DE1608161B1 - Verwendung einer Goldlegierung für warm-und kriechfeste Gegenstände - Google Patents

Verwendung einer Goldlegierung für warm-und kriechfeste Gegenstände

Info

Publication number
DE1608161B1
DE1608161B1 DE19671608161 DE1608161A DE1608161B1 DE 1608161 B1 DE1608161 B1 DE 1608161B1 DE 19671608161 DE19671608161 DE 19671608161 DE 1608161 A DE1608161 A DE 1608161A DE 1608161 B1 DE1608161 B1 DE 1608161B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gold
alloy
rare earth
earth metals
gold alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19671608161
Other languages
English (en)
Other versions
DE1608161C (de
Inventor
Christoph Raub
Horst Thiede
Maria Thiede
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WC Heraus GmbH and Co KG
Original Assignee
WC Heraus GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WC Heraus GmbH and Co KG filed Critical WC Heraus GmbH and Co KG
Publication of DE1608161B1 publication Critical patent/DE1608161B1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1608161C publication Critical patent/DE1608161C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012Semiconductor purity grades
    • H01L2924/012022N purity grades, i.e. 99%
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft die Verwendung. einer Goldlegierung zur Herstellung von Gegenständen mit hoher Warm- und Kriechfestigkeit bis 500'C.
  • Feine Drähte aus Gold mit D urchinessern zwischen etwa 5 und 100 #Liii werden in großem Maße bei der Herstellung elektronischer Bauteile verwendet. Eine der Voraussetzungen hierbei ist eine bestimmte Reinheit des Goldes, die je nach Anwendung z. B. zwischen 99,8 und 99,999 0/, hegL Da beim Aufbau und beim Betrieb von elektronischen Schaltungen auch höhere Temperaturen z. B. bis 400'C auftreten können, müssen die beispielsweise bei integrierten Schaltungen verwendeten Zuführungsdrähte aus Gold auch bei diesen Temperaturen ihre Festigkeit beibehalten. Es ist eine bekannte Erscheinung, daß die Erholungs- bzw. Rekristallisationstemperaturen der Metalle mit zunehmender Reinheit sinken. So kann z. B. ein hart gezogener Feindraht aus Gold mit einer Reinheit von 99,999 0/, schon bei Temperaturen um 50'C eine Abnahme seiner Festigkeit und eine Zunahme seiner Dehnung erleiden, von denen er sich nicht mehr erholt. Diese Tatsache ist für die Bearbeitung wie auch für die Lagerung und den Transport von großem Nachteil, weil nur durch eine sehr sorgfältige Behandlung vermieden werden kann, daß ein solcher Draht derart schädlichen Temperatureinflüssen ausgesetzt wird.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Goldlegierung von verhältnismäßig hoher Reinheit zu verwenden, deren mechanische Eigenschaften, wie beispielsweise Dehnung und Festigkeit, gegenüber den Eigenschaften von Gold gleichen Reinheitsgrades -im Temperaturbereich von 0 bis 500'C wesentlich günstiger sind. Es wurde überraschenderweise gefunden, daß durch Zugabe bekannter Legierungsbestandteile zum Gold dessen Festigkeit, vor allem die Kriechfestigkeit, bei höheren Temperaturen wesentlich verbessert und auch die Dehnung des kaltgezogenen Materials erhalten bleibt, ohne daß sich andere Eigenschaften wie Härte, chemische Beständigkeit oder elektrischer Widerstand im Vergleich zu den Eigenschaften von höchst reinem Gold wesentlich ändern.
  • Gegenstand der Erfindung ist daher die Verwendung einer Goldlegierung aus wenigstens 99,9 0/0 Gold und 0,001 bis 0,10/, Seltene Erdmetalle, einzeln oder zu mehreren, oder Yttrium für Gegenstände, wie Zuführungsdrähte in integrierten Schaltungen, die bis 500'C eine erhöhte Warm- und Kriechfestigkeit aufweisen müssen. Für die Herstellung leinger, Drähte hat sich besonders eine Goldlegierung bewährt, die aus wenigstens 99 ' 950f0 Gold und 0,005 bis 0,05111, eines oder mehrerer der Seltenen Erdmetalle oder Yttrium bestehL Die Seltenen Erdmetalle können in der Form von handelsüblichem Mischmetall zulegiert sein. Es ist vorteilhaft, ein Mischmetall zu verwenden, dessen Hauptbestandteil Cer ist. In vorteilhafter Weise werden die Legierungsbestandteile in der Schmelze zulegiert. A-ach die Zulegierung von Yttrium in den angegebenen geringen Prozentsätzen bewirkt eine Verbesserung der Warmfestigkeit.
