JPH11354587A - 発振器のフリップチップ実装方法 - Google Patents
発振器のフリップチップ実装方法Info
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- JPH11354587A JPH11354587A JP17543098A JP17543098A JPH11354587A JP H11354587 A JPH11354587 A JP H11354587A JP 17543098 A JP17543098 A JP 17543098A JP 17543098 A JP17543098 A JP 17543098A JP H11354587 A JPH11354587 A JP H11354587A
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- Japan
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- package
- flip
- chip
- conductive adhesive
- pads
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発振回路を構成するＩＣと、圧電振動子をパ
ッケージ内に気密封止した構造の発振器において、ＩＣ
をパッケージ内底面のパッド上にフリップチップ実装す
る際に種々の不利不便をもたらす導電性接着剤による実
装を行うことなく、確実な実装強度を得ることができる
ようにした発振器のフリップチップ実装方法を提供する
こと。 【解決手段】 パッケージ内にＩＣ４と、圧電振動子５
を気密的に封止した発振器１であって、ＩＣがパッケー
ジ内底面のランド上にフリップチップ実装されるものに
おいて、ＩＣに設けたバンプ１０をランド上に実装する
方法として、超音波を併用した熱圧着法を用いた。
ッケージ内に気密封止した構造の発振器において、ＩＣ
をパッケージ内底面のパッド上にフリップチップ実装す
る際に種々の不利不便をもたらす導電性接着剤による実
装を行うことなく、確実な実装強度を得ることができる
ようにした発振器のフリップチップ実装方法を提供する
こと。 【解決手段】 パッケージ内にＩＣ４と、圧電振動子５
を気密的に封止した発振器１であって、ＩＣがパッケー
ジ内底面のランド上にフリップチップ実装されるものに
おいて、ＩＣに設けたバンプ１０をランド上に実装する
方法として、超音波を併用した熱圧着法を用いた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発振回路を構成す
るＩＣと、圧電振動子をパッケージ内に気密封止した構
造の発振器の改良に関し、詳細にはＩＣをパッケージ内
底面のパッド上にフリップチップ実装する際に種々の不
利不便をもたらす導電性接着剤による実装を行うことな
く、確実な実装強度を得ることができるようにした発振
器のフリップチップ実装方法に関する。
るＩＣと、圧電振動子をパッケージ内に気密封止した構
造の発振器の改良に関し、詳細にはＩＣをパッケージ内
底面のパッド上にフリップチップ実装する際に種々の不
利不便をもたらす導電性接着剤による実装を行うことな
く、確実な実装強度を得ることができるようにした発振
器のフリップチップ実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２はパッケージ内にＩＣと圧電振動子
を気密封止した構造の発振器を示しており、この発振器
１は、パッケージ本体２の凹所３の内部に発振回路等を
構成するＩＣ４と、圧電振動子５を支持すると共に、凹
所３の開口を金属蓋６によって気密封止した構成を有す
る。ＩＣ４は、例えば半導体基板に形成した電極に金バ
ンプ１０を備えたフリップチップタイプのベアチップで
あり、パッケージ内底面に位置するパッド１１上にバン
プ１０を載置した状態で導電性接着剤９により接着固定
される。パッド１１はパッケージ外底面に露出した電極
１２と電気的に接続されている。圧電振動子５は、パッ
ケージ本体２内の段差２ａ上に導電性接着剤１３により
接合されている。圧電振動子５は、圧電素板上に励振電
極を形成した構成を有し、各励振電極は段差２ａ上に形
成したパッド１４を介してパッケージ内底面に設けた前
記パッド１１と接続されている。金属蓋６はパッケージ
本体２の外枠上面に設けた金属部分とシーム溶接により
接合される。ところで、上記バンプ１０は金等から成る
直径９０〜１００μｍ程度の粒であり、このバンプをパ
ッド１１上に接合する為に用いる導電性接着剤９の量は
