JPH09172125A - 優れた接着特性を有するリードフレーム - Google Patents

優れた接着特性を有するリードフレーム

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JPH09172125A
JPH09172125A JP8205863A JP20586396A JPH09172125A JP H09172125 A JPH09172125 A JP H09172125A JP 8205863 A JP8205863 A JP 8205863A JP 20586396 A JP20586396 A JP 20586396A JP H09172125 A JPH09172125 A JP H09172125A
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JP
Japan
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copper
lead frame
based alloy
metal substrate
conductive metal
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Pending
Application number
JP8205863A
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English (en)
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Arvind Parthasarathi
パーササラシ，アービンド
Deepak Mahulikar
マフリカー，ディーパック
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Olin Corp
Original Assignee
Olin Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポリマ樹脂に接着が増強された金属リードフ
レームを得る。 【解決手段】 最も外側の金属層２０は、亜鉛対クロム
の比が約４：１以上でありかつ亜鉛特徴のクロムが同時
に沈着されたクロムと亜鉛の混合体を含有する。また、
最も外側の金属層２０は、ポリマ樹脂に接着されてい
る。導電性金属基板１４の内部導線１６は、モールド・
プラスチック・パッケージ１０の中に封止される。導電
性金属基板１４は、銅を基本とする合金である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全体的にいえば、電子
パッケージ用のリードフレームに関する。さらに詳細に
いえば、本発明は、クロムと亜鉛とを含有する被覆層を
沈着することにより、リードフレームとポリマ接着剤と
の間の接合を増進することに関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンを基本とする集積回路のよう
な、家庭用マイクロ電子装置に用いられる１つの形式の
パッケージは、成形されたプラスチック・パッケージで
ある。このパッケージは、価格が安く、かつ、組み立て
が容易であり、かつ、水蒸気および他の汚染物質に対し
装置を適切に保護する特性を有する。組立工程の期間
中、装置はダイ取付パドルに装着され、そして、装置が
リードフレームに電気的に相互接続される。その後、ダ
イ取付パドル、電子装置、および、リードフレームの内
部部分が、トランスファ成形のような方法で、成形用樹
脂の中に封止される。この樹脂は、防湿性が比較的高い
硬い銅を形成し、装置と電気接続体との両方を保護す
る。
【０００３】封止の後、リードフレームの外部導線は、
プリント回路基板または他の外部装置にハンダ付けする
ことができる。ハンダ付けの期間中のパッケージの温度
は、約２６０℃にまで上昇することがある。パッケージ
の中に捕らえられた水分はすべて水蒸気に変わり、そし
て、膨脹するであろう。水分が蓄積する場所の１つは、
ダイ取付パドルの下である。この蓄積した水分が膨脹す
る時、成形されたプラスチック・パッケージの基板が変
形し、その結果、「ポップコーン効果」として知られて
いる現象が起こる。
【０００４】湿気はまた、導線と成形用樹脂との間の界
面に沿って、プラスチック・パッケージの中に浸入す
る。樹脂と導線との間の接着は、本来の性質として、機
械的なものであり、そして、導線と封止体との間に隙間
が存在することがあり得る。湿気がこの隙間を通って進
み、そして、ダイ取付パドルに蓄積することがある。
【０００５】リードフレームと成形用樹脂との間の接合
を改良するために、種々の機構が提案されている。例え
ば、マスダほかの米国特許第４，８６２，２４６号は、
成形用樹脂に対するパドルの接着を増強するために、ダ
イ取付パドルの中に一連の半球状の凹部を作成すること
を開示している。
【０００６】クレーンほかの米国特許第４，８８８，４
４９号に開示されているように、リードフレームに取り
付けられたダル・ニッケル（dull nickel ）の層が、樹
脂との接合を増強することが分かっている。クレーンほ
かのこの米国特許はまた、金属パッケージ部品を、ニッ
ケル、スズ、コバルト、クロム、モリブデン、タングス
テン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオビウ
ム、タンタル、ゲルマニウム、アルミニウム、および、
これらの金属の合金からなる群から選択された金属また
は金属合金で被覆することを開示している。
【０００７】金属リードフレームとポリマ樹脂との間の
接着を改良するために金属被覆体を開示しているこの他
の特許は、スズキほかの米国特許第４，７０７，７２４
号である。スズキほかのこの米国特許は、ダイ取付パド
ルをスズ／ニッケルの合金または鉄／ニッケルの合金で
被覆することを開示している。
【０００８】非金属の被覆体もまた開示されている。例
えば、ベルほかの米国特許第４，４２８，９８７号は、
接着を改良するために、銅表面の事前処理を開示してい
る。この表面が電解的に還元され、そしてその後、ベン
ゾトリアゾル溶液で被覆される。
【０００９】マヒューリカほかの米国特許第５，１２
２，８５８号は、リードフレームを薄いポリマ層で被覆
すると、リードフレームとモールド用樹脂との間の接着
が改善されることを開示している。
【００１０】成形プラスチック・パッケージは、１個の
モノリシック体である。他の電子パッケージは、別々の
基板部品とカバー部品で作成される。このようなパッケ
ージの１つが、マヒューリカほかの米国特許第４，９３
９，３１６号に開示されている。このパッケージは、陽
極酸化されたアルミニウムの基板部品およびカバー部品
と、それらの間に配置されたリードフレームを有する。
ポリマ接着剤は、リードフレームを基板部品とカバー部
品の両方に接合する。別々の基板部品およびカバー部品
を備えた他のパッケージは、銅部品、または、銅合金部
品、または、プラスチック部品を有する。もし金属リー
ドフレームとポリマ樹脂との間の接着が改善されるなら
ば、これらのパッケージのおのおのは改良されるであろ
う。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
１つの目的は、ポリマ樹脂に対し接着が増強された金属
リードフレームを得ることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの特徴は、
リードフレームを複数個の層で被覆することができる
が、最も外側の層はクロム、または、亜鉛、または、そ
れらの混合体のいずれかであることができることであ
る。その中で最も好ましい材料の層は、混合体の層であ
る。この層は、電解または浸漬のような、任意の適切な
方法で沈着することができる。亜鉛およびクロムは、同
時に沈着することもできるし、または、逐次に沈着する
こともできる。
【００１３】本発明の増強されたリードフレームの利点
の中に、モノリシックに成形されたパッケージと個別に
接着封止されたパッケージとの両方において、湿気の耐
浸入性がある。最も外側の被覆層は、パッケージの組み
立て期間中、耐錆性を有する。ポリマと金属との接合の
強度は、ポリマと被覆されていない銅との接合の強度よ
りも強く、または、ポリマと銅の酸化物で被覆された銅
との接合の強度よりも強く、または、ポリマとニッケル
で被覆された銅との接合の強度よりも強い。被覆体の亜
鉛対クロムの比は、約４：１以上であることが好まし
い。この好ましい被覆体は、希塩酸または希硫酸の中で
容易に除去され、そしてまた、導線に接合可能である。
【００１４】本発明により、複数個の導線に形作られ
た、かつ、少なくとも１つの金属層で被覆された導電性
金属基板を有する、リードフレームが得られる。最も外
