NL8203706A - Draad vervaardigd uit een goudlegering en halfgeleiderorgaan voorzien van een dergelijke draad. - Google Patents

Draad vervaardigd uit een goudlegering en halfgeleiderorgaan voorzien van een dergelijke draad. Download PDF

Info

Publication number
NL8203706A
NL8203706A NL8203706A NL8203706A NL8203706A NL 8203706 A NL8203706 A NL 8203706A NL 8203706 A NL8203706 A NL 8203706A NL 8203706 A NL8203706 A NL 8203706A NL 8203706 A NL8203706 A NL 8203706A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
rare earth
wire
wire according
connection therewith
none
Prior art date
Application number
NL8203706A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP56195299A external-priority patent/JPS5896741A/ja
Priority claimed from JP57037580A external-priority patent/JPS58154242A/ja
Application filed by Mitsubishi Metal Corp filed Critical Mitsubishi Metal Corp
Publication of NL8203706A publication Critical patent/NL8203706A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/432—Mechanical processes
    • H01L2224/4321—Pulling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0101—Neon [Ne]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01021—Scandium [Sc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01031—Gallium [Ga]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01059—Praseodymium [Pr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01063—Europium [Eu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01064—Gadolinium [Gd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01065—Terbium [Tb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01066—Dysprosium [Dy]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01067—Holmium [Ho]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0107—Ytterbium [Yb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01076—Osmium [Os]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01084—Polonium [Po]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01094—Plutonium [Pu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/011—Groups of the periodic table
    • H01L2924/01105—Rare earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

