JPS62141747A - 半導体リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS62141747A JPS62141747A JP28251085A JP28251085A JPS62141747A JP S62141747 A JPS62141747 A JP S62141747A JP 28251085 A JP28251085 A JP 28251085A JP 28251085 A JP28251085 A JP 28251085A JP S62141747 A JPS62141747 A JP S62141747A
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- lead frame
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は半導体素子を搭載する安価で強度、加工性（変
形性）、導電性（伝熱性）及び耐食性が優れ、良好な半
田付は性、樹脂との密着性（モールド性）及びメッキ性
を有する半導体リードフレームに関するものである。
形性）、導電性（伝熱性）及び耐食性が優れ、良好な半
田付は性、樹脂との密着性（モールド性）及びメッキ性
を有する半導体リードフレームに関するものである。
一般にトランジスター、ＩＣ，ホトカプラー、ダイオー
ド、ＣｏＤコンバーター、レーザーダイオード等の半導
体や抵抗アレーなどの電子部品は、多くの場合カードフ
レームを用いて封止実装してている。このようなリード
フレームとしては、断面の一例を第１図に、平面の他の
−例を第２図に示すように、フレームのタブ部（１）に
３ｉチツプのような半導体素子（２）をエポキシなどの
接着剤や半田又はＡｕ−３ｉなどの合金ろうからなる接
合層（３）を介してダイボンドし、素子（２）上の電極
パッド（４）とフレームのインナーリード先端部（５）
をＡＬＪやＡ１などの金属細線（６）によりワイヤーボ
ンドした後、エポキシ等の樹脂により封止モールド（７
）シ、更にモールド（７）より突出するアウターリード
部（８）に、多くの場合３ｎや半田メッキを施してから
曲げ加工してパッケージが作られている。
ド、ＣｏＤコンバーター、レーザーダイオード等の半導
体や抵抗アレーなどの電子部品は、多くの場合カードフ
レームを用いて封止実装してている。このようなリード
フレームとしては、断面の一例を第１図に、平面の他の
−例を第２図に示すように、フレームのタブ部（１）に
３ｉチツプのような半導体素子（２）をエポキシなどの
接着剤や半田又はＡｕ−３ｉなどの合金ろうからなる接
合層（３）を介してダイボンドし、素子（２）上の電極
パッド（４）とフレームのインナーリード先端部（５）
をＡＬＪやＡ１などの金属細線（６）によりワイヤーボ
ンドした後、エポキシ等の樹脂により封止モールド（７
）シ、更にモールド（７）より突出するアウターリード
部（８）に、多くの場合３ｎや半田メッキを施してから
曲げ加工してパッケージが作られている。
従来リードフレームは、Ｆｅ−Ｎｉ合金やコバール（Ｆ
ｅ−Ｎ １−Ｃｏ合金）の板条材カラプレス又はエツチ
ング成型により造られていたが、近年熱や電気の良導体
で経済的なＣｕ合金が多量生産されるプラスチック封止
半導体のリードフレームとして多量に使用されるように
なった。このようなＣｕ合金には、例えばＣＵ−ｓｎ系
（Ｃｕ−４ｗｔ％５ｎ−０，１ｗｔ％Ｐ１Ｃｕ−５ｗｔ
％３ｎ−０．Ｉｗｔ％Ｐ、Ｃｕ−８ｗｔ％３ｎ−０，１
ｗｔ％Ｐ、 Ｃｕ −３，５ｗｔ％３ｎ−０，２ｗｔ
％Ｃｒ−Ｌ５ｗｔ％Ｐ）（以下魁％ヲ％ト略記）、Ｃｕ
−Ｆｅ系（Ｃｕ −２，４％Ｆｅ−０，３％Ｚｎ−０，
０４％Ｐ１ Ｃｕ−１，５％Ｆｅ−０，８％３ｎ−０，
８％Ｃｏ−０，１％Ｐ）、Ｃｕ−Ｃ０系（Ｃｕ−０，３
％Ｃ０−０，１％Ｐ） 、Ｃｕ−Ｎ １−８ｎ系（ＣＬ
Ｊ−９，５％Ｎｉ−２，３％３ｎ、Ｃｕ−０，１％Ｎ