極めて僅少である。このため、導電性接着剤９による接
合力は十分では無く、機械的衝撃や熱衝撃によってバン
プをパッドから剥離させる事態が発生する。また、ＩＣ
４をパッド１１上に搭載する際には、予めパッド１１上
に微量の導電性接着剤９を塗布した状態で搭載が行われ
るが、導電性接着剤を硬化させるためには炉内において
百数十度にて加熱して硬化させる必要がある。従って、
ＩＣを搭載したパッケージを炉内に入れるための移送の
段階でＩＣの位置がずれる虞れがある。
を気密封止した構造の発振器を示しており、この発振器
１は、パッケージ本体２の凹所３の内部に発振回路等を
構成するＩＣ４と、圧電振動子５を支持すると共に、凹
所３の開口を金属蓋６によって気密封止した構成を有す
る。ＩＣ４は、例えば半導体基板に形成した電極に金バ
ンプ１０を備えたフリップチップタイプのベアチップで
あり、パッケージ内底面に位置するパッド１１上にバン
プ１０を載置した状態で導電性接着剤９により接着固定
される。パッド１１はパッケージ外底面に露出した電極
１２と電気的に接続されている。圧電振動子５は、パッ
ケージ本体２内の段差２ａ上に導電性接着剤１３により
接合されている。圧電振動子５は、圧電素板上に励振電
極を形成した構成を有し、各励振電極は段差２ａ上に形
成したパッド１４を介してパッケージ内底面に設けた前
記パッド１１と接続されている。金属蓋６はパッケージ
本体２の外枠上面に設けた金属部分とシーム溶接により
接合される。ところで、上記バンプ１０は金等から成る
直径９０〜１００μｍ程度の粒であり、このバンプをパ
ッド１１上に接合する為に用いる導電性接着剤９の量は
極めて僅少である。このため、導電性接着剤９による接
合力は十分では無く、機械的衝撃や熱衝撃によってバン
プをパッドから剥離させる事態が発生する。また、ＩＣ
４をパッド１１上に搭載する際には、予めパッド１１上
に微量の導電性接着剤９を塗布した状態で搭載が行われ
るが、導電性接着剤を硬化させるためには炉内において
百数十度にて加熱して硬化させる必要がある。従って、
ＩＣを搭載したパッケージを炉内に入れるための移送の
段階でＩＣの位置がずれる虞れがある。
【０００３】また、パッケージ内にＩＣと圧電振動子を
収容して金属蓋により気密封止した後に、熱歪みを解消
させたり、導電性接着剤からガスを放出させて早期に安
定した状態に移行させる（加速エージングする）ため
に、アニール工程が実施され、このアニール工程におい
ては例えば２００℃以上での加熱が行われる。導電性接
着剤は、硬化の為に炉内で百数十度に加熱され、冷却に
よる収縮時に接着剤中に含まれる微小粒状の銀フィラー
同士が接触して溶融し導通状態になるが、その後のアニ
ール工程で二百数十度で再度加熱されると接着剤が過大
に膨張するので一旦導通状態になった銀成分が部分的に
接点不良を起こし、導通がなくなる虞れがある。また、
ＩＣ４がベアチップである場合に、ＩＣチップを構成す
るシリコンとパッケージを構成する材料の熱膨張係数が
異なる場合には、導電性接着剤を硬化させるための加熱
工程や、アニールのための加熱工程において、熱膨張係
数の差に起因してＩＣチップに熱歪みが加わり、バンプ
の位置ずれ、剥離、ＩＣチップの破損、回路の損傷等、
種々の不具合をもたらす。
収容して金属蓋により気密封止した後に、熱歪みを解消
させたり、導電性接着剤からガスを放出させて早期に安
定した状態に移行させる（加速エージングする）ため
に、アニール工程が実施され、このアニール工程におい
ては例えば２００℃以上での加熱が行われる。導電性接
着剤は、硬化の為に炉内で百数十度に加熱され、冷却に
よる収縮時に接着剤中に含まれる微小粒状の銀フィラー
同士が接触して溶融し導通状態になるが、その後のアニ
ール工程で二百数十度で再度加熱されると接着剤が過大
に膨張するので一旦導通状態になった銀成分が部分的に
接点不良を起こし、導通がなくなる虞れがある。また、
ＩＣ４がベアチップである場合に、ＩＣチップを構成す
るシリコンとパッケージを構成する材料の熱膨張係数が
異なる場合には、導電性接着剤を硬化させるための加熱
工程や、アニールのための加熱工程において、熱膨張係
数の差に起因してＩＣチップに熱歪みが加わり、バンプ
の位置ずれ、剥離、ＩＣチップの破損、回路の損傷等、
種々の不具合をもたらす。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、発振回路を構成するＩＣと、圧電振動子を
パッケージ内に気密封止した構造の発振器において、Ｉ
Ｃをパッケージ内底面のパッド上にフリップチップ実装
する際に種々の不利不便をもたらす導電性接着剤による