側の金属層は、クロム、亜鉛、または、それらの混合体
を含有する。
【００１５】電子パッケージのための１つの製造工程が
また得られる。その工程段階は、複数個の内部導線およ
び複数個の外部導線を有するリードフレームを作成する
段階と、少なくとも１つの金属層でこのリードフレーム
を被覆する段階とを有する。最も外側の金属層は、クロ
ム、亜鉛、または、それらの混合体を含有する。次に、
内部導線が電子装置に電気的に相互に接続される。その
後、パッケージの種類に応じて、ポリマ樹脂がこの電子
装置のまわりで成形される、またはその代わりに、リー
ドフレームが、基板部品とカバー部品との間に配置さ
れ、そして、リードフレームがこれらの両者に接合され
る。
【００１６】前記の目的、特徴、および、利点は、添付
図面とそれに関する下記の詳細な説明とから、さらに明
らかになるであろう。
【００１７】
【実施例】本発明に従い、ポリマ樹脂に対し改良された
接着を得るために、リードフレームは少なくとも１つの
金属層で被覆される。リードフレームは、導電性の任意
の金属基板で作成される。金属基板として好ましい材料
は、銅を基本とする合金である。銅合金は大きな導電率
を有し、それにより、封止された電子装置の中へ、およ
び、封止された電子装置から外へ、信号を転送すること
ができる。銅合金はまた大きな熱伝導率を有し、それに
より、装置が動作中に発生する熱を取り去ることができ
る。
【００１８】プラスチックのデュアル・イン・ライン・
パッケージ（ＰＤＩＰ）や、プラスチックの導線付チッ
プ・キャリア（ＰＬＣＣ）、小型アウトライン集積回路
（ＳＯＩＣ）、個別の装置パッケージのような、成熟し
た電子装置に対する適切な銅合金は、中程度の強度と中
程度の導電率を有することが特徴である。これらの合金
の降伏強度は、通常、３４５ＭＰａ（５０ｋｓｉ）ない
し４８５ＭＰａ（７０ｋｓｉ）の範囲内にあり、そし
て、導電率はＩＡＣＳの約３０％よりも大きい。ここ
で、ＩＡＣＳはインターナショナル・アニールド・カッ
パ・スタンダード（International Annealed Copper St
andard）の略であり、純銅の値は１００％である。
【００１９】成熟した装置に対し、リードフレームとし
て用いられる銅合金の例を挙げれば、下記の通りであ
る。パーセント値は、特に断らない限り、すべて重量パ
ーセント値である。頭に「Ｃ」の文字を付した５桁の数
字の合金は、カッパ・ディベロップメント・アソシエー
ションおよびアメリカン・ソサイアティ・オブ・メタル
により推奨された、合金に対するＵＮＳ（ユニファイド
・ナンバリング・システム）記法である。
【００２０】オリン・コーポレーション（スタンフォー
ド、コネチカット）により製造されたＣ１５１００は、
ジルコニウムが０．０５％〜０．１５％で残りは銅とい
う組成を有する。名目上の組成は、銅９９．９％、ジル
コニウム０．１％である。
【００２１】オリン・コーポレーション（スタンフォー
ド、コネチカット）により製造されたＣ１９４００は、
鉄２．１％〜２．６％、リン０．０１５％〜０．１５
％、亜鉛０．０５％〜０．２０％、残りは銅という組成
を有する。名目上の組成は、銅９７．５％、鉄２．３５
％、リン０．３％、亜鉛０．１２％である。
【００２２】オリン・コーポレーション（スタンフォー
ド、コネチカット）により製造されたＣ１９５００は、
鉄１．０％〜２．０％、リン０．０１％〜０．３５％、
コバルト０．３０％〜１．３％、スズ０．１０％〜１．
０％、残りは銅という組成を有する。名目上の組成は、
銅９７％、鉄１．５％、リン０．１％、コバルト０．８
％、スズ０．６％である。
【００２３】オリン・コーポレーション（スタンフォー
ド、コネチカット）により製造されたＣ１９７００は、
鉄０．３０％〜１．２％、リン０．１０％〜０．４０
％、マグネシウム０．０１％〜０．２０％、残りは銅と
いう組成を有する。名目上の組成は、銅９９％、鉄０．
６％、リン０．２％、マグネシウム０．０５％である。
【００２４】ミツビシ・エレクトリック・コーポレーシ
ョン（東京、日本）により製造されたＣ５０７１０は、
スズ１．７％〜２．３％、ニッケル０．１％〜０．４
％、リン０．１５％以下、残りは銅という組成を有す
る。
【００２５】コーベ・スチール・Ｌｔｄ（東京、日本）
により製造されたＣ１９２１０は、鉄０．０５％〜０．
１５％、リン０．０２５％〜０．０４０％、残りは銅と
いう組成を有する。
【００２６】ミツビシ・シンドー・カンパニ・Ｌｔｄ
（東京、日本）により製造されたＣ１９５２０は、鉄
０．５％〜１．５％、スズ０．５％〜１．５％、リン
０．０１％〜０．３５％、残りは銅という組成を有す
る。
【００２７】ビーランド・ベルケ（ウルム・ドイツ）に
より製造されたＣ１８０７０は、クロム０．１５％〜
０．４０％、チタン０．０１％〜０．４０％、シリコン
０．０２％〜０．０７％、残りは銅という組成を有す
る。
【００２８】ポーング・サン・メタル・コーポレーショ
ン（インチェオン、韓国）により製造されたＣ１９０１
０は、ニッケル０．８％〜１．８％、シリコン０．１５
％〜０．３５％、リン０．０１％〜０．０５％、残りは
銅という組成を有する。
【００２９】最近開発された電子パッケージは、薄い小
型アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）および薄いク
ヮッド・フラット・パック（ＴＱＦＰ）のような、薄い
パッケージを有する。薄いパッケージの厚さは約２ミリ
メートル以下であり、その典型的な厚さは、１．０ミリ
メートルないし１．３ミリメートルである。最近開発さ
れた他のパッケージは、テープパック・パッケージのよ
うな、クヮッド・フラット・パック（ＱＦＰ）および成
形されたキャリア・リング・パッケージ（ＭＣＲ）を有
する。テープパック（TapePaK ）は、ナショナル・セミ
コンダクタ・コーポレーション（サンタ・クララ、カリ
フォルニア）の商標である。
【００３０】最近開発されたパッケージのためのリード
フレームに対しては、厚さが約０．２ｍｍ（０．００８
インチ）未満であり、そして典型的には、０．１３ｍｍ
〜０．１５ｍｍ（０．００５インチ〜０．００６イン
チ）の程度であることが要請される。降伏強度は、中程
度で約４８５ＭＰａ（７０ｋｓｉ）より大きい（３０％
ＩＡＣＳ導電率より大きい）。
【００３１】前記のＣ１９４００およびＣ１９７００の
他に、これらのパッケージに対するリードフレーム合金
の例を挙げれば、次の通りである。
【００３２】オリン・コーポレーション（スタンフォー
ド、コネチカット）により製造されたＣ７０２５０は、
ニッケル２％〜４．８％、シリコン０．２％〜１．４
％、マグネシウム０．０５％〜０．４５％、残りは銅と
いう組成を有する。名目上の組成は、銅９６．２％、ニ
ッケル３．０％、シリコン０．６５％、マグネシウム
０．１５％である。
【００３３】フルカワ・エレクトリック・カンパニ・Ｌ
ｔｄ（東京、日本）により製造されたＥＦＴＥＣ−６４
Ｔのおおよその組成は、クロム０．３０％〜０．４０
％、スズ０．２０％〜０．３０％、亜鉛０．１５％〜
０．２５％、残りは銅である。
【００３４】コーベ・スチールにより製造されたＫＬＦ
−１２５のおおよその組成は、ニッケル２．７％〜３．
７％、シリコン０．２％〜１．２％、亜鉛０．１％〜
０．５％、残りは銅である。
【００３５】ミツビシ・エレクトリックにより製造され
たＭＦ２２４の組成は、ニッケル１．９％〜２．９％、
シリコン０．２０％〜０．６０％、リン０．１０％〜
０．２０％、残りは銅である。
【００３６】クロム−亜鉛層で被覆された、鉄またはニ
ッケルを基本とする合金のリードフレームはまた、本発
明により改良される。これらのリードフレームは、コバ
ール（重量パーセントでＦｅ５４％、Ｎｉ２９％、Ｃｏ
１７％の合金の商標）および合金４２（重量パーセント
でＮｉ４２％、残りはＦｅ）を有する。
【００３７】電子パッケージに用いられるポリマ樹脂
は、熱膨張係数が比較的大きいという傾向がある。パッ
ケージ部品は、通常、また熱膨張係数の大きな銅または
アルミニウムを基本とする合金で製造される。熱膨張係
数の不整合により生ずる応力をできるだけ小さくするた
めに、リードフレームは銅または銅合金の基板でまた作
成されることが好ましい。銅合金Ｃ７０２５は、導電率
が比較的大きくそして熱誘起軟化に対する耐性が比較的
大きいので、好ましいリードフレーム材料である。
【００３８】厚さが約０．１３ｍｍないし約０．５１ｍ
ｍ（０．００５インチ〜０．０２０インチ）である金属
基板が備えられる。さらに詳細にいえば、デュアル・イ
ン・ライン・パッケージのためのリードフレームに対す
る厚さは、約０．２５ｍｍないし約０．３８ｍｍ（０．
０１０インチ〜０．０１５インチ）である。このデュア
ル・イン・ライン・パッケージでは、導線はパッケージ
本体の両側に取り付けられる。クヮッド・パッケージの
ためのリードフレームに対する好ましい厚さは、約０．
