JPS639574B2 - - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 7
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- KOMIMHZRQFFCOR-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Cu].[Zn] Chemical compound [Ni].[Cu].[Zn] KOMIMHZRQFFCOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタや集積回路(IC)など
の半導体機器のリード材に適する銅合金に関する
ものである。 従来、半導体機器のリード材としては、熱膨張
係数が低く、素子およびセラミツクとの接着およ
び封着性の良好なコバール(Fe−29Ni−16Co)、
42合金(Fe−42Ni)などの高ニツケル合金が好
んで使われてきた。しかし、近年、半導体回路の
集積度の向上に伴ない消費電力の高いICが多く
なつてきたことと、封止材料として樹脂が多く使
用され、かつ素子とリードフレームの接着も改良
が加えられたことにより、使用されるリード材も
放熱性のよい銅基合金が使われるようになつてき
た。 一般に半導体機器のリード材としては以下のよ
うな特性が要求されている。 (1) リードが電気信号伝達部であるとともに、パ
ツケージング工程中及び回路使用中に発生する
熱を外部に放出する機能を併せ持つことを要求
されるため、優れた熱及び電気伝導性を示すも
の。 (2) リードとモールドとの密着性が半導体素子保
護の観点から重要であるため、リード材とモー
ルド材の熱膨張係数が近いこと。 (3) パツケージング時に種々の加熱工程が加わる
ため、耐熱性が良好であること。 (4) リードはリード材を打抜き加工し、又曲げ加
工して作製されるものがほとんどであるため、
これらの加工性が良好なこと。 (5) リードは表面に貴金属のめつきを行なうた
め、これら貴金属とのめつき密着性が良好であ
ること。 (6) パツケージング後に封止材の外に露出してい
る、いわゆるアウター・リード部にはんだ付け
するものが多いので良好なはんだ付け性を示す
こと。 (7) 機器の信頼性及び寿命の観点から耐食性が良
好なこと。 (8) 価格が低廉であること。 これら各種の要求特性に対し、従来より使用さ
れている無酸素銅、すず入り銅、鉄入り銅、りん
青銅、コバール、42合金は何れも一長一短があり
これら特性のすべてを必ずしも満足し得るもので
はない。 本発明はかかる点に鑑み、従来の洋白系合金と
して知られている銅−ニツケル−亜鉛合金を改良
し、半導体機器のリード材として好適な諸特性、
特に優れためつき密着性を有する銅合金を提供す
るものである。 本発明は、ニツケル1.5〜10wt%、亜鉛5〜
20wt%、酸素0.0020wt%以下を含み、残部が銅
及び不可避不純物からなる合金、およびニツケル
1.5〜10wt%、亜鉛5〜20wt%、酸素0.0020wt%
以下、これにさらにりん0.001〜0.1wt%、錫0.01
〜1.0wt%、鉄0.005〜1.0wt%、コバルト0.01〜
1.0wt%、クロム0.01〜1.0wt%、アルミニウム
0.01〜1.0wt%、マグネシウム0.01〜1.0wt%、マ
ンガン0.01〜1.0wt%、チタン0.01〜1.0wt%、ジ
ルコニウム0.01〜1.0wt%、ベリリウム0.01〜
1.0wt%、からなる群より選択された1種又は2
種以上を総量で0.001〜2.0wt%含有し、残部が銅
及び不可避不純物からなる合金であつて、半導体
機器のリード材用銅合金として優れた電気および
熱伝導性、耐熱性、加工性、めつき密着性、はん
だ付け性、耐食性等を併せ示すことを特徴とする
半導体機器のリード材用銅合金に関する。 次に本発明合金を構成する合金成分の限定理由
を説明する。ニツケルの含有量を1.5〜10wt%と
する理由は、ニツケル含有量が1.5wt%未満では
期待する強度が得られず、逆にニツケル含有量が
10wt%をこえると導電率が低下し、かつ価格の
上昇をまねくためである。亜鉛含有量を5〜
20wt%とした理由は、亜鉛含有量が5wt%未満で
は期待する強度が得られず、逆に亜鉛含有量が
20wt%をこえると耐食性が著しく低下するため
である。酸素含有量を0.0020wt%以下とした理由
は、酸素含有量が0.0020wt%をこえるとめつき密
着性が低下するためである。さらに副成分の添加
は強度を高め、あるいは脱酸効果を増すためであ
るが、その含有量を0.001〜2.0wt%とした理由
は、0.001wt%未満では期待する強度、脱酸効果
が得られず、逆に2.0wt%をこえると導電率、加
工性が低下するためである。 このような本発明材料は、良好な強度、伸び等
の機械的性質を示し、打抜き、曲げ加工を実施す
るに好適な銅合金であるとともに、はんだ付け
性、めつき密着性が非常に良好な銅合金である。
又、熱膨張係数はプラスチツクに近く、プラスチ
ツクパツケージ用に適している。 以下に本発明材料を実施例をもつて説明する。 実施例 第1表に示される本発明合金に係る各種成分組
成のインゴツトを、電気銅あるいは無酸素銅を原
料として、高周波溶解炉で大気、不活性又は還元
性雰囲気中で溶解鋳造した。次にこれを800℃で
熱間圧延して厚さ4mmの板とした後、面削を行な
つて、冷間圧延で厚さ1.0mmとした。これを500℃
にて1時間焼鈍したのち、冷間圧延で厚さ0.8mm
