JPH07106458A - 気密封止形半導体装置 - Google Patents
気密封止形半導体装置Info
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- JPH07106458A JPH07106458A JP24583093A JP24583093A JPH07106458A JP H07106458 A JPH07106458 A JP H07106458A JP 24583093 A JP24583093 A JP 24583093A JP 24583093 A JP24583093 A JP 24583093A JP H07106458 A JPH07106458 A JP H07106458A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】信頼性の高い気密封止形半導体装置を提供す
る。 【構成】半導体ペレット１をマウントした金属ベース板
２と気密封止用外囲ケース３との間をろう付けし、外部
導出端子６に半導体ペレットから引出したワイヤ８との
間をボンディングした気密封止形半導体装置において、 （１）金属ベース板に無光沢電気Ｎｉメッキ９，および
無光沢電気Ａｕメッキ１０を施した上で、半導体ペレッ
トをＡｕ／Ｓｉ共晶ボンディングする。 （２）外囲ケースの内のりに沿って金属ベース板上にろ
う付けの際に外囲ケースの接合部からケース内方に流れ
出したろう材を取り込む凹溝２ａを設ける。 （３）外部導出端子のワイヤ接合部６ａの表面にあらか
じめ半光沢電気Ｎｉメッキ１１を施し、かつワイヤ接合
部の厚みＴをワイヤ線径φの３倍以上にしてワイヤを超
音波ボンディングする。
る。 【構成】半導体ペレット１をマウントした金属ベース板
２と気密封止用外囲ケース３との間をろう付けし、外部
導出端子６に半導体ペレットから引出したワイヤ８との
間をボンディングした気密封止形半導体装置において、 （１）金属ベース板に無光沢電気Ｎｉメッキ９，および
無光沢電気Ａｕメッキ１０を施した上で、半導体ペレッ
トをＡｕ／Ｓｉ共晶ボンディングする。 （２）外囲ケースの内のりに沿って金属ベース板上にろ
う付けの際に外囲ケースの接合部からケース内方に流れ
出したろう材を取り込む凹溝２ａを設ける。 （３）外部導出端子のワイヤ接合部６ａの表面にあらか
じめ半光沢電気Ｎｉメッキ１１を施し、かつワイヤ接合
部の厚みＴをワイヤ線径φの３倍以上にしてワイヤを超
音波ボンディングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気密封止形半導体装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のパッケージとしては樹脂封
止形，気密封止形が周知であり、昨今では一般用途向け
の半導体装置には樹脂封止形が多く使用されているが、
例えば人工衛星用などの過酷な環境の下で使われる特殊
用途向けのものでは、高信頼性を確保するために現在で
もメタルパッケージなどの気密封止形パッケージが採用
されている。
止形，気密封止形が周知であり、昨今では一般用途向け
の半導体装置には樹脂封止形が多く使用されているが、
例えば人工衛星用などの過酷な環境の下で使われる特殊
用途向けのものでは、高信頼性を確保するために現在で
もメタルパッケージなどの気密封止形パッケージが採用
されている。
【０００３】そして、かかる気密封止形半導体装置は、
半導体ペレット（Ｓｉ半導体）のマウント法として特に
伝熱性，オーミックコンタクト性が優れているＡｕ／Ｓ
ｉ共晶ボンディング法（Ａｕメッキを施した金属ベース
板と半導体ペレットの間にＡｕ箔，あるいはＡｕ／Ｓｉ
のはんだプリフォームを挟み、この状態で４００℃程度
に加熱しながら半導体ペレットを金属ベース上で擦り付
けて共晶ボンディングさせる）を採用し、またベース板
上に銀ろうなどで接合した気密封止用外囲ケースに対し
て外部導出端子をガラス封着して取付けるとともに、該
外部導出端子と半導体ペレットから引出したワイヤとの
間の接合には高い接合強度が得られる超音波ボンディン
グ法を採用して組立てるようにしている。
半導体ペレット（Ｓｉ半導体）のマウント法として特に
伝熱性，オーミックコンタクト性が優れているＡｕ／Ｓ
ｉ共晶ボンディング法（Ａｕメッキを施した金属ベース
板と半導体ペレットの間にＡｕ箔，あるいはＡｕ／Ｓｉ
のはんだプリフォームを挟み、この状態で４００℃程度
に加熱しながら半導体ペレットを金属ベース上で擦り付
けて共晶ボンディングさせる）を採用し、またベース板