１３ｍｍないし約０．２５ｍｍ（０．００５インチ〜
０．０１０インチ）である。このクヮッド・パッケージ
では、導線はパッケージ本体の４つの側面に取り付けら
れる。この基板は、スタンピングまたはエッチングのよ
うな従来の適当な処理工程により、リードフレームの中
に作成することができる。
【００３９】次に、リードフレームは少なくとも１つの
金属層で被覆される。最も外側の層は、下記で説明され
るように、クロム、亜鉛、または、それらの混合体で作
成されるが、中間層はニッケルで作成することができ
る。それは、後の層が金属基板の中に拡散することを防
止するためである。導線の接合強度を増大するために、
銀またはアルミニウムの層を用いることができる。
【００４０】最も外側の層は、クロム、亜鉛、または、
それらの混合体で作成される。最も好ましい材料は、ク
ロムと亜鉛の混合体である。最も外側の層は薄く、その
厚さは、約１０オングストロームないし約１０００オン
グストロームの程度である。さらに詳細にいえば、その
厚さは約１０オングストロームないし約１００オングス
トロームであり、そして最も好ましい厚さは、約４０オ
ングストロームないし約８０オングストロームである。
最も外側の被覆層により、耐酸化性が得られ、そして、
導線の接合強度を大幅に損なうことなく、または、後で
の組立工程に有害な影響を与えることなく、ポリマ樹脂
に対する接着性の増大を得ることができる。最も外側の
層は、浸漬メッキ、電解メッキ、または、クラディング
のような任意の適切な技術により、作成することができ
る。
【００４１】好ましい被覆体は、クロムおよび亜鉛の両
方で作成される。この被覆体は、従来の任意の方法で沈
着することができる。この被覆体は、クロムと亜鉛の同
時沈着層であることもできるし、または、順次に沈着さ
れた層であることもできる。この被覆体を沈着する１つ
の好ましい方法は、リンほかの米国特許第５，０２２，
９６８号に開示されている。この特許は、防錆の目的の
ために、クロムと亜鉛を含有する被覆体層を開示してい
る。この被覆体層は、水酸化物イオンと、１リットル当
り約０．０７グラムから約７ｇ／ｌの亜鉛イオンと、約
０．１ｇ／ｌから約１００ｇ／ｌの水溶性６価クロム塩
とを有する、塩基性水溶性電解液から、電気分解で沈着
される。この場合、亜鉛イオン、または、クロム（VI）
イオン、または、両方の濃度は、１．０ｇ／ｌ以下であ
る。被覆層の亜鉛対クロムの比は４：１以上である。分
析された１つの試料の組成は、Ｃｒが５原子パーセン
ト、Ｚｎ２１原子％、Ｏ原子５６％、Ｃ原子１６％、Ｃ
ｕ原子１％である。
【００４２】クロム、亜鉛、または、その混合体からな
る金属層を最も外側に有するリードフレームにより、増
強された電子パッケージが得られる。図１は、本発明の
増強されたリードフレーム１２が組み込まれている成形
されたプラスチック・パッケージの横断面図である。こ
の増強されたリードフレーム１２は、複数個の内部導線
１６および複数個の外部導線１８に形作られた導電性の
金属基板１４を有する。導電性の金属基板１４は、約
０．１３ｍｍないし約０．５１ｍｍ（０．００５インチ
ないし０．０２０インチ）の厚さを有する。その厚さの
最も典型的な値は、約０．２５ｍｍないし約０．３８ｍ
ｍ（０．０１０インチないし０．０１５インチ）であ
る。
【００４３】導電性の金属基板１４を被覆する複数個の
金属層を配置することができる。最も外側の層２０（図
面では、この層は正しい寸法では描かれていない）は、
クロム、亜鉛、または、その混合体からできている。最
も好ましいのは、この最も外側の層２０が、亜鉛対クロ
ムの比が４：１以上であるクロムと亜鉛の混合体であ
る、同時沈着された層であることである。
【００４４】電子装置２２は、接合導線２４またはテー
プ・オートメイテッド・ボンデング（ＴＡＢ）ビーム導
線のような適切な手段により、増強されたリードフレー
ム１２に電気的に相互接続される。接合導線２４は、加
熱圧縮接合または加熱超音波接合により、内部導線１６
に接続される。導線の接合は、最も外側の層２０に対し
て、または、内側の被覆層に対して、または、基板に対
して行うことができる。最も外側の被覆層２０は、この
被覆層の沈着期間中に内側導線をマスクすることによ
り、または、後で除去することによるかのいずれかによ
って、内側導線１６から省略することができる。亜鉛対
クロムの比が約４：１以上であるという好ましい比が用
いられる時、除去は容易に実行することができる。最も
外側の被覆層は、希塩酸または希硫酸に浸すことによ
り、容易に除去することができる。
【００４５】（下記の実施例１に示されているように）
本発明により被覆されたリードフレームに対する導線接
合の接合強度は、銀がメッキされた従来のリードフレー
ムに対して行われた接合の接合強度よりも大幅に小さく
はないことが、本出願人により確かめられた。
【００４６】成形されたプラスチック・パッケージの中
の電子装置は、典型的には、導電性の金属基板１４と同
じ材料で作成され、そして、中央に配置されたダイ取付
パッド２６により保持される。ダイ取付パッド２６とモ
ールド用樹脂２８との間に湿気が蓄積するから、ダイ取
付パッド２６はまた、クロム、亜鉛、または、それらの
混合体からなる最も外側の層２０で被覆される。
【００４７】電子装置２２は、ダイ取付材料３０によ
り、ダイ取付パッド２６に取り付けられる。ダイ取付材
料３０は、ポリマ接着材料またはハンダであることがで
きる。もしダイ取付接着材料として金属ハンダが用いら
れるならば、最も外側の層２０はポリマ・ダイ取付接着
材料３０の接合を増強する一方で、電子装置２２と接触
しているその表面から、最も外側の層２０を省略するこ
とができる。最も外側の層は、沈着期間中のマスキン
グ、または、後での希塩酸または希硫酸の中でのエッチ
ングのいずれかにより、除去することができる。
【００４８】電子装置２２がいったんダイ取付パッド２
６に接合され、そして、増強されたリードフレーム１２
に接合導線２４により電気的に相互接続されるならば、
この組立体は成形用樹脂の中に封止される。ポリマ樹脂
が、電子装置２２および内部導線１６についてモールド
される。適切な任意のモールド用樹脂、例えば、ニット
ー・デンコー・コーポレーション（大阪，日本）により
製造されたニットー１８０Ｂのようなモールド用樹脂を
用いることができる。
【００４９】第２の形式の電子装置が図２に示されてい
る。パッケージ４０は、別々の基板部品４２とカバー部
品４４とを有する。前述したような増強されたリードフ
レーム１２が、基板４２とカバー４４との間に配置され
る。基板４２およびカバー４４は、金属、ポリマ、また
は、セラミックのような任意の適切な材料から作成され
得る。基板４２とカバー４４の両方は、典型的には、同
じ金属で製造される。それは、熱膨張係数の不整合から
生ずる応力を避けるためである。基板４２およびカバー
４４に対する最も好ましい材料は、銅および銅合金、ア
ルミニウムおよびアルミニウム合金、ポリマである。電
子装置２２から熱を効率的に取り除くために、基板部品
４２は銅合金またはアルミニウム合金であることが好ま
しい。米国特許第４，９３９，３１６号に開示されてい
るように、基板４２およびカバー４４がアルミニウム合
金である時、陽極酸化層を最も外側の層２０′として作
成することにより、ポリマ樹脂４６に対する接合を改善
することができる。基板部品およびカバー部品が銅また
は銅合金である時、最も外側の層２０′は、本発明のク
ロム被覆体、または、本発明の亜鉛被覆体、または、本
発明のクロム・亜鉛の混合体の被覆体であることが好ま
しい。
【００５０】増強されたリードフレーム１２が、別個の
基板部品４２とカバー部品４４との間に配置され、そし
て、デキスタ・カンパニ（ピッツバーグ、カリフォルニ
ア）により製造されているハイゾルＸＥＡ９６８４ＮＭ
のようなポリマ接着剤４６により、これらの両者に接着
される。増強されたリードフレーム１２の最も外側の層
２０により、ポリマ樹脂に対する接着が改善され、そし
て、リードフレーム／ポリマの界面に沿って湿気が侵入
することが減る。ポリマ樹脂４６に接触する基板部品４
２とカバー部品４４のこれらの表面の上に、最も外側の
層２０′を沈着することにより、接着がさらに改善され
る。
【００５１】電子装置のパッケージの組立ての後、通
常、外部導線のチップ１８がハンダで被覆される。最も
外側の層２０が、希塩酸または希硫酸で容易に溶解さ
れ、そして、ハンダ層の電解沈着の活動段階の期間中、
容易に除去される。浸漬被覆および高温浸漬は、同様
に、最も外側の層２０の存在により影響されない。
【００５２】最も外側の層２０により、リードフレーム
のポリマ樹脂への接着が改善される機構は十分には理解
されていないが、接着が改善される理由の一部分は層の
耐錆特性によるものであると、本出願人は考えている。
電子パッケージの組み立て期間中、リードフレームは高
