JPH11163670A - 圧電デバイス - Google Patents
圧電デバイスInfo
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- JPH11163670A JPH11163670A JP33062197A JP33062197A JPH11163670A JP H11163670 A JPH11163670 A JP H11163670A JP 33062197 A JP33062197 A JP 33062197A JP 33062197 A JP33062197 A JP 33062197A JP H11163670 A JPH11163670 A JP H11163670A
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- piezoelectric
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに
内蔵した圧電デバイスにおいて、気密性の高い安価な小
型薄型の圧電デバイスを提供する。 【解決手段】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、絶縁基板で形成さ
れたベースのマウント部、支持部の一部、及びベースの
上面部が、少なくとも２層以上の金属層でメタライズさ
れている構造を有する表面実装タイプの圧電デバイス。
内蔵した圧電デバイスにおいて、気密性の高い安価な小
型薄型の圧電デバイスを提供する。 【解決手段】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、絶縁基板で形成さ
れたベースのマウント部、支持部の一部、及びベースの
上面部が、少なくとも２層以上の金属層でメタライズさ
れている構造を有する表面実装タイプの圧電デバイス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路と
圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスに関
する。
圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドラ
イブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等
の小型の情報機器や、携帯電話や自動車電話等の移動体
通信機器において装置の小型薄型化がめざましく、それ
らに用いられる圧電発振器やリアルタイムクロックモジ
ュール等の圧電デバイスも小型薄型化が要求されてい
る。又、それとともに、装置の回路基板に両面実装が可
能な表面実装タイプのデバイスが求められている。
イブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等
の小型の情報機器や、携帯電話や自動車電話等の移動体
通信機器において装置の小型薄型化がめざましく、それ
らに用いられる圧電発振器やリアルタイムクロックモジ
ュール等の圧電デバイスも小型薄型化が要求されてい
る。又、それとともに、装置の回路基板に両面実装が可
能な表面実装タイプのデバイスが求められている。
【０００３】そこで、従来の圧電デバイスの一例を、圧
電振動子にＡＴカット水晶振動子を用いた図８（ａ）、
８（ｂ）の構造図で示される圧電発振器を用いて説明す
る。
電振動子にＡＴカット水晶振動子を用いた図８（ａ）、
８（ｂ）の構造図で示される圧電発振器を用いて説明す
る。
【０００４】図８（ａ）、８（ｂ）の従来の圧電発振器
の構成において、発振回路を有するＩＣチップ１０１
は、セラミック絶縁基板で形成されたベース１０２の底
面に導電性接着剤等により接着固定され、Ａｕワイヤー
ボンディング線１０３により、ベース１０２の底面外周
部にＷ（タングステン）あるいはＭｏ（モリブデン）等
の金属でメタライズされ、Ｎｉメッキ及びＡｕメッキが
された入出力用電極１０４等に電気的に接続されてい
る。又、矩形タイプのＡＴカット水晶振動子１０５が、
ベース１０２のマウント部１０６に導電性接着剤等で電
気的に接続され固定されている。そして、Ｎ2（窒素）
雰囲気あるいは真空雰囲気に内部を保ち、ベース１０２
の最上部のメッキ層と、金属製のリッド１０７とをリッ
ド１０７に形成された半田等の金属クラッド材を高温に
て溶融させて接合し気密に封止している。
の構成において、発振回路を有するＩＣチップ１０１
は、セラミック絶縁基板で形成されたベース１０２の底