ｉ −２，５％５ｎ−（）、１％Ｐ） 、Ｃｔ、ｌ−Ｚ
ｒ系（ＣＬＪ−０，１５％Ｚｒ） 、Ｃｕ−３ｎ −Ｃ
ｒ系（Ｃｕ−０，１５％３ｎ−０，１％Ｃｒ）等が用い
られている。
ｅ−Ｎ １−Ｃｏ合金）の板条材カラプレス又はエツチ
ング成型により造られていたが、近年熱や電気の良導体
で経済的なＣｕ合金が多量生産されるプラスチック封止
半導体のリードフレームとして多量に使用されるように
なった。このようなＣｕ合金には、例えばＣＵ−ｓｎ系
（Ｃｕ−４ｗｔ％５ｎ−０，１ｗｔ％Ｐ１Ｃｕ−５ｗｔ
％３ｎ−０．Ｉｗｔ％Ｐ、Ｃｕ−８ｗｔ％３ｎ−０，１
ｗｔ％Ｐ、 Ｃｕ −３，５ｗｔ％３ｎ−０，２ｗｔ
％Ｃｒ−Ｌ５ｗｔ％Ｐ）（以下魁％ヲ％ト略記）、Ｃｕ
−Ｆｅ系（Ｃｕ −２，４％Ｆｅ−０，３％Ｚｎ−０，
０４％Ｐ１ Ｃｕ−１，５％Ｆｅ−０，８％３ｎ−０，
８％Ｃｏ−０，１％Ｐ）、Ｃｕ−Ｃ０系（Ｃｕ−０，３
％Ｃ０−０，１％Ｐ） 、Ｃｕ−Ｎ １−８ｎ系（ＣＬ
Ｊ−９，５％Ｎｉ−２，３％３ｎ、Ｃｕ−０，１％Ｎ
ｉ −２，５％５ｎ−（）、１％Ｐ） 、Ｃｔ、ｌ−Ｚ
ｒ系（ＣＬＪ−０，１５％Ｚｒ） 、Ｃｕ−３ｎ −Ｃ
ｒ系（Ｃｕ−０，１５％３ｎ−０，１％Ｃｒ）等が用い
られている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかるにより経済性を志向する一部の半導体ではリード
フレームに炭素鋼の使用が試みられており、何れも表面
にＣｕメッキを施して用いられているが、耐食性が劣る
ものである。例えばＣｕを厚メッキしてもプレスやエツ
チング成型により端面に素材が露出し、フレームに成型
してからＣｕを被覆しても、モールド後のダイパーカッ
ト等により端面に素材が露出する。このような素材の露
出は半導体装置の致命的欠陥となっており、経済的で優
れた強度、加工性（変形性）、導電性（伝熱性）及び耐
食性を有し、かつ半田付は性、樹脂との密着性（モール
ド性）及びメッキ性の良好なリードフレームの開発が強
く望まれている。
フレームに炭素鋼の使用が試みられており、何れも表面
にＣｕメッキを施して用いられているが、耐食性が劣る
ものである。例えばＣｕを厚メッキしてもプレスやエツ
チング成型により端面に素材が露出し、フレームに成型
してからＣｕを被覆しても、モールド後のダイパーカッ
ト等により端面に素材が露出する。このような素材の露
出は半導体装置の致命的欠陥となっており、経済的で優
れた強度、加工性（変形性）、導電性（伝熱性）及び耐
食性を有し、かつ半田付は性、樹脂との密着性（モール
ド性）及びメッキ性の良好なリードフレームの開発が強
く望まれている。
一方Ｚｎを２０〜３７％含むＣｕ合金、例えば黄銅は安
価な合金で、強度が高く、加工性と耐食性が優れ、導電
率も２８〜３０％ＩＡＣＳ程度であり、半導体リードフ
レームとして十分な特性を有している。しかしＺｎを多
量に含有するためにＺｎによる半導体素子の汚染を起す
。即ちパッケージング工程の高温条件（ダイボンド、ワ
イヤーボンド、モールド等）や使用期間中に、ｚｎ分の
拡散や蒸発により素子に付着する。特に共晶ダイボンド
では４００℃以上の高温を必要とするため素子の汚染の
危険性が大きい。またタブ部やインナーリード先端部に
Ａｃｔメッキを施すことが、多いが、薄メッキでは素材
の７０分が拡散してボンディング性を阻害する。
価な合金で、強度が高く、加工性と耐食性が優れ、導電
率も２８〜３０％ＩＡＣＳ程度であり、半導体リードフ
レームとして十分な特性を有している。しかしＺｎを多
量に含有するためにＺｎによる半導体素子の汚染を起す
。即ちパッケージング工程の高温条件（ダイボンド、ワ
イヤーボンド、モールド等）や使用期間中に、ｚｎ分の
拡散や蒸発により素子に付着する。特に共晶ダイボンド
では４００℃以上の高温を必要とするため素子の汚染の
危険性が大きい。またタブ部やインナーリード先端部に
Ａｃｔメッキを施すことが、多いが、薄メッキでは素材
の７０分が拡散してボンディング性を阻害する。
このような理由から高Ｚｎ含有のＣｕ合金はリードフレ
ームとして適さないものとされ、応力腐食割れを起し易
いこともその理由に加えられている。
ームとして適さないものとされ、応力腐食割れを起し易
いこともその理由に加えられている。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、半導体リードフレ
ームとして上記諸特性を満足し、かつ安価でパフォーマ
ンスの優れた半導体リードフレームを開発したもので、
半導体素子を搭載するリードフレームにおいて、Ｚｎを
２０〜３７％含むＣｕ合金からなるフレーム状基体の少
なくともタブ部としインナーリード先端部に、導電率８
０％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣｕ合金を被覆するか、或
いはＮｉ、ＧＯ又はこれ等の合金からなる中間層を介し
て導電率８０％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣｕ合金を被覆
したことを特徴とするものである。
ームとして上記諸特性を満足し、かつ安価でパフォーマ
ンスの優れた半導体リードフレームを開発したもので、
半導体素子を搭載するリードフレームにおいて、Ｚｎを
２０〜３７％含むＣｕ合金からなるフレーム状基体の少
なくともタブ部としインナーリード先端部に、導電率８
０％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣｕ合金を被覆するか、或
いはＮｉ、ＧＯ又はこれ等の合金からなる中間層を介し
て導電率８０％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣｕ合金を被覆
したことを特徴とするものである。
即ち本発明はＺｎを２５〜３７％含むＣｕ合金、例えば
黄銅からなるフレーム状基体の少なくともタブ部とイン
ナーリード先端部、望ましくは基体全面に導電率が８０
％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣＬＪ合金を被覆するか、或
いはＮ１５Ｃｏ又はこれ等の合金からなる中間層を介し
て導電率が８０％ＩＡＣＳ以上のＣＵ又はＣｕ合金を被
覆したものである。導電率が８０％ＩＡＣＳ以上（７）
Ｃｕ又はＣｕ合金としては、例えば純Ｃｕを始めＣｕ−
０，１％Ｚｒ合金、Ｃｕ −０，１〜０．３％３ｎ合金
、Ｑｕ−０，０５％Ａｇ合金、ＣＬＪ−０，１５％Ｆｅ
合金、Ｃｕ−０，１％ＭＣＩ合金等（以下Ｃｕ等と略記
）を用い、Ｎｉ、Ｃｏ又はこれ等の合金としては、例え
ばＮｉ又はＣｏを始め、Ｎ１−Ｇｏ合金、Ｎｉ−１”ｅ
合金、Ｎｉ−Ｐｄ合金、Ｎ１−Ｐ合金、Ｎｉ−８合金、
ＧＯ−Ｐｄ合金、Ｃ０−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｃ
０−Ｃｒ合金等（以下Ｎｉ等と略記〉を用いる。
黄銅からなるフレーム状基体の少なくともタブ部とイン
ナーリード先端部、望ましくは基体全面に導電率が８０
％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣＬＪ合金を被覆するか、或
いはＮ１５Ｃｏ又はこれ等の合金からなる中間層を介し
て導電率が８０％ＩＡＣＳ以上のＣＵ又はＣｕ合金を被
覆したものである。導電率が８０％ＩＡＣＳ以上（７）
Ｃｕ又はＣｕ合金としては、例えば純Ｃｕを始めＣｕ−
０，１％Ｚｒ合金、Ｃｕ −０，１〜０．３％３ｎ合金
、Ｑｕ−０，０５％Ａｇ合金、ＣＬＪ−０，１５％Ｆｅ
合金、Ｃｕ−０，１％ＭＣＩ合金等（以下Ｃｕ等と略記
）を用い、Ｎｉ、Ｃｏ又はこれ等の合金としては、例え
ばＮｉ又はＣｏを始め、Ｎ１−Ｇｏ合金、Ｎｉ−１”ｅ
合金、Ｎｉ−Ｐｄ合金、Ｎ１−Ｐ合金、Ｎｉ−８合金、
ＧＯ−Ｐｄ合金、Ｃ０−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｃ
０−Ｃｒ合金等（以下Ｎｉ等と略記〉を用いる。
Ｃｕ等やＮｉ等の被覆は、基体の少なくともタブ部とイ
ンナーリード先端に施せば十分であるが、基体の全面１
施せば、生産性の面で有利である。例えば気体の両面又
は片面にＣｕ等を被覆するか、或いはＮｉ等の中間層を
介してＣｕ等を被覆した後、プレスやエツチング成型す
ることにより、能率よくリードフレームを得ることがで
きる。Ｃｕ等の被覆厚さは使用条件にもよるが、通常は
０．５μ以上、望ましくは１〜５μとする。またＮｉ等
の被覆厚さは２μ以下、実用上は０．０５〜１μとする
ことが望ましい。
ンナーリード先端に施せば十分であるが、基体の全面１
施せば、生産性の面で有利である。例えば気体の両面又
は片面にＣｕ等を被覆するか、或いはＮｉ等の中間層を
介してＣｕ等を被覆した後、プレスやエツチング成型す
ることにより、能率よくリードフレームを得ることがで
きる。Ｃｕ等の被覆厚さは使用条件にもよるが、通常は
０．５μ以上、望ましくは１〜５μとする。またＮｉ等
の被覆厚さは２μ以下、実用上は０．０５〜１μとする
ことが望ましい。
これ等Ｃｕ等とＮｉ等の被覆はメッキ法、ＰＶＤ法、ク
ラッド法等任意の方法で施せばよい。
ラッド法等任意の方法で施せばよい。
本発明はｚｎを２０〜３７％含むＣＬＪ合金、例えば安
価な黄銅からなる基体の少なくともタブ部とインナーリ
ード先端部にＣｕ等を被覆するか、或いはＮｉ等の中間
層を介してＣｕ等を被覆したのは、上記黄銅のリードフ
レームとしての不都合を解消し、鉄鋼系より経済的で耐
食性やパフォーマンスの優れたものとするためであり、
Ｎｉ等の中間層は拡散バリヤーとしてＣＵ等の被覆を強
化し、被覆厚さを薄くすることができる。
価な黄銅からなる基体の少なくともタブ部とインナーリ
ード先端部にＣｕ等を被覆するか、或いはＮｉ等の中間
層を介してＣｕ等を被覆したのは、上記黄銅のリードフ
レームとしての不都合を解消し、鉄鋼系より経済的で耐
食性やパフォーマンスの優れたものとするためであり、
Ｎｉ等の中間層は拡散バリヤーとしてＣＵ等の被覆を強
化し、被覆厚さを薄くすることができる。
本発明において基体となるＣｕ合金のＺｎ含有量を２０
〜３７％と限定したのは、Ｚｎの増加により、基体の強
度及び耐食性を十分に高めると共に基体のコストを下げ
るためで、Ｚｎ含有量が２０％未満では強度が不足し、
コスト低下が不十分となり、３７％を越えると過剰のβ
相を晶出して加工性及び耐食性を低下するためである。
〜３７％と限定したのは、Ｚｎの増加により、基体の強
度及び耐食性を十分に高めると共に基体のコストを下げ
るためで、Ｚｎ含有量が２０％未満では強度が不足し、
コスト低下が不十分となり、３７％を越えると過剰のβ
相を晶出して加工性及び耐食性を低下するためである。
尚上記組成に加えて少量のＳｉ、Ｐ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ
、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａ１．３ｎ等を添加して強度及び耐応力
腐食割れ性の向上を計ることができる。
、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａ１．３ｎ等を添加して強度及び耐応力
腐食割れ性の向上を計ることができる。
（実施例）
実施例（１）
厚さ０．２５履のＱｕ−３５％Ｚｎ合金条の両面に、下
記メッキ液を用いて第１表に示す中間層と導電率１００
％ＩＡＣＳ以上の純Ｃｕ層をメッキしてからプレス法に
よりパンチして、第２図に示すリードフレームを作成し
た。
記メッキ液を用いて第１表に示す中間層と導電率１００
％ＩＡＣＳ以上の純Ｃｕ層をメッキしてからプレス法に
よりパンチして、第２図に示すリードフレームを作成し
た。
このフレームについてタブ部とインナーリード先端部に
厚さ２μのＡＱスポットメッキした後、タブ部にペース
トを用いて１８０’Ｃで３ｉ素子をダイボンドし、素子
