉지 방법(wax sealing method)이 있다.
하지만, 상술한 심 용접 공법을 이용하여 베이스 부재와 캡 부재를 접합한 경우, 심 용접 공정 동안에 캡 부재 또는 베이스 부재의 접합부의 일부만이 부분적으로 고온으로 상승되도록 가열되고, 접속 부분과 다른 부분과의 사이에 상당한 온도차가 발생한 상태에서 베이스 부재와 캡 부재가 접합된다. 그 이후에 탄성표면파 장치의 냉각에 따라서, 베이스 부재와 캡 부재와의 사이에 큰 잔류 응력이 발생하여, 도 3에 도시한 바와 같이 베이스 부재 10과 캡 부재 30을 상당히 변형시키게 된다. 그리고, 이러한 변형에 의해 탄성표면파 소자 20을 베이스 부재 10 위에 접속·고정하는 금속 범프 51에 응력이 집중되고 또한 금속 범프 51과 접합된 전극 12와 25에도 응력이 집중된다. 따라서, 금속 범프 51과 전극 12, 25의 파손 및 벗겨짐 등의 접속 불량 상태와 특성 불량을 유발한다는 문제가 있었다.
또한, 상술한 왁스 봉지 공법을 이용하여 베이스 부재와 캡 부재를 접합한 경우에도, 상술한 동일한 이유로 인하여 접합 처리 이후에 베이스 부재가 변형되는 문제가 발생되고, 심 용접 공법에서 발생한 유사한 문제가 발생된다.
통상 탄성표면파 장치에 있어서, 탄성표면파 소자의 표면(탄성표면파 전파면) 상의 전극이 자유 진동할 수 있는 공간이 필요하다. 하지만, 반도체 장치 등의 형성에 이용되는 수지를 탄성표면파 소자와 베이스 부재와의 공간에 충전할 수 없기 때문에, 금속 범프 상에 집중된 응력을 경감하거나 완화시킬 수 없고, 결국 접합 강도를 향상할 수 없게 된다. 따라서, 탄성표면파 장치의 신뢰성을 향상시키기 위해서는 금속 범프 상에 가해지는 응력을 저감하는 것이 매우 중요하다.
상술한 문제를 극복하기 위하여, 본 발명의 특정 구현예에서는 베이스 부재와 캡 부재를 접합 공정 동안에 금속 범프 상에 미치는 응력을 최소화여, 금속 범프 접합부에서 발생하는 문제를 방지하고, 이것에 의해 신뢰성에서 우수한 탄성표면파 장치의 제조방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 특정 구현예에 따라 제조된 탄성표면파 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 특정 구현예에 따라 제조된 탄성표면파 소자의 평면도이다.
도 3은 종래의 탄성표면파 장치를 형성하기 위하여 베이스 부재와 캡 부재가 함께 접합되는 공정 동안에 발생되는 변형을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10 ... 베이스 부재
12 ... 전극 선로
20 ... 탄성표면파 소자
25 ... 전극 패턴
30 ... 캡 부재
51 ... 금속 범프
52 ... 땜납 재료
본 발명에 따른 특정 구현예의 탄성표면파 장치의 제조방법은, 탄성표면파 소자가 베이스 부재의 오목부 저면에 페이스 다운 구조로 고정되도록 융점이 약 450℃ 이상인 금속 범프에 의해 탄성표면파 소자와 베이스 부재를 범프 접합하는 공정; 및 상기 베이스 부재와 캡 부재를 왁스 재료(wax material)와 함께 접합할 때에 왁스 재료의 융점보다도 높은 온도에서 베이스 부재와 캡 부재를 균일하게 가열하여 왁스 재료를 용융시켜서 베이스 부재와 캡 부재를 접합하는 공정을 포함한다.
상술한 제조방법의 용도에 의하면, 베이스 부재와 캡 부재와의 접합공정 동안에 상술한 상이한 부재들 사이에서 온도차가 발생하지 않기 때문에, 냉각 후에 탄성표면파 장치에 작용하는 잔류 응력이 최소화되고, 이와 같이 금속 범프 접합부상의 응력을 대폭 저감시킬 수 있다. 이러한 이유로, 금속 범프의 파손과 범프 접합부에 접속된 전극의 파손을 매우 확실하게 감소시키고, 금속 범프 또는 범프 접속부의 벗겨짐 등의 접속 문제를 크게 감소시킬 수 있다. 한편, 탄성표면파 소자는 베이스 부재에 강하게 지지 고정되면서 전기적으로 접속되기 위하여 미리 융점 450℃ 이상의 금속 범프에 의해 범프 접합되거나 결합될 수 있다.