い温度にさらされる。電子装置をダイ取付パッドに接合
する際、リードフレームは約２８０℃の温度にさらされ
る。導線接合の際には、内部導線は約１７５℃の温度に
さらされる。ポリマ封止、または、基板部品とカバー部
品のポリマ封止では、リードフレームおよびダイ取付パ
ドルは約１９０℃の温度にさらされる。スズ・メッキま
たはハンダ付けでは、外部導線は約２６０℃の温度にさ
らされる。高い温度にさらされるたびに、銅の酸化物の
生成が促進される。銅の酸化物は、金属銅に十分によく
は接着しない。リードフレームとポリマ接着剤との間で
起こる接合の故障は、銅の酸化物と金属銅基板との間に
原因があると考えられる。上述したような被覆層を沈着
することにより、銅の酸化物の生成が抑止され、そし
て、ポリマ接着剤と金属銅基板との間に直接の接触が可
能である。
【００５３】けれども、十分には分かっていない理由に
より、本発明の最も外側の被覆体を有するリードフレー
ムの接着では、ニッケルのような他の金属被覆体を有す
るリードフレームの接着よりも、優れた性能を示す。図
３に示された検査装置を用いて、この改善の程度が判定
された。図３には金属カバー部品４８が示されている。
この金属カバー部品４８は、それに接合された樹脂リン
グ５０（点線で示されている）を有する。検査ストリッ
プ５２は、厚さが０．１５ｍｍ（０．００６インチ）で
幅が６．３５ｍｍ（０．２５インチ）であり、複数個の
導線をシュミレートしている。同じように取り付けられ
た樹脂リングを備えた整合した基板部品が、検査ストリ
ップ５２の反対側に接合された。この検査構造体の組み
立ての前に、チップの取付けと導線の接合とをシュミレ
ートするために、検査ストリップ５２が空気中で高い温
度の下に置かれる。その後、検査ストリップ５２は基板
部品とカバー部品との間に接合され、樹脂接着剤５０で
封止される。
【００５４】このパッケージ体は、インストン（カント
ン、マサチュ−セッツ）により製造された引張り検査機
械のような適切な検査装置に取り付けられる。検査スト
リップ５２が、検査体から、矢印で示されたように、通
常は平行な方向に引張られる。検査ストリップ５２を取
り去るのに必要なせん断応力により、接着剤の接合強度
の指標が得られる。実施例２ないし実施例４に示されて
いるように、本発明の被覆体により、他の金属被覆体、
または、他の酸化物被覆体、または、裸の金属基板に比
べて、優れた接合が得られる。一方、実施例１は、導線
が接合可能である被覆体を示している。
【００５５】下記の実施例は例示のためのものであっ
て、本発明の範囲がこれらの実施例に限定されることを
意味するものではない。
【００５６】（実施例１）厚さが約０．１５ｍｍ（０．
００６インチ）の４個の銅合金Ｃ７０２５検査クーポン
が、導線の接合強度を評価するために、銀が約２００マ
イクロインチ−４００マイクロインチにメッキされた。
その後、２個のクーポンは、クロム・亜鉛の材料の最も
外側の層で、電解により被覆された。Ｃｒ−Ｚｎで被覆
された１個のクーポンと、Ｃｒ−Ｚｎの最も外側の層の
ない１個のクーポンとが、接着剤のダイ取り付けをシュ
ミレートするために、空気中で２時間、１７５℃にまで
加熱された。その後、直径が０．００１インチの金の接
合導線が、熱圧着接合により、４個のクーポンすべてに
接合された。次に、導線引張検査計を用いて、基板から
導線を引張るのに必要な力が測定された。表１に示され
ているように、Ｃｒ−Ｚｎの最も外側の層は、導線の接
合強度を大幅に小さくすることはない。
【００５７】
【表１】 表１ クーポン 引張り強度 Ｃ７０２５／Ａｇ ９．５グラム Ｃ７０２５／Ａｇ／Ｃｒ−Ｚｎ ９．３〜９．６グラム Ｃ７０２５／Ａｇ／１７５℃に加熱 ８．７グラム Ｃ７０２５／Ａｇ／Ｃｒ−Ｚｎ／１７５℃に加熱 ７．７〜８．２グラム
【００５８】（実施例２）幅が９．５ｍｍ（０．３７５
インチ）で厚さが０．２５ｍｍ（０．０１０インチ）の
８個の銅合金Ｃ７０２５クーポンが、２つの群に分けら
れた。４個のクーポンはクロム・亜鉛からなる被覆体で
被覆され、一方、他の４個のクーポンは被覆されないま
まである。そして、組立体をシュミレートするために、
２個の被覆されたクーポンおよび２個の被覆されないク
ーポンが加熱された。加熱は、ダイ取付けをシュミレー
トするために、空気中で１７５℃で２時間行われ、その
後、導線接合をシュミレートするために、空気中で２５
０℃で３分間行われた。次に、これらのクーポンが、ニ
ットー１５０ＳＧモールド用樹脂の中に封止され、そし
て、クーポンを取り去るのに必要な引張り強度が測定さ
れた。表２に示されているように、本発明の最も外側の
被覆体を有する場合、モールド用樹脂に対する接着の増
大が得られた。
【００５９】
【表２】 表２ クーポン 引張り強度 Ｃ７０２５ １０１３グラム Ｃ７０２５／Ｃｒ−Ｚｎ １４００グラム Ｃ７０２５／熱処理実施 ７９１グラム Ｃ７０２５／Ｃｒ−Ｚｎ／熱処理実施 １２１２グラム
【００６０】残りの４個のクーポンは、モールド用樹脂
の中に封止された後、温度１２１℃で相対湿度１００％
において９６時間、圧力料理器の中に置かれた。本発明
の最も外側の被覆体はまた、表３に示されているよう
に、優れた接着特性を示すことが分かった。
【００６１】
【表３】 表３ クーポン 引張り強度 Ｃ７０２５ ２２０グラム Ｃ７０２５／Ｃｒ−Ｚｎ ８５０グラム Ｃ７０２５／熱処理実施 ２６９グラム Ｃ７０２５／Ｃｒ−Ｚｎ／熱処理実施 ５６１グラム
【００６２】（実施例３）図３に示された検査パッケー
ジは、ハイソルＸＥＡ９４８５ＮＭ接着剤と、陽極酸化
されたアルミニウム基板部品およびカバー部品と、Ｃ７
０２５検査ストリップとを用いて製造された。図４にお
いて参照番号５４で示された第１クーポンは、付加的な
被覆層を全く有しないＣ７０２５クーポンである。参照
番号５６で示された第２クーポンは、銅の酸化物の最も
外側の層を有するクーポンである。参照番号５８で示さ
れたクーポンは、ニッケル硫酸塩浴から電解沈着された
ニッケル表面の最も外側の層を有するクーポンである。
参照番号６０で示されたクーポンは、亜鉛対クロム比が
約４：１以上である亜鉛とクロムの混合体で被覆された
最も外側の層を有するクーポンである。
【００６３】初期のせん断応力は、被覆のないＣ７０２
５クーポン５４に対して最大であり、亜鉛：クロムが同
時沈着された層６０は少し小さなせん断応力を有する。
最も外側のニッケル層を有するクーポン５８、または、
酸化された銅を有するクーポン６０は、かなり低い初期
せん断応力を有する。
【００６４】次に、検査試料は１５０℃の不活性液体の
中に５分間浸され、熱的ショックが与えられ、そしてそ
の後、−６５℃の第２不活性液体の中に入れられる。こ
のサイクルが１５回と１００回の両方が繰り返された。
図４に示されているように、被覆のないＣ７０２５クー
ポン５４のせん断強度は、約１５サイクルの後、減少を
始める。亜鉛：クロム層で被覆されたＣ７０２５クーポ
ン６０では、変化は事実上なかった。
【００６５】１００サイクルで、Ｃｒ−Ｚｎで被覆され
た基板６０は、他の任意の試料よりも大幅に大きなせん
断強度を有する。
【００６６】（実施例４）検査クーポンは実施例３と同
様にして用意された。この検査クーポンが、１２１℃、
１５ｐｓｉｇにおいて、相対湿度１００％で、１００時
間および２００時間の間、圧力料理器の中に入れられ
た。
【００６７】被覆のないクーポン５４と、ニッケルで被
覆されたクーポン５８と、酸化物で被覆されたクーポン
５６とのすべては、１００時間と２００時間との両方
で、せん断応力に大幅な減少が見られた。亜鉛：クロム
で被覆されたクーポン６０は、せん断応力に大幅な減少
が見られなかった。
【００６８】リードフレームとポリマ樹脂との間の接着
を改善する問題に関連して本発明が説明されたが、上述
したような最も外側の被覆体を沈着することにより、任
意の金属基板とポリマ樹脂との間の接着が改善されるの
は確実である。本発明の応用される範囲は、電子パッケ
ージの組立体に限定されるものではない。
【００６９】上述した目的、特徴、および、利点を完全
に満たす、ポリマ樹脂に対し増強された接着を備えたリ
ードフレームが本発明により得られることは、明らかで
ある。本発明は特定の実施例に関連して説明されたが、
前記説明から、本発明の範囲内において、多くの変更実
施例および修正実施例の可能であることは、当業者には
すぐに分かるであろう。したがって、このような変更実
施例および修正実施例はすべて、本発明の範囲内に包含
されるものと理解しなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のリードフレームが組み込まれた成形さ
れたプラスチック・パッケージの横断面図である。
【図２】本発明のリードフレームが組み込まれた別々の
基板部品とカバー部品とを有する電子パッケージの横断
面図である。
