JP2000269368A - 表面波装置 - Google Patents
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ベース部材とキャップ部材との接合時に金属バ
ンプ接合部に加わる応力を低減して、金属バンプ接合部
での接続不具合が生じがたい、信頼性に優れた表面波装
置を提供する。 【解決手段】表面波素子２０が金属バンプ５１でバンプ
接合されてベース部材１０に支持固定されるとともに電
気的に接続され、表面波素子２０を覆うようにキャップ
部材３０がベース部材１０に高融点半田からなるロウ材
５２により接合されている。そして、ベース部材１０の
線膨張係数をａ、キャップ部材３０の線膨張係数をｂと
したときに、０．９≦ｂ／ａ≦１．６の関係を満たすよ
うにベース部材１０及びキャップ部材３０を選定して構
成されている。
ンプ接合部に加わる応力を低減して、金属バンプ接合部
での接続不具合が生じがたい、信頼性に優れた表面波装
置を提供する。 【解決手段】表面波素子２０が金属バンプ５１でバンプ
接合されてベース部材１０に支持固定されるとともに電
気的に接続され、表面波素子２０を覆うようにキャップ
部材３０がベース部材１０に高融点半田からなるロウ材
５２により接合されている。そして、ベース部材１０の
線膨張係数をａ、キャップ部材３０の線膨張係数をｂと
したときに、０．９≦ｂ／ａ≦１．６の関係を満たすよ
うにベース部材１０及びキャップ部材３０を選定して構
成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベース部材にバン
プ接合により接続・固定した表面波素子をベース部材と
キャップ部材とを接合したパッケージ内に気密封止した
表面波装置に関する。
プ接合により接続・固定した表面波素子をベース部材と
キャップ部材とを接合したパッケージ内に気密封止した
表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、表面波素子を金属バンプ接合
してベース部材に接続・固定し、表面波素子をベース部
材とキャップ部材とを接合したパーッケージ内に気密封
止した構造の表面波装置が知られている。この種の表面
波装置は、まず、表面波素子をベース部材に対向させ
て、表面波素子の各電極パッドとこれに対応するベース
部材の各電極ランドとをＡｕ等の金属バンプで接合して
表面波素子をベース部材に支持固定するとともに電気的
に接続し、その後、ベース部材とキャップ部材との接合
部にはんだ等のロウ材を設け、このロウ材を加熱して溶
融し、その後冷却してベース部材とキャップ部材とを接
合して製造される。
してベース部材に接続・固定し、表面波素子をベース部
材とキャップ部材とを接合したパーッケージ内に気密封
止した構造の表面波装置が知られている。この種の表面
波装置は、まず、表面波素子をベース部材に対向させ
て、表面波素子の各電極パッドとこれに対応するベース
部材の各電極ランドとをＡｕ等の金属バンプで接合して
表面波素子をベース部材に支持固定するとともに電気的
に接続し、その後、ベース部材とキャップ部材との接合
部にはんだ等のロウ材を設け、このロウ材を加熱して溶
融し、その後冷却してベース部材とキャップ部材とを接
合して製造される。
【０００３】従来の表面波装置は、例えば、ベース部材
として線膨張係数が約７×１０-6／℃のアルミナを用
い、キャップ部材として線膨張係数が約４．５×１０-6
／℃のコバールを用いて構成されていた。
として線膨張係数が約７×１０-6／℃のアルミナを用
い、キャップ部材として線膨張係数が約４．５×１０-6
／℃のコバールを用いて構成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の表面波装置においては、ベース部材とキャップ部材
とを接合した後に、金属バンプや金属バンプと接合した
電極の破損、はがれ等の接続不具合が発生し、特性不良
になるという問題があった。この不具合は、ベース部材
とキャップ部材の線膨張係数の差が大きいために、ベー
ス部材とキャップ部材との接合時の加熱、冷却に伴う膨