実装を行うことなく、確実な実装強度を得ることができ
るようにした発振器のフリップチップ実装方法を提供す
ることにある。即ち、導電性接着剤によりＩＣをフリッ
プチップ実装した場合には、接合強度の低下、ＩＣ側の
バンプとパッケージ側のパッドとの位置ずれ、アニール
工程における導電性接着剤による接続状態の悪化、パッ
ケージ材料とＩＣ材料との間の熱膨張係数差に起因した
バンプの位置ずれ、剥離、ＩＣチップのダメージ発生等
という不具合が発生するが、本発明では導電性接着剤を
用いることなく、超音波を併用した熱圧着によりフリッ
プチップ実装を行うので、上記不具合を全て解消するこ
とができる。
する課題は、発振回路を構成するＩＣと、圧電振動子を
パッケージ内に気密封止した構造の発振器において、Ｉ
Ｃをパッケージ内底面のパッド上にフリップチップ実装
する際に種々の不利不便をもたらす導電性接着剤による
実装を行うことなく、確実な実装強度を得ることができ
るようにした発振器のフリップチップ実装方法を提供す
ることにある。即ち、導電性接着剤によりＩＣをフリッ
プチップ実装した場合には、接合強度の低下、ＩＣ側の
バンプとパッケージ側のパッドとの位置ずれ、アニール
工程における導電性接着剤による接続状態の悪化、パッ
ケージ材料とＩＣ材料との間の熱膨張係数差に起因した
バンプの位置ずれ、剥離、ＩＣチップのダメージ発生等
という不具合が発生するが、本発明では導電性接着剤を
用いることなく、超音波を併用した熱圧着によりフリッ
プチップ実装を行うので、上記不具合を全て解消するこ
とができる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、請求項１の発明は、パッケージ内にＩＣと、圧電振
動子を気密的に封止した発振器であって、上記ＩＣがパ
ッケージ内底面のランド上にフリップチップ実装される
ものにおいて、上記ＩＣに設けたバンプを上記ランド上
に実装する方法として、超音波を併用した熱圧着法を用
いたことを特徴とする。請求項２の発明は、上記パッケ
ージの材質として、上記ＩＣを構成するチップの基板の
熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有した材質を用いた
ことを特徴とする。
め、請求項１の発明は、パッケージ内にＩＣと、圧電振
動子を気密的に封止した発振器であって、上記ＩＣがパ
ッケージ内底面のランド上にフリップチップ実装される
ものにおいて、上記ＩＣに設けたバンプを上記ランド上
に実装する方法として、超音波を併用した熱圧着法を用
いたことを特徴とする。請求項２の発明は、上記パッケ
ージの材質として、上記ＩＣを構成するチップの基板の
熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有した材質を用いた
ことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した形態
例により詳細に説明する。図１は本発明を適用する発振
器の構成を示す断面図であり、この発振器が図２のもの
と異なる点は、ベアチップから成るＩＣをパッケージ内
底面のパッド上にフリップチップ実装する際に、導電性
接着剤を用いる代わりに、超音波を併用した熱圧着法を
用いるようにした点にある。即ち、図１(a) に示すよう
にパッケージ本体２の内底面に形成した金パッド１１上
に実装するＩＣ４は、シリコン基板から成るベアチップ
上の電極に金バンプ１０を固定したものであり、(b) に
示すように各金バンプ１０を各パッド１１に対応させて
載置してから治具２０にて加圧しつつ熱と、超音波を加
えて熱圧着を行う。この熱圧着によって金バンプ１０が
溶融して金パッド１１と融着する。
例により詳細に説明する。図１は本発明を適用する発振
器の構成を示す断面図であり、この発振器が図２のもの
と異なる点は、ベアチップから成るＩＣをパッケージ内
底面のパッド上にフリップチップ実装する際に、導電性
接着剤を用いる代わりに、超音波を併用した熱圧着法を
用いるようにした点にある。即ち、図１(a) に示すよう
にパッケージ本体２の内底面に形成した金パッド１１上
に実装するＩＣ４は、シリコン基板から成るベアチップ
上の電極に金バンプ１０を固定したものであり、(b) に
示すように各金バンプ１０を各パッド１１に対応させて
載置してから治具２０にて加圧しつつ熱と、超音波を加
えて熱圧着を行う。この熱圧着によって金バンプ１０が
溶融して金パッド１１と融着する。
【０００７】ＩＣ４のフリップチップ実装後に、圧電振
動子５を段差２ａ上に導電性接着剤１３を用いて固定
