DE3717246A1 - Material auf nickelbasis fuer eine halbleiteranordnung - Google Patents

Material auf nickelbasis fuer eine halbleiteranordnung

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Description

Die Erfindung betrifft ein Material auf Nickelbasis für eine Halbleiteranordnung.
In der Vergangenheit hat man als Leitungsrahmenmaterial für eine Halbleiteranordnung eine Legierung mit der üblichen Bezeichnung "Legierung 42", in der eine Hauptkomponente Fe-Ni mit einer Zusammensetzung von Fe - 42% Ni ist, und eine Kupferlegierung verwendet, die Kupfer als Hauptkomponente enthält. Die Haupteigenschaften, die für ein Leitungsrahmen- oder Leiterplattenmaterial erforderlich sind, sind folgende: (i) kleiner thermischer Ausdehnungskoeffizient, der dicht bei dem eines Siliziumchips liegt; (ii) größeres Wärmeabgabevermögen; (iii) hohe Festigkeit; (iv) ausgezeichnete Verarbeitbarkeit; (v) höhere Korrosionsbeständigkeit; und (vi) hohe Wärmefestigkeit.
Die Eigenschaft (i) dient dazu, Brüche oder Risse eines Siliziumchips durch Beanspruchungen zu verhindern, die darin durch Unterschiede der thermischen Ausdehnung hervorgerufen werden, während eine Aufheizung bei einem Bonding-Verfahren erfolgt, bei dem der Siliziumchip, der eine elektrische Schaltung bildet, auf dem Leiterplattenmaterial angeordnet wird. Die Eigenschaft (ii) dient dazu, Schwierigkeiten bei einer integrierten Schaltung (IC) zu verhindern, die aus der Eigenerwärmung der integrierten Schaltung während des Betriebes entstehen können. Die obigen Eigenschaften (iii) bis (vi) sind ebenfalls für jedes IC aus praktischen Gesichtspunkten erforderlich.
Der erste Grund, warum die Legierung 42 hauptsächlich verwendet worden ist, besteht darin, daß unter den oben angegebenen, erforderlichen Eigenschaften ihr Wärmeausdehnungskoeffizient besonders klein ist. Außerdem ist die Legierung 42 in der Massenproduktion leicht herstellbar. Ferner hat die Legierung 42 viele Vorteile, nämlich eine große Festigkeit, gute Verarbeitbarkeit, hohe Korrosionsbeständigkeit und Wärmefestigkeit, auch das Haftungsvermögen an Kunststoffgehäusen ist hoch. Die Legierung 42 hat jedoch den Nachteil, daß sie kostspielig ist und daß ihr Wärmeabgabevermögen gering ist.
Daher hat man in den letzten Jahren zunehmend Kupferlegierungen anstelle der Legierung 42 verwendet, und zwar wegen ihrer geringen Kosten und wegen des Umstandes, daß die Kupferlegierungen ein Ausgangsmaterial mit hoher elektrischer Leitfähigkeit bilden, was ein exothermes Verhalten des IC in Verbindung mit der zunehmenden Integration verringert. Die erforderlichen Eigenschaften der Kupferlegierungen sind annähernd die gleichen wie die der Legierung 42 innerhalb möglicher Grenzen, jedoch ist der Wärmeausdehnungskoeffizient, eine der wichtigsten Eigenschaften, groß. Dieser hohe Wärmeausdehnungskoeffizienten von Kupferlegierungen muß kompensiert werden durch Verpackungstechniken bei der IC-Herstellung.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Material auf Nickelbasis für eine Halbleiteranordnung anzugeben, das die obigen Probleme löst, d. h. ein hohes Wärmeabgabevermögen hat, welches das gravierendste Problem bei der Legierung 42 ist, und das einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt, der das gravierendste Problem bei Kupferlegierungen darstellt.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird gemäß der Erfindung ein Material auf Nickelbasis für eine Halbleiteranordnung angegeben, das 99,5 Gew.-% oder mehr Nickel und als Rest unvermeidbare Verunreinigungen enthält.
Das Material auf Nickelbasis gemäß der Erfindung zeigt Eigenschaften, die an die von Nickelmetall selbst erinnern. Unter Verwendung des Materials auf Nickelbasis als Leiterplattenmaterial für eine Halbleiteranordnung können überraschend ausgezeichnete Ergebnisse erzielt werden. Sowohl das oben erwähnte kleine Wärmeabgabevermögen, das einen Nachteil der Legierung 42 darstellt, als auch der hohe Wärmeausdehnungskoeffizient, der einen Nachteil der Kupferlegierungen darstellt, können mit der Erfindung ausgeräumt werden. Somit ist das vorliegende Material gemäß der Erfindung von großem industriellen Wert.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Material auf Nickelbasis für eine Halbleiteranordnung angegeben, das mindestens ein Material, gewählt aus der Gruppe, die aus Kobalt, Eisen, Aluminium, Mangan, Silizium, Kohlenstoff und Kupfer besteht, Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen aufweist.