上に銀ろうなどで接合した気密封止用外囲ケースに対し
て外部導出端子をガラス封着して取付けるとともに、該
外部導出端子と半導体ペレットから引出したワイヤとの
間の接合には高い接合強度が得られる超音波ボンディン
グ法を採用して組立てるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように過酷な環
境で使用される気密封止形半導体装置は、特に高い信頼
性が要求されるが、従来の製造技術では信頼性の面で次
記のような問題点が残る。すなわち、 （１）金属ベース板に半導体ペレットをＡｕ／Ｓｉ共晶
ボンディングする際に、接合不良の低減策として、表面
にＡｕメッキを施したベース板と半導体ペレットとの間
にＡｕ／Ｇｅ，Ａｕ／Ｓｎなどの共晶合金はんだプリフ
ォームを挟んで濡れ性を改善する方法などが知られてい
るが、この方法では特別なはんだ付け設備をようするほ
か、信頼性の面でも必ずしも十分に満足できる成果が得
られてないのが現状である。
境で使用される気密封止形半導体装置は、特に高い信頼
性が要求されるが、従来の製造技術では信頼性の面で次
記のような問題点が残る。すなわち、 （１）金属ベース板に半導体ペレットをＡｕ／Ｓｉ共晶
ボンディングする際に、接合不良の低減策として、表面
にＡｕメッキを施したベース板と半導体ペレットとの間
にＡｕ／Ｇｅ，Ａｕ／Ｓｎなどの共晶合金はんだプリフ
ォームを挟んで濡れ性を改善する方法などが知られてい
るが、この方法では特別なはんだ付け設備をようするほ
か、信頼性の面でも必ずしも十分に満足できる成果が得
られてないのが現状である。
【０００５】（２）金属ベース板とこの上に重ねた外囲
ケースとの間をろう付けする際に、溶融したろう材の一
部が金属ベース板の表面に流れ出して半導体ペレットの
マウント面域に付着して凹凸面を形成し、これが基で半
導体ペレットを共晶ボンディングする際に接合面にボイ
ド不良が発生したり、半導体ペレットに局所応力が加わ
ってクラックを発生するなどのトラブルが生じるおそれ
がある。
ケースとの間をろう付けする際に、溶融したろう材の一
部が金属ベース板の表面に流れ出して半導体ペレットの
マウント面域に付着して凹凸面を形成し、これが基で半
導体ペレットを共晶ボンディングする際に接合面にボイ
ド不良が発生したり、半導体ペレットに局所応力が加わ
ってクラックを発生するなどのトラブルが生じるおそれ
がある。
【０００６】（３）外部導出端子として従来では封着ガ
ラスとほぼ同じ線膨張率をもつコバール線を採用し、そ
の端部を偏平にプレスしてワイヤ接合部を形成して半導
体ペレットから引出したワイヤとの間を超音波ボンディ
ングするようにしているが、外部導出端子のワイヤ接合
部の表面が粗面を呈していたり、ワイヤ接合部の梁強度
が不足すると、これが原因で超音波ボンディングの際に
加える超音波振動が大きく減衰して接合不良の生じるこ
とが多い。
ラスとほぼ同じ線膨張率をもつコバール線を採用し、そ
の端部を偏平にプレスしてワイヤ接合部を形成して半導
体ペレットから引出したワイヤとの間を超音波ボンディ
ングするようにしているが、外部導出端子のワイヤ接合
部の表面が粗面を呈していたり、ワイヤ接合部の梁強度
が不足すると、これが原因で超音波ボンディングの際に
加える超音波振動が大きく減衰して接合不良の生じるこ
とが多い。
【０００７】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記した各項の課題が解決し、従来
と比べてより一層高い信頼性が確保できるようにした気
密封止形半導体装置を提供することにある。
であり、その目的は前記した各項の課題が解決し、従来
と比べてより一層高い信頼性が確保できるようにした気
密封止形半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体ペレットをマウントした金属ベー
ス板に気密封止用外囲ケースをろう付け接合するととも
に、該外囲ケースを貫通して封着支持した外部導出端子
に半導体ペレットから引出したワイヤをボンディングし
た気密封止形半導体装置を対象として、次記のように構
成するものとする。
に、本発明は、半導体ペレットをマウントした金属ベー
ス板に気密封止用外囲ケースをろう付け接合するととも
に、該外囲ケースを貫通して封着支持した外部導出端子
に半導体ペレットから引出したワイヤをボンディングし
た気密封止形半導体装置を対象として、次記のように構
成するものとする。
【０００９】（１）前記の構成において、金属ベース板
のペレットマウント面に無光沢電気Ｎｉメッキ，および
無光沢電気Ａｕメッキを施した上で半導体ペレットをＡ
