JPH11204681A - セラミックパッケージの製造方法 - Google Patents
セラミックパッケージの製造方法Info
- Publication number
- JPH11204681A JPH11204681A JP397398A JP397398A JPH11204681A JP H11204681 A JPH11204681 A JP H11204681A JP 397398 A JP397398 A JP 397398A JP 397398 A JP397398 A JP 397398A JP H11204681 A JPH11204681 A JP H11204681A
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- semiconductor element
- melting point
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒートシンクの半導体素子搭載部へのロ
ウ材の流れ出しがなく、又、裏面メニスカスの形成の良
好なロウ付け方法を提供する。 【解決手段】 セラミック基板に半導体素子搭載部を形
成するためにヒートシンクをロウ付けする際に、半導体
素子搭載部側に高融点Ａｇロウ材３を配置し、その外側
に共晶Ａｇロウ材４を配置してロウ付けすることを特徴
とする。
ウ材の流れ出しがなく、又、裏面メニスカスの形成の良
好なロウ付け方法を提供する。 【解決手段】 セラミック基板に半導体素子搭載部を形
成するためにヒートシンクをロウ付けする際に、半導体
素子搭載部側に高融点Ａｇロウ材３を配置し、その外側
に共晶Ａｇロウ材４を配置してロウ付けすることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路素子
を搭載するセラミックパッケージの製造方法に関する。
を搭載するセラミックパッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３（イ）（ロ）に示すとおり凸形ある
いは平板形のヒートシンク１１をセラミック基板１２に
Ａｇロウ材１３でロウ付けする場合、Ａｇロウ材１３と
してはＡｇ８５％の高融点ロウ材あるいはＡｇ７２％の
共晶Ａｇロウ材のどちらか一種を使用し、温度７８０〜
９００℃の還元雰囲気でセラミック基板１２とヒートシ
ンク１１とのロウ付けを行っている。しかし、セラミッ
ク基板１２の裏面でヒートシンク１１の外周囲との境界
面におけるＡｇロウメニスカス１４とヒートシンク１１
上面の半導体集積回路素子搭載部１５におけるＡｇロウ
の流れ出しの両方の条件を満足させることは困難であ
る。すなわち、Ａｇロウメニスカスが良好なロウ付条件
にすると、半導体集積回路素子搭載部１５にＡｇロウの
流れ出しが大きくなり、当該領域に段差が生じて品質上
問題となる。逆に半導体集積回路素子搭載部１５に対す
るＡｇロウの流れ出しを小さくすると、裏面のＡｇロウ
メニスカス形成が不十分となり、製造不良となる。
いは平板形のヒートシンク１１をセラミック基板１２に
Ａｇロウ材１３でロウ付けする場合、Ａｇロウ材１３と
してはＡｇ８５％の高融点ロウ材あるいはＡｇ７２％の
共晶Ａｇロウ材のどちらか一種を使用し、温度７８０〜
９００℃の還元雰囲気でセラミック基板１２とヒートシ
ンク１１とのロウ付けを行っている。しかし、セラミッ
ク基板１２の裏面でヒートシンク１１の外周囲との境界
面におけるＡｇロウメニスカス１４とヒートシンク１１
上面の半導体集積回路素子搭載部１５におけるＡｇロウ
の流れ出しの両方の条件を満足させることは困難であ
る。すなわち、Ａｇロウメニスカスが良好なロウ付条件
にすると、半導体集積回路素子搭載部１５にＡｇロウの
流れ出しが大きくなり、当該領域に段差が生じて品質上
問題となる。逆に半導体集積回路素子搭載部１５に対す
るＡｇロウの流れ出しを小さくすると、裏面のＡｇロウ
メニスカス形成が不十分となり、製造不良となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の問題点に鑑
み、本発明ではＡｇロウメニスカスが十分に形成され、
又、半導体集積回路素子搭載部へのＡｇロウの流れ出し
を抑えることを目的とする。
み、本発明ではＡｇロウメニスカスが十分に形成され、
又、半導体集積回路素子搭載部へのＡｇロウの流れ出し