張・収縮によりベース部材とキャップ部材との間に大き
な残留応力が発生し、図４に示すように、ベース部材１
０とキャップ部材３０とが大きく変形し、この変形によ
り、表面波素子２０とベース部材１０とを接続・固定す
る金属バンプ５１や金属バンプ５１と接合した電極１
２，２５（特に電極２５）に応力が集中するためである
と考えられる。なお、キャップ部材を接合する前の状態
すなわち表面波素子をベース部材に金属バンプ接合した
状態で、ベース部材とキャップ部材との接合時と同条件
の加熱、冷却を行っても上記のような接続不具合の発生
はなかった。
来の表面波装置においては、ベース部材とキャップ部材
とを接合した後に、金属バンプや金属バンプと接合した
電極の破損、はがれ等の接続不具合が発生し、特性不良
になるという問題があった。この不具合は、ベース部材
とキャップ部材の線膨張係数の差が大きいために、ベー
ス部材とキャップ部材との接合時の加熱、冷却に伴う膨
張・収縮によりベース部材とキャップ部材との間に大き
な残留応力が発生し、図４に示すように、ベース部材１
０とキャップ部材３０とが大きく変形し、この変形によ
り、表面波素子２０とベース部材１０とを接続・固定す
る金属バンプ５１や金属バンプ５１と接合した電極１
２，２５（特に電極２５）に応力が集中するためである
と考えられる。なお、キャップ部材を接合する前の状態
すなわち表面波素子をベース部材に金属バンプ接合した
状態で、ベース部材とキャップ部材との接合時と同条件
の加熱、冷却を行っても上記のような接続不具合の発生
はなかった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、ベース部材とキ
ャップ部材との接合時に金属バンプ接合部に加わる応力
を低減して、金属バンプ接合部での接続不具合が生じが
たい、信頼性に優れた表面波装置を提供することにあ
る。
ャップ部材との接合時に金属バンプ接合部に加わる応力
を低減して、金属バンプ接合部での接続不具合が生じが
たい、信頼性に優れた表面波装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ベース部材と、ベース部材にバンプ接合
された表面波素子と、表面波素子を気密封止するように
ベース部材に接合されたキャップ部材とを備えてなる表
面波装置において、ベース部材の線膨張係数をａ、キャ
ップ部材の線膨張係数をｂとしたときに、０．９≦ｂ／
ａ≦１．６であることを特徴とする。
に、本発明は、ベース部材と、ベース部材にバンプ接合
された表面波素子と、表面波素子を気密封止するように
ベース部材に接合されたキャップ部材とを備えてなる表
面波装置において、ベース部材の線膨張係数をａ、キャ
ップ部材の線膨張係数をｂとしたときに、０．９≦ｂ／
ａ≦１．６であることを特徴とする。
【０００７】この構成により、ベース部材とキャップ部
材との接合時の膨張・収縮により生じるベース部材とキ
ャップ部材の間の残留応力を小さくすることができ、金
属バンプ接合部に加わる応力を大幅に低減することがで
きるので、金属バンプやバンプ接合部の電極の破損、は
がれ等の接続不具合が発生しなくなる。
材との接合時の膨張・収縮により生じるベース部材とキ
ャップ部材の間の残留応力を小さくすることができ、金
属バンプ接合部に加わる応力を大幅に低減することがで
きるので、金属バンプやバンプ接合部の電極の破損、は
がれ等の接続不具合が発生しなくなる。
【０００８】なお、本発明における表面波装置は、表面
波共振子、表面波フィルタ、表面波遅延線等の表面波を
利用した装置一般を含むものであり、装置の種類や用途
に応じて、１つ以上の任意の数のインターデジタルトラ
ンスデューサ（ＩＤＴ）が圧電基板上に設けられる。
波共振子、表面波フィルタ、表面波遅延線等の表面波を
利用した装置一般を含むものであり、装置の種類や用途
に応じて、１つ以上の任意の数のインターデジタルトラ
ンスデューサ（ＩＤＴ）が圧電基板上に設けられる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態に係る表面波
装置の構成を図１及び図２を参照して説明する。図１は
