DE3717246C2 - - Google Patents

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DE3717246C2
DE3717246C2 DE3717246A DE3717246A DE3717246C2 DE 3717246 C2 DE3717246 C2 DE 3717246C2 DE 3717246 A DE3717246 A DE 3717246A DE 3717246 A DE3717246 A DE 3717246A DE 3717246 C2 DE3717246 C2 DE 3717246C2
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    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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    • H01L23/49579Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
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Description

Die Erfindung betrifft ein Material auf Nickelbasis, das zumindest ein Material der Gruppe Eisen, Mangan, Silizium, Kohlen­ stoff und Kupfer enthält, zur Verwendung als Leiterrahmen- oder Leiterplattenmaterial für eine integrierte Halbleiterschaltung.
In der Vergangenheit hat man als Leiterrahmenmaterial für eine Halbleiteranordnung eine Legierung mit der üblichen Bezeichnung "Legierung 42", in der eine Haupt­ komponente Fe-Ni mit einer Zusammensetzung von Fe - 42% Ni ist, und eine Kupferlegierung verwendet, die Kupfer als Hauptkomponente enthält. Die Haupteigenschaften, die für ein Leiterrahmen- oder Leiterplattenmaterial er­ forderlich sind, sind folgende: (i) kleiner thermischer Ausdehnungskoeffizient, der dicht bei dem eines Silizium­ chips liegt; (ii) größeres Wärmeabgabevermögen; (iii) hohe Festigkeit; (iv) ausgezeichnete Verarbeitbarkeit; (v) höhere Korrosionsbeständigkeit; und (vi) hohe Wärmefestigkeit.
Die Eigenschaft (i) dient dazu, Brüche oder Risse eines Siliziumchips durch Beanspruchungen zu verhindern, die darin durch Unterschiede der thermischen Ausdehnung hervorgerufen werden, während eine Aufheizung bei einem Bonding-Verfahren erfolgt, bei dem der Siliziumchip, der eine elektrische Schaltung bildet, auf dem Leiterplattenmaterial angeordnet wird. Die Eigenschaft (ii) dient dazu, Schwierigkeiten bei einer integrierten Schaltung (IC) zu verhindern, die aus der Eigenerwärmung der integrierten Schaltung während des Betriebes entstehen können. Die obigen Eigenschaften (iii) bis (vi) sind ebenfalls für jedes IC aus praktischen Gesichts­ punkten erforderlich.
Der erste Grund, warum die Legierung 42 hauptsächlich ver­ wendet worden ist, besteht darin, daß unter den oben ange­ gebenen, erforderlichen Eigenschaften ihr Wärmeausdehnungs­ koeffizient besonders klein ist. Außerdem ist die Legierung 42 in der Massenproduktion leicht herstellbar. Ferner hat die Legierung 42 viele Vorteile, nämlich eine große Festigkeit, gute Verarbeitbarkeit, hohe Korrosionsbeständigkeit und Wärmefestigkeit, auch das Haftungsvermögen an Kunststoff­ gehäusen ist hoch. Die Legierung 42 hat jedoch den Nachteil, daß sie kostspielig ist und daß ihr Wärmeabgabevermögen gering ist.
Daher hat man in den letzten Jahren zunehmend Kupferlegierungen anstelle der Legierung 42 verwendet, und zwar wegen ihrer geringen Kosten und wegen des Umstandes, daß die Kupfer­ legierungen ein Ausgangsmaterial mit hoher elektrischer Leitfähigkeit bilden, was ein exothermes Verhalten des IC selbst in Verbindung mit der zunehmnden Integration verringert. Die erforderlichen Eigenschaften der Kupfer­ legierungen sind annähernd die gleichen wie die der Legierung 42 innerhalb möglicher Grenzen, jedoch ist der Wärmeausdehnungskoeffizient, eine der wichtigsten Eigenschaften, groß. Dieser hohe Wärmeausdehnungskoeffizient von Kupferlegie­ rungen muß kompensiert werden durch Verpackungstechniken bei der IC-Herstellung.