面に導電性接着剤等により接着固定され、Ａｕワイヤー
ボンディング線１０３により、ベース１０２の底面外周
部にＷ（タングステン）あるいはＭｏ（モリブデン）等
の金属でメタライズされ、Ｎｉメッキ及びＡｕメッキが
された入出力用電極１０４等に電気的に接続されてい
る。又、矩形タイプのＡＴカット水晶振動子１０５が、
ベース１０２のマウント部１０６に導電性接着剤等で電
気的に接続され固定されている。そして、Ｎ2（窒素）
雰囲気あるいは真空雰囲気に内部を保ち、ベース１０２
の最上部のメッキ層と、金属製のリッド１０７とをリッ
ド１０７に形成された半田等の金属クラッド材を高温に
て溶融させて接合し気密に封止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上に示す従来の圧電
発振器は、図８（ａ）に示すようにＡＴカット水晶振動
子１０５の先端部をマウントする際に支持する支持部１
０８を有している。この支持部１０８がベース１０２の
長手方向のスペースをある程度必要とするため、圧電発
振器のパッケージの長手寸法が大きくなるという課題を
有している。
発振器は、図８（ａ）に示すようにＡＴカット水晶振動
子１０５の先端部をマウントする際に支持する支持部１
０８を有している。この支持部１０８がベース１０２の
長手方向のスペースをある程度必要とするため、圧電発
振器のパッケージの長手寸法が大きくなるという課題を
有している。
【０００６】又、３００℃以上の高温（銀ロウ材の場合
は、７００℃〜８００℃）でクラッド材を溶融する際、
金属製のリッドが熱変形してしまい安定した気密封止が
行えないという課題も有している。
は、７００℃〜８００℃）でクラッド材を溶融する際、
金属製のリッドが熱変形してしまい安定した気密封止が
行えないという課題も有している。
【０００７】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは小型薄型サイズで厚み１ｍｍ以下の圧電デバイス
を安価に提供することである。
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは小型薄型サイズで厚み１ｍｍ以下の圧電デバイス
を安価に提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに内蔵した
圧電デバイスにおいて、絶縁基板で形成されたベースの
圧電振動子をマウントするマウント部の電極が、少なく
とも２層以上の金属層でメタライズされていることを特
徴とする。
半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに内蔵した
圧電デバイスにおいて、絶縁基板で形成されたベースの
圧電振動子をマウントするマウント部の電極が、少なく
とも２層以上の金属層でメタライズされていることを特
徴とする。
【０００９】請求項２記載の発明は、半導体集積回路と
圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにお
いて、絶縁基板で形成されたベースが圧電振動子の先端
部の左右の端を支持する支持部を有することを特徴とす
る。
圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにお
いて、絶縁基板で形成されたベースが圧電振動子の先端
部の左右の端を支持する支持部を有することを特徴とす
る。
【００１０】請求項３記載の発明は、請求項２におい
て、絶縁基板で形成されたベースの支持部の一部が、少
なくとも２層以上の金属層でメタライズされていること
を特徴とする。
て、絶縁基板で形成されたベースの支持部の一部が、少
なくとも２層以上の金属層でメタライズされていること
を特徴とする。
【００１１】請求項４記載の発明は、半導体集積回路と
圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにお
いて、絶縁基板で形成されたベースの上面部の開口側縁
部が段差を有することを特徴とする。
圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにお
いて、絶縁基板で形成されたベースの上面部の開口側縁
部が段差を有することを特徴とする。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項４におい
て、段差が金属層でメタライズされていることを特徴と
する。