  • Es ergab sieh überraschenderweise, daß die Seltenen Erdinetalle, d. h. die Elemente:57 bis 71 des Periodischen Systems der Elemente, allein oder zu mehreren, oder Yttrium als Legierungspartner der hochreinen Goldlegierung die geforderten mechanischen Eigenschaften bringen bei gleichzeitiger Erhaltung der vorhandenen günstigen Eigenschaften des hochreinen Goldes. Alle diese Legierungsbestandteile treten üblicherweise nicht als wesentliche Verunreinigungen im Gold auf. In größeren Konzentrationen reagieren diese Elemente alle mit Gold und verspröden es. Um so erstaunlicher war daher die Festsellung, daß derart geringe Zusätze von Seltenen Erdmetallen oder Yttrium zu Gold einen so außerordentlich günstigen Einfluß auf die Rekristallisaton bewirken, ohne dabei die elektrischen Eigenshaften bzw. die Verarbeitungseigenschaften nachteilig zu beeinflussen. Die erfindungsgemäß zu verwendenden Goldlegierungen lassen sich gut verarbeiten, insbesondere ziehen.
  • So ändert z. B. ein hartgezogener Draht von 25 #tra Durchmesser aus einer Legierung mit 99,99 0/0 Gold und 0,010/, Mischmetall, dessen Hauptbestandteil Cer und der Rest andere Seltene Erdinetalle sind, nach einer Erwärmung von 24 Stunden Dauer bei 200'C und einer danach erfolgenden Erwärmung von 15 Minuten Dauer -bei 350'C seine ursprünglicheif Festigkeits- bzw. Dehnungswerte nur unwesentlich. Im Gegensatz hierzu weist ein Draht aus Gold von 99,99 0/, Feinheit und den üblichen technischen Verunreinipngen, zu denen die Elemente 57 bis 71 des Periodischen Systems gewöhnlich nicht gehören, als Rest nach der gleichen Wärmebehandlung eine Dehnung von etwa 40 0/() auf, d. b., er ist weichgeglüht.
  • Die Vorteile der erfindungsgemäß zu verwendenden hochreinem Goldlegierung gegenüber herkömmlichem hochreinem Gold werden an Hand zweier Vergleichsdiagramme näher dargelegt.
  • F i g. 1 und 2 zeigen in Diagrammen die Dehnung bzw. die Zerreißfestigkeit von Gold verschiedener Reinheit in Abhängigkeit von der Erwärmungstemperatur, gemessen an Draht von 1 mm Durchmesser und 750/,iger Verformung im Ausgangszustand. Hierbei sind ein Draht aus undotiertem. Gold von 99,999 0[0 Reinheit und ein Draht aus eineingemäß der Erfindung dotierten Gold mit 99,9850/0 Gold und 0,015010 Cer-Mischmetall einander gegenübergestellt. Diese Legierung mit 99,9850/0 Gold und 0,01501, Cer-Mischmetall hat sich für Feindrähte aus Gold besonders bewährt.
  • Aus F i g. 1 ist zu ersehen, daß die Dehnung des Drahtes aus undotiertem Gold bei O'C etwa 2 0/, beträgt, daß sie bis zu einer Erwärmungstemperatur von rund 100' C - langsam auf etwa 3 0/, ansteigt, zwischen 100 und 150'C etwa gleichbleibt und zwischen 150 und 200'C sprunghaft auf etwa 400/0 ansteigt. Die Dehnung bleibt dann bei Erwärmungstemperaturen bis etwa 300'C in dieser Höhe, bis etwa 3r50'C steigt sie noch bis auf etwa 4111/0 weiter an und bleibt dann bis etwa 400'C auf dieser Höhe.
  • Der Draht aus der dotierten Goldlegierung mit 99,985 0/0 Gold und 0,015 0/, Cer-Mischmetall zeigt demgegenüber ein völlig anderes Dehnungsverhalten. Bei Erwärmungstemperaturen bis etwa 200'C bleibt die Dehnung bei ihrem Ausgangswert von 20/, bei 011C oder steigt auf etwa unter 30/0 an, zwischen 200 und 300'C steigt sie mäßig auf 3 bis 40/, und zwischen 300 und 400'C stärker auf 9 bis 110/, an. Am hervorstechendsten ist die Tatssche, daß die Dehnung bei der gemäß der Erfindung mit Cer-Mischinetall,dotierten. Goldlegierung bei Erwärmungstempe;raturen bis etwa 200'C gleichbleibt oder allenfalls von 2 auf 3 0/0 ansteigt - wogegen die Dehnung des undotierten Goldes in ie#i Temperaturbereich zwischen 150 und 200'C auf das rund 20fache des Ausgangswertes von 20/0 sprunghaft ansteigt.