し、更にパッケージ本体２の外枠上面に金属蓋６を固着
してパッケージを気密封止する。このような手順で製造
された発振器にあっては、ＩＣ４の実装工程を超音波を
併用した熱圧着により行うので、導電性接着剤を用いた
従来方法のように未硬化状態にある導電性接着剤によっ
てＩＣをパッド上に載置した状態での移送を行う必要が
ないので、位置ずれの虞れが皆無となる。また、本発明
方法により接合されたバンプ１０とパッド１１との間の
接合強度は十分に強力なものとなり、機械的衝撃や熱衝
撃によって剥離する虞れがなくなる。また、導電性接着
剤を用いた場合に、アニール工程において導電性接着剤
が再加熱される時に導通を失うという不具合もなくな
る。なお、超音波を併用しない単なる熱圧着法を用いた
場合には、十分な接合強度を得ることができにくく、十
分な接合強度を得ようとすれば大きな荷重と熱量を加え
る必要があるので、バンプがつぶれたり、ＩＣ基板や基
板上の回路が破損される虞れがある。上記形態例では、
ベアチップから成るＩＣ４をパッケージ本体内にフリッ
プチップ実装する場合を例示したが、通常のパッケージ
化されたＩＣをフリップチップ実装する場合にも本発明
の実装方法を適用することができる。
動子５を段差２ａ上に導電性接着剤１３を用いて固定
し、更にパッケージ本体２の外枠上面に金属蓋６を固着
してパッケージを気密封止する。このような手順で製造
された発振器にあっては、ＩＣ４の実装工程を超音波を
併用した熱圧着により行うので、導電性接着剤を用いた
従来方法のように未硬化状態にある導電性接着剤によっ
てＩＣをパッド上に載置した状態での移送を行う必要が
ないので、位置ずれの虞れが皆無となる。また、本発明
方法により接合されたバンプ１０とパッド１１との間の
接合強度は十分に強力なものとなり、機械的衝撃や熱衝
撃によって剥離する虞れがなくなる。また、導電性接着
剤を用いた場合に、アニール工程において導電性接着剤
が再加熱される時に導通を失うという不具合もなくな
る。なお、超音波を併用しない単なる熱圧着法を用いた
場合には、十分な接合強度を得ることができにくく、十
分な接合強度を得ようとすれば大きな荷重と熱量を加え
る必要があるので、バンプがつぶれたり、ＩＣ基板や基
板上の回路が破損される虞れがある。上記形態例では、
ベアチップから成るＩＣ４をパッケージ本体内にフリッ
プチップ実装する場合を例示したが、通常のパッケージ
化されたＩＣをフリップチップ実装する場合にも本発明
の実装方法を適用することができる。
【０００８】次に、パッケージ本体２を構成する材料と
して、ＩＣ４を構成する基板材料と同等の熱膨張係数を
有したものを使用することにより、アニール工程等にお
いて、パッケージ本体２とＩＣ基板の構成材料との熱膨
張係数差に起因した機械的歪みがＩＣ基板に加わって、
基板や基板上の回路にダメージをもたらしたり、バンプ
の位置ずれ、剥離、離脱をもたらすという不具合を解消
することができる。例えば、ＩＣ４の基板材料としてシ
リコンを用いた場合には、パッケージ本体２の材料とし
ては、セラミックス、例えば、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ2 ）
や、ガラスセラミックス等を用いることが有効である。
なお、ＩＣ４のサイズが大きい場合には、ＩＣチップと
パッケージ本体の熱膨張係数差に起因したバンプの位置
ずれ、基板や回路に対するダメージ発生を懸念する必要
が大きいが、発振器中に収容されるＩＣ４はそのサイズ
が極めて小型（例えば、縦：１．３ｍｍ，横：０．８ｍ
ｍ，厚さ：０．２２ｍｍ）であるため、アニール工程に
おいて加えられる熱によって発生する膨張差がバンプ位
置や、ＩＣチップに与える影響は極めて少ないものとな
る。
して、ＩＣ４を構成する基板材料と同等の熱膨張係数を
有したものを使用することにより、アニール工程等にお
いて、パッケージ本体２とＩＣ基板の構成材料との熱膨
張係数差に起因した機械的歪みがＩＣ基板に加わって、
基板や基板上の回路にダメージをもたらしたり、バンプ
の位置ずれ、剥離、離脱をもたらすという不具合を解消
することができる。例えば、ＩＣ４の基板材料としてシ
リコンを用いた場合には、パッケージ本体２の材料とし
ては、セラミックス、例えば、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ2 ）
や、ガラスセラミックス等を用いることが有効である。
なお、ＩＣ４のサイズが大きい場合には、ＩＣチップと
パッケージ本体の熱膨張係数差に起因したバンプの位置
ずれ、基板や回路に対するダメージ発生を懸念する必要
が大きいが、発振器中に収容されるＩＣ４はそのサイズ