왁스 재료로서는 땜납(solder), Au-Sn합금, 또는 약 450℃ 이하의 연화점을 가진 저융점 유리가 이용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 특정 구현예에 따른 탄성표면파 소자는, 약 450℃ 이상의 융점을 가진 금속 범프를 통해 베이스 부재 위에 강하게 접속되고 고정되며, 베이스 부재와 캡 부재가 접합되도록 탄성표면파 장치 전체가 균일하게 가열된다. 이것에 의해서, 금속 범프 접합부상에 미치는 응력을 상당히 감소시킬 수 있다. 따라서, 금속 범프와 범프 접합부에 발생하던 접속 문제를 방지할 수 있고 이것에 의해서 높은 신뢰성의 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
본 발명을 명백하게 나타내기 위하여 도면들을 첨부하여 나타내었지만, 본 발명은 도시된 특정 장치와 수단으로 한정되지는 않는다.
이하, 본 발명의 특정 구현예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 특정 구현예에 따라 제조된 탄성표면파 장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 탄성표면파 소자를 도시한 평면도이다.
본 구현예의 탄성표면파 장치에서, 탄성표면파 소자 20의 복수개의 전극 패드(pads) 25와 베이스 부재 10의 오목부 내의 상면에 형성된 복수개의 전극 랜드(lands) 12는 페이스 다운 구조(face-down configuration)로 금속 범프 51을 통해 범프 접합된다. 탄성표면파 소자 20은 베이스 부재 10 위에 지지 고정되고 동시에 전기적으로 접속된다. 또한, 탄성표면파 소자 20을 덮도록 캡 부재 30이 고융점 왁스를 포함한 왁스 재료 52를 통해 베이스 부재 10에 접합된다. 이와 같이, 탄성표면파 소자 20은 베이스 부재 10와 캡 부재 30으로 형성된 패키지 내(공간 내)에 기밀 봉지된다. 이러한 탄성표면파 장치에 있어서, 탄성표면파 소자 20의 탄성표면파 전파면과 베이스 부재 10과의 사이에는 도 1에 도시된 바와 같이 탄성표면파를 더욱 효율 좋게 전파하기 위한 갭(gap; 공간)이 제공된다.
상술한 탄성표면파 소자 20은 도 2에 도시한 바와 같이, 압전기판 21을 포함한다. 압전기판 21의 상면에는 IDT(interdigital transducer) 전극 22, 반사기 전극 23, 각 IDT 전극 22로부터 인출된 인출 전극 24, 및 각 인출 전극 24에 접속된 전극 패드 25를 포함하는 전극 패턴이 형성된다. 이 전극 패턴은 Al 또는 Al을 함유한 합금으로 이루어지고 주지의 박막 형성법에 의해 적절하게 형성된다. 압전 기판 21로서는, 티탄산리튬(lithium tantalate), 니오브산리튬(lithium niobate) 등의 적절한 압전성 재료가 사용될 수 있다.
베이스 부재 10은, 오목 구조이고 복수개의 세라믹 층을 적층하여 적절하게 형성되며, 그의 하면, 즉 오목부의 내면 및 내부에 인출된 복수개의 전극 랜드 12를 포함한 입출력 전극 패턴과 접지 전극 패턴을 포함한다. 도면에 도시되어 있지는 않지만, 베이스 부재 10의 하면에는 입력 및 출력 단자 전극이 제공된다. 이 탄성표면파 장치는 베이스 부재 10의 하면을 실장면으로서 이용하여 실장 기판(회로 기판) 상에 실장될 수 있다.
캡 부재 30은 Fe-Ni합금, 또는 Fe이나 다른 적당한 재료를 함유한 합금으로 구성된 금속판이며, 필요에 따라 도금 처리될 수 있다.