【図３】接着を評価するための組立体の平面図である。
【図４】熱的ショックのサイクルの関数として表され
た、歪み応力のグラフである。
【図５】圧力料理器の中の時間数の関数として表され
た、歪み応力のグラフである。
【符号の説明】
１２ リードフレーム １４ 金属基板 １６ 内部導線 １８ 外部導線 ２０ 最も外側の層 ２０′最も外側の層 ２２ 電子装置 ２４ 接合導線 ２６ ダイ取付パッド ２８ モールド用樹脂 ３０ ダイ取付材料 ４０ パッケージ ４２ 基板部品 ４４ カバー部品 ４６ ポリマ接着剤

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の導線（１６、１８）に形作られ
    た、かつ、少なくとも１つの金属層（２０）で被覆され
    た導電性の金属基板（１４）を有し、最も外側の金属層
    （２０）が、亜鉛対クロムの比が約４：１以上でありか
    つ亜鉛とクロムが同時に沈着されたクロムと亜鉛の混合
    体を含有し、かつ、ポリマ樹脂に接着されており、 前記内部導線（１６）がモールド・プラスチック・パッ
    ケージ（１０）の中に封止され、 前記導電性金属基板（１４）が、銅を基本とする合金で
    あることを特徴とする、リードフレーム。
  2. 【請求項２】 前記内部導線（１６）が基板部品（４
    ２）とカバー部品（４４）との間に配置され、かつ、前
    記内部導線（１６）が前記基板部品（４２）および前記
    カバー部品（４４）に接合されていることを特徴とす
    る、請求項１記載のリードフレーム。
  3. 【請求項３】 前記内部導線（１６）の内側部分が前記
    最も外側の金属層（２０）から自由であり、 前記基板部品（４２）および前記カバー部品（４４）が
    アルミニウムまたはアルミニウムの合金であり、 前記基板部品（４２）および前記カバー部品（４４）
    が、少なくとも接着接合手段（４６）と接触したこれら
    の表面を被覆する接着増進層（２０′）を有し、 前記接着増進層（２０′）が陽極酸化層であることを特
    徴とする、請求項２記載のリードフレーム。
  4. 【請求項４】 前記導電性金属基板（１４）が、重量パ
    ーセントで鉄を２．１％〜２．６％、リンを０．０１５
    ％〜０．１５％、亜鉛を０．０５％〜０．２０％含みか
    つ残りが銅であるという銅を基本とする合金であること
    を特徴とする、請求項１または請求項２または請求項３
    記載のリードフレーム。
  5. 【請求項５】 前記導電性金属基板（１４）が、重量パ
    ーセントで鉄を１．０％〜２．０％、リンを０．０１％
    〜０．３５％、コバルトを０．３０％〜１．３％、スズ
    を０．１０％〜１．０％含みかつ残りが銅であるという
    銅を基本とする合金であることを特徴とする、請求項１
    または請求項２または請求項３記載のリードフレーム。
  6. 【請求項６】 前記導電性金属基板（１４）が、重量パ
    ーセントで鉄を０．３０％〜１．２％、リンを０．１０
    ％〜０．４０％、マグネシウムを０．０１％〜０．２０
    ％含みかつ残りが銅であるという銅を基本とする合金で
    あることを特徴とする、請求項１または請求項２または
    請求項３記載のリードフレーム。
  7. 【請求項７】 前記導電性金属基板（１４）が、重量パ
    ーセントでニッケルを２％〜４．８％、シリコンを０．
    ２％〜１．４％、マグネシウムを０．０５％〜０．４５
    ％含みかつ残りが銅であるという銅を基本とする合金で
    あることを特徴とする、請求項１または請求項２または
    請求項３記載のリードフレーム。
  8. 【請求項８】 前記導電性金属基板（１４）が、重量パ
    ーセントでジルコニウムを０．０５％〜０．１５％含
    み、かつ、残りが銅であるという銅を基本とする合金で
    あることを特徴とする、請求項１または請求項２または
    請求項３記載のリードフレーム。
  9. 【請求項９】 前記導電性金属基板（１４）が、重量パ
    ーセントでスズ１．７％〜２．３％、ニッケル０．１％
    〜０．４％、リン０．１５％以下含みかつ残りが銅であ
    るという銅を基本とする合金であることを特徴とする、
    請求項１または請求項２または請求項３記載のリードフ
    レーム。
  10. 【請求項１０】 前記導電性金属基板（１４）が、重量
    パーセントで鉄０．０５％〜０．１５％、リン０．０２
    ５％〜０．０４０％含みかつ残りが銅であるという銅を
    基本とする合金であることを特徴とする、請求項１また
    は請求項２または請求項３記載のリードフレーム。
  11. 【請求項１１】 前記導電性金属基板（１４）が、重量
    パーセントで鉄０．５％〜１．５％、スズ０．５％〜
    １．５％、リン０．０１％〜０．３５％含みかつ残りが
    銅であるという銅を基本とする合金であることを特徴と
    する、請求項１または請求項２または請求項３記載のリ
    ードフレーム。
  12. 【請求項１２】 前記導電性金属基板（１４）が、重量
    パーセントでクロム０．１５％〜０．４０％、チタン
    ０．０１％〜０．４０％、シリコン０．０２％〜０．０
    ７％含みかつ残りが銅であるという銅を基本とする合金
    であることを特徴とする、請求項１または請求項２また
    は請求項３記載のリードフレーム。
  13. 【請求項１３】 前記導電性金属基板（１４）が、重量
    パーセントでニッケル０．８％〜１．８％、シリコン
    ０．１５％〜０．３５％、リン０．０１％〜０．０５％
    含みかつ残りが銅であるという銅を基本とする合金であ
    ることを特徴とする、請求項１または請求項２または請
    求項３記載のリードフレーム。
  14. 【請求項１４】 前記導電性金属基板（１４）が、重量
    パーセントでクロム０．３０％〜０．４０％、スズ０．
    ２０％〜０．３０％、亜鉛０．１５％〜０．２５％含み
    かつ残りが銅であるという銅を基本とする合金であるこ
    とを特徴とする、請求項１または請求項２または請求項
    ３記載のリードフレーム。
  15. 【請求項１５】 前記導電性金属基板（１４）が、重量
    パーセントでニッケル２．７％〜３．７％、シリコン
    ０．２％〜１．２％、亜鉛０．１％〜０．５％含みかつ
    残りが銅であるという銅を基本とする合金であることを
    特徴とする、請求項１または請求項２または請求項３記
    載のリードフレーム。
  16. 【請求項１６】 前記導電性金属基板（１４）が、重量
    パーセントでニッケル１．９％〜２．９％、シリコン
    ０．２０％〜０．６０％、リン０．１０％〜０．２０％
    含みかつ残りが銅であるという銅を基本とする合金であ
    ることを特徴とする、請求項１または請求項２または請
    求項３記載のリードフレーム。
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5540378A (en) * 1993-09-27 1996-07-30 Olin Corporation Method for the assembly of an electronic package
US5969414A (en) * 1994-05-25 1999-10-19 Advanced Technology Interconnect Incorporated Semiconductor package with molded plastic body
US5583372A (en) * 1994-09-14 1996-12-10 Micron Technology, Inc. Adhesion enhanced semiconductor die for mold compound packaging
US6066514A (en) * 1996-10-18 2000-05-23 Micron Technology, Inc. Adhesion enhanced semiconductor die for mold compound packaging
US5573845A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Olin Corporation Superficial coating layer having acicular structures for electrical conductors
US5545850A (en) * 1995-01-13 1996-08-13 Olin Corporation Guard ring for integrated circuit package