て、段差が金属層でメタライズされていることを特徴と
する。
【００１３】請求項６記載の発明は、請求項５におい
て、絶縁基板で形成されたベースの上面部が少なくとも
２層以上の金属層でメタライズされていることを特徴と
する。
て、絶縁基板で形成されたベースの上面部が少なくとも
２層以上の金属層でメタライズされていることを特徴と
する。
【００１４】請求項７記載の発明は、請求項５又は６に
おいて、開口側縁部が１層の金属層でメタライズされ、
開口側縁部以外の上面部が少なくとも２層以上の金属層
でメタライズされ段差が形成されていることを特徴とす
る。
おいて、開口側縁部が１層の金属層でメタライズされ、
開口側縁部以外の上面部が少なくとも２層以上の金属層
でメタライズされ段差が形成されていることを特徴とす
る。
【００１５】請求項８記載の発明は、請求項７におい
て、金属層でメタライズされた段差部分が０．１ｍｍ〜
０．２ｍｍの範囲であることを特徴とする。
て、金属層でメタライズされた段差部分が０．１ｍｍ〜
０．２ｍｍの範囲であることを特徴とする。
【００１６】請求項９記載の発明は、請求項１、３又は
６において、マウント部の電極、支持部及び上面部の２
層の金属層が、それぞれ同じ厚みで形成されていること
を特徴とする。
６において、マウント部の電極、支持部及び上面部の２
層の金属層が、それぞれ同じ厚みで形成されていること
を特徴とする。
【００１７】請求項１０記載の発明は、請求項９におい
て、２層の金属層の下側第一層厚みが１０〜２０μｍの
範囲であり、上側第二層厚みが１０〜３０μｍの範囲で
あることを特徴とする。
て、２層の金属層の下側第一層厚みが１０〜２０μｍの
範囲であり、上側第二層厚みが１０〜３０μｍの範囲で
あることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の圧電デバイスの実施の一
形態を、圧電振動子にＡＴカット水晶振動子を用いた、
水晶発振器を例として図面に基づいて説明する。
形態を、圧電振動子にＡＴカット水晶振動子を用いた、
水晶発振器を例として図面に基づいて説明する。
【００１９】（実施例１）図１は、請求項１、２、３、
４、５、６、７、８、９及び１０記載の発明に係わる表
面実装タイプの水晶発振器の構造図である。
４、５、６、７、８、９及び１０記載の発明に係わる表
面実装タイプの水晶発振器の構造図である。
【００２０】図１（ａ）の平面図及び図１（ｂ）の正面
図に示すように、積層タイプのセラミック絶縁基板で形
成されたベース１に、半導体集積回路（ＩＣチップ：以
下ＩＣチップと記す）２と接続するための電極パターン
３が、Ｗ（タングステン）あるいはＭｏ（モリブデン）
等の金属配線材料で印刷等によりメタライズされてい
る。そしてその上にＮｉメッキ及びＡｕメッキ等が施さ
れている。
図に示すように、積層タイプのセラミック絶縁基板で形
成されたベース１に、半導体集積回路（ＩＣチップ：以
下ＩＣチップと記す）２と接続するための電極パターン
３が、Ｗ（タングステン）あるいはＭｏ（モリブデン）
等の金属配線材料で印刷等によりメタライズされてい
る。そしてその上にＮｉメッキ及びＡｕメッキ等が施さ
れている。
【００２１】又、ＩＣチップ２の電極パッドにはＡｕ等
の金属のバンプ４が形成され、フリップチップボンディ
ング工法によりベース１に形成された電極パターン３と
接続されている。このフリップチップボンディング工法
には、種々の加工法があるが、本実施例で用いている工
法は導電性接着剤５を用いた加工方法である。そして更
にアンダーフィル材を用いて接続の信頼性を上げてい
る。
の金属のバンプ４が形成され、フリップチップボンディ
ング工法によりベース１に形成された電極パターン３と
接続されている。このフリップチップボンディング工法
には、種々の加工法があるが、本実施例で用いている工
法は導電性接着剤５を用いた加工方法である。そして更
にアンダーフィル材を用いて接続の信頼性を上げてい
る。
【００２２】又、ＡＴカット水晶振動子６はその支持部
７を、ベース１に設けられたマウント部８に導電性接着
剤９で接続固定されている。
７を、ベース１に設けられたマウント部８に導電性接着
剤９で接続固定されている。
【００２３】そして、ベース１には、 ＡＴカット水晶
振動子６の先端部の左右コーナー部を支持する支持部１
０が形成されている。
振動子６の先端部の左右コーナー部を支持する支持部１
０が形成されている。
【００２４】即ち、従来ＡＴカット水晶振動子の先端部
をマウントする際に支持していたのを、本発明では支持