Das Nickelmaterial selbst hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit, und sein Wärmeausdehungskoeffizient hat einen Wert zwischen dem der Legierung 42 und der von Kupferlegierungen. Durch Hinzufügen von 0,05 bis 5 Gew.-% der Gesamtmenge, gewählt aus der oben angegebenen Gruppe, zu Nickel gemäß der Erfindung, kann die elektrische Leitfähigkeit des Materials auf Nickelbasis bei 10% IACS oder mehr gehalten werden, während zur gleichen Zeit die Wärmebeständigkeit verbessert werden kann. Wenn andererseits die hinzugefügte Gesamtmenge weniger als 0,05 Gew.-% oder mehr als 5 Gew.-% ausmacht, kann der oben erwähnte Effekt nicht erreicht werden. Weiterhin kann durch Verringerung des Sauerstoffgehaltes der Produkte auf Nickelbasis auf 50 ppm oder weniger das Beschichtungsfilmhaftvermögen bei Produkten auf Nickelbasis mit Silberbeschichtung erheblich verbessert werden.
Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele gemäß der Erfindung näher erläutert. Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung wurden mit einem herkömmlichen Verfahren hergestellt, und der jeweilige Typ von herkömmlichen Materialien, die als Leiterplattenmaterial für ICs verwendet werden, wurden ebenfalls hergestellt. Die Zusammensetzungen und Eigenschaften der Materialien auf Nickelbasis und der herkömmlichen Materialien sind vergleichsweise in den Tabellen 1 und 2 aufgelistet. Die Eigenschaften der Produkte oder Streifen, die hergestellt wurden, indem man die Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung sowie herkömmliche Materialien verwendete, sind vergleichsweise in Tabelle 3 aufgelistet.
Tabelle 1
Tabelle 2
Tabelle 3
Wie sich aus den Tabellen 1 und 2 ergibt, ergab das Wärmeleitungsvemögen und der Wärmeausdehnungskoeffizient für jedes der Beispiele 1 bis 7 gemäß der Erfindung Werte, die zwischen denen der Legierung 42 und der Kupferlegierung (CDA C19400) lagen. Außerdem war die elektrische Leitfähigkeit jedes Legierungsbeispiels auf Nickelbasis der Beispiele 1 bis 7 stark verbessert im Vergleich mit der Legierung 42. Somit ist klar, daß die Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung geeignete Eigenschaften als Leiterplattenmaterialien für Halbleiteranordnungen besitzen.
Bei der künftigen Herstellung von ICs werden technologische Innovationen erwartet, wo die Chips und die Leiterplattenmaterialien für einen IC ohne Silberbeschichtung direkt einer Drahtverbondung unterworfen werden, um die Herstellungskosten zu reduzieren. Materialien auf Nickelbasis werden als geeignete Materialien angesehen, da ihre Punktschweißeigenschaften natürlicherweise sehr gut sind. Wenn somit eine Leiterplatte hergestellt wird, indem man eine Legierung auf Nickelbasis gemäß der Erfindung verwendet, können Chips und Leiterplatten ohne Silberbeschichtung direkt einer Drahtverbondung unterworfen werden.
Die Legierungsproben auf Nickelbasis gemäß der Erfindung wurden bei den verschiedenen Beispielen nach der Beschichtung mit Silber erhitzt, jedoch trat dabei keine Blasenbildung auf. Andererseits war bei den Legierungen auf Nickelbasis gemäß den Vergleichsbeispielen 1 und 2 eine Blasenbildung durch Erhitzung nach der Beschichtung mit Silber zu beobachten.
Aus den Resultaten gemäß Tabelle 3 ergibt sich, daß die Widerstandsfähigkeit gegenüber Verformungen der Leiterplatten verbessert wird, wenn man die Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung verwendet, und zwar im Vergleich mit herkömmlichen Materialien. Die Verformungswiderstandsfähigkeit von Leiterplatten bei Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung ist nämlich besser als die von CDA C19400. Außerdem ist klar, daß die exothermen Eigenschaften der Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung dicht bei denen von Materialien vom Kupfertyp liegen, wie sich aus den erhaltenen Daten ergibt.
Außerdem sind die Wärmebeständigkeit und die Oxidationsbeständigkeit der Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung sehr gut, und ihr Haftungsvermögen an einem Abdichtungsharz, beispielsweise einem Kunststoffgehäuse kann ebenfalls verbessert werden. Dementsprechend kann die Aufnahmefähigkeit für Feuchtigkeit oder die Neigung zur Wasseraufnahme des IC verringert und seine Zuverlässigkeit verbessert werden, wenn man es mit herkömmlichen Kupferlegierungen vergleicht.

Claims (17)

1. Material auf Nickelbasis für eine Halbleiteranordnung, bestehend aus
99,5 Gew.-% oder mehr Nickel
Rest unvermeidbaren Verunreinigungen.
2. Material auf Nickelbasis für eine Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Sauerstoffgehalt 50 ppm oder weniger beträgt.
3. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis als Leitungsrahmenmaterial oder Leiterplattenmaterial für eine integrierte Halbleiterschaltung verwendet wird.
4. Material auf Nickelbasis nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis ein Streifen auf Nickelbasis ist.
5. Material auf Nickelbasis für eine Halbleiteranordnung, bestehend aus
mindestens einem Material, gewählt aus der Gruppe, die aus Kobalt, Eisen, Aluminium, Mangan, Silizium, Kohlenstoff und Kupfer besteht,
Rest Nickel und unvermeidbaren Verunreinigungen.
6. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Sauerstoffgehalt 50 ppm oder weniger beträgt.
7. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis als Leitungsrahmenmaterial oder Leiterplattenmaterial für eine integrierte Halbleiterschaltung verwendet wird.
8. Material auf Nickelbasis nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis ein Streifen auf Nickelbasis ist.
9. Material auf Nickelbasis nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis aus folgenden Substanzen besteht:
0,05 bis 5 Gew.-% von mindestens einem Material, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus 2 Gew.-% oder weniger Kobalt, 0,1 Gew.-% oder weniger Kohlenstoff, 0,5 Gew.-% oder weniger Eisen, 0,2 Gew.-% oder weniger Silizium, 0,5 Gew.-% oder weniger Aluminium, und 0,5 Gew.-% oder weniger Mangan besteht,
Rest Nickel und unvermeidbaren Verunreinigungen.
10. Material auf Nickelbasis nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Gruppe außerdem 2,5 Gew.-% oder weniger Kupfer enthält.
11. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis aus folgenden Substanzen besteht:
0,12 Gew.-% Kobalt
0,03 Gew.-% Kohlenstoff
0,01 Gew.-% Eisen
Rest Nickel und unvermeidbaren Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 15 ppm beträgt.
12. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis aus folgenden Substanzen besteht:
1,62 Gew.-% Kobalt
0,06 Gew.-% Kohlenstoff
0,17 Gew.-% Eisen
Rest Nickel und unvermeidbaren Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 20 ppm beträgt.
13. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis aus folgenden Substanzen besteht:
0,01 Gew.-% Kobalt
0,03 Gew.-% Kohlenstoff
0,42 Gew.-% Eisen
0,06 Gew.-% Silizium
Rest Nickel und unvermeidbaren Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 18 ppm beträgt.
14. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis aus folgenden Substanzen besteht:
0,02 Gew.-% Kobalt
0,01 Gew.-% Kohlenstoff
0,03 Gew.-% Eisen
0,32 Gew.-% Aluminium
Rest Nickel und unvermeidbaren Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 23 ppm beträgt.
15. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis aus folgenden Substanzen besteht:
0,01 Gew.-% Kobalt
0,02 Gew.-% Kohlenstoff
0,08 Gew.-% Mangan
0,03 Gew.-% Eisen
0,15 Gew.-% Silizium
Rest Nickel und unvermeidbaren Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 12 ppm beträgt.
16. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis aus folgenden Substanzen besteht:
0,03 Gew.-% Kobalt
0,01 Gew.-% Kohlenstoff
2,33 Gew.-% Kupfer
0,01 Gew.-% Mangan
0,02 Gew.-% Eisen
0,02 Gew.-% Silizium
Rest Nickel und unvermeidbaren Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 16 ppm beträgt.
17. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis aus folgenden Substanzen besteht:
1,23 Gew.-% Kobalt
0,06 Gew.-% Kohlenstoff
1,62 Gew.-% Kupfer
0,03 Gew.-% Mangan
0,06 Gew.-% Eisen
0,02 Gew.-% Silizium
Rest Nickel und unvermeidbaren Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 18 ppm beträgt.
DE19873717246 1986-05-23 1987-05-22 Material auf nickelbasis fuer eine halbleiteranordnung Granted DE3717246A1 (de)

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