이 탄성표면파 장치는 다음의 방법으로 제조되는 것이 바람직하다. 먼저, 탄성표면파 소자 20의 각 전극 패드 25위에 Au 또는 Au를 주성분으로 함유한 재료로 제조된 각 금속 범프 51을 볼 본딩법(ball-bonding method)에 의해 형성한다. 그런 다음, 탄성표면파 소자 20을 페이스 다운(face down) 방식, 즉 IDT 와 다른 전극을 포함하는 탄성표면파 전파면이 베이스 부재 10에 대향하도록 배치시키고, 초음파와 열을 동시에 인가한다. 이러한 방법에서, 각 전극 패드 25와 그것에 대응하는 베이스 부재 10의 각 전극 랜드 12는 금속 범프 51을 통하여 함께 접합되고, 이것에 의하여 탄성표면파 소자 20을 베이스 부재 10에 접속·고정한다.
상술한 각 금속 범프 51의 재료는 Au로 한정되지 않으며, 베이스 부재 10과 캡 부재 30을 함께 접합하기 위한 후공정 동안에 금속 재료가 쉽게 용융 또는 연화되지 않고 융점이 약 450℃ 이상인 재료가 적절하게 이용될 수 있다.
상술한 범프 접합에서는 초음파와 열을 동시에 인가한 공법으로 설명하였지만, 초음파만 또는 열만을 인가하여 범프 접합을 실시하는 공법도 이용할 수 있다. 또한, 금속 범프 형성 방법은 볼 본딩 공법으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 도금 처리를 포함한 범프 형성법 등의 다른 금속 범프 형성법을 이용할 수도 있다.
다음으로, 미리 왁스 재료 52로 형성된 고융점 왁스를 압착한 캡 부재 30을 베이스 부재 10 위에 놓는다. 그런 다음, 캡 부재 30과 베이스 부재 10을 리플로우 로(reflow furnace)에 투입하여, 도 1에 화살표로 나타낸 바와 같이 베이스 부재 10, 탄성표면파 소자 20 및 캡 부재 30 전체를 왁스 재료 52의 융점보다도 높은 온도로 균일하게 가열하고, 이것에 의하여 왁스 재료 52를 용융하고 베이스 부재 10과 캡 부재 30이 서로 접합되도록 한다. 이때, 가열 온도는 범프가 용융되지 않는 약 450℃ 이하가 바람직하다.
이와 같이, 본 특정 구현예에 따른 탄성표면파 장치의 제조방법에 의하면, 탄성표면파 장치 전체를 균일하게 가열하여 베이스 부재와 캡 부재를 접합하기 때문에, 접합시에 상이한 부재 사이에서 온도차가 방생하지 않는다. 따라서, 냉각 후에 탄성표면파 장치에 작용하는 잔류 응력은 매우 작아져 최소화 되며, 이것으로 금속 범프 접합부에 가해지는 응력은 대폭 저감된다. 이러한 이유로, 금속 범프의 파손과 범프 접합부에 접속된 전극의 파손을 크게 감소시키고, 이들 부재의 벗겨짐 등의 접속 문제를 대폭 저감할 수 있으며, 이것에 의하여 수율을 향상시키고 고장율을 감소시키며 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.
왁스 재료로서는, 상술한 땜납 이외에, Au-Su합금 또는 저융점 유리를 이용할 수도 있다. 또한, 상술한 구현예에서는 캡 부재에 왁스 재료를 압착한 경우에 대하여 설명하였지만, 베이스 부재에 왁스 재료를 미리 형성하도록 할 수도 있고, 다른 한편으로 인쇄에 의해 형성하도록 할 수도 있다.
또한, 상술한 구현예에서는, 베이스 부재와 캡 부재와의 접합에 리플로우 로를 이용한 경우에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이것으로 한정되지는 않는다. 탄성표면파 장치 전체를 균일하게 가열할 수 있는 가열로 또는 오븐(oven)을 사용할 수도 있다.
또한, 캡 부재의 재료는 Fe-Ni합금 또는 Fe를 함유한 합금으로 한정되지 않고, 왁스 재료와의 사이에서 우수한 기밀성(airtight sealing property)을 얻을 수 있는 재료이면 사용가능하다. 또, 캡 부재를 형성하기 위한 재료는 금속으로 한정되지 않고, 캡 부재를 형성하기 위하여 세라믹을 이용할 수 있으며, 이런 경우에, 왁스 재료로서는 저융점 유리를 이용할 수도 있다. 또한, 금속으로 형성된 베이스 부재를 이용할 수도 있다.