上の電極パッドとインナーリード先端部に、線径２５μ
のＡｕ線を用いて超音波併用熱圧着法により２５０’Ｃ
でワイヤーボンドした。これをノボラック型エポキシレ
ジンでトランスファーモルトして封止した後、ダイパー
カットしてからパリ取りを施し、モールドより突出する
アウターリード部に厚さ２μの半田メッキを施してＩＣ
を作成した。
厚さ２μのＡＱスポットメッキした後、タブ部にペース
トを用いて１８０’Ｃで３ｉ素子をダイボンドし、素子
上の電極パッドとインナーリード先端部に、線径２５μ
のＡｕ線を用いて超音波併用熱圧着法により２５０’Ｃ
でワイヤーボンドした。これをノボラック型エポキシレ
ジンでトランスファーモルトして封止した後、ダイパー
カットしてからパリ取りを施し、モールドより突出する
アウターリード部に厚さ２μの半田メッキを施してＩＣ
を作成した。
上記工程中、ワイヤーボンドの接合性をプルテストによ
り比較すると共に完成したＩＣを２５０℃の共晶半田浴
に５回ディップしてから１２０℃のプレッシャークツカ
ーに１ｏｏｏ時間保持した後、動作試験を行なった。
り比較すると共に完成したＩＣを２５０℃の共晶半田浴
に５回ディップしてから１２０℃のプレッシャークツカ
ーに１ｏｏｏ時間保持した後、動作試験を行なった。
また第１表に示す一部のフレームを３５０’Ｃのホット
プレート上に５分間戴置した後、表層（１μμ人）を分
析した。これ等の結果をリン青銅（Ｃｕ−８％３ｎ−０
，１％Ｐ合金）ヲ用イた従来フレームと比較して第１表
に併記した。
プレート上に５分間戴置した後、表層（１μμ人）を分
析した。これ等の結果をリン青銅（Ｃｕ−８％３ｎ−０
，１％Ｐ合金）ヲ用イた従来フレームと比較して第１表
に併記した。
第１表から明らかなように本発明フレームＮＯ，１〜５
は何れも表層分析の結果微量又は分析下限以下のＺｎ量
にとどまっており、プルテストの結果も良好で、動作試
験では従来フレームＮ０．７を用いたものよりはるかに
優れていることが判る。これに対してＣｕを被覆しない
比較例Ｎ０．６ではボンディング強度を劣化し、故障率
も増大することが判る。また従来フレームＮｏ、７では
充分なＣｕ被覆厚さにもかかわらず高い故障率を示した
。これは加熱工程で脆弱な酸化スケールを発生してレジ
ンとの密着性が劣るためでおる。またこの合金はＺｎを
２０〜３７％含むＣｕ合金の約２倍もする高価な材料で
おる。
は何れも表層分析の結果微量又は分析下限以下のＺｎ量
にとどまっており、プルテストの結果も良好で、動作試
験では従来フレームＮ０．７を用いたものよりはるかに
優れていることが判る。これに対してＣｕを被覆しない
比較例Ｎ０．６ではボンディング強度を劣化し、故障率
も増大することが判る。また従来フレームＮｏ、７では
充分なＣｕ被覆厚さにもかかわらず高い故障率を示した
。これは加熱工程で脆弱な酸化スケールを発生してレジ
ンとの密着性が劣るためでおる。またこの合金はＺｎを
２０〜３７％含むＣｕ合金の約２倍もする高価な材料で
おる。
実施例（２）
厚さ０．２５ｍのＣｕ−３０％７−ｎ−０，５％Ｓｉ合
金条からトランジスター用フレームをプレス成型し、そ
の全表面に実施例（１）と同様にして第２表に示す中間
層と導電率１００％ＩＡＣＳ以上の純Ｃｕ層をメッキし
、タブ部やインナーリード先端部へのＡ（７メツキを省
略し、下記の条件でパッケージした。
金条からトランジスター用フレームをプレス成型し、そ
の全表面に実施例（１）と同様にして第２表に示す中間
層と導電率１００％ＩＡＣＳ以上の純Ｃｕ層をメッキし
、タブ部やインナーリード先端部へのＡ（７メツキを省
略し、下記の条件でパッケージした。
Ｓ１素子をタブ部に４３０ ’ＣでＡｕ−Ｇａ共晶ダイ
ボンドしてから素子上の電極パッドとインナーリード先
端部を線径２５μのＡｕ線により３１０℃でワイヤーボ
ンドした。しかる後エポキシモールドで封止した。これ
等について実施例（１）と同様にしてプルテストと動作