部１０によりＡＴカット水晶振動子６の先端部の左右の
端の部分を支持しているのが特徴である。
をマウントする際に支持していたのを、本発明では支持
部１０によりＡＴカット水晶振動子６の先端部の左右の
端の部分を支持しているのが特徴である。
【００２５】このような構造にすることにより、 ＡＴ
カット水晶振動子６の先端部をマウントする際に支持す
る、支持部の長手方向スペ−スを最小限に設定でき、よ
り小型の水晶発振器を提供できるという効果を有する。
カット水晶振動子６の先端部をマウントする際に支持す
る、支持部の長手方向スペ−スを最小限に設定でき、よ
り小型の水晶発振器を提供できるという効果を有する。
【００２６】更に、金属製のリッド（蓋）１１をベース
１に位置合わせして固定し、Ｐｂ−Ｓｎ系半田あるいは
銀ロウ等の金属のロウ材１２を溶かして封止する。
１に位置合わせして固定し、Ｐｂ−Ｓｎ系半田あるいは
銀ロウ等の金属のロウ材１２を溶かして封止する。
【００２７】封止加工は、Ｐｂ−Ｓｎ系半田の場合は、
ベルト炉あるいはバッチ式の封止炉等で行われる。又、
銀ロウの場合は、電子ビーム封止装置やレーザー封止装
置等で行われるのが一般的である。
ベルト炉あるいはバッチ式の封止炉等で行われる。又、
銀ロウの場合は、電子ビーム封止装置やレーザー封止装
置等で行われるのが一般的である。
【００２８】本実施例では、リッド１１はその接合面に
予め半田がクラッド加工されたものを用いている。
予め半田がクラッド加工されたものを用いている。
【００２９】以上により、小型薄型の表面実装パッケー
ジの水晶発振器１３が完成する。
ジの水晶発振器１３が完成する。
【００３０】次に、ＡＴカット水晶振動子６のマウント
構造について詳細に説明する。
構造について詳細に説明する。
【００３１】図２に示すように、マウント部８及び支持
部１０には、少なくとも２層のＷ（タングステン）の金
属配線材料がメタライズされている。
部１０には、少なくとも２層のＷ（タングステン）の金
属配線材料がメタライズされている。
【００３２】ここで、第一層２１のメタライズの厚み
は、１０〜１５μｍ程度であり、第二層２２のメタライ
ズの厚みは２０〜３０μｍ程度に設定している。第一層
２１のメタライズは、ベース１を製造する際にＩＣチッ
プ２との接合用の電極パターン３と同じ厚みに形成して
いるため、この電極パターン３の最適な厚みにより、そ
のメタライズの厚みが決定されている。
は、１０〜１５μｍ程度であり、第二層２２のメタライ
ズの厚みは２０〜３０μｍ程度に設定している。第一層
２１のメタライズは、ベース１を製造する際にＩＣチッ
プ２との接合用の電極パターン３と同じ厚みに形成して
いるため、この電極パターン３の最適な厚みにより、そ
のメタライズの厚みが決定されている。
【００３３】そして、マウント部８にはＮｉメッキ及び
Ａｕメッキが施されている。
Ａｕメッキが施されている。
【００３４】更に図２に示すように、マウント部８のメ
タライズ部の表面に導電性接着剤９が塗布され、ＡＴカ
ット水晶振動子６は、ＡＴカット水晶振動子６の先端部
が下側に傾かないように、支持部１０のメタライズ部で
支持され、マウント装置によりＡＴカット水晶振動子６
の接続部７が適度な荷重で加圧され位置決めされ、その
後乾燥炉等で導電性接着剤９が硬化され、接続固定が完
了する。
タライズ部の表面に導電性接着剤９が塗布され、ＡＴカ
ット水晶振動子６は、ＡＴカット水晶振動子６の先端部
が下側に傾かないように、支持部１０のメタライズ部で
支持され、マウント装置によりＡＴカット水晶振動子６
の接続部７が適度な荷重で加圧され位置決めされ、その
後乾燥炉等で導電性接着剤９が硬化され、接続固定が完
了する。
【００３５】ここで導電性接着剤９は、硬化後の厚みが
２０〜４０μｍ程度となるようにその塗布量が設定され
ている。又、導電性接着剤９はＡＴカット水晶振動子６
をマウントする前にマウント部８に塗布されている。こ
のようにすることにより、左右のマウント部８への塗布
量が均一となり、 ＡＴカット水晶振動子６への接合力
等の作用もバランスが良くなる。
２０〜４０μｍ程度となるようにその塗布量が設定され
ている。又、導電性接着剤９はＡＴカット水晶振動子６
をマウントする前にマウント部８に塗布されている。こ
のようにすることにより、左右のマウント部８への塗布
量が均一となり、 ＡＴカット水晶振動子６への接合力
等の作用もバランスが良くなる。
【００３６】このように、マウント部８及び支持部１０
を少なくとも２層の金属層でメタライズすることによ