또한, 베이스 부재 및 캡 부재의 형상은 상술한 구현예에 도시된 것으로 한정되지 않고, 예를 들어, 평판 형상의 베이스 부재와 오목 형상의 캡 부재로 패키지를 형성할 수도 있다. 또, 탄성표면파 소자의 전극 패턴도 상술한 구현예에 도시된 것으로 한정되지는 않는다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 탄성표면파 소자는 융점이 450℃ 이상의 금속 패턴에 의해 베이스 부재에 강하게 접속·고정하고, 또한 탄성표면파 장치 전체를 균일하게 가열하고 베이스 부재와 캡 부재와의 접합을 실시하여, 금속 범프 접합부에 가해지는 응력을 대폭 저감하고 있지 때문에, 금속 범프와 범프 접합부에서의 접합 불량 상태의 발생을 대폭 저감할 수 있고, 신뢰성이 높은 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
본 발명을 구현예를 개시하였지만, 여기에 개시된 기술적 사상을 이용한 다양한 변형이 본원의 특허청구범위 내에서 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 본원 특허청구범위로 한정된다.

Claims (20)

  1. 탄성표면파 소자가 베이스 부재의 오목부 저면에 페이스 다운(face down) 구조로 고정되도록 융점이 약 450℃ 이상인 범프 51을 통해 탄성표면파 소자와 베이스 부재를 범프 접합하는 공정; 및
    상기 베이스(base) 부재와 캡(cap) 부재를 왁스(wax) 재료의 융점보다도 높은 온도에서 균일하게 가열하고 이들 사이에 제공된 상기 왁스 재료를 용융시켜서 상기 베이스 부재와 캡 부재를 상기 왁스 재료로 접합하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 왁스 재료는 땜납(solder), Au-Sn합금, 및 저용점 유리로 이루어진 그룹에서 선택됨을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 탄성표면파 소자에는 복수개의 전극 패드들(pads)이 제공되고 상기 베이스 부재의 오목부 저면에는 복수개의 전극 랜드(lands)이 제공되며, 상기 범프는 상기 전극 패드들과 상기 전극 랜드들을 접속함을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 범프 접합 공정에 사용된 범프들은 금속으로 형성됨을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 탄성표면파 소자는 상기 베이스 부재와 캡 부재로 형성된 패키지 내에 기밀 봉지됨을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 탄성표면파 소자와 베이스 부재와의 사이에는 갭(gap)이 형성됨을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 탄성표면파 소자는 압전 기판, 인터디지탈 트랜스듀서 전극들, 반사기 전극들, 상기 인터디지탈 트랜스듀서 전극들로부터 인출된 인출 전극들, 및 상기 인출 전극들과 접속된 전극 패드들을 포함함을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 압전 기판은 티탄산리튬(lithium tantalate)과 니오브산리튬(lithium niobate) 중의 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 전극 패턴은 Al과 Al을 함유한 합금 중의 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 베이스 부재는 오목 구조임을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 베이스 부재는 복수개의 세라믹 층들을 적층하여 형성됨을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 캡 부재는 Fe-Ni 합금 및 Fe를 함유한 합금 중의 하나로 이루어진 금속판을 포함함을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 탄성표면파 소자가 상기 베이스 부재의 오목부의 저면에 페이스 다운 구조로 고정되도록 상기 탄성표면파 소자와 베이스 부재에 초음파와 열을 동시에 인가하는 공정을 더 포함함을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 탄성표면파 소자에는 복수개의 전극 패드들이 제공되고 상기 베이스 부재의 오목부 저면에는 복수개의 전극 랜드들이 제공되며, 상기 초음파와 열의 인가 후에 각 전극 패드는 범프를 통해 상기 전극 랜드들 중의 하나에 접합됨을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 탄성표면파 소자가 상기 베이스 부재의 오목부의 저면에 페이스 다운 구조로 고정되도록 상기 탄성표면파 소자와 베이스 부재에 초음파와 열 중의 하나를 인가하는 공정을 더 포함함을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 탄성표면파 소자에는 복수개의 전극 패드들이 제공되고 상기 베이스 부재의 오목부 저면에는 복수개의 전극 랜드들이 제공되며, 상기 초음파와 열 중의 하나의 인가 후에 각 전극 패드는 범프를 통해 상기 전극 랜드들 중의 하나에 접합됨을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  17. 제 1항에 있어서, 상기 범프들은 Au를 함유한 재료로 형성됨을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  18. 제 1항에 있어서, 상기 범프 본딩 공정은 볼 본딩 공정(ball-bonding process)임을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  19. 제 1항에 있어서, 상기 캡 부재와 상기 베이스 부재를 리플로우 로(reflow furnace) 속에 놓고 상기 왁스 재료의 융점보다 높은 온도로 상기 베이스 부재, 상기 탄성표면파 소자 및 상기 캡 부재를 실질적으로 균일하게 가열하는 공정을 더 포함함을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 범프는 상기 가열중에 용융되지 않음을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100608448B1 (ko) * 2003-04-23 2006-08-03 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 표면 실장형 전자부품의 광체 구조
WO2007061216A1 (en) * 2005-11-24 2007-05-31 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for bonding between electrical devices using ultrasonic vibration

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3702961B2 (ja) * 2002-10-04 2005-10-05 東洋通信機株式会社 表面実装型ｓａｗデバイスの製造方法