KR100266726B1 (ko) * 1995-09-29 2000-09-15 기타지마 요시토시 리드프레임과 이 리드프레임을 갖춘 반도체장치
KR0152558B1 (ko) * 1995-10-12 1998-10-01 김광호 부식 방지용 리드 프레임 및 그 제조방법
GB2344934A (en) * 1995-10-24 2000-06-21 Altera Corp Integrated circuit package
KR100245971B1 (ko) * 1995-11-30 2000-03-02 포만 제프리 엘 중합접착제를 금속에 접착시키기 위한 접착력 촉진층을 이용하는 히트싱크어셈블리 및 그 제조방법
US5817544A (en) * 1996-01-16 1998-10-06 Olin Corporation Enhanced wire-bondable leadframe
JP2933554B2 (ja) * 1996-11-28 1999-08-16 九州日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH10303352A (ja) * 1997-04-22 1998-11-13 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US6465744B2 (en) * 1998-03-27 2002-10-15 Tessera, Inc. Graded metallic leads for connection to microelectronic elements
US6136460A (en) * 1998-04-03 2000-10-24 Olin Corporation Tin coatings incorporating selected elemental additions to reduce discoloration
US6183886B1 (en) 1998-04-03 2001-02-06 Olin Corporation Tin coatings incorporating selected elemental additions to reduce discoloration
JP2000003988A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Sony Corp リードフレームおよび半導体装置
US6194777B1 (en) * 1998-06-27 2001-02-27 Texas Instruments Incorporated Leadframes with selective palladium plating
US6529379B1 (en) * 1998-10-13 2003-03-04 International Business Machines Corporation Article exhibiting enhanced adhesion between a dielectric substrate and heat spreader and method
SE515661C2 (sv) * 1998-12-22 2001-09-17 Ericsson Telefon Ab L M Trådbondningskompensering
TW457674B (en) * 1999-03-15 2001-10-01 Texas Instruments Inc Aluminum leadframes for semiconductor devices and method of fabrication
US6747343B2 (en) * 2000-03-08 2004-06-08 Texas Instruments Incorporated Aluminum leadframes with two nickel layers
US6545342B1 (en) * 1999-05-03 2003-04-08 Texas Instruments Incorporated Pre-finished leadframe for semiconductor devices and method of fabrication
JP3964205B2 (ja) 1999-05-31 2007-08-22 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト 半導体装置パッケージの組立方法
US6093960A (en) * 1999-06-11 2000-07-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having a heat spreader capable of preventing being soldered and enhancing adhesion and electrical performance
US6225684B1 (en) 2000-02-29 2001-05-01 Texas Instruments Tucson Corporation Low temperature coefficient leadframe
US20030137032A1 (en) * 2000-05-01 2003-07-24 Abbott Donald C. Pre-finished leadframe for semiconductor devices and method fo fabrication
US6837980B2 (en) 2000-12-21 2005-01-04 Olin Corporation Bond enhancement antitarnish coatings
JP2002334975A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Nec Corp 半導体装置の支持構造、ｃｃｄ半導体装置、その製造方法、及び、ｃｃｄ半導体装置用パッケージ
DE10124047B4 (de) * 2001-05-16 2006-12-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung elektronischer Bauteile mit Halbleiterchips und Systemträger
KR100723454B1 (ko) * 2004-08-21 2007-05-30 페어차일드코리아반도체 주식회사 높은 열 방출 능력을 구비한 전력용 모듈 패키지 및 그제조방법
JP4848539B2 (ja) * 2001-08-23 2011-12-28 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 放熱板およびパワー半導体モジュール、ｉｃパッケージ
EP1444528B1 (en) 2001-09-24 2008-06-25 Rika Denshi America, Inc. Electrical test probes and methods of making the same
US6930136B2 (en) * 2001-09-28 2005-08-16 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Adhesion promoters containing benzotriazoles
DE10148120B4 (de) * 2001-09-28 2007-02-01 Infineon Technologies Ag Elektronische Bauteile mit Halbleiterchips und ein Systemträger mit Bauteilpositionen sowie Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers
JP3537417B2 (ja) * 2001-12-25 2004-06-14 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US6661102B1 (en) * 2002-01-18 2003-12-09 Advance Micro Devices, Inc. Semiconductor packaging apparatus for controlling die attach fillet height to reduce die shear stress
JP3566269B2 (ja) * 2002-06-07 2004-09-15 富士通株式会社 リードフレーム及びその製造方法、及び半導体装置。