試験を行なった。その結果を第２表に併記した。
ボンドしてから素子上の電極パッドとインナーリード先
端部を線径２５μのＡｕ線により３１０℃でワイヤーボ
ンドした。しかる後エポキシモールドで封止した。これ
等について実施例（１）と同様にしてプルテストと動作
試験を行なった。その結果を第２表に併記した。
第 ２ 表
第２表から本発明フレームＮ０．８＝９を用いたものは
、何れもプルテスト及び動作試験とも良好な特性を示し
た。これに対し比較フレームＮ ｏ、 １０を用いたも
のはダイボンド及びワイヤーボンド工程で欠陥を発生し
た。即ちダイボンド及びワイヤーボンドの炉中でｌｎ蒸
気を発生し、炉内にＺｎＱのダストが見られ、素子がＺ
ｎで汚染された。
、何れもプルテスト及び動作試験とも良好な特性を示し
た。これに対し比較フレームＮ ｏ、 １０を用いたも
のはダイボンド及びワイヤーボンド工程で欠陥を発生し
た。即ちダイボンド及びワイヤーボンドの炉中でｌｎ蒸
気を発生し、炉内にＺｎＱのダストが見られ、素子がＺ
ｎで汚染された。
実施例（３）
Ｃｕ−３５％Ｚｎ−０，０３Ｐ合金条の両面に導電率が
８８％ＩＡＣＳのＣｕ−０，１５％Ｓｎ合金条を冷間圧
接法によりクラッドし、厚さ０．２５ｍ、被覆厚さ７，
５μの複合条を作成し、これをプレス法によりパンチし
て第２図に示すリードフレームを成型した。これを用い
て実施例（１）と同様にしてＩＣを作成し、これについ
てプルテスト及び動作試験を行なったところ、ワイヤー
ボンドの強度９．２３、故障率０．３％と良好な結果が
得られた。
８８％ＩＡＣＳのＣｕ−０，１５％Ｓｎ合金条を冷間圧
接法によりクラッドし、厚さ０．２５ｍ、被覆厚さ７，
５μの複合条を作成し、これをプレス法によりパンチし
て第２図に示すリードフレームを成型した。これを用い
て実施例（１）と同様にしてＩＣを作成し、これについ
てプルテスト及び動作試験を行なったところ、ワイヤー
ボンドの強度９．２３、故障率０．３％と良好な結果が
得られた。
（発明の効果〕
こりように本発明によれば、最も安価なＣ１，Ｊ−Ｚｎ
合金からなるリードフレームを可能にし、従来のＣｕ系
フレームと同等以上の性能が得られ、Ｃｕ被覆した鉄鋼
製フレームに比べて耐食性は勿論のこと、伝熱性も大き
く、特に信頼ｉ生の厳しいＩＣへの適用も可能になるな
ど、経済性的にパフォーマンスが優れている等工業上顕
著な効果を奏するものでおる。
合金からなるリードフレームを可能にし、従来のＣｕ系
フレームと同等以上の性能が得られ、Ｃｕ被覆した鉄鋼
製フレームに比べて耐食性は勿論のこと、伝熱性も大き
く、特に信頼ｉ生の厳しいＩＣへの適用も可能になるな
ど、経済性的にパフォーマンスが優れている等工業上顕
著な効果を奏するものでおる。
第１図は半導体リードフレームの一例を示す断面図、第
２図は半導体リードフレームの他の一例を示す平面図で
ある。 １、タ ブ 部 ２、半導体素子 ３、接 合 層 ４、電極パッド部 ５、インナーリード先端部 ６、金属細線 ７、モールド ８、アウターリード部
２図は半導体リードフレームの他の一例を示す平面図で
ある。 １、タ ブ 部 ２、半導体素子 ３、接 合 層 ４、電極パッド部 ５、インナーリード先端部 ６、金属細線 ７、モールド ８、アウターリード部
Claims (4)
- （１）半導体素子を搭載するリードフレームにおいて、
Ｚｎを２０〜３７ｗｔ％含むＣｕ合金からなるフレーム
状基体の少なくともタブ部とインナーリード先端部に、
導電率が８０％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣｕ合金を被覆
したことを特徴とする半導体リードフレーム。 - （２）導電率が８０％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣｕ合金
をフレーム状基体の全面に被覆する特許請求の範囲第１
項記載の半導体リードフレーム。 - （３）半導体素子を搭載するリードフレームにおいて、