表面波装置の断面図、図２は表面波素子の平面図であ
る。本実施形態の表面波装置は、表面波素子２０の複数
の電極パッド２５とベース部材１０の凹部内上面の複数
の電極ランド１２とが金属バンプ５１でバンプ接合され
て、表面波素子２０がベース部材１０に支持固定される
とともに電気的に接続されている。また、表面波素子２
０を覆うようにキャップ部材３０がベース部材１０に高
融点半田からなるロウ材５２により接合されて、表面波
素子２０がベース部材１０とキャップ部材３０とで形成
されたパッケージ内（空間内）に気密封止されている。
表面波装置においては、表面波素子２０の表面波伝播面
とベース部材１０との間には、図示のように表面波を効
率よく伝播するためにギャップ（空間）が設けられてい
る。
装置の構成を図１及び図２を参照して説明する。図１は
表面波装置の断面図、図２は表面波素子の平面図であ
る。本実施形態の表面波装置は、表面波素子２０の複数
の電極パッド２５とベース部材１０の凹部内上面の複数
の電極ランド１２とが金属バンプ５１でバンプ接合され
て、表面波素子２０がベース部材１０に支持固定される
とともに電気的に接続されている。また、表面波素子２
０を覆うようにキャップ部材３０がベース部材１０に高
融点半田からなるロウ材５２により接合されて、表面波
素子２０がベース部材１０とキャップ部材３０とで形成
されたパッケージ内（空間内）に気密封止されている。
表面波装置においては、表面波素子２０の表面波伝播面
とベース部材１０との間には、図示のように表面波を効
率よく伝播するためにギャップ（空間）が設けられてい
る。
【００１０】表面波素子２０は、図２に示すように圧電
基板２１を備え、圧電基板２１の上面にはＩＤＴ電極２
２、反射器電極２３、各ＩＤＴ電極２２から引き出され
た引出電極２４、各引出電極２４に接続した電極パッド
２５からなる電極パターンが形成されている。電極パタ
ーンはＡｌまたはＡｌを含む合金からなり周知の薄膜形
成法により形成される。圧電基板２１としては、タンタ
ル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電性の材
料が用いられる。
基板２１を備え、圧電基板２１の上面にはＩＤＴ電極２
２、反射器電極２３、各ＩＤＴ電極２２から引き出され
た引出電極２４、各引出電極２４に接続した電極パッド
２５からなる電極パターンが形成されている。電極パタ
ーンはＡｌまたはＡｌを含む合金からなり周知の薄膜形
成法により形成される。圧電基板２１としては、タンタ
ル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電性の材
料が用いられる。
【００１１】ベース部材１０は複数のセラミックを積層
することにより凹部形状に形成され、下面、凹部の内面
及び内部に複数の電極ランド１２を含む入出力用、アー
ス用の電極パターンが形成されている。キャップ部材３
０はＦｅ−Ｎｉ合金やＦｅ等を含む合金からなる金属板
であり、必要に応じてメッキ処理される。なお、図示省
略しているが、ベース部材１０の下面には入出力用の端
子電極が形成されており、この表面波装置は、ベース部
材１０の下面を実装面として、実装基板（回路基板）に
実装されて用いられる。
することにより凹部形状に形成され、下面、凹部の内面
及び内部に複数の電極ランド１２を含む入出力用、アー
ス用の電極パターンが形成されている。キャップ部材３
０はＦｅ−Ｎｉ合金やＦｅ等を含む合金からなる金属板
であり、必要に応じてメッキ処理される。なお、図示省
略しているが、ベース部材１０の下面には入出力用の端
子電極が形成されており、この表面波装置は、ベース部
材１０の下面を実装面として、実装基板（回路基板）に
実装されて用いられる。
【００１２】この表面波装置は以下のように製造され
る。まず、表面波素子２０の各電極パッド２５上にＡｕ
またはＡｕを主成分とした金属バンプ５１をボールボン
ディング法により形成する。次に表面波素子２０をフェ
イスダウン方式、すなわちＩＤＴ電極等が形成された表
面波伝播面をベース部材１０に対向させて、例えば超音
波と熱を同時に印加することにより、各電極パッド２５