Ein Material auf Nickelbasis der eingangs genannten Art ist bekannt aus dem Fachbuch W. Betteridge, "Nickel and its Alloys", Chichester, England, Ellis Horwood Limited, 1984, Seiten 63 und 64. Dort werden Nickel-Legierungen angegeben, die einen sehr hohen Nickelgehalt haben, wobei die zusätzlich vorhandenen Ma­ terialien nur eine Menge von 0,02 bis 0,5 Gew.-% ausmachen. Als geeignete Zusatzmaterialien werden dort Kupfer, Eisen, Kohlenstoff, Mangan, Silizium und Magnesium angegeben. Das Ma­ terial Kobalt als Legierungsbestandteil ist dort nicht genannt. Weiterhin finden sich keine Ausführungen darüber, daß der Sauer­ stoffgehalt eines solchen Nickelmaterials problematisch sein könnte und daß bestimmte maximale Sauerstoffgehalte beachtet werden müßten.
In der DE 33 12 713 A1 sind silberbeschichtete elektrische Ma­ terialien und Verfahren zu ihrer Herstellung angegeben, wobei auf einem Substrat ein Überzug aus Silber oder einer Silberle­ gierung vorhanden ist und wobei zwischen dem Substrat und dem Silberüberzug eine Zwischenschicht vorgesehen ist, die zumin­ dest eine Substanz aus der Gruppe enthält, die aus Nickel, Kobalt, Chrom, Palladium sowie Legierungen dieser Materialien besteht. Dabei findet sich der allgemeine Hinweis, daß zwar bei derartigen elektrischen Materialien der in der Atmosphäre enthaltene Sauerstoff bei Temperaturen von 150°C bis 400°C oder darüber schnell in den Silberüberzug eindringen kann und die Oberfläche einer Nickelzwischenschicht erreichen und dort eine Oxidationsreaktion des Nickels hervorrufen kann. Dieser Druckschrift lassen sich allerdings keine Angaben für eine spezielle Nickel-Legierung entnehmen. Auch finden sich keine mengenmäßigen Angaben hinsichtlich der Obergrenze oder der Menge an Sauerstoff, die in einer Nickel-Legierung auf dem einschlägigen Gebiet enthalten sein darf.
Aus der DE 24 19 157 C3 ist ein metallischer Träger für Halb­ leiterbauelemente und ein Verfahren zu seiner Herstellung be­ kannt, wobei dieser metallische Träger aus einem Metall oder einer Legierung von einem oder mehreren der Metalle bestehen kann, die zu der Gruppe Kupfer, Nickel, Eisen und Kobalt gehö­ ren.
Der DE 24 19 157 C3 sind allerdings keine Angaben für eine spe­ zielle Nickel-Legierung zu entnehmen. Bei dem speziellen, dort angegebenen Beispiel wird ein Trägermaterial angegeben, das zum größten Teil aus Eisen besteht und nur enen Nickelanteil von 28,7% besitzt. Über den Sauerstoffgehalt einer derartigen, Nickel enthaltenden Legierung läßt sich dieser Druckschrift nichts entnehmen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Material auf Nickelbasis der eingangs genannten Art anzugeben, das gute Ver­ arbeitungseigenschaften zur Herstellung von Halbleiterschaltun­ gen aufweist, insbesondere einen kleinen Wärmeausdehnungskoef­ fizienten sowie eine gute Wärmeleitfähigkeit besitzt.
Die erfindungsgemäße Lösung besteht darin, ein Material auf Nickelbasis der genannten Art so auszubilden, daß das Material auf Nickelbasis eine Zusammensetzung aufweist, die zumindest die beiden Materialien
Kobalt mit maximal 2 Gew.-% und
Kohlenstoff mit maximal 0,1 Gew.-%
sowie zusätzlich mindestens eines der folgenden Materialien
0 bis 0,2 Gew.-% Silizium,
0 bis 0,5 Gew.-% Eisen,
0 bis 0,5 Gew.-% Mangan,
0 bis 0,5 Gew.-% Aluminium,
0 bis 2,5 Gew.-% Kupfer,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen enthält, wobei die Menge der dem Nickel hinzugefügten Materialien zwischen 0,05 und 5 Gew.-% liegt und der Sauerstoffgehalt des Nickel­ materials höchstens 50 ppm beträgt.
Bei einer speziellen Ausführungsform gemäß der Erfindung hat das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung:
0,12 Gew.-% Kobalt,
0,03 Gew.-% Kohlenstoff,
0,01 Gew.-% Eisen,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sau­ erstoffgehalt des Nickelmaterials 15 ppm beträgt.
Bei einer anderen speziellen Ausführungsform gemäß der Erfin­ dung hat das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung:
1,62 Gew.-% Kobalt,
0,06 Gew.-% Kohlenstoff,
0,17 Gew.-% Eisen,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sau­ erstoffgehalt des Nickelmaterials 20 ppm beträgt.
Bei einer anderen speziellen Ausführungsform gemäß der Erfin­ dung hat das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung:
0,01 Gew.-% Kobalt,
0,03 Gew.-% Kohlenstoff,
0,42 Gew.-% Eisen,
0,06 Gew.-% Silizium,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sau­ erstoffgehalt des Nickelmaterials 18 ppm beträgt.
Bei einer weiteren speziellen Ausführungsform gemäß der Erfin­ dung hat das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung:
0,02 Gew.-% Kobalt,
0,01 Gew.-% Kohlenstoff,
0,03 Gew.-% Eisen,
0,32 Gew.-% Aluminium,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sau­ erstoffgehalt des Nickelmaterials 23 ppm beträgt.
Bei einer weiteren speziellen Ausführungsform gemäß der Erfin­ dung hat das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung:
0,01 Gew.-% Kobalt,
0,02 Gew.-% Kohlenstoff,
0,08 Gew.-% Mangan,
0,03 Gew.-% Eisen,
0,15 Gew.-% Silizium,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sau­ erstoffgehalt des Nickelmaterials 12 ppm beträgt.
Bei einer weiteren speziellen Ausführungsform gemäß der Erfin­ dung hat das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung:
0,03 Gew.-% Kobalt,
0,01 Gew.-% Kohlenstoff,
2,33 Gew.-% Kupfer,
0,01 Gew.-% Mangan,
0,02 Gew.-% Eisen,
0,02 Gew.-% Silizium,
Rest Nickel und unvermiedliche Verunreinigungen, wobei der Sau­ erstoffgehalt des Nickelmaterials 16 ppm beträgt.
Bei einer weiteren speziellen Ausführungsform gemäß der Erfin­ dung hat das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung:
1,23 Gew.-% Kobalt,
0,06 Gew.-% Kohlenstoff,
1,62 Gew.-% Kupfer,
0,03 Gew.-% Mangan,
0,06 Gew.-% Eisen,
0,02 Gew.-% Silizium,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sau­ erstoffgehalt des Nickelmaterials 18 ppm beträgt.
Mit den speziellen Materialien auf Nickelbasis wird die Aufga­ be in zufriedenstellender Weise gelöst. Die angegebenen Mate­ rialien haben nicht nur die angestrebten thermischen Eigen­ schaften sondern auch gute elektrische Eigenschaften, wobei die elektrische Leitfähigkeit des erfindungsgemäßen Materials auf Nickelbasis bei 10% IACS oder mehr liegt. Aufgrund des ge­ ringen Sauerstoffgehaltes haben die erfindungsgemäßen Materia­ lien auf Nickelbasis auch ein gutes Beschichtungshaftvermögen.
Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele gemäß der Erfindung näher erläutert. Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung wurden mit einem herkömmlichen Verfahren hergestellt, und der jeweilige Typ von herkömmlichen Materialien, die als Leiterplattenmaterial für ICs verwendet werden, wurden ebenfalls hergestellt. Die Zusammensetzungen und Eigenschaften der Materialien auf Nickelbasis und der herkömmlichen Materialien sind vergleichsweise in den Tabellen 1 und 2 aufgelistet. Die Eigenschaften der Produkte oder Streifen, die hergestellt wurden, indem man die Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung sowie herkömmliche Materialien verwendet, sind vergleichsweise in Tabelle 3 aufgelistet.
Tabelle 1
Tabelle 2
Tabelle 3
Wie aus den Tabellen 1 und 2 ergibt, ergab das Wärme­ leitungsvermögen und der Wärmeausdehnungskoeffizient für jedes der Beispiele 1 bis 7 gemäß der Erfindung Werte, die zwischen denen der Legierung 42 und der Kupferlegierung (CDA C1 9400) lagen. Außerdem war die elektrische Leitfähigkeit jedes Legierungsbeispiels auf Nickelbasis der Beispiele 1 bis 7 stark verbessert im Vergleich mit der Legierung 42. Somit ist klar, daß die Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung geeignete Eigenschaften als Leiterplattenmaterialien für Halbleiteranordnungen besitzen.
Bei der künftigen Herstellung von ICs werden technologische Innovationen erwartet, wo die Chips und die Leiterplatten­ materialien für einen IC ohne Silberbeschichtung direkt einer Drahtverbindung unterworfen werden, um die Herstellungskosten zu reduzieren. Materialien auf Nickelbasis werden als geeignete Materialien angesehen, da ihre Punktschweißeigenschaften natürlicherweise sehr gut sind. Wenn somit eine Leiterplatte hergestellt wird, indem man eine Legierung auf Nickelbasis gemäß der Erfindung verwendet, können Chips und Leiterplatten ohne Silberbeschichtung direkt einer Drahtverbindung unter­ worfen werden.
Die Legierungsproben auf Nickelbasis gemäß der Erfindung wurden bei den verschiedenen Beispielen nach der Beschichtung mit Silber erhitzt, jedoch trat dabei keine Blasenbildung auf. Andererseits war bei den Legierungen auf Nickelbasis gemäß den Vergleichsbeispielen 1 und 2 eine Blasenbildung durch Erhitzung nach der Beschichtung mit Silber zu beobachten.
Aus den Resultaten gemäß Tabelle 3 ergibt sich, daß die Widerstandsfähigkeit gegenüber Verformungen der Leiterplatten verbessert wird, wenn man die Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung verwendet, und zwar im Vergleich mit herkömmlichen Materialien. Die Verformungswiderstandsfähigkeit von Leiterplatten bei Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung ist nämlich besser als die von CDA C1 9400. Außerdem ist klar, daß die exothermen Eigenschaften der Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung dicht bei denen von Materialien vom Kupfertyp liegen, wie sich aus den erhaltenen Daten ergibt.
Außerdem sind die Wärmebeständigkeit und die Oxidationsbeständigkeit der Materialien auf Nickelbasis gemäß der Erfindung sehr gut, und ihr Haftungsvermögen an einem Abdichtungsharz, beispielsweise einem Kunststoffgehäuse kann ebenfalls verbessert werden. Dementsprechend kann die Aufnahmefähigkeit für Feuchtigkeit oder die Neigung zur Wasseraufnahme des IC verringert und seine Zuverlässigkeit verbessert werden, wenn man es mit herkömmlichen Kupferlegierungen vergleicht.

Claims (8)

1. Material auf Nickelbasis, das zumindest ein Material der Gruppe Eisen, Mangan, Silizium, Kohlenstoff und Kupfer ent­ hält, zur Verwendung als Leiterrahmen- oder Leiterplattenma­ terial für eine integrierte Halbleiterschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis eine Zusammensetzung auf­ weist, die zumindest die beiden Materialien
Kobalt mit maximal 2 Gew.-% und
Kohlenstoff mit maximal 0,1 Gew.-%
sowie zusätzlich mindestens eines der folgenden Materialien
0 bis 0,2 Gew.-% Silizium,
0 bis 0,5 Gew.-% Eisen,
0 bis 0,5 Gew.-% Mangan,
0 bis 0,5 Gew.-% Aluminium,
0 bis 2,5 Gew.-% Kupfer,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen enthält, wobei die Menge der dem Nickel hinzugefügten Materialien zwischen 0,05 und 5 Gew.-% liegt und der Sauerstoffgehalt des Nickel­ materials höchstens 50 ppm beträgt.
2. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung aufweist:
0,12 Gew.-% Kobalt,
0,03 Gew.-% Kohlenstoff,
0,01 Gew.-% Eisen,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 15 ppm beträgt.
3. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung aufweist:
1,62 Gew.-% Kobalt,
0,06 Gew.-% Kohlenstoff,
0,17 Gew.-% Eisen,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 20 ppm beträgt.
4. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung aufweist:
0,01 Gew.-% Kobalt,
0,03 Gew.-% Kohlenstoff,
0,42 Gew.-% Eisen,
0,06 Gew.-% Silizium,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 18 ppm beträgt.
5. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung aufweist:
0,02 Gew.-% Kobalt,
0,01 Gew.-% Kohlenstoff,
0,03 Gew.-% Eisen,
0,32 Gew.-% Aluminium,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 23 ppm beträgt.
6. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung aufweist:
0,01 Gew.-% Kobalt,
0,02 Gew.-% Kohlenstoff,
0,08 Gew.-% Mangan,
0,03 Gew.-% Eisen,
0,15 Gew.-% Silizium,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 12 ppm beträgt.
7. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung aufweist:
0,03 Gew.-% Kobalt,
0,01 Gew.-% Kohlenstoff,
2,33 Gew.-% Kupfer,
0,01 Gew.-% Mangan,
0,02 Gew.-% Eisen,
0,02 Gew.-% Silizium,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 16 ppm beträgt.
8. Material auf Nickelbasis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf Nickelbasis folgende Zusammensetzung aufweist:
1,23 Gew.-% Kobalt,
0,06 Gew.-% Kohlenstoff,
1,62 Gew.-% Kupfer,
0,03 Gew.-% Mangan,
0,06 Gew.-% Eisen,
0,02 Gew.-% Silizium,
Rest Nickel und unvermeidbare Verunreinigungen, wobei der Sauerstoffgehalt des Nickelmaterials 18 ppm beträgt.
DE19873717246 1986-05-23 1987-05-22 Material auf nickelbasis fuer eine halbleiteranordnung Granted DE3717246A1 (de)

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JP11860886A JPS63114932A (ja) 1986-05-23 1986-05-23 半導体集積回路用Ni基合金条材

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0537982A2 (de) * 1991-10-14 1993-04-21 Fujitsu Limited Halbleiteranordnung mit verbesserten Leitern
US5343073A (en) * 1992-01-17 1994-08-30 Olin Corporation Lead frames having a chromium and zinc alloy coating
US6610119B2 (en) 1994-07-01 2003-08-26 Haynes International, Inc. Nickel-molybdenum alloys
DE19828190A1 (de) * 1998-06-24 1999-09-23 Siemens Ag Anschlußanordnung
US6225684B1 (en) 2000-02-29 2001-05-01 Texas Instruments Tucson Corporation Low temperature coefficient leadframe
AU2003290515A1 (en) * 2002-08-06 2004-04-23 Honeywell International, Inc. Low temperature salicide forming materials and sputtering targets formed therefrom
CN105931997B (zh) * 2015-02-27 2019-02-05 胡迪群 暂时性复合式载板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3217401A (en) * 1962-06-08 1965-11-16 Transitron Electronic Corp Method of attaching metallic heads to silicon layers of semiconductor devices
DE2419157C3 (de) * 1974-04-20 1979-06-28 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Metallischer Träger für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung
DD205301B1 (de) * 1981-12-28 1987-01-28 Univ Berlin Humboldt Metallischer traegerwerkstoff fuer halbleiterbauelemente
US4498121A (en) * 1983-01-13 1985-02-05 Olin Corporation Copper alloys for suppressing growth of Cu-Al intermetallic compounds
DE3312713A1 (de) * 1983-04-08 1984-10-11 The Furukawa Electric Co., Ltd., Tokio/Tokyo Silberbeschichtete elektrische materialien und verfahren zu ihrer herstellung
US4607276A (en) * 1984-03-08 1986-08-19 Olin Corporation Tape packages

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Publication number Publication date
DE3717246A1 (de) 1987-11-26
US4970569A (en) 1990-11-13

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