り、 ＡＴカット水晶振動子６とＩＣチップ２との隙間
を約５０〜９０μｍと必要最小限の間隔に設定できる。
を少なくとも２層の金属層でメタライズすることによ
り、 ＡＴカット水晶振動子６とＩＣチップ２との隙間
を約５０〜９０μｍと必要最小限の間隔に設定できる。
【００３７】これにより、０．１５、０．２０、０．２
５、０．３０、０．３５ｍｍと５０μｍ間隔で標準化さ
れているセラミック基板シートの、厚みにより限定され
てしまうパッケージの厚みを自由にコントロールでき、
圧電発振器の厚みをより薄くするという効果を有する。
５、０．３０、０．３５ｍｍと５０μｍ間隔で標準化さ
れているセラミック基板シートの、厚みにより限定され
てしまうパッケージの厚みを自由にコントロールでき、
圧電発振器の厚みをより薄くするという効果を有する。
【００３８】次に、リッド１１をベース１に接合する封
止構造について詳細に説明する。
止構造について詳細に説明する。
【００３９】図３に示すように、ベース１の上面部３１
にはマウント部８及び支持部１０と同様に、少なくとも
２層のＷ（タングステン）の金属配線材料がメタライズ
されている。
にはマウント部８及び支持部１０と同様に、少なくとも
２層のＷ（タングステン）の金属配線材料がメタライズ
されている。
【００４０】ここで、第一層２１のメタライズの厚み
は、１０〜１５μｍ程度であり、第二層２２のメタライ
ズの厚みは２０〜３０μｍ程度であり、それぞれマウン
ト部８及び支持部１０の厚みと同じ厚みに設定されてい
る。このように、同じ厚みに設定することによりベース
１を製造する工程で、 Ｗ（タングステン）の金属配線
材料の印刷が同条件で行うことができ、工程管理や品質
管理が非常に簡潔になる。
は、１０〜１５μｍ程度であり、第二層２２のメタライ
ズの厚みは２０〜３０μｍ程度であり、それぞれマウン
ト部８及び支持部１０の厚みと同じ厚みに設定されてい
る。このように、同じ厚みに設定することによりベース
１を製造する工程で、 Ｗ（タングステン）の金属配線
材料の印刷が同条件で行うことができ、工程管理や品質
管理が非常に簡潔になる。
【００４１】又、図３に示すようにベース１の開口部の
周囲縁部で段差３２が形成されている。この段差３２
は、第一層２１と第二層２２のメタライズにより形成さ
れ、その表面にＮｉメッキ及びＡｕメッキ等が施されて
いる。ここで、段差３２は全周０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ
の範囲で形成されるのが望ましい。更に、この寸法はベ
ース１の上面部３１の幅寸法の約１／２の割合となるよ
うに形成されている。本実施例では、上面部３１の幅寸
法０．３５ｍｍに対して、段差３２の寸法は約０．１５
ｍｍと設定している。
周囲縁部で段差３２が形成されている。この段差３２
は、第一層２１と第二層２２のメタライズにより形成さ
れ、その表面にＮｉメッキ及びＡｕメッキ等が施されて
いる。ここで、段差３２は全周０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ
の範囲で形成されるのが望ましい。更に、この寸法はベ
ース１の上面部３１の幅寸法の約１／２の割合となるよ
うに形成されている。本実施例では、上面部３１の幅寸
法０．３５ｍｍに対して、段差３２の寸法は約０．１５
ｍｍと設定している。
【００４２】ところで、図４にＦＥＭ解析したリッド１
１を接合する際の変形図を示す。
１を接合する際の変形図を示す。
【００４３】ここで、リッド１１は、厚みが０．１ｍｍ
前後のＦｅ−Ｃｏ系の金属板に、Ｐｂ−Ｓｎ系半田材や
銀ロウ材等を、その金属板表面にクラッド加工したもの
を用いている。
前後のＦｅ−Ｃｏ系の金属板に、Ｐｂ−Ｓｎ系半田材や
銀ロウ材等を、その金属板表面にクラッド加工したもの
を用いている。
【００４４】図４に示すように、クラッド材を溶融する
際の高温負荷により、リッド１１にはクラッド面を下に
して凹状に反りが発生する。これは、線膨張係数の異な
る異種の金属を貼り合わせたことにより、リッド１１が
収縮する際に熱変形が発生するためである。
際の高温負荷により、リッド１１にはクラッド面を下に
して凹状に反りが発生する。これは、線膨張係数の異な
る異種の金属を貼り合わせたことにより、リッド１１が
収縮する際に熱変形が発生するためである。
【００４５】このような変形した状態で封止加工を確実
に行うのは難しく、リーク不良を発生するなどの課題を
有している。
に行うのは難しく、リーク不良を発生するなどの課題を