が極めて小型（例えば、縦：１．３ｍｍ，横：０．８ｍ
ｍ，厚さ：０．２２ｍｍ）であるため、アニール工程に
おいて加えられる熱によって発生する膨張差がバンプ位
置や、ＩＣチップに与える影響は極めて少ないものとな
る。
【０００９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、発振回路
を構成するＩＣと、圧電振動子をパッケージ内に気密封
止した構造の発振器において、ＩＣをパッケージ内底面
のパッド上にフリップチップ実装する際に種々の不利不
便をもたらす導電性接着剤による実装を行うことなく、
超音波を併用した熱圧着方法を用いることにより確実な
実装強度を得ることができる。即ち、導電性接着剤によ
りＩＣをフリップチップ実装した場合には、接合強度の
低下、ＩＣ側のバンプとパッケージ側のパッドとの位置
ずれ、アニール工程における導電性接着剤による接続状
態の悪化、パッケージ材料とＩＣ材料との間の熱膨張係
数差に起因したバンプの位置ずれ、剥離や、ＩＣチップ
のダメージ発生等という不具合が発生するが、本発明で
は導電性接着剤を用いることなく、超音波を併用した熱
圧着によりフリップチップ実装を行うので、上記不具合
を全て解消することができる。また、導電性接着剤にあ
っては、バンプとパッドとの間に塗布しただけでは、接
着力が生じないので、炉内に搬送して炉内で百数十度に
て加熱する必要があり、炉内への移送時にバンプが位置
ずれを起こすことが多かったが、本発明では導電性接着
剤を用いる代わりに、ＩＣのバンプをパッド上に搭載す
ると同時に超音波を併用した熱圧着を実施するので、移
送時に位置ずれが発生する余地がなくなる。
を構成するＩＣと、圧電振動子をパッケージ内に気密封
止した構造の発振器において、ＩＣをパッケージ内底面
のパッド上にフリップチップ実装する際に種々の不利不
便をもたらす導電性接着剤による実装を行うことなく、
超音波を併用した熱圧着方法を用いることにより確実な
実装強度を得ることができる。即ち、導電性接着剤によ
りＩＣをフリップチップ実装した場合には、接合強度の
低下、ＩＣ側のバンプとパッケージ側のパッドとの位置
ずれ、アニール工程における導電性接着剤による接続状
態の悪化、パッケージ材料とＩＣ材料との間の熱膨張係
数差に起因したバンプの位置ずれ、剥離や、ＩＣチップ
のダメージ発生等という不具合が発生するが、本発明で
は導電性接着剤を用いることなく、超音波を併用した熱
圧着によりフリップチップ実装を行うので、上記不具合
を全て解消することができる。また、導電性接着剤にあ
っては、バンプとパッドとの間に塗布しただけでは、接
着力が生じないので、炉内に搬送して炉内で百数十度に
て加熱する必要があり、炉内への移送時にバンプが位置
ずれを起こすことが多かったが、本発明では導電性接着
剤を用いる代わりに、ＩＣのバンプをパッド上に搭載す
ると同時に超音波を併用した熱圧着を実施するので、移
送時に位置ずれが発生する余地がなくなる。
【図１】(a) (b) 及び(c) は本発明の発振器のフリップ
チップ実装方法におけるＩＣチップの実装方法を説明す
るための図である。
チップ実装方法におけるＩＣチップの実装方法を説明す
るための図である。
【図２】従来の発振器のフリップチップ実装方法を説明
する為の断面図。
する為の断面図。
１ 発振器、２ パッケージ本体、２ａ 段差、３ 凹
所、４ ＩＣ、５ 圧電振動子、６ 金属蓋、１０ 金
バンプ、１１ パッド、１２ 電極、１３ 導電性接着
剤、１４ パッド、２０ 治具。
所、４ ＩＣ、５ 圧電振動子、６ 金属蓋、１０ 金
バンプ、１１ パッド、１２ 電極、１３ 導電性接着
剤、１４ パッド、２０ 治具。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｂ 5/32 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｆ
Claims (2)
- 【請求項１】 パッケージ内にＩＣと、圧電振動子を気
密的に封止した発振器であって、上記ＩＣがパッケージ
内底面のランド上にフリップチップ実装されるものにお
いて、 上記ＩＣに設けたバンプを上記ランド上に実装する方法
として、超音波を併用した熱圧着法を用いたことを特徴
とする発振器のフリップチップ実装方法。 - 【請求項２】 上記パッケージの材質として、上記ＩＣ
を構成するチップの基板の熱膨張係数に近似した熱膨張
係数を有した材質を用いたことを特徴とする請求項１記