JP3689414B2 (ja) * 2003-06-03 2005-08-31 東洋通信機株式会社 弾性表面波デバイスの製造方法
WO2012026319A1 (ja) 2010-08-24 2012-03-01 株式会社村田製作所 超音波発生装置
WO2012127979A1 (ja) * 2011-03-22 2012-09-27 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール
JP2013046167A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Seiko Epson Corp 振動デバイス、及び振動デバイスの製造方法
WO2013051400A1 (ja) * 2011-10-03 2013-04-11 株式会社村田製作所 超音波発生装置
WO2014021079A1 (ja) 2012-08-01 2014-02-06 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品モジュール

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5992552A (ja) * 1982-11-19 1984-05-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS62181517A (ja) * 1986-02-05 1987-08-08 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
EP0349756A3 (en) * 1988-05-30 1991-03-20 Canon Kabushiki Kaisha Method of making electric circuit device
JPH04196324A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Hitachi Ltd バンプ形成方法及び装置並びにこれを適用した電子装置
JPH06350376A (ja) * 1993-01-25 1994-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気密封止された圧電デバイスおよび気密封止パッケージ
US5459368A (en) * 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
JPH07154185A (ja) 1993-10-04 1995-06-16 Nec Corp 弾性表面波装置およびその製造方法
FR2714200B1 (fr) * 1993-11-25 1996-12-27 Fujitsu Ltd Dispositif à onde acoustique de surface et son procédé de fabrication.
US5939817A (en) * 1994-09-22 1999-08-17 Nippon Electric Co Surface acoustic wave device
JP3171043B2 (ja) 1995-01-11 2001-05-28 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3301262B2 (ja) * 1995-03-28 2002-07-15 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
JP3328102B2 (ja) * 1995-05-08 2002-09-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH09232899A (ja) 1996-02-23 1997-09-05 Rohm Co Ltd 電子素子のパッケージ実装方法
JPH1032460A (ja) 1996-07-18 1998-02-03 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JPH1098352A (ja) 1996-09-24 1998-04-14 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波デバイス
JPH10256415A (ja) 1997-03-10 1998-09-25 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電デバイスのパッケージ構造
JPH10256409A (ja) 1997-03-10 1998-09-25 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電デバイスのパッケージの製造方法
JPH10313227A (ja) 1997-05-13 1998-11-24 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JPH11204681A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Sumitomo Metal Smi Electron Devices Inc セラミックパッケージの製造方法
US6321444B1 (en) * 2000-04-11 2001-11-27 Japan Radio Co., Ltd. Method of making surface acoustic wave device
US6388545B1 (en) 1998-05-29 2002-05-14 Fujitsu Limited Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band
US6329739B1 (en) * 1998-06-16 2001-12-11 Oki Electric Industry Co., Ltd. Surface-acoustic-wave device package and method for fabricating the same
JP2000286526A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Murata Mfg Co Ltd 表面実装構造及びその表面実装構造に用いられる表面実装型電子部品
JP3351402B2 (ja) * 1999-04-28 2002-11-25 株式会社村田製作所 電子素子、弾性表面波素子、それらの実装方法、電子部品または弾性表面波装置の製造方法、および、弾性表面波装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100608448B1 (ko) * 2003-04-23 2006-08-03 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 표면 실장형 전자부품의 광체 구조
WO2007061216A1 (en) * 2005-11-24 2007-05-31 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for bonding between electrical devices using ultrasonic vibration

Also Published As

Publication number Publication date
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US6543109B1 (en) 2003-04-08
JP3339450B2 (ja) 2002-10-28

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