を抑えることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック基
板に半導体素子搭載部を形成するために、ヒートシンク
をロウ付けする際に、半導体素子搭載部側に高融点Ａｇ
ロウ材を配置し、その外側に共晶Ａｇロウ材を配置して
ロウ付けすることを特徴とするセラミックパッケージの
製造方法である。特に高融点ロウ材がＡｇ７３〜７４％
のものが優れている。
板に半導体素子搭載部を形成するために、ヒートシンク
をロウ付けする際に、半導体素子搭載部側に高融点Ａｇ
ロウ材を配置し、その外側に共晶Ａｇロウ材を配置して
ロウ付けすることを特徴とするセラミックパッケージの
製造方法である。特に高融点ロウ材がＡｇ７３〜７４％
のものが優れている。
【０００５】これを図面によって説明すると、図１の
（イ）はヒートシンク１の平面図、同（ロ）はＡ−Ａ断
面図であって、ヒートシンク１は凸形に形成し、その凸
部の半導体素子搭載部２の周縁には例えばＡｇ７３〜７
４％の高融点Ａｇロウ材３を配し、その周囲のヒートシ
ンク１表面にＡｇ７２％の共晶Ａｇロウ材４を配する。
このロウ材上面にセラミック基板を載せ、加熱してロウ
付けすると、半導体素子搭載部２の周辺の高融点Ａｇロ
ウ材は高融点であるため流れ出し、すなわち、凸面上へ
のかけ上がりがなく、該領域を汚損することがなく、半
導体素子の搭載が正確に行われる。又、周縁に配置した
共晶Ａｇロウ材４は多少流れ出しが容易となり、メニス
カス形成に役立つ。銀量が７０％以上の高融点Ａｇロウ
であれば、７２％の共晶点を除いて所期の目的を達せら
れる。図２は平板形のヒートシンク１１に高融点Ａｇロ
ウ材３および共晶Ａｇロウ材４を配置した状態を示して
おり、その作用は、凸形ヒートシンクと同じである。
（イ）はヒートシンク１の平面図、同（ロ）はＡ−Ａ断
面図であって、ヒートシンク１は凸形に形成し、その凸
部の半導体素子搭載部２の周縁には例えばＡｇ７３〜７
４％の高融点Ａｇロウ材３を配し、その周囲のヒートシ
ンク１表面にＡｇ７２％の共晶Ａｇロウ材４を配する。
このロウ材上面にセラミック基板を載せ、加熱してロウ
付けすると、半導体素子搭載部２の周辺の高融点Ａｇロ
ウ材は高融点であるため流れ出し、すなわち、凸面上へ
のかけ上がりがなく、該領域を汚損することがなく、半
導体素子の搭載が正確に行われる。又、周縁に配置した
共晶Ａｇロウ材４は多少流れ出しが容易となり、メニス
カス形成に役立つ。銀量が７０％以上の高融点Ａｇロウ
であれば、７２％の共晶点を除いて所期の目的を達せら
れる。図２は平板形のヒートシンク１１に高融点Ａｇロ
ウ材３および共晶Ａｇロウ材４を配置した状態を示して
おり、その作用は、凸形ヒートシンクと同じである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、実施例並びに比較例を挙げ
て本発明を説明する。
て本発明を説明する。
【０００７】ロウ材として、表１に示すＮｏ．１〜６を
用意した。Ｎｏ．６は共晶Ａｇロウ材である。
用意した。Ｎｏ．６は共晶Ａｇロウ材である。
【０００８】図１、図２における高融点Ａｇロウ材３と
して、Ｎｏ．１、２、３、４、５のものを用い、又、共
晶Ａｇロウ材４として、Ｎｏ．６のものを用い、セラミ
ック基板とヒートシンクとをロウ付温度７８５℃の還元
雰囲気でロウ付けした。結果を表２に示す。実施例イ〜
ホは、Ｎｏ．１〜５のロウ材とＮｏ．６のロウ材との組
合せに順次対応して示してある。又、比較例として、Ｎ
ｏ．６のロウ材のみを全面に用いたものを示す。
して、Ｎｏ．１、２、３、４、５のものを用い、又、共
晶Ａｇロウ材４として、Ｎｏ．６のものを用い、セラミ
ック基板とヒートシンクとをロウ付温度７８５℃の還元
雰囲気でロウ付けした。結果を表２に示す。実施例イ〜
ホは、Ｎｏ．１〜５のロウ材とＮｏ．６のロウ材との組
合せに順次対応して示してある。又、比較例として、Ｎ
ｏ．６のロウ材のみを全面に用いたものを示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】表２の結果から明らかなように、比較例で
ある従来の共晶Ａｇロウ材のＮｏ．６のみの場合は裏面
メニスカスの点は良好であるが、半導体素子搭載領域へ
の流れについては結果が悪く、又、試験例ホの８５％Ａ
ｇロウ材と共晶Ａｇロウ材との組合せの場合は逆に半導
体素子搭載領域への流れの結果は良いものの裏面メニス
カスの形成は不良であった。しかしながら、試験例イ〜