載の発振器のフリップチップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17543098A JPH11354587A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 発振器のフリップチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17543098A JPH11354587A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 発振器のフリップチップ実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354587A true JPH11354587A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15995976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17543098A Pending JPH11354587A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 発振器のフリップチップ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354587A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033455A1 (fr) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Seiko Epson Corporation | Dispositif piezo-electrique et son procédé de fabrication |
| US6614110B1 (en) | 1994-12-22 | 2003-09-02 | Benedict G Pace | Module with bumps for connection and support |
| EP1471574A3 (en) * | 2003-04-24 | 2006-07-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate and electronic parts packaging structure |
| JP2007142946A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Daishinku Corp | 表面実装型圧電発振器 |
| JP2008312265A (ja) * | 2008-09-26 | 2008-12-25 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器 |
| JP2009044753A (ja) * | 2008-09-26 | 2009-02-26 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器 |
| US20130286566A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic component, mounting member, electronic apparatus, and their manufacturing methods |
| US9220172B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic component, electronic module, their manufacturing methods, mounting member, and electronic apparatus |
| US9253922B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic component and electronic apparatus |
| CN106486387A (zh) * | 2015-08-31 | 2017-03-08 | 库利克和索夫工业公司 | 焊接半导体元件的焊接机、其操作方法和改进其uph的方法 |
-
1998
- 1998-06-08 JP JP17543098A patent/JPH11354587A/ja active Pending
Cited By (15)
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