  • Auch bei der Zerreißfestigkeit (F i g. 2) zeigt sich die Überle-enheit der mit Cer-Mischmetall dotierten Goldlegierung ganz deutlich. Die Zerreißfestigkeit des Drahtes aus undotiertem Gold von 99,999 % Reinheit fällt von 23,5 kp/rnM2 bei O'C auf etwa 21,5 kp/mm' bei einer Erwärmungstemperatur von rund 150'C ab. Zwischen 150 und 200'C fällt die Festigkeit analog dem Sprung bei der Dehnung stark auf etwa 14 kp/mm2 ab und bleibt weiter auf dieser Höhe bis zu Temperaturen von etwa 400'C. Die Zerreißfestizkeit des Drahtes aus der mit 0,015 % Cer-Mischmetall dotierten Goldlegierung ist dagegen bereits bei O'C mit 25 kp/mm- etwas höher und bleibt bis zu Temperaturen von etwa 200'C in dieser Höhe. Bei Temperaturen von 200 bis 300'C nimmt die Zerreißfestigkeit nur mäßig auf rund 24 kp/mm2 zu, und von 300 bis 400'C fällt sie stärker auf rund 20,5 kp/mm' ab. Die mit Cer-Mischmetall dotierte Goldlegierung ist also im gesamten Bereich der Erwärmungstemperaturen von 0 bis 400'C hinsichtlich ihrer Zerreißfestigkeit dem undotierten Gold deutlich überlegen; selbst im Bereich von 150 bis 200'C, wo die Zerreißfestigkeit des undotierten Goldes sprunghaft abfällt, nimmt ihre Zerreißfestigkeit praktisch nicht ab. So ist bei einer Erwärmungstemperatur von 200'C die Zerreißfestigkeit des Drahtes aus der mit Cer-Mischmetall dotierten Goldlegierung mit 25kp/MM2 um rund 80 04 und bei 400' C mit 20,5 kp/mm2 um rund 4601, größer als die Zerreißfestigkeit des Drahtes aus undotiertem Gold.
  • Dieser Vergleich zeigt deutlich, daß ein Zulegieren von genau bestimmten, erfindungsgemäßen geringen Anteilen an Seltenen Erdmetallen zu hochreinem Gold dessen Festigkeit und Dehnungsverhalterl bei Erwärmungstemperaturen im Bereich bis 400'C und darüber hinaus bis 500'C wesentlich verbessert, ohne daß sich andere Eigenschaften wie Härte, chemische Beständigkeit oder elektrischer Widerstand von denen eines höchstreinen Goldes wesentlich unterscheiden.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Verwendung einer Legierung aus 0,001 bis 0,1 % Seltene Erdmetalle, einzeln oder zu mehreren, oder Yttrium, Rest Gold, zur Herstellung von Gegenständen, wie Zuführungsdrähten in integrierten Schaltungen, die bis 500'C eine erhöhte Warm- und Kriechfestigkeit aufweisen müssen.
  2. 2. Verwendung einer Legierung der im Arispruch 1 angegebenen Zusammensetzung aus wenigstens 99,950/, Gold und 0,005 bis 0,0501, eines oder mehrerer der Seltenen Erdmetalle oder Yttrium für den in Anspruch 1 genannten Zweck. 3. Verwendun.o, einer Legierung der im Anspruchl oder 2 angegebenen Zusammensetzung, der die Seltenen Erdmetalle in Form von handelsüblichem Mischmetall zulegiert sind, für den im Anspruch 1 genannten Zweck. 4. Verwendunc, einer Legierung der in Anspruch 3 angegebenen Zusammensetzung, bei der der Hauptbestandteil des zulegiertem Mischmetalles Cer ist, für den im Anspruch 1 genannten Zweck.