Ｚｎを２０〜３７ｗｔ％含むＣｕ合金からなるフレーム
状基体の少なとくもタブ部とインナーリード先端部に、
Ｎｉ、Ｃｏ又はこれ等の合金からなる中間層を介して導
電率が８０％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣｕ合金を被覆し
たことを特徴とする半導体リードフレーム。 - （４）導電率が８０％ＩＡＣＳ以上のＣｕ又はＣｕ合金
をフレーム状基体の全面に、Ｎｉ、Ｃｏ又はこれ等の合
金からなる中間層を介して被覆する特許請求の範囲第３
項記載の半導体リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28251085A JPS62141747A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 半導体リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28251085A JPS62141747A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 半導体リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62141747A true JPS62141747A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17653382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28251085A Pending JPS62141747A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 半導体リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62141747A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03284869A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | リードフレーム用クラッド材料 |
| US9520347B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-12-13 | Honeywell International Inc. | Lead frame construct for lead-free solder connections |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP28251085A patent/JPS62141747A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03284869A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | リードフレーム用クラッド材料 |
| US9520347B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-12-13 | Honeywell International Inc. | Lead frame construct for lead-free solder connections |
| EP2992553A4 (en) * | 2013-05-03 | 2017-03-08 | Honeywell International Inc. | Lead frame construct for lead-free solder connections |
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