有している。
【００４６】このような課題に対して、本発明ではリッ
ド１１と接合するベース１の上面部に、段差３２を有す
る少なくとも２層のメタライズを施すことにより、ベー
ス１の開口部の周囲縁部とリッド１１が接触し、段差３
２との間に溶融した半田等が安定したフィレットを形成
できるようにしている。
ド１１と接合するベース１の上面部に、段差３２を有す
る少なくとも２層のメタライズを施すことにより、ベー
ス１の開口部の周囲縁部とリッド１１が接触し、段差３
２との間に溶融した半田等が安定したフィレットを形成
できるようにしている。
【００４７】更に、封止加工もベース１の段差３２付近
に熱が集中してかかるように設定することにより、強固
な気密封止が確実に行える。
に熱が集中してかかるように設定することにより、強固
な気密封止が確実に行える。
【００４８】図６、及び図７に代表的な封止加工方法を
示す。
示す。
【００４９】図６は、Ｐｂ−Ｓｎ系半田を用いた場合の
封止である。リッド１１及びベース１の外形を位置決め
し、ベース１の裏面に適当な荷重３３を付加して、ベル
ト炉あるいは封止炉等で加熱しロウ材を接合面に均一に
溶融する。その後冷却して固体化させることにより強固
な気密封止が安価に行える。
封止である。リッド１１及びベース１の外形を位置決め
し、ベース１の裏面に適当な荷重３３を付加して、ベル
ト炉あるいは封止炉等で加熱しロウ材を接合面に均一に
溶融する。その後冷却して固体化させることにより強固
な気密封止が安価に行える。
【００５０】図７は、銀ロウを用いた場合の封止であ
る。ベース１及びリッド１１を位置決めし、リッド１１
の外周部を押え込んで、電子ビームあるいはレーザー等
をリッドの表面の微小部分に照射して、銀ロウに熱を伝
導してロウ材を溶融する。同様にその後冷却して固体化
させることにより強固な気密封止が安価に行える。
る。ベース１及びリッド１１を位置決めし、リッド１１
の外周部を押え込んで、電子ビームあるいはレーザー等
をリッドの表面の微小部分に照射して、銀ロウに熱を伝
導してロウ材を溶融する。同様にその後冷却して固体化
させることにより強固な気密封止が安価に行える。
【００５１】ところで、請求項４、５、６、７、８の発
明については、圧電振動子のみを内蔵する水晶振動子や
ＳＡＷ共振子等の圧電デバイスにも同様に適用できる。
明については、圧電振動子のみを内蔵する水晶振動子や
ＳＡＷ共振子等の圧電デバイスにも同様に適用できる。
【００５２】（実施例２）図５（ａ）、５（ｂ）は、本
発明の他の実施例である。ＩＣチップ２とＡＴカット水
晶振動子６が、平行に配置された構造の例である。ここ
で、 ＡＴカット水晶振動子６の支持部１０は、ベース
１の中間部に突起状のボスで形成されている。
発明の他の実施例である。ＩＣチップ２とＡＴカット水
晶振動子６が、平行に配置された構造の例である。ここ
で、 ＡＴカット水晶振動子６の支持部１０は、ベース
１の中間部に突起状のボスで形成されている。
【００５３】このように配置することにより、圧電発振
器はより薄い構造にすることができる。
器はより薄い構造にすることができる。
【００５４】以上、セラミック及び金属といった信頼性
が高く、かつ安価な構成部品を用いることにより、横３
〜４．５ｍｍ、幅２．５ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ〜０．９
ｍｍという小型薄型の圧電発振器が安価に得られる。
が高く、かつ安価な構成部品を用いることにより、横３
〜４．５ｍｍ、幅２．５ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ〜０．９
ｍｍという小型薄型の圧電発振器が安価に得られる。
【００５５】
【発明の効果】請求項１、２、３記載の発明によれば、
絶縁基板で形成されたベースのマウント部及び支持部の
一部が、少なくとも２層以上の金属層でメタライズされ
ていることにより、圧電発振器のパッケージの厚さを精
度良く設計でき、又、支持部で圧電振動子の左右の端を
支持することにより、長手方向のスペースも最小限に設
計でき、小型薄型の圧電デバイスを安価に提供できると
いう効果を有する。
絶縁基板で形成されたベースのマウント部及び支持部の
一部が、少なくとも２層以上の金属層でメタライズされ
ていることにより、圧電発振器のパッケージの厚さを精
度良く設計でき、又、支持部で圧電振動子の左右の端を
支持することにより、長手方向のスペースも最小限に設
計でき、小型薄型の圧電デバイスを安価に提供できると
いう効果を有する。
【００５６】請求項４、５、６、７、８記載の発明によ
れば、絶縁基板で形成されたベースの上面部の開口側縁
部に段差を設けることにより、ベースの開口部の周囲縁
部とリッドが接触し、段差との間に溶融した半田等が安
定したフィレットを形成できるようにしている。これに
より、気密封止が確実に行え高品質の圧電発振器が得ら
れるという効果を有する。
れば、絶縁基板で形成されたベースの上面部の開口側縁
部に段差を設けることにより、ベースの開口部の周囲縁
部とリッドが接触し、段差との間に溶融した半田等が安
定したフィレットを形成できるようにしている。これに
より、気密封止が確実に行え高品質の圧電発振器が得ら
れるという効果を有する。
【００５７】請求項９、１０記載の発明によれば、それ
ぞれマウント部、支持部及び上面部のメタライズ層を、
同じ厚みに設定することにより、ベースを製造する工程
で、Ｗ（タングステン）等の金属配線材料の印刷が同条
件で行うことができ、工程管理や品質管理が非常に簡潔
になり、歩留まりの良いセラミックベースが製造でき
る。これにより高品質の圧電デバイスが得られるという
効果を有する。
ぞれマウント部、支持部及び上面部のメタライズ層を、
同じ厚みに設定することにより、ベースを製造する工程
で、Ｗ（タングステン）等の金属配線材料の印刷が同条
件で行うことができ、工程管理や品質管理が非常に簡潔
になり、歩留まりの良いセラミックベースが製造でき
る。これにより高品質の圧電デバイスが得られるという
効果を有する。
【図１】本発明の圧電デバイスの構造図。（ａ）は、平
面図。（ｂ）は、正面図。
面図。（ｂ）は、正面図。
【図２】本発明の圧電デバイスのマウント部及び支持部
の拡大図。
の拡大図。
【図３】本発明の圧電デバイスのベースの上面部拡大
図。
図。
【図４】金属製クラッドタイプのリッドの熱応力変形
図。
図。
【図５】本発明の他の実施例の構造図。（ａ）は、平面
図。（ｂ）は、正面図。
図。（ｂ）は、正面図。
【図６】本発明の圧電デバイスの封止加工図。
【図７】本発明の圧電デバイスの封止加工図。
【図８】従来の圧電デバイスの構造図。（ａ）は、平面
図。（ｂ）は、正面図。
図。（ｂ）は、正面図。
１．ベース ２．ＩＣチップ ３．電極パターン ４．バンプ ５．導電性接着剤 ６．ＡＴカット水晶振動子 ７．支持部 ８．マウント部 ９．導電性接着剤 １０．支持部 １１．リッド １２．ロウ材 １３．水晶発振器 ２１．第一層 ２２．第二層 ３１．上面部 ３２．段差 ３３．荷重 １０１．ＩＣチップ １０２．ベース １０３．Ａｕワイヤーボンディング線 １０４．入出力電極 １０５．ＡＴカット水晶振動子 １０６．マウント部 １０７．リッド １０８．支持部
Claims (10)
- 【請求項１】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、絶縁基板で形成さ
れたベースの前記圧電振動子をマウントするマウント部
の電極が、少なくとも２層以上の金属層でメタライズさ
れていることを特徴とする圧電デバイス。 - 【請求項２】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、絶縁基板で形成さ
れたベースが前記圧電振動子の先端部の左右の端を支持
する支持部を有することを特徴とする圧電デバイス。 - 【請求項３】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、絶縁基板で形成さ
れたベースの前記支持部の一部が、少なくとも２層以上
の金属層でメタライズされていることを特徴とする請求
項２記載の圧電デバイス。 - 【請求項４】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、絶縁基板で形成さ
れたベースの上面部の開口側縁部が段差を有することを
特徴とする圧電デバイス。 - 【請求項５】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、前記段差が金属層
でメタライズされていることを特徴とする請求項４記載
の圧電デバイス。 - 【請求項６】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、絶縁基板で形成さ
れたベースの上面部が少なくとも２層以上の金属層でメ
タライズされていることを特徴とする請求項５記載の圧
電デバイス。 - 【請求項７】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、前記開口側縁部が