DE19671608161 1967-08-23 Verwendung einer Goldlegierung fur warm und kriechfeste Gegenstande Expired DE1608161C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEH0063685 1967-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1608161B1 true DE1608161B1 (de) 1970-09-24
DE1608161C DE1608161C (de) 1971-01-20

Family

ID=

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3237385A1 (de) * 1981-12-04 1983-06-09 Mitsubishi Kinzoku K.K., Tokyo Feingoldlegierungsdraht zum verbinden von halbleiterelementen
EP0101592A2 (de) * 1982-08-14 1984-02-29 DEMETRON Gesellschaft für Elektronik-Werkstoffe m.b.H. Golddraht für Halbleiterbauelemente
EP0890987A2 (de) * 1997-07-07 1999-01-13 W.C. Heraeus GmbH Feinstdraht aus einer Goldlegierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3237385A1 (de) * 1981-12-04 1983-06-09 Mitsubishi Kinzoku K.K., Tokyo Feingoldlegierungsdraht zum verbinden von halbleiterelementen
FR2517885A1 (fr) * 1981-12-04 1983-06-10 Mitsubishi Metal Corp Fil d'alliage d'or fin pour connecter un dispositif a semi-conducteur
US4885135A (en) * 1981-12-04 1989-12-05 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Fine gold alloy wire for bonding of a semi-conductor device
DE3237385C2 (de) * 1981-12-04 1991-06-20 Mitsubishi Kinzoku K.K., Tokio/Tokyo, Jp
US5071619A (en) * 1981-12-04 1991-12-10 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
EP0101592A2 (de) * 1982-08-14 1984-02-29 DEMETRON Gesellschaft für Elektronik-Werkstoffe m.b.H. Golddraht für Halbleiterbauelemente
EP0101592A3 (de) * 1982-08-14 1985-10-30 DEMETRON Gesellschaft für Elektronik-Werkstoffe m.b.H. Golddraht für Halbleiterbauelemente
EP0890987A2 (de) * 1997-07-07 1999-01-13 W.C. Heraeus GmbH Feinstdraht aus einer Goldlegierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
EP0890987A3 (de) * 1997-07-07 2000-05-24 W.C. Heraeus GmbH & Co. KG Feinstdraht aus einer Goldlegierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3520407C2 (de) Verfahren zur thermomechanischen Behandlung von kobalthaltigen Kupfer-Beryllium-Legierungen
DE3009650C2 (de) Goldfreie Legierungen zum Aufbrennen keramischer Massen
DE2720460A1 (de) Quartaere, spinodale kupfer-nickel- zinn-legierungen
DE3146794A1 (de) Edelmetall-legierung zum aufbrennen von dentalporzellan
CH669211A5 (de) Kupfer-chrom-titan-silizium-legierung und ihre verwendung.
EP1273671B1 (de) Entzinkungsbeständige Kupfer-Zink-Legierung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2558915C2 (de) Magnesiumlegierung und Verfahren zu ihrer Wärmebehandlung
DE3035220A1 (de) Supraleitende draehte auf der basis von bronze-nb (pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)sn und verfahren zu deren herstellung
AT393697B (de) Verbesserte metallegierung auf kupferbasis, insbesondere fuer den bau elektronischer bauteile
DE1608161C (de) Verwendung einer Goldlegierung fur warm und kriechfeste Gegenstande
DE3132143C2 (de) Edelmetallegierung zur Herstellung von mit keramischen Massen verblendbaren Kronen und Brücken
DE1608161B1 (de) Verwendung einer Goldlegierung für warm-und kriechfeste Gegenstände
US3272625A (en) Beryllium-gold alloy and article made therefrom
EP0198159B1 (de) Verwendung einer Kupfer-Titan-Kobalt-Legierung als Werkstoff für elektronische Bauteile
DE1268853B (de) Ternaere supraleitende Legierung auf Niob-Zirkonium-Basis
DE1914631A1 (de) Ruthenium-Legierung
DE1483356A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Wolfram-Rhenium-Legierung
DE1533267B1 (de) Platinmetallegierung
DE2042226C3 (de) Gesinterte Wolfram-Legierung für elektrische Glühkörper
AT264646B (de) Werkstoff für Schwachstromkontakte
DE1483180A1 (de) Stark leitende Legierungen auf Kupferbasis
DE3314652C2 (de) Silber-Metalloxid-Legierung und ihre Verwendung als elektrischer Kontaktwerkstoff
DE732187C (de) Verwendung von Platinlegierungen fuer Geraete und Konstruktionsteile
CH450815A (de) Verwendung einer Legierung eines Platinmetalls als Werkstoff für die Herstellung von Zündkerzenelektroden
AT132371B (de) Verfahren zur Gewinnung sauerstoffreien Wolframs bzw. sauerstoffreier Wolframthoriumlegierungen.