ｕ／Ｓｉ共晶ボンディングする。 （２）前記の構成において、外囲ケースの内のりに沿っ
て金属ベース板上に、ろう付け工程で外囲ケースとの接
合部からケース内方に流れ出したろう材を取り込む凹溝
を形成する。
のペレットマウント面に無光沢電気Ｎｉメッキ，および
無光沢電気Ａｕメッキを施した上で半導体ペレットをＡ
ｕ／Ｓｉ共晶ボンディングする。 （２）前記の構成において、外囲ケースの内のりに沿っ
て金属ベース板上に、ろう付け工程で外囲ケースとの接
合部からケース内方に流れ出したろう材を取り込む凹溝
を形成する。
【００１０】（３）前記の構成において、外部導出端子
のワイヤ接合部の表面にあらかじめ半光沢電気Ｎｉメッ
キを施し、該メッキ層の上でワイヤを超音波ボンディン
グする。そして、この場合には、外部導出端子のワイヤ
接合部の厚みをワイヤ線径の３倍以上とするのがよい。
のワイヤ接合部の表面にあらかじめ半光沢電気Ｎｉメッ
キを施し、該メッキ層の上でワイヤを超音波ボンディン
グする。そして、この場合には、外部導出端子のワイヤ
接合部の厚みをワイヤ線径の３倍以上とするのがよい。
【００１１】
【作用】前項（１）により、金属ベース板のペレットマ
ウント面に無光沢電気Ｎｉメッキを施し、さらにこのメ
ッキ層を下地として、その上に無光沢電気Ａｕメッキを
施すと、そのメッキ層には0.２〜0.５μｍ程度の表面粗
さ（半光沢電気メッキの場合には表面粗さが0.１５μｍ
程度以下となる）が得られ、共晶ボンディングの際のは
んだの濡れ性が向上して高い接合性が確保できる。この
評価は試験結果からも確認されている。
ウント面に無光沢電気Ｎｉメッキを施し、さらにこのメ
ッキ層を下地として、その上に無光沢電気Ａｕメッキを
施すと、そのメッキ層には0.２〜0.５μｍ程度の表面粗
さ（半光沢電気メッキの場合には表面粗さが0.１５μｍ
程度以下となる）が得られ、共晶ボンディングの際のは
んだの濡れ性が向上して高い接合性が確保できる。この
評価は試験結果からも確認されている。
【００１２】また、前項（２）のように、外囲ケースの
内のりに沿って金属ベース板上に凹溝を形成しておくこ
とにより、この凹溝がダムの役目を果たし、ろう付け工
程で外囲ケースとの接合部から流れ出したろう材が凹溝
を超えて半導体ペレットのマウント面域に付着するのを
確実に防げる。これにより、ろう材の付着に起因して半
導体ペレットをマウントする際に生じるトラブルが回避
される。
内のりに沿って金属ベース板上に凹溝を形成しておくこ
とにより、この凹溝がダムの役目を果たし、ろう付け工
程で外囲ケースとの接合部から流れ出したろう材が凹溝
を超えて半導体ペレットのマウント面域に付着するのを
確実に防げる。これにより、ろう材の付着に起因して半
導体ペレットをマウントする際に生じるトラブルが回避
される。
【００１３】さらに、外部導出端子にワイヤを超音波ボ
ンディングする場合には、外部導出端子におけるワイヤ
接合部の表面粗さが接合性に大きく影響する。すなわ
ち、外部導出端子のワイヤ接合部の表面粗さが大きいと
ワイヤとの間の密着性が低まり、かつ超音波ボンディン
グの接合メカニズム上での摩擦運動に対する抵抗力が大
きくなって材料間の摩擦熱が有効に機能せずに接合性が
低下する。かかる点、前項（３）のようにワイヤ接合部
の表面にあらかじめ半光沢電気Ｎｉメッキを施しておく
ことにより、表面が平坦化されて摩擦運動のロスが小さ
くなり、超音波ボンディングによる接合性が向上する。
また、超音波ボンディングを行う際に梁材となる外部導
出端子のワイヤ接合部の剛性が低いとボンディングツー
ルから加えた超音波振動が逃げてしまい、適正な摩擦熱
が得られずに接合不良を引き起こすおそれがある。かか
る点、前記の半光沢電気Ｎｉメッキと併せてワイヤ接合
部の厚さをワイヤ線径の少なくとも３倍以上に設定して
おくことにより、超音波振動の減衰を抑えてワイヤを安
定接合できることが実験からも確認されている。
ンディングする場合には、外部導出端子におけるワイヤ
接合部の表面粗さが接合性に大きく影響する。すなわ
ち、外部導出端子のワイヤ接合部の表面粗さが大きいと
ワイヤとの間の密着性が低まり、かつ超音波ボンディン
グの接合メカニズム上での摩擦運動に対する抵抗力が大
きくなって材料間の摩擦熱が有効に機能せずに接合性が
低下する。かかる点、前項（３）のようにワイヤ接合部
の表面にあらかじめ半光沢電気Ｎｉメッキを施しておく
ことにより、表面が平坦化されて摩擦運動のロスが小さ
くなり、超音波ボンディングによる接合性が向上する。
また、超音波ボンディングを行う際に梁材となる外部導
出端子のワイヤ接合部の剛性が低いとボンディングツー
ルから加えた超音波振動が逃げてしまい、適正な摩擦熱
が得られずに接合不良を引き起こすおそれがある。かか
る点、前記の半光沢電気Ｎｉメッキと併せてワイヤ接合
部の厚さをワイヤ線径の少なくとも３倍以上に設定して
おくことにより、超音波振動の減衰を抑えてワイヤを安
定接合できることが実験からも確認されている。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の実施例による気密封止形半導体装
置の組立構造を示すものであり、図において、１はＳｉ
半導体ペレット、２は半導体ペレット１をマウントして
Ａｕ／Ｓｉ共晶ボンディングしたコバール，銅，タング
ステンなどの金属ベース板、３は半導体ペレット１を包
囲して金属ベース板２の上にＡｇろう，Ａｕろうなどの
ろう材４を用いてろう付け接合したコバール製の気密封
止用外囲ケース、５は外囲ケース３の上面にシーム溶接
などで接合したケース蓋、６は外囲ケース３を貫通して
取付けたコバール線の外部導出端子、６ａは外部導出端
子６の端部をプレス加工により偏平に潰して形成したワ
イヤ接合部、７は外部導出端子６の貫通部を気密シール
する封着ガラス、８は半導体ペレット１から引出して外
部導出端子６のワイヤ接合部６ａに接続したＡｌワイヤ
である。また、前記外囲ケース３の内のりに沿って金属
ベース板２の板面周域には凹溝２ａが形成されており、
さらに、外部導出端子６のワイヤ接合部６ａの厚さＴは
Ａｌワイヤ８の線径φの少なくとも３倍以上の寸法に定
めてある。
する。図１は本発明の実施例による気密封止形半導体装
置の組立構造を示すものであり、図において、１はＳｉ
半導体ペレット、２は半導体ペレット１をマウントして
Ａｕ／Ｓｉ共晶ボンディングしたコバール，銅，タング
ステンなどの金属ベース板、３は半導体ペレット１を包
囲して金属ベース板２の上にＡｇろう，Ａｕろうなどの
ろう材４を用いてろう付け接合したコバール製の気密封
止用外囲ケース、５は外囲ケース３の上面にシーム溶接
などで接合したケース蓋、６は外囲ケース３を貫通して
取付けたコバール線の外部導出端子、６ａは外部導出端
子６の端部をプレス加工により偏平に潰して形成したワ
イヤ接合部、７は外部導出端子６の貫通部を気密シール
する封着ガラス、８は半導体ペレット１から引出して外
部導出端子６のワイヤ接合部６ａに接続したＡｌワイヤ
である。また、前記外囲ケース３の内のりに沿って金属
ベース板２の板面周域には凹溝２ａが形成されており、
さらに、外部導出端子６のワイヤ接合部６ａの厚さＴは
Ａｌワイヤ８の線径φの少なくとも３倍以上の寸法に定
めてある。
【００１５】かかる気密封止形半導体装置を組立てるに
は、あらかじめ金属ベース板２のペレットマウント面域
に無光沢電気Ｎｉメッキ層９をメッキし、これを下地と
してその上に重ねて無光沢電気Ａｕメッキ層１０を成層
して表面粗さの粗いＡｕメッキ層を形成しておく。ま
た、外部導出端子６に対しては、そのワイヤ接合部６ａ
の表面に半光沢電気Ｎｉメッキ層１１を被着して平滑面
に処理しておく。
は、あらかじめ金属ベース板２のペレットマウント面域
に無光沢電気Ｎｉメッキ層９をメッキし、これを下地と
してその上に重ねて無光沢電気Ａｕメッキ層１０を成層
して表面粗さの粗いＡｕメッキ層を形成しておく。ま
た、外部導出端子６に対しては、そのワイヤ接合部６ａ
の表面に半光沢電気Ｎｉメッキ層１１を被着して平滑面
に処理しておく。
【００１６】そして、外囲ケース３に外部導出端子６を
装着して貫通部をガラス７で封着した後、金属ベース板
２と外囲ケース３との間をろう付けする。このろう付け
工程の際に接合面よりケースの内側に流れ出したろう材
４は、外囲ケース３の内法に沿って金属ベース板２に形
成し凹溝２ａの中に全て取り込まれ、該凹溝２ａを越え
て内方のペレットマウント面域にはみ出すことが確実に
阻止される。これにより、金属ベース板２の上に半導体
ペレット１をマウントする際に、そのマウント面へのろ
う材４のはみ出しが基で生じるトラブルを防ぐことがで
きる。
装着して貫通部をガラス７で封着した後、金属ベース板
２と外囲ケース３との間をろう付けする。このろう付け
工程の際に接合面よりケースの内側に流れ出したろう材
４は、外囲ケース３の内法に沿って金属ベース板２に形
成し凹溝２ａの中に全て取り込まれ、該凹溝２ａを越え
て内方のペレットマウント面域にはみ出すことが確実に
阻止される。これにより、金属ベース板２の上に半導体
ペレット１をマウントする際に、そのマウント面へのろ
う材４のはみ出しが基で生じるトラブルを防ぐことがで
きる。
【００１７】次に、Ａｕメッキを施した半導体ペレット
１と金属ベース板２との間にＡｕ箔，あるいはＡｕ／Ｓ
ｉのはんだプリフォームを挟み、加熱状態で半導体ペレ
ット１をコレットなどにより吸着保持したまま金属ベー
ス板２に擦り付けて共晶ボンディングする。この場合
に、先記のように金属ベース板側に無光沢電気メッキ法
で被着したＡｕメッキ層１０は0.２〜0.５μｍ程度の表
面粗さとなるので共晶合金に対する良好な濡れ性が得ら
れ、この結果として接合性の高い共晶ボンディングが達
成される。
１と金属ベース板２との間にＡｕ箔，あるいはＡｕ／Ｓ
ｉのはんだプリフォームを挟み、加熱状態で半導体ペレ
ット１をコレットなどにより吸着保持したまま金属ベー
ス板２に擦り付けて共晶ボンディングする。この場合
に、先記のように金属ベース板側に無光沢電気メッキ法
で被着したＡｕメッキ層１０は0.２〜0.５μｍ程度の表
面粗さとなるので共晶合金に対する良好な濡れ性が得ら
れ、この結果として接合性の高い共晶ボンディングが達
成される。
【００１８】続いて外部導出端子６のワイヤ接合部６の
表面にあらかじめ被着しておいた半光沢電気Ｎｉメッキ
層１１の上で、半導体ペレット１より引出したＡｌワイ
ヤ８を超音波ボンディング法により接合する。この場合
に、ワイヤ接合部６ａの表面はメッキ層１１で平滑処理
されており、かつワイヤ接合部６ａはＡｌワイヤ８の線
径の少なくとも３倍以上の厚みに設定されているので、
これにより、ボンディングツールより加えた超音波振動
の減衰が少なく、材料間の摩擦熱が有効に機能して接合
強度の高い超音波ボンディングが達成される。
表面にあらかじめ被着しておいた半光沢電気Ｎｉメッキ
層１１の上で、半導体ペレット１より引出したＡｌワイ
ヤ８を超音波ボンディング法により接合する。この場合
に、ワイヤ接合部６ａの表面はメッキ層１１で平滑処理
されており、かつワイヤ接合部６ａはＡｌワイヤ８の線
径の少なくとも３倍以上の厚みに設定されているので、
これにより、ボンディングツールより加えた超音波振動
の減衰が少なく、材料間の摩擦熱が有効に機能して接合
強度の高い超音波ボンディングが達成される。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項１に
よれば、金属ベース板に半導体ペレットを接合性よく共
晶ボンディングすることができ、また請求項２の構成を
採用することにより、外囲ケースのろう付け工程で流れ
出した余剰のろう材がペレットマウント面にはみ出すの
を阻止して半導体ペレットのマウントに障害が及ぶのを
回避することができ、さらに請求項３，４により外部導
出端子にワイヤを接合性よく超音波ボンディングでき、
これらを併用することにより人工衛星用などの過酷な環
境条件の下で使用するものとして、従来と比べてより一
層信頼性の高い気密封止形半導体装置を提供することが
できる。
よれば、金属ベース板に半導体ペレットを接合性よく共
晶ボンディングすることができ、また請求項２の構成を
採用することにより、外囲ケースのろう付け工程で流れ
出した余剰のろう材がペレットマウント面にはみ出すの
を阻止して半導体ペレットのマウントに障害が及ぶのを
回避することができ、さらに請求項３，４により外部導
出端子にワイヤを接合性よく超音波ボンディングでき、
これらを併用することにより人工衛星用などの過酷な環
境条件の下で使用するものとして、従来と比べてより一
層信頼性の高い気密封止形半導体装置を提供することが
できる。
【図１】本発明の実施例による気密封止形半導体装置の
組立構造図
組立構造図
１ 半導体ペレット ２ 金属ベース板 ２ａ 凹溝 ３ 外囲ケース ４ ろう材 ６ 外部導出端子 ６ａ ワイヤ接合部 ７ 封着ガラス ８ Ａｌワイヤ ９ 無光沢電気Ｎｉメッキ層 １０ 無光沢電気Ａｕメッキ層 １１ 半光沢電気Ｎｉメッキ層
Claims (4)
- 【請求項１】半導体ペレットをマウントした金属ベース
板に気密封止用外囲ケースをろう付け接合するととも
に、該外囲ケースを貫通して封着支持した外部導出端子
に半導体ペレットから引出したワイヤをボンディングし
た気密封止形半導体装置において、前記金属ベース板の
ペレットマウント面に無光沢電気Ｎｉメッキ，および無
光沢電気Ａｕメッキを施した上で半導体ペレットをＡｕ
／Ｓｉ共晶ボンディングしたことを特徴とする気密封止
形半導体装置。 - 【請求項２】半導体ペレットをマウントした金属ベース
板に気密封止用外囲ケースをろう付け接合するととも
に、該外囲ケースを貫通して封着支持した外部導出端子
に半導体ペレットから引出したワイヤをボンディングし
た気密封止形半導体装置において、外囲ケースの内のり
に沿って金属ベース板上に、外囲ケースとのろう付け工
程でケース内方に流れ出したろう材を取り込む凹溝を形
成したことを特徴とする気密封止形半導体装置。 - 【請求項３】半導体ペレットをマウントした金属ベース
板に気密封止用外囲ケースをろう付け接合するととも
に、該外囲ケースを貫通して封着支持した外部導出端子
に半導体ペレットから引出したワイヤをボンディングし
た気密封止形半導体装置において、外部導出端子のワイ
ヤ接合部の表面にあらかじめ半光沢電気Ｎｉメッキを施
し、該メッキ層の上でワイヤを超音波ボンディングした
ことを特徴とする気密封止形半導体装置。 - 【請求項４】請求項３記載の半導体装置において、外部
導出端子のワイヤ接合部の厚みをワイヤ線径の３倍以上
としたことを特徴とする気密封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24583093A JPH07106458A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 気密封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24583093A JPH07106458A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 気密封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106458A true JPH07106458A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17139493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24583093A Pending JPH07106458A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 気密封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106458A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09107057A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子搭載用プラスチックパッケージおよびその製造方法 |
| JP2007243145A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-09-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高放熱型電子部品収納用パッケージ及びその製造方法 |
| WO2017094189A1 (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
-
1993
- 1993-10-01 JP JP24583093A patent/JPH07106458A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09107057A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子搭載用プラスチックパッケージおよびその製造方法 |
| JP2007243145A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-09-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高放熱型電子部品収納用パッケージ及びその製造方法 |
| WO2017094189A1 (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| JPWO2017094189A1 (ja) * | 2015-12-04 | 2018-02-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| US10483176B2 (en) | 2015-12-04 | 2019-11-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module |
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