i. .* «---- «- -1- 22705/Vk/mb
Korte aanduiding: Draad vervaardigd uit een goudlegering en halfgeleider-orgaan voorzien van een dergelijke draad.
De uitvinding heeft betrekking op een draad vervaardigd uit 5 een goudlegering, toepasbaar voor het verbinden van halfgeleiderelementen. De uitvinding heeft verder betrekking op halfgeleiderorganen voorzien van een dergelijke draad. Met name heeft de uitvinding betrekking op een fijne draad vervaardigd uit een goudlegering met een hoge treksterkte, zowel bij omgevingstemperatuur als bij verhoogde temperaturen, welke 10 draad geschikt is om te worden toegepast bij de draadverbinding een halfgeleiderorgaan aan een geleidend omhulsel.
Bij het vervaardigen van halfgeleiderorganen zoals transisto-ren, IC en LSI, worden elektroden op een chip verbonden met de externe leidingen met behulp van gouden draden. Halfgeleiderorganen worden met 15 name vervaardigd door het uitvoeren van de volgende bewerkingen: a) het bereiden van een geleidingsmateriaal uit een strip van koper of een koperlegering of nikkel of nikkellegering met een dikte van 0,1 tot 0,3 mm, b) het uitstansen van een geleidingsorahulling in overeenstem-20 ming met de vorm van het halfgeleiderorgaan dat moet worden vervaardigd, c) opbrengen van Si of Ge-halfgeleiderelementen met een hoge zuiverheid op bepaalde oppervlakken van het geleidend frame door thermo-compressie met een elektrisch geleidend hars-zoals Ag-pasta of door plating van Au, Ag, Hi of legeringen hiervan, gevormd op een oppervlak 25 van het geleidend materiaal, d) het verbinden van de halfgeleiderelementen met het geleidend omhulsel door de gouden draden (hetgeen een bindingsbewerking is), e) het omgeven met een beschermende kunststof verpakking van de halfgeleiderelementen, gouden draden en delen van het geleidend 30 omhulsel waaraan de halfgeleiderelementen zijn verbonden, f) het verwijderen van de niet noodzakelijke delen van het geleidend omhulsel ter vorming van bepaalde leidingen en g) het aanbrengen van soldeermateriaal op de uiteinden van de leidingen om een verbinding mogelijk te maken van het halfgeleiderorgaan 35 met het substraat.
Bij de bindingsstap d) wordt de gouden draad gefixeerd op de achtereenvolgende geschikte punten van de halfgeleiderelementen en het geleidend omhulsel (gehouden op een temperatuur van 150-300 °C) door 8203706 * ί -2- 22705/Vk/mb toepassing van automatische verbindingsapparatuur of door deze verbinding met de hand te bewerkstelligen* Hiertoe wordt de gouden draad eerst verwarmd bij het uiteinde met een zuurstof-waterstofvlara of met behulp van elektrische apparatuur zodat de draad de vorm aanneemt van een bol, die 5 wordt gedrukt tegen de halfgeleider, waarna een uiteinde van de gouden draad wordt gedrukt tegen een punt van het geleidende omhulsel om hierop te worden gefixeerd en de draad wordt afgesneden om daarmee de bindings-bewerking te beëindigen. Vervolgens wordt het afgesneden gedeelte, het uiteinde dat dienst doet als punt waartegen het volgende bindingspunt 10 op de halfgeleider wordt opgebracht in de daaropvolgende bindingsbewer-king.
Omdat bij de verbindingsbewerking bij hogere snelheid en omdat meer geïntegreerde circuits gewenst zijn is het gebruik van dunnere en sterkere gouddraden noodzakelijk. Maar de tegenwoordig toegepaste draden 15 zijn vervaardigd uit zuiver goud, dat een relatief lage treksterkte heeft bij omgevingstemperatuur en hoge temperaturen en deze draad kan niet worden getrokken tot een kleinere diameter van 0,05 mm of minder zonder dat dit gepaard gaat met een vaak optredende breuk van de draad en zelfs indien zuiver goud kon worden getrokken tot draden die voldoende dun zijn, zouden 20 deze vaak breken tijdens de bindingsbewerking. Belangrijk is ook dat vanwege het lage verwekingspunt van zuiver goud de kristalkorrels van de draad die met een vlam worden gesneden of worden gesneden met behulp van elektrische apparatuur herkristalliseren zodat ze dikker en bros worden en wanneer het gouden balletje wordt geperst bij een temperatuur tussen 25 150 en 300 °C zullen de bindingsdraden verweken waardoor de draadvormige lus wordt vervormd die de halfgeleiderelementen verbindt met het gelei-dingsorahulsel en waardoor kortsluiting kan optreden. De draad van zuiver goud heeft ook geen voldoende bindingssterkte ten aanzien van de halfgeleiderelementen en het geleidende omhulsel.
30 In de onderhavige uitvinding worden de problemen met betrek king tot het conventionele zuiver goud dat wordt to§gepast als verbindings-draad opgeheven en de draad volgens de uitvinding wordt hierdoor gekenmerkt dat ter verkrijging van een hoge treksterkte de draden zijn samengesteld uit 0,0003-0,010 gew.$ van ten minste een van de zeldzame aardelementen 35 gekozen uit de groep bestaande uit La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy,
Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc en Y, met daarnaast in hoofdzaak goud en onvermijdbare onzuiverheden.
Met de draad volgens de uitvinding wordt (1) een draad van een 8203706 ,.,. 3 >* -3- 22705/Vk/mb goudlegering verkregen met een hoge treksterkte bij zowel omgevingstemperatuur als hoge temperaturen die kan worden getrokken tot een diameter van 0,05 mm of minder en die kan worden gebruikt als verbindings-draad zonder dat deze breekt en (2)er wordt een draad van een goudlegering 5 verkregen die een voldoende bindingssterkte heeft en een voldoende hoog verwekingspunt om de vorming van brosse grove kristalkorrels te vermijden, die anders optreden door herkristallisatie, terwijl tevens de aanwezigheid van een vervormde lus wordt voorkomen.
Volgens een voorkeursuitvoering wordt de draad (2) van de goud-10 legering gekenmerkt door een samenstelling die in hoofdzaak bestaat uit 0,0003 tot 0,010 gew.% van ten minste één zeldzaam aardelement van de ceriumgroep gekozen uit de groep bestaande uit La, Ce, Pr, Nd en Sm, 0,000.1 tot 0,0060 gew.% van ten minste één element gekozen uit Ge, Be en Ca, waarbij de rest in hoofdzaak Au is en de onvermijdbare onzuiverheden.
15 De hoeveelheden van de componenten in elke samenstelling kan kritiek zijn en wordt hieronder nader toegelicht.
a) Zeldzame aardelementen.
De zeldzame aardelementen zijn equivalent aan elkaar met betrekking tot de mogelijkheid om de treksterkte van de draad te verbeteren 20 bij zowel omgevingstemperatuur als hogere temperatuur. Wanneer het gehalte hiervan lager is dan 0,0003 gew.? wordt de gewenste treksterkte bij omgevingstemperatuur en hoge temperatuur niet verkregen en indien het gehalte hoger is dan 0,010 gew.jl wordt de draad bros en kan niet gemakkelijk worden getrokken tot een kleinere diameter. Daarom is het gehalte 25 van zeldzame aarde-elementen volgens de uitvinding gelegen tussen 0,0003 en 0,010 gew./S.
b) Ge, Be en Ca.
Deze elementen zijn equivalentaan elkaar waarbij indien deze worden gecombineerd met zeldzame aardelementen van de ceriumgroep ze de 30 volgende voordelen hebben. Ze verhogen het verwekingspunt van de draad waarbij.wordt voorkomen dat ze bros worden tijdens de bindingsbewerking en de aanwezigheid voorkomt van een gedeformeerde lus. Ze geven ook een verhoogde bindingssterkte en verbeteren verder de treksterkte van de draad bij omgevingstemperatuur en hoge temperatuur. Indien het ge-35 halte van deze elementen minder is dan 0,0001 gew.ï worden de beoogde invloeden niet verkregen en indien het gehalte hiervan ligt boven 0,0060 gew./5 wordt de draad bros en kan niet zonder .problemen tot een kleinere diameter worden getrokken en nog belangrijker is dat makkelijk 8203706 -4- 2270S/Vk/mb een breuk optreedt bij de korrelgrens wanneer de draad wordt verwarmd tot de bindingstemperatuur. Daarom is volgens de uitvinding het gehalte aan Ge, Be en Ca beperkt tot het gebied van 0,0001 tot 0,0060 gew.%.
Voorbeelden 5 Een smelt van een goudlegering met samenstellingen zoals vermeld in tabel A werd bereid volgens een op zich bekende werkwijze.
De smelt werd in gietstukken gegoten, die werden gerold met een bekende gegroefde rolmolen en getrokken tot monsters van fijne draden, in de tabel aangegeven als monsters 1-120. De draden volgens de uitvinding 10 hebben een diameter van 0,025 mm. De draadmonsters werden bij omgevingstemperatuur onderworpen aan een treksterktetest en bij hoge temperatuur aan een treksterