JPS63114932A - 半導体集積回路用Ｎｉ基合金条材 - Google Patents
半導体集積回路用Ｎｉ基合金条材Info
- Publication number
- JPS63114932A JPS63114932A JP11860886A JP11860886A JPS63114932A JP S63114932 A JPS63114932 A JP S63114932A JP 11860886 A JP11860886 A JP 11860886A JP 11860886 A JP11860886 A JP 11860886A JP S63114932 A JPS63114932 A JP S63114932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- based alloy
- thermal expansion
- alloy strip
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体機器用材料、特に集積回路用のＮｉ基
合金条材に関するものである。
合金条材に関するものである。
従来、半導体８１器用のリードフレーム材料としては、
Ｆｅ−Ｎｉを主成分とする通称４２アロイ（Ｆｅ−４２
％Ｎｉ）及び銅を主成分とする合金が用いられている。
Ｆｅ−Ｎｉを主成分とする通称４２アロイ（Ｆｅ−４２
％Ｎｉ）及び銅を主成分とする合金が用いられている。
かかるリードフレーム用材籾に要求される主な特性を挙
げると（１）熱膨張係数がシリコンチップに近い小さな
値であること（ＩＩ）熱放散性に優れろこと（ｉｉｉ）
＃を度が高いことｂω加工性に浸れることＭ耐食性に優
れること及び飼＃４熱性に優れることなどである。
げると（１）熱膨張係数がシリコンチップに近い小さな
値であること（ＩＩ）熱放散性に優れろこと（ｉｉｉ）
＃を度が高いことｂω加工性に浸れることＭ耐食性に優
れること及び飼＃４熱性に優れることなどである。
かかる特性（１）については、回路を形成するシリコン
チップをリードフレーム材料にのせろグイボンド工程に
おいて、加熱を受け、熱膨張差により応力が生じ、チッ
プの割れに到るのを防ぐためであり、特性（ｉｉ） ｌ
まＩＣ（簗摺＠略）を実際に使用中、自己発熱による故
障を回避するためであり、同（ｉｉｉｌ〜Ｇ切について
も各々ＩＣの実用面での必要特性とされる。
チップをリードフレーム材料にのせろグイボンド工程に
おいて、加熱を受け、熱膨張差により応力が生じ、チッ
プの割れに到るのを防ぐためであり、特性（ｉｉ） ｌ
まＩＣ（簗摺＠略）を実際に使用中、自己発熱による故
障を回避するためであり、同（ｉｉｉｌ〜Ｇ切について
も各々ＩＣの実用面での必要特性とされる。
従来上述した４２１０イが主に使用されてきた理由は、
これらの要求特性中特に熱膨張係数が小さいということ
がまず第一に挙げられ、量産に際して朝立を容易１ζし
ているということがあげられろ。そして更に強度及び加
工性（ζ侵れ、Ｙｆ４食性及び耐熱性が高い等身（のメ
リットを有している。
これらの要求特性中特に熱膨張係数が小さいということ
がまず第一に挙げられ、量産に際して朝立を容易１ζし
ているということがあげられろ。そして更に強度及び加
工性（ζ侵れ、Ｙｆ４食性及び耐熱性が高い等身（のメ
リットを有している。
しかし近年この４２７０イに替わり銅合金がコストが安
い乙と及びＳ積度増に伴うＩＣ自体の発熱が重要視され
電気伝導率の高い素材即ち銅合金が注目されている。
い乙と及びＳ積度増に伴うＩＣ自体の発熱が重要視され
電気伝導率の高い素材即ち銅合金が注目されている。
即ち、半導体機器用リードフレーム材料として広く使用
されている４２アロイが長所として、熱膨張係数が小さ
いこと、強度が高いこと、加工性、耐食性、耐熱性、及
びプラスチックパッケージとの密着性に優れるなどの長
所を有する反面、コスト高で、熱放散性に劣るなどの欠
点を有し、一方上記銅合金材料は、要求される特性を可
能な範囲で４２７０イに近づけ、高熱伝導を最大の長所
としているが、最重要特性である熱膨張係数については
本質的に未解決の部分があり、これについてはＩＣ生産
のパッケージ技術に頼らざるを丸ない状況にある。
されている４２アロイが長所として、熱膨張係数が小さ
いこと、強度が高いこと、加工性、耐食性、耐熱性、及
びプラスチックパッケージとの密着性に優れるなどの長
所を有する反面、コスト高で、熱放散性に劣るなどの欠
点を有し、一方上記銅合金材料は、要求される特性を可
能な範囲で４２７０イに近づけ、高熱伝導を最大の長所
としているが、最重要特性である熱膨張係数については
本質的に未解決の部分があり、これについてはＩＣ生産
のパッケージ技術に頼らざるを丸ない状況にある。
本発明は、上述の４２アロイのもつ最大の欠点即ち熱放
散性及び銅合金材料の最大の欠点である熱膨張係数が大
きいという欠点を解決するためになされたものである。
散性及び銅合金材料の最大の欠点である熱膨張係数が大
きいという欠点を解決するためになされたものである。
本発明は基本的にＮｉ基合金条材を用い前述の４２アロ
イの熱放散性及び銅合金の熱膨張係数を改善したもので
ある。
イの熱放散性及び銅合金の熱膨張係数を改善したもので
ある。
即ち本発明は重量比２％以下のコバルトあるいはｉ、０
．５％以下の鉄あるいはアルミニウムまたはマンガン、
０．２％以下のシリコン、０．１％以下の炭素のいずれ
か一種又は２ｆｆｉ以上を合計量０．０５〜５％の範囲
で含み、残部がＮｉとその他の不可避の不純物とから成
る半導体集積回路用Ｎｉ基合金条材である。
．５％以下の鉄あるいはアルミニウムまたはマンガン、
０．２％以下のシリコン、０．１％以下の炭素のいずれ
か一種又は２ｆｆｉ以上を合計量０．０５〜５％の範囲
で含み、残部がＮｉとその他の不可避の不純物とから成
る半導体集積回路用Ｎｉ基合金条材である。
Ｎｉ金属そのものは本来熱伝導性に優れ、その熱膨張係
数は４２７０イと鋼の中間的性質を有している。本発明
において上述の重量比２％以下のコバルトあるいは銅、
０．５％以下の鉄あるいはアルミニウムまたはマンガン
、０．２％以下のシリコン、０．１％以下の炭素のいず
れか一種又は２種以上を合計量０．０５〜５％の範囲の
量でのＮｉへの添加元素については、これらは特に電気
伝導率を１０％ｌＡＣ３以上に保ち、一方で耐熱性の向
上が認められるのであり、上記量比外ではその効果が不
充分である。
数は４２７０イと鋼の中間的性質を有している。本発明
において上述の重量比２％以下のコバルトあるいは銅、
０．５％以下の鉄あるいはアルミニウムまたはマンガン
、０．２％以下のシリコン、０．１％以下の炭素のいず
れか一種又は２種以上を合計量０．０５〜５％の範囲の
量でのＮｉへの添加元素については、これらは特に電気
伝導率を１０％ｌＡＣ３以上に保ち、一方で耐熱性の向
上が認められるのであり、上記量比外ではその効果が不
充分である。
又本発明合金中の酸素含有量を５０ ｐｐｍ以下とする
乙とにより製品条材のＡｇめっきのめっき被膜密着性を
著しく向上させ得るのである。
乙とにより製品条材のＡｇめっきのめっき被膜密着性を
著しく向上させ得るのである。
本発明はＮｉ中に特定量比の上記諸成分を含有させたこ
とにより、特に汎用される４２１０イ等の持つ上記問題
を適切に除去するものである。
とにより、特に汎用される４２１０イ等の持つ上記問題
を適切に除去するものである。
次表１に集積回路用リードフレーム材として実際に使用
されている各種材料と、本発明の実施例による条材との
特性を比較して記す。そして表２にこれらの材料を使用
した製品での特性比較を記上記表１から明らかなように
、本発明実施例材料は、その熱伝導、熱膨張が上述の４
２１０イ及び銅合金の中間的位置に属し、半導体機器用
のリードフレーム条材として適切な特性を有している。
されている各種材料と、本発明の実施例による条材との
特性を比較して記す。そして表２にこれらの材料を使用
した製品での特性比較を記上記表１から明らかなように
、本発明実施例材料は、その熱伝導、熱膨張が上述の４
２１０イ及び銅合金の中間的位置に属し、半導体機器用
のリードフレーム条材として適切な特性を有している。
又今後ＩＣの生産において、原価低減をはかるためにＡ
ｇめっきなしで、チップとリードフレ−ム条材料を直接
ワイヤボンディングするような技術革新も予想され、か
かろＮｉ基合金はもともとスポット溶接性に浸れること
から有用な素材と考又られる。
ｇめっきなしで、チップとリードフレ−ム条材料を直接
ワイヤボンディングするような技術革新も予想され、か
かろＮｉ基合金はもともとスポット溶接性に浸れること
から有用な素材と考又られる。
次に表２の結果から本発明条材の使用により、リードの
耐変形性を向上させリードの折損に対して上記Ｃ１９４
００よりも優れ、又ＩＣの発熱結果では鋼糸に近い特性
を有していることが分かる。
耐変形性を向上させリードの折損に対して上記Ｃ１９４
００よりも優れ、又ＩＣの発熱結果では鋼糸に近い特性
を有していることが分かる。
これらに加えて、本発明Ｎｉ基合金は耐熱酸化性に優れ
、しかも封着樹脂との密着性が向上し、従来の銅合金材
料に比し吸湿性を減少させＩＣの信頼性を向上させ得ろ
。
、しかも封着樹脂との密着性が向上し、従来の銅合金材
料に比し吸湿性を減少させＩＣの信頼性を向上させ得ろ
。
（発明の効果）
この発明は上記の如＜、Ｎｉ中にコバルト、銅等各種成
分の特定量の存在による条材としこれを半導体集積回路
用のリードフレームとして用い上記問題を解消する効果
を具備させ得たのでありその工業的利用効果は非常に大
である。
分の特定量の存在による条材としこれを半導体集積回路
用のリードフレームとして用い上記問題を解消する効果
を具備させ得たのでありその工業的利用効果は非常に大
である。
Claims (2)
- （１）重量比２％以下のコバルトあるいは銅、０．５％
以下の鉄あるいはアルミニウムまたはマンガン、０．２
％以下のシリコン、０．１％以下の炭素のいずれか一種
又は２種以上を合計量０．０５〜５％の範囲で含み、残
部がＮｉとその他の不可避の不純物とから成る半導体集
積回路用Ｎｉ基合金条材。 - （２）上記（１）項において、酸素含有量を５０ｐｐｍ
以下におさえたことを特徴とするＮｉ基合金条材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11860886A JPS63114932A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 半導体集積回路用Ｎｉ基合金条材 |
| DE19873717246 DE3717246A1 (de) | 1986-05-23 | 1987-05-22 | Material auf nickelbasis fuer eine halbleiteranordnung |
| US07/346,289 US4970569A (en) | 1986-05-23 | 1989-05-01 | Nickel based material for a semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11860886A JPS63114932A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 半導体集積回路用Ｎｉ基合金条材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114932A true JPS63114932A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=14740768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11860886A Pending JPS63114932A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 半導体集積回路用Ｎｉ基合金条材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63114932A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03211246A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-17 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | リードピン |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP11860886A patent/JPS63114932A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03211246A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-17 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | リードピン |
| JP2573078B2 (ja) * | 1990-01-11 | 1997-01-16 | 住友特殊金属株式会社 | リードピン |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6250425A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JPS6366377B2 (ja) | ||
| US4750029A (en) | Copper base lead material for leads of semiconductor devices | |
| JPH09296237A (ja) | 半導体パッケージング用金属基板材料 | |
| US4970569A (en) | Nickel based material for a semiconductor apparatus | |
| JPS63114932A (ja) | 半導体集積回路用Ｎｉ基合金条材 | |
| JPS61257443A (ja) | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 | |
| US4711826A (en) | Iron-nickel alloys having improved glass sealing properties | |
| JPS6335699B2 (ja) | ||
| JPS6267144A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS6332854B2 (ja) | ||
| JPS62274038A (ja) | 半導体機器用Ｎｉ基条材 | |
| JPS6250428A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JPS61266540A (ja) | 銅基合金 | |
| JPS596346A (ja) | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 | |
| JPS639574B2 (ja) | ||
| JPH02122035A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電銅合金 | |
| JPS61174345A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS61174344A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPH01198439A (ja) | プラスチック・ピン・グリット・アレイｉｃ用リード材 | |
| JPS5839901B2 (ja) | リ−ドフレ−ム用の銅合金 | |
| JPS62224652A (ja) | リ−ドフレ−ム用アルミニウム合金 | |
| JPS60218442A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS61119656A (ja) | Ｉｃリ−ドフレ−ム材料 | |
| JP2656237B2 (ja) | 半導体装置 |