の板とした。このようにして調整された試料の評
価として、強度、伸びを引張試験により、耐熱性
を加熱時間5分における軟化温度により、電気伝
導性(放熱性)を導電率(%IACS)によつて示
した。電気伝導性と熱伝導性は相互に比例関係に
あり、導電率で評価し得るからである。はんだ付
け性は、垂直式浸漬法で230℃±5℃のはんだ浴
(すず60%、鉛40%)に5秒間浸漬し、はんだの
ぬれの状態を目視観察することにより評価した。
めつき密着性は試料に厚さ2μのAgめつきを施こ
し、450℃にて5分間加熱し、表面に発生するフ
クレの有無を目視観察することにより評価した。
これらの結果を比較合金とともに第1表に示し
た。 第1表に示す如く本発明の合金は優れた導電
性、強度、耐熱性、はんだ付け性、めつき密着性
を示すことが明白であり、半導体機器のリード材
に適した材料といえる。 【表】
の半導体機器のリード材に適する銅合金に関する
ものである。 従来、半導体機器のリード材としては、熱膨張
係数が低く、素子およびセラミツクとの接着およ
び封着性の良好なコバール(Fe−29Ni−16Co)、
42合金(Fe−42Ni)などの高ニツケル合金が好
んで使われてきた。しかし、近年、半導体回路の
集積度の向上に伴ない消費電力の高いICが多く
なつてきたことと、封止材料として樹脂が多く使
用され、かつ素子とリードフレームの接着も改良
が加えられたことにより、使用されるリード材も
放熱性のよい銅基合金が使われるようになつてき
た。 一般に半導体機器のリード材としては以下のよ
うな特性が要求されている。 (1) リードが電気信号伝達部であるとともに、パ
ツケージング工程中及び回路使用中に発生する
熱を外部に放出する機能を併せ持つことを要求
されるため、優れた熱及び電気伝導性を示すも
の。 (2) リードとモールドとの密着性が半導体素子保
護の観点から重要であるため、リード材とモー
ルド材の熱膨張係数が近いこと。 (3) パツケージング時に種々の加熱工程が加わる
ため、耐熱性が良好であること。 (4) リードはリード材を打抜き加工し、又曲げ加
工して作製されるものがほとんどであるため、
これらの加工性が良好なこと。 (5) リードは表面に貴金属のめつきを行なうた
め、これら貴金属とのめつき密着性が良好であ
ること。 (6) パツケージング後に封止材の外に露出してい
る、いわゆるアウター・リード部にはんだ付け
するものが多いので良好なはんだ付け性を示す
こと。 (7) 機器の信頼性及び寿命の観点から耐食性が良
好なこと。 (8) 価格が低廉であること。 これら各種の要求特性に対し、従来より使用さ
れている無酸素銅、すず入り銅、鉄入り銅、りん
青銅、コバール、42合金は何れも一長一短があり
これら特性のすべてを必ずしも満足し得るもので
はない。 本発明はかかる点に鑑み、従来の洋白系合金と
して知られている銅−ニツケル−亜鉛合金を改良
し、半導体機器のリード材として好適な諸特性、
特に優れためつき密着性を有する銅合金を提供す
るものである。 本発明は、ニツケル1.5〜10wt%、亜鉛5〜
20wt%、酸素0.0020wt%以下を含み、残部が銅
及び不可避不純物からなる合金、およびニツケル
1.5〜10wt%、亜鉛5〜20wt%、酸素0.0020wt%
以下、これにさらにりん0.001〜0.1wt%、錫0.01
〜1.0wt%、鉄0.005〜1.0wt%、コバルト0.01〜
1.0wt%、クロム0.01〜1.0wt%、アルミニウム
0.01〜1.0wt%、マグネシウム0.01〜1.0wt%、マ
ンガン0.01〜1.0wt%、チタン0.01〜1.0wt%、ジ
ルコニウム0.01〜1.0wt%、ベリリウム0.01〜
1.0wt%、からなる群より選択された1種又は2
種以上を総量で0.001〜2.0wt%含有し、残部が銅
及び不可避不純物からなる合金であつて、半導体
機器のリード材用銅合金として優れた電気および
熱伝導性、耐熱性、加工性、めつき密着性、はん
だ付け性、耐食性等を併せ示すことを特徴とする
半導体機器のリード材用銅合金に関する。 次に本発明合金を構成する合金成分の限定理由
を説明する。ニツケルの含有量を1.5〜10wt%と
する理由は、ニツケル含有量が1.5wt%未満では
期待する強度が得られず、逆にニツケル含有量が
10wt%をこえると導電率が低下し、かつ価格の
上昇をまねくためである。亜鉛含有量を5〜
20wt%とした理由は、亜鉛含有量が5wt%未満で
は期待する強度が得られず、逆に亜鉛含有量が
20wt%をこえると耐食性が著しく低下するため
である。酸素含有量を0.0020wt%以下とした理由
は、酸素含有量が0.0020wt%をこえるとめつき密
着性が低下するためである。さらに副成分の添加
は強度を高め、あるいは脱酸効果を増すためであ
るが、その含有量を0.001〜2.0wt%とした理由
は、0.001wt%未満では期待する強度、脱酸効果
が得られず、逆に2.0wt%をこえると導電率、加
工性が低下するためである。 このような本発明材料は、良好な強度、伸び等
の機械的性質を示し、打抜き、曲げ加工を実施す
るに好適な銅合金であるとともに、はんだ付け
性、めつき密着性が非常に良好な銅合金である。
又、熱膨張係数はプラスチツクに近く、プラスチ
ツクパツケージ用に適している。 以下に本発明材料を実施例をもつて説明する。 実施例 第1表に示される本発明合金に係る各種成分組
成のインゴツトを、電気銅あるいは無酸素銅を原
料として、高周波溶解炉で大気、不活性又は還元
性雰囲気中で溶解鋳造した。次にこれを800℃で
熱間圧延して厚さ4mmの板とした後、面削を行な
つて、冷間圧延で厚さ1.0mmとした。これを500℃
にて1時間焼鈍したのち、冷間圧延で厚さ0.8mm
の板とした。このようにして調整された試料の評
価として、強度、伸びを引張試験により、耐熱性
を加熱時間5分における軟化温度により、電気伝
導性(放熱性)を導電率(%IACS)によつて示
した。電気伝導性と熱伝導性は相互に比例関係に
あり、導電率で評価し得るからである。はんだ付
け性は、垂直式浸漬法で230℃±5℃のはんだ浴
(すず60%、鉛40%)に5秒間浸漬し、はんだの
ぬれの状態を目視観察することにより評価した。
めつき密着性は試料に厚さ2μのAgめつきを施こ
し、450℃にて5分間加熱し、表面に発生するフ
クレの有無を目視観察することにより評価した。
これらの結果を比較合金とともに第1表に示し
た。 第1表に示す如く本発明の合金は優れた導電
性、強度、耐熱性、はんだ付け性、めつき密着性
を示すことが明白であり、半導体機器のリード材
に適した材料といえる。 【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ニツケル1.5〜10wt%、亜鉛5〜20wt%、酸
素0.0020wt%以下を含み、残部が銅及び不可避不
純物からなる半導体機器のリード材用銅合金。 2 ニツケル1.5〜10wt%、亜鉛5〜20wt%、酸
素0.0020wt%以下およびりん0.001〜0.1wt%、錫
0.01〜1.0wt%、鉄0.005〜1.0wt%、コバルト0.01
〜1.0wt%、クロム0.01〜1.0wt%、アルミニウム
0.01〜1.0wt%、マグネシウム0.01〜1.0wt%、マ
ンガン0.01〜1.0wt%、チタン0.01〜1.0wt%、ジ
ルコニウム0.01〜1.0wt%、ベリリウム0.01〜
1.0wt%からなる群より選択された1種又は2種
以上を総量で0.001〜2.0wt%含有し、残部が銅及
び不可避不純物からなる半導体機器のリード材用
銅合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57158212A JPS5947751A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57158212A JPS5947751A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5947751A JPS5947751A (ja) | 1984-03-17 |
JPS639574B2 true JPS639574B2 (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=15666727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57158212A Granted JPS5947751A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5947751A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11606539B1 (en) | 2017-12-21 | 2023-03-14 | Apple Inc. | Imaging system |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4914345A (en) * | 1988-03-04 | 1990-04-03 | General Electric Company | Corrosion resistant base for electric lamps |
US6471792B1 (en) | 1998-11-16 | 2002-10-29 | Olin Corporation | Stress relaxation resistant brass |
KR101092616B1 (ko) * | 2008-04-29 | 2011-12-13 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 전자 부품용 금속 프레임 |
CN103938020A (zh) * | 2014-03-24 | 2014-07-23 | 北京华元盛鸿机械设备有限公司 | 一种新型白铜及其加工方法 |
KR102592564B1 (ko) | 2016-06-13 | 2023-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 표시판 |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP57158212A patent/JPS5947751A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11606539B1 (en) | 2017-12-21 | 2023-03-14 | Apple Inc. | Imaging system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5947751A (ja) | 1984-03-17 |
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