１層の金属層でメタライズされ、前記開口側縁部以外の
前記上面部が少なくとも２層以上の金属層でメタライズ
され段差が形成されていることを特徴とする請求項５又
は６記載の圧電デバイス。 - 【請求項８】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、金属層でメタライ
ズされた段差部分が０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの範囲であ
ることを特徴とする請求項７記載の圧電デバイス。 - 【請求項９】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、前記マウント部の
電極、前記支持部及び前記上面部の２層の金属層が、そ
れぞれ同じ厚みで形成されていることを特徴とする請求
項１、３又は６記載の圧電デバイス。 - 【請求項１０】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケ
ージに内蔵した圧電デバイスにおいて、２層の金属層の
下側第一層厚みが１０〜２０μｍの範囲であり、上側第
二層厚みが１０〜３０μｍの範囲であることを特徴とす
る請求項９記載の圧電デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33062197A JPH11163670A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 圧電デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33062197A JPH11163670A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 圧電デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163670A true JPH11163670A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18234717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33062197A Withdrawn JPH11163670A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 圧電デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163670A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679958B1 (ko) * | 1999-08-11 | 2007-02-08 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성표면파 장치 |
| JP2009135574A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
-
1997
- 1997-12-01 JP JP33062197A patent/JPH11163670A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679958B1 (ko) * | 1999-08-11 | 2007-02-08 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성표면파 장치 |
| JP2009135574A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040531 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040809 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
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| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20050930 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |