DE3237385C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen Feingoldlegierungsdraht mit
hoher Zugfestigkeit bei Raumtemperatur und höheren Temperaturen,
der zum Verbinden von Drähten einer Halbleitervorrichtung
an einen Zuleitungsrahmen geeignet ist.
Bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen wie Transistoren,
ICs und LSIs werden Elektroden an äußere Zuleitungen
mittels Golddrähten verbunden. Halbleitervorrichtungen
werden typischerweise mittels der folgenden Stufen
hergestellt:
- (a) Herstellung eines Zuleitungsmaterials aus einem Streifen aus Cu oder einer Cu-Legierung oder Ni oder einer Nickellegierung mit einer Dicke von 0,1 bis 0,3 mm;
- (b) Ausstanzen eines Zuleitungsrahmens entsprechend der herzustellenden Halbleitervorrichtung;
- (c) Anbringen von hochreinen Si- oder Ge-Halbleiterelementen an ausgewählte Flächen des Zuleitungsrahmens durch Thermokompression mit enem elektrisch leitenden Harz wie einer AG-Paste oder durch Plattieren von Au, Ag, Ni oder deren Legierungen, die an der Oberfläche des Zuleitungsmatrials gebildet sind,
- (d) Verbinden der Halbleiterelemente an den Zuleitungsrahmen mittels Golddrähten (dies ist eine Verbindungsstufe);
- (e) Umhüllen der Halbleiterelemente der Golddrähte und des Zuleitungsrahmens, an den die Halbleiterelemente gebunden wurden und mit einer plastischen Schutzhülle;
- (f) Entfernen von unnötigen Teilen von dem Zuleitungsrahmen unter Bildung von einzelnen Zuleitungen und
- (g) Aufbringen eines Lötmaterials an die Beine der Zuleitungen, um dadurch eine Verbindung der Halbleitervorrichtung an das Substrat zu ermöglichen.
Bei der Bindungsstufe (d) wird der Golddraht manuell an
den geeigneten Stellen des Halbleiterelementes und des Zuleitungsrahmens
(der bei 150 bis 300°C gehalten wird) fixiert.
Dabei wird zunächst der Golddraht an seinen Spitzen
in einer Sauerstoff-Wasserstoff-Flamme oder durch elektrische
Einrichtungen erhitzt, so daß er eine Kugel bildet,
die dann gegen den Halbleiter gepreßt wird, und dann wird
eine Verlängerung des Golddrahtes gegen einen Punkt an
dem Zuleitungsrahmen, an den er fixiert werden soll, gepreßt,
und der Draht wird dann abgeschnitten, womit der
Verbindungszyklus beendet ist. Das so abgeschnittene Ende
wird dann die Spitze, die als der Punkt dient, der gegen
den nächsten Verbindungspunkt des Halbleiters im nachfolgenden
Verbindungszyklus gepreßt wird.
Da man mit hohen Geschwindigkeiten und höher integrierte
Stromkreise verbinden möchte, sind feinere und festere
Golddrähte erforderlich. Die derzeit verwendeten Drähte
bestehen aus reinem Gold, das eine verhältnismäßig niedrige
Zugfestigkeit bei Raumtemperatur und hohen Temperaturen
hat und das man nicht zu einem kleineren Durchmesser von 0,05 mm
oder weniger ohne häufigen Bruch des Drahtes verziehen kann,
und selbst wenn man Gold zu Drähten dieser Feinheit verzieht,
dann brechen diese häufig während der Verbindungsstufe.
Wegen des niedrigen Erweichungspunktes von reinem
Gold rekristallisieren die Kristallkörner des mit einer
Flamme oder durch die elektrische Vorrichtung geschnittenen
Drahtes und werden größer und brüchiger, und wenn man
dann die Goldkugel bei 150 bis 300°C preßt, erweicht der
gebundene Draht und deformiert die Drahtschleife, welche
die Halbleiterelemente und den Zuleitungsrahmen verbindet,
wodurch dann ein Kurzschluß eintreten kann. Der reine
Golddraht hat auch keine ausreichende Bindungsfestigkeit
gegenüber den Halbleiterelementen und dem Zuleitungsdraht.
Aus der DE-AS 16 08 161 sind Zuführungsdrähte für integrierte
Schaltungen bekannt, die aus einer Goldlegierung
mit 0,001 bis 0,1% Seltenen Erden mit der Ordnungszahl
57-71, einzeln oder zu mehreren, und Gold als
Rest bestehen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung war es, diese Probleme, die
beim Verbinden von Drähten aus reinem Gold auftreten, zu vermeiden, und
einen Feingoldlegierungsdraht zur Verfügung zu stellen, der eine hohe Bindungsfestigkeit
aufweist und einen ausreichend hohen Erweichungspunkt
hat, so daß die Bildung von
brüchigen groben Kristallkörnern aufgrund einer Rekristallisation
und das Vorliegen einer deformierten Schleife vermieden
wird.
Diese Aufgabe wird durch einen Feingoldlegierungsdraht
mit hoher Zugfestigkeit zum Verbinden von
Halbleiterelementen gelöst aus 0,0003 bis 0,010 Gew.-% wenigstens
eines Elements der Seltenen Erden, ausgewählt aus der Gruppe: La, Ce, Pr, Nd
und Sm, Rest Gold und zufällige Verunreinigungen, der sich
dadurch auszeichnet, daß er als zusätzliche Komponente
0,0001 bis 0,0060 Gew.-% Ge oder 0,0001 bis 0,0060 Gew.-%
Be oder 0,0001 bis 0,0060 Gew.-% Ca enthält, wobei ein Teil
des Ge oder Be durch Ca ersetzt sein kann.
Die Wichtigkeit der Komponenten in den Zusammensetzungen
wird nachfolgend erläutert.
- (a) Seltene Erden
Die Seltenen Erden La, Ce, Pr, Nd und Sm sind untereinander äquivalent in bezug auf ihre Fähigkeit, die Zugfestigkeit des Drahtes bei Raumtemperatur oder höheren Temperaturen zu erhöhen. Beträgt ihr Gehalt weniger als 0,0003 Gew.-%, so kann man die gewünschte Zugfestigkeit bei Raumtemperatur und höheren Temperaturen nicht erzielen, und übersteigt der Gehalt 0,010 Gew.-%, so wird der Draht brüchig und kann nicht auf kleinere Größen glatt verzogen werden. Deshalb liegt bei der vorliegenden Erfindung der Gehalt von Seltenen Erdelementen zwischen 0,0003 und 0,010 Gew.-%. - (b) Ge, Be und Ca
Diese Elemente sind untereinander äquivalent, wenn man sie mit den Seltenen Erdelementen der Cergruppe kombiniert, und man erzielt mit ihnen die folgenden Vorteile: Sie erhöhen den Erweichungspunkt des Drahtes und vermeiden dadurch, daß dieser während der Verbindungsstufe brüchig wird, und sie vermeiden die Bildung einer deformierten Schleife; sie ergeben eine Erhöhung der Bindungsfestigkeit, und sie erhöhen außerdem auch die Zugfestigkeit des Drahtes bei Raumtemperatur und höheren Temperaturen. Beträgt der Gehalt an diesen Elementen weniger als 0,0001 Gew.-%, so kann man die beabsichtigten Effekte nicht erzielen, und übersteigt ihr Gehalt 0,0060 Gew.-%, so wird der Draht brüchig und kann nicht ohne Schwierigkeiten auf kleine Größe verzogen werden, und darüber hinaus findet häufig an den Korngrenzen ein Bruch statt, wenn man den Draht auf die Verbindungstemperaturen erhitzt. Deshalb wird bei der vorliegenden Erfindung der Gehalt an Ge, Be und Ca auf den Bereich von 0,0001 bis 0,0060 Gew.-% begrenzt.
Es wurden Goldlegierungsschmelzen der in Tabelle 1 angegebenen
Zusammensetzungen durch übliche Schmelzverfahren
hergestellt. Die Schmelzen wurden zu Barren vergossen,
die dann in einem üblichen Walzwerk mit Riffelwalzen gewalzt
und zu feinen Drahtproben 1 bis 120 mit einem Durchmesser
von 0,025 mm gemäß der vorliegenden Erfindung verzogen
wurden. Die Drahtproben wurden bei Raumtemperatur
auf Zugfestigkeit und bei hohen Temperaturen auf Zugfestigkeit
geprüft, wobei die Bedingungen der Verbindungsstufe
simuliert wurden (Temperatur: 250°C, Wendezeit:
30 s). Die Ergebnisse der einzelnen Versuche sind in
Tabelle 1 angegeben. Proben 1 bis 64 wurden dann zum
Verbinden von Halbleiterelementen an einen Zuleitungsrahmen
verwendet, und die Bindungsfestigkeit und das
Vorhandensein einer deformierten Drahtschleife wurde
untersucht. Die Ergebnisse werden auch in Tabelle 1
gezeigt. Die gleichen Versuche wurden mit einem Draht aus
reinem Gold durchgeführt, und zu Vergleichszwecken werden
die Ergebnisse auch in Tabelle 1 gezeigt.
Die Daten der Tabelle 1 zeigen, daß die erfindungsgemäßen
Goldlegierungsdrahtproben höhere Zugfestigkeiten
sowohl bei Raumtemperatur als auch bei höheren
Temperaturen haben als ein Draht aus reinem Gold, und
daß solche Drähte auch den
Vorteil haben, daß sie eine merklich erhöhte Bindungsfestigkeit
aufweisen und keine deformierte Schleife
bilden. Wegen dieser Vorteile kann man die erfindungsgemäßen
Goldlegierungsdrähte auf kleinere Durchmesser von
0,05 mm oder weniger verziehen und sie für Verbindungszwecke
verwenden, ohne daß ein Bruch eintritt. Durch
die Mitverwendung von Ge, Be oder Ca wird der Erweichungspunkt
des Drahtes noch erhöht, und dadurch kann ein Brüchigwerden
(aufgrund der Bildung von groben Körnern) oder
das Auftreten einer deformierten Schleife vermieden
werden, und man erzielt eine höhere Verbindungsfestigkeit
zwischen den Halbleiterelementen und dem Zuleitungsrahmen.
Deshalb ist die vorliegende Erfindung sehr gut geeignet,
um eine schnellere Verbindung bei der Herstellung
von hochintegrierten Schaltkomponenten zu erzielen.
Claims (8)
1. Feingoldlegierungsdraht mit hoher Zugfestigkeit zum
Verbinden von Halbleiterelementen aus 0,0003 bis 0,010
Gew.-% wenigstens eines Elementes der Seltenen Erden,
ausgewählt aus der Gruppe: Lanthan, Cer, Praseodym, Neodym und Samarium, Rest Gold und
zufällige Verunreinigungen, dadurch gekennzeichnet,
daß er als zusätzliche Komponente 0,0001 bis 0,0060
Gew.-% Germanium enthält.
2. Feingoldlegierungsdraht mit hoher Zugfestigkeit zum
Verbinden von Halbleiterelementen aus 0,0003 bis 0,010
Gew.-% wenigstens eines Elementes der Seltenen Erden,
ausgewählt aus der Gruppe: Lanthan, Cer, Praseodym, Neodym und Samarium, Rest Gold und
zufällige Verunreinigungen, dadurch gekennzeichnet,
daß er als zusätzliche Komponente 0,0001 bis 0,0060
Gew.-% Beryllium enthält.
3. Feingoldlegierungsdraht mit hoher Zugfestigkeit zum
Verbinden von Halbleiterelementen aus 0,0003 bis 0,010
Gew.-% wenigstens eines Elementes der Seltenen Erden,
ausgewählt aus der Gruppe: Lanthan, Cer, Praseodym, Neodym und Samarium, Rest Gold und
zufällige Verunreinigungen, dadurch gekennzeichnet,
daß er als zusätzliche Komponente 0,0001 bis 0,0060
Gew.-% Calcium enthält.
4. Feingoldlegierungsdraht gemäß Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Teil des zusätzlich inkorporierten
Germaniums durch Beryllium ersetzt ist.
5. Feingoldlegierungsdraht gemäß Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Teil des zusätzlich inkorporierten
Germaniums durch Calcium ersetzt ist.
6. Feingoldlegierungsdraht gemäß Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Teil des zusätzlich inkorporierten
Berylliums durch Calcium ersetzt ist.
7. Feingoldlegierungsdraht gemäß Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Teil des Berylliums, das zum Teil
durch zusätzlich inkorporiertes Germanium ersetzt wurde, weiter
durch Calcium ersetzt wird.
8. Verwendung eines Feingoldlegierungsdrahtes gemäß einem
der Ansprüche 1 bis 7 zum Verbinden von Halbleiterelementen.
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