US7057264B2 (en) * 2002-10-18 2006-06-06 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Curable compounds containing reactive groups: triazine/isocyanurates, cyanate esters and blocked isocyanates
SG157957A1 (en) * 2003-01-29 2010-01-29 Interplex Qlp Inc Package for integrated circuit die
DE10330192B4 (de) * 2003-07-03 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Abscheiden einer porösen Haftvermittlungsschicht auf einer Oberfläche eines elektrisch leitenden Körpers sowie Verwendung des Verfahrens
US6852427B1 (en) 2003-09-02 2005-02-08 Olin Corporation Chromium-free antitarnish adhesion promoting treatment composition
EP1524693A1 (en) * 2003-10-13 2005-04-20 Infineon Technologies AG Leadframe being protected against corrosion
US7078809B2 (en) * 2003-12-31 2006-07-18 Dynacraft Industries Sdn. Bhd. Chemical leadframe roughening process and resulting leadframe and integrated circuit package
US20070262426A1 (en) * 2004-01-27 2007-11-15 Joachim Mahler Semiconductor Housings Having Coupling Coatings
US8395253B2 (en) * 2004-01-28 2013-03-12 International Rectifier Corporation Hermetic surface mounted power package
US6966800B2 (en) * 2004-03-22 2005-11-22 Fci Americas Technology, Inc. Overmolded electrical connector
US8481862B2 (en) * 2006-02-09 2013-07-09 General Dynamics Advanced Information Systems, Inc. Low profile compliant leads
WO2007129132A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Infineon Technologies Ag Semiconductor package and method of assembling a semiconductor package
TW200836315A (en) * 2007-02-16 2008-09-01 Richtek Techohnology Corp Electronic package structure and method thereof
KR101241735B1 (ko) 2008-09-05 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 리드 프레임 및 그 제조방법
ATE513066T1 (de) 2008-10-13 2011-07-15 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur verbesserung der haftung zwischen silberoberflächen und harzmaterialien
CN101814480B (zh) * 2010-04-16 2011-08-31 杭州矽力杰半导体技术有限公司 一种芯片封装结构及其封装方法
US8524540B2 (en) * 2011-02-01 2013-09-03 Nilesh Kapadia Adhesion promoting composition for metal leadframes
KR101222809B1 (ko) * 2011-06-16 2013-01-15 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
US10636735B2 (en) * 2011-10-14 2020-04-28 Cyntec Co., Ltd. Package structure and the method to fabricate thereof
KR101372205B1 (ko) * 2011-12-15 2014-03-10 엘지이노텍 주식회사 리드 프레임 및 그 제조방법
KR20130089473A (ko) * 2012-02-02 2013-08-12 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US8716069B2 (en) * 2012-09-28 2014-05-06 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Semiconductor device employing aluminum alloy lead-frame with anodized aluminum
JP6493952B2 (ja) 2014-08-26 2019-04-03 大口マテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
WO2017153590A1 (en) 2016-03-11 2017-09-14 Atotech Deutschland Gmbh Lead-frame structure, lead-frame, surface mount electronic device and methods of producing same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60257160A (ja) * 1984-06-04 1985-12-18 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS61270398A (ja) * 1985-05-25 1986-11-29 Kawasaki Steel Corp 高耐食性複合めっき鋼板およびその製造方法
JPS6455397A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Nippon Steel Corp Zinc-chromium based electroplated steel sheet having excellent surface grade and corrosion resistance
JPH03240994A (ja) * 1990-08-01 1991-10-28 Nippon Steel Corp 耐食性に優れた防錆鋼板

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3677828A (en) * 1970-07-30 1972-07-18 Olin Corp Tarnish resistant copper and copper alloys
US3716427A (en) * 1970-08-28 1973-02-13 Olin Corp Method of producing tarnish resistant copper and copper alloys and products thereof
US3764400A (en) * 1971-09-02 1973-10-09 Olin Corp Method of producing tarnish resistant copper and copper alloys
US3833433A (en) * 1973-06-14 1974-09-03 Olin Corp Method of producing tarnish resistant copper and copper alloys and products thereof
US4131517A (en) * 1977-06-03 1978-12-26 Nippon Mining Co., Ltd. Surface treating process for copper foil for use in printed circuit