とこれに対応するベース部材１０の各電極ランド１２と
を金属バンプ５１で接合して、表面波素子２０をベース
部材１０に接続・固定する。
る。まず、表面波素子２０の各電極パッド２５上にＡｕ
またはＡｕを主成分とした金属バンプ５１をボールボン
ディング法により形成する。次に表面波素子２０をフェ
イスダウン方式、すなわちＩＤＴ電極等が形成された表
面波伝播面をベース部材１０に対向させて、例えば超音
波と熱を同時に印加することにより、各電極パッド２５
とこれに対応するベース部材１０の各電極ランド１２と
を金属バンプ５１で接合して、表面波素子２０をベース
部材１０に接続・固定する。
【００１３】次に、ベース部材１０に予めロウ材５２と
なる高融点はんだを圧延したキャップ部材３０を重ね合
わせ、リフロー炉に投入して、ベース部材１０、表面波
素子２０及びキャップ部材３０の全ての構成部材をロウ
材５２の融点よりも高温となるように均一に加熱してロ
ウ材５２を溶融し、その後冷却してベース部材１０とキ
ャップ部材３０とを接合する。
なる高融点はんだを圧延したキャップ部材３０を重ね合
わせ、リフロー炉に投入して、ベース部材１０、表面波
素子２０及びキャップ部材３０の全ての構成部材をロウ
材５２の融点よりも高温となるように均一に加熱してロ
ウ材５２を溶融し、その後冷却してベース部材１０とキ
ャップ部材３０とを接合する。
【００１４】そして、本実施形態の表面波装置において
は、ベース部材１０の線膨張係数をａ、キャップ部材３
０の線膨張係数をｂとしたときに、０．９≦ｂ／ａ≦
１．６の関係を満たすようにベース部材１０及びキャッ
プ部材３０を選定して構成されている。例えば、ベース
部材１０として線膨張係数が７×１０-6／℃のアルミナ
を用い、キャップ部材３０として線膨張係数が９．５×
１０-6／℃のＦｅ−Ｎｉ合金を用いることにより実現さ
れる。また、Ｆｅ−Ｎｉ合金の場合はＮｉの含有比率を
変えることにより、その線膨張係数を変えることができ
る。
は、ベース部材１０の線膨張係数をａ、キャップ部材３
０の線膨張係数をｂとしたときに、０．９≦ｂ／ａ≦
１．６の関係を満たすようにベース部材１０及びキャッ
プ部材３０を選定して構成されている。例えば、ベース
部材１０として線膨張係数が７×１０-6／℃のアルミナ
を用い、キャップ部材３０として線膨張係数が９．５×
１０-6／℃のＦｅ−Ｎｉ合金を用いることにより実現さ
れる。また、Ｆｅ−Ｎｉ合金の場合はＮｉの含有比率を
変えることにより、その線膨張係数を変えることができ
る。
【００１５】このように、本実施形態の表面波装置で
は、上記の式を満たすように構成されているため、ベー
ス部材とキャップ部材との接合時の膨張・収縮により生
じるベース部材とキャップ部材の間の残留応力を極めて
小さくすることができ、金属バンプ接合部に加わる応力
を大幅に低減することができる。したがって、金属バン
プやバンプ接合部の電極の破損、はがれ等の接続不具合
の発生を大幅に低減することができ、歩留まりの向上、
故障率の低減、信頼性の向上を図ることができる。
は、上記の式を満たすように構成されているため、ベー
ス部材とキャップ部材との接合時の膨張・収縮により生
じるベース部材とキャップ部材の間の残留応力を極めて
小さくすることができ、金属バンプ接合部に加わる応力
を大幅に低減することができる。したがって、金属バン
プやバンプ接合部の電極の破損、はがれ等の接続不具合
の発生を大幅に低減することができ、歩留まりの向上、
故障率の低減、信頼性の向上を図ることができる。
【００１６】次に、本発明の上記限定理由を解析データ
に基づいて説明する。図３は上記構成の表面波装置にお
いて、ベース部材とキャップ部材との接合条件（温度２
５℃〜３５０℃に変化させた時）での金属バンプに加わ
る最大主応力と線膨張係数比ｂ／ａとの関係を示す図で
ある。ベース部材を線膨張係数が７×１０-6／℃のアル
ミナとし、キャップ部材の線膨張係数を変えたときの解
析データである。図３において、■はベース部材：２．
０×２．５×０．７５ｍｍ、キャップ部材：２．０５×
２．５５×０．１ｍｍ、表面波素子：１．０×１．６×
０．３５ｍｍ、金属バンプ：厚み０．０２ｍｍのＡｕ、