ニのＡｇ７０〜７４％の高融点Ａｇロウ材は半導体素子
搭載領域への流れは抑えられ、裏面メニスカスも良好で
ある。特にＡｇ７３〜７４％のロウ材が優れている。
ある従来の共晶Ａｇロウ材のＮｏ．６のみの場合は裏面
メニスカスの点は良好であるが、半導体素子搭載領域へ
の流れについては結果が悪く、又、試験例ホの８５％Ａ
ｇロウ材と共晶Ａｇロウ材との組合せの場合は逆に半導
体素子搭載領域への流れの結果は良いものの裏面メニス
カスの形成は不良であった。しかしながら、試験例イ〜
ニのＡｇ７０〜７４％の高融点Ａｇロウ材は半導体素子
搭載領域への流れは抑えられ、裏面メニスカスも良好で
ある。特にＡｇ７３〜７４％のロウ材が優れている。
【００１２】
【発明の効果】本発明のセラミックパッケージの製造方
法によれば、ヒートシンクの半導体素子搭載領域へのロ
ウ材の流れ出しを防ぎ、又、裏面メニスカスの形成を良
好にして品質の安定した製品を得ることができ、セラミ
ックパッケージの特性、信頼性が向上する。
法によれば、ヒートシンクの半導体素子搭載領域へのロ
ウ材の流れ出しを防ぎ、又、裏面メニスカスの形成を良
好にして品質の安定した製品を得ることができ、セラミ
ックパッケージの特性、信頼性が向上する。
【図１】本発明の凸形ヒートシンクについての実施例の
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明の平板形ヒートシンクについての実施例
の説明図である。
の説明図である。
【図３】従来例の説明図である。
１ ヒートシンク ２ 半導体素子搭載部 ３ 高融点Ａｇロウ材 ４ 共晶Ａｇロウ材
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック基板に半導体素子搭載部を形
成するためにヒートシンクをロウ付けする際に、半導体
素子搭載部側に高融点Ａｇロウ材を配置し、その外側に
共晶Ａｇロウ材を配置してロウ付けすることを特徴とす
るセラミックパッケージの製造方法。 - 【請求項２】 高融点Ａｇロウ材がＡｇ７３％〜７４％
のものである請求項１記載のセラミックパッケージの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP397398A JPH11204681A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | セラミックパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP397398A JPH11204681A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | セラミックパッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204681A true JPH11204681A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11572020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP397398A Pending JPH11204681A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | セラミックパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204681A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6543109B1 (en) * | 1999-03-02 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave apparatus |
-
1998
- 1998-01-12 JP JP397398A patent/JPH11204681A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6543109B1 (en) * | 1999-03-02 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave apparatus |
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