JPS587077B2 (ja) * 1979-12-19 1983-02-08 日本鉱業株式会社 印刷回路用銅箔およびその製造方法
JPS5730353A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Nec Corp Semiconductor device
US4387006A (en) * 1981-07-08 1983-06-07 Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd. Method of treating the surface of the copper foil used in printed wire boards
US4428987A (en) * 1982-04-28 1984-01-31 Shell Oil Company Process for improving copper-epoxy adhesion
US4521469A (en) * 1982-11-22 1985-06-04 Olin Corporation Casing for electronic components
US4497876A (en) * 1983-03-16 1985-02-05 Kidon William E Corrosion resistant metal composite with zinc and chromium coating
US5001546A (en) * 1983-07-27 1991-03-19 Olin Corporation Clad metal lead frame substrates
JPS60105259A (ja) * 1983-11-11 1985-06-10 Hitachi Cable Ltd 半導体機器用リ−ドフレ−ム材
JPS60201651A (ja) * 1984-03-26 1985-10-12 Hitachi Cable Ltd 半導体用リ−ドフレ−ム
JPS60218863A (ja) * 1984-04-13 1985-11-01 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体リ−ドフレ−ム
US4862246A (en) * 1984-09-26 1989-08-29 Hitachi, Ltd. Semiconductor device lead frame with etched through holes
US4647315A (en) * 1985-07-01 1987-03-03 Olin Corporation Copper stainproofing technique
DE3717246A1 (de) * 1986-05-23 1987-11-26 Mitsubishi Electric Corp Material auf nickelbasis fuer eine halbleiteranordnung
US4818727A (en) * 1987-06-23 1989-04-04 Sgs-Thomson Microelectronics Inc. Method of improving the corrosion resistance of aluminum contacts on semiconductors
US5119167A (en) * 1987-06-23 1992-06-02 Sga-Thomson Microelectronics, Inc. Method of improving the corrosion resistance of aluminum contacts on semiconductors
US4888449A (en) * 1988-01-04 1989-12-19 Olin Corporation Semiconductor package
US4835067A (en) * 1988-01-21 1989-05-30 Electro Alloys Corp. Corrosion resistant electroplating process, and plated article
US4939316A (en) * 1988-10-05 1990-07-03 Olin Corporation Aluminum alloy semiconductor packages
JP2651868B2 (ja) * 1989-04-27 1997-09-10 株式会社日立製作所 樹脂封止半導体及びその製造方法
US5098796A (en) * 1989-10-13 1992-03-24 Olin Corporation Chromium-zinc anti-tarnish coating on copper foil
US5022968A (en) * 1990-09-20 1991-06-11 Olin Corporation Method and composition for depositing a chromium-zinc anti-tarnish coating on copper foil
US5250363A (en) * 1989-10-13 1993-10-05 Olin Corporation Chromium-zinc anti-tarnish coating for copper foil having a dark color
JPH03239353A (ja) * 1990-02-16 1991-10-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置用Ｃｕ系リードフレーム
KR920000127A (ko) * 1990-02-26 1992-01-10 미다 가쓰시게 반도체 패키지와 그것을 위한 리드프레임
DE69119952T2 (de) * 1990-03-23 1997-01-02 Motorola Inc Oberflächenmontierbare Halbleitervorrichtung mit selbstbeladenen Lötverbindungen
JPH03283556A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Hitachi Cable Ltd １ｃ用リードフレーム
US5060052A (en) * 1990-09-04 1991-10-22 Motorola, Inc. TAB bonded semiconductor device having off-chip power and ground distribution

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60257160A (ja) * 1984-06-04 1985-12-18 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS61270398A (ja) * 1985-05-25 1986-11-29 Kawasaki Steel Corp 高耐食性複合めっき鋼板およびその製造方法
JPS6455397A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Nippon Steel Corp Zinc-chromium based electroplated steel sheet having excellent surface grade and corrosion resistance
JPH03240994A (ja) * 1990-08-01 1991-10-28 Nippon Steel Corp 耐食性に優れた防錆鋼板

Also Published As

Publication number Publication date
DE69330711D1 (de) 2001-10-11
DE69330711T2 (de) 2002-07-04
EP0621981B1 (en) 2001-09-05
AU3475893A (en) 1993-08-03
EP0621981A4 (en) 1995-05-17
US5343073A (en) 1994-08-30
EP0621981A1 (en) 1994-11-02
JP3070862B2 (ja) 2000-07-31
WO1993014518A1 (en) 1993-07-22
KR100286631B1 (ko) 2001-04-16
KR940704060A (ko) 1994-12-12
US5449951A (en) 1995-09-12
JPH07503103A (ja) 1995-03-30

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