ロウ材：厚み０．０３のはんだでのデータ、▲はキャッ
プ部材の厚みを２倍の０．２ｍｍとしたデータ、×はロ
ウ材の厚みを２倍の０．０６としたデータ、●はロウ材
をＡｕ−Ｓｎに変更したデータである。なお、キャップ
部材を接合しない場合の同条件での金属バンプに加わる
最大主応力は８．２５７×１０7ｋｇ／ｍ2（図３の破
線）である。
に基づいて説明する。図３は上記構成の表面波装置にお
いて、ベース部材とキャップ部材との接合条件（温度２
５℃〜３５０℃に変化させた時）での金属バンプに加わ
る最大主応力と線膨張係数比ｂ／ａとの関係を示す図で
ある。ベース部材を線膨張係数が７×１０-6／℃のアル
ミナとし、キャップ部材の線膨張係数を変えたときの解
析データである。図３において、■はベース部材：２．
０×２．５×０．７５ｍｍ、キャップ部材：２．０５×
２．５５×０．１ｍｍ、表面波素子：１．０×１．６×
０．３５ｍｍ、金属バンプ：厚み０．０２ｍｍのＡｕ、
ロウ材：厚み０．０３のはんだでのデータ、▲はキャッ
プ部材の厚みを２倍の０．２ｍｍとしたデータ、×はロ
ウ材の厚みを２倍の０．０６としたデータ、●はロウ材
をＡｕ−Ｓｎに変更したデータである。なお、キャップ
部材を接合しない場合の同条件での金属バンプに加わる
最大主応力は８．２５７×１０7ｋｇ／ｍ2（図３の破
線）である。
【００１７】実際の製品において、キャップ部材を接合
しない場合には金属バンプ接合部の電極パッド部にはが
れ等が発生しないことから、金属バンプに加わる最大主
応力を８．２５７×１０7ｋｇ／ｍ2以下であれば問題な
いと考えられる。そこで、製造バラツキなどを考慮し
て、金属バンプ接合部での接続不具合の発生しない条件
を最大主応力８．２×１０7ｋｇ／ｍ2以下とした。この
最大主応力約８．２×１０7ｋｇ／ｍ2以下となるベース
部材の線膨張係数に対するキャップ部材の線膨張係数の
比ｂ／ａは図３から０．９〜１．６の範囲となる。
しない場合には金属バンプ接合部の電極パッド部にはが
れ等が発生しないことから、金属バンプに加わる最大主
応力を８．２５７×１０7ｋｇ／ｍ2以下であれば問題な
いと考えられる。そこで、製造バラツキなどを考慮し
て、金属バンプ接合部での接続不具合の発生しない条件
を最大主応力８．２×１０7ｋｇ／ｍ2以下とした。この
最大主応力約８．２×１０7ｋｇ／ｍ2以下となるベース
部材の線膨張係数に対するキャップ部材の線膨張係数の
比ｂ／ａは図３から０．９〜１．６の範囲となる。
【００１８】なお、金属バンプ５１としては、ＡｕやＡ
ｕ−Ｓｎ合金に限るものではなく、後工程のベース部材
とキャップ部材との接合時に溶融や軟化の起こりにくい
金属材料が用いられる。
ｕ−Ｓｎ合金に限るものではなく、後工程のベース部材
とキャップ部材との接合時に溶融や軟化の起こりにくい
金属材料が用いられる。
【００１９】上記バンプ接合では超音波と熱を同時に印
加した工法で説明したが、超音波のみあるいは熱のみを
印加してバンプ接合を行う工法であってもよい。また、
金属バンプ形成の方法はボールボンディング工法に限る
ものではなく、例えば、メッキによるバンプ形成法等の
他の金属バンプ形成法を採用してもよい。
加した工法で説明したが、超音波のみあるいは熱のみを
印加してバンプ接合を行う工法であってもよい。また、
金属バンプ形成の方法はボールボンディング工法に限る
ものではなく、例えば、メッキによるバンプ形成法等の
他の金属バンプ形成法を採用してもよい。
【００２０】ロウ材としては、半田以外にＡｕ−Ｓｎ合
金、低融点ガラスを用いることができる。また、上記実
施形態例では、キャップ部材にロウ材を圧着したもので
説明したが、ベース部材にロウ材を予備形成するように
してもよく、また印刷により形成するようにしてもよ
い。
金、低融点ガラスを用いることができる。また、上記実
施形態例では、キャップ部材にロウ材を圧着したもので
説明したが、ベース部材にロウ材を予備形成するように
してもよく、また印刷により形成するようにしてもよ
い。
【００２１】また、キャップ部材の材料はＦｅ−Ｎｉ合
金またはＦｅを含む合金に限定されるものではなく、ベ
ース部材との関係において上記線膨張係数の条件を満た
す材料であればよい。また金属に限るものでもなく、キ
ャップ部材にセラミックを用いてもよく、この場合、ロ
ウ材として低融点ガラスを用いることもできる。また、
金属製のベース部材を用いてもよい。
金またはＦｅを含む合金に限定されるものではなく、ベ
ース部材との関係において上記線膨張係数の条件を満た
す材料であればよい。また金属に限るものでもなく、キ
ャップ部材にセラミックを用いてもよく、この場合、ロ
ウ材として低融点ガラスを用いることもできる。また、
金属製のベース部材を用いてもよい。
【００２２】また、ベース部材及びキャップ部材の形状
は上記実施形態に限るものではなく、例えば平板状のベ
ース部材と凹部状のキャップ部材とでパッケージを構成
してもよい。また、表面波素子の電極パターンも上記実
施形態に限定されるものではない。
は上記実施形態に限るものではなく、例えば平板状のベ
ース部材と凹部状のキャップ部材とでパッケージを構成
してもよい。また、表面波素子の電極パターンも上記実
施形態に限定されるものではない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ベース部材及びキャップ部材の線膨張係数が特定の関係
となるように構成されており、ベース部材とキャップ部
材との接合時に金属バンプ接合部に加わる応力を大幅に
低減することができるので、金属バンプやバンプ接合部
での接続不具合の発生を防止することができ、信頼性の
高い表面波装置を得ることができる。
ベース部材及びキャップ部材の線膨張係数が特定の関係
となるように構成されており、ベース部材とキャップ部
材との接合時に金属バンプ接合部に加わる応力を大幅に
低減することができるので、金属バンプやバンプ接合部
での接続不具合の発生を防止することができ、信頼性の
高い表面波装置を得ることができる。
【図１】一実施形態に係る表面波装置の断面図である。
【図２】一実施形態に係る表面波素子の平面図である。
【図３】金属バンプに加わる最大主応力と線膨張係数比
ｂ／ａとの関係を示す図である。
ｂ／ａとの関係を示す図である。
【図４】従来の表面波装置のベース部材とキャップ部材
の接合時の変形を説明するための簡略断面図である。
の接合時の変形を説明するための簡略断面図である。
１０ ベース部材 １２ 電極ランド ２０ 表面波素子 ２５ 電極パッド ３０ キャップ部材 ５１ 金属バンプ ５２ ロウ材
Claims (1)
- 【請求項１】 ベース部材と、ベース部材にバンプ接合
された表面波素子と、表面波素子を気密封止するように
ベース部材に接合されたキャップ部材とを備えてなる表
面波装置において、 ベース部材の線膨張係数をａ、キャップ部材の線膨張係
数をｂとしたときに、０．９≦ｂ／ａ≦１．６であるこ
とを特徴とする表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068350A JP2000269368A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068350A JP2000269368A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269368A true JP2000269368A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13371301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11068350A Pending JP2000269368A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269368A (ja) |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP11068350A patent/JP2000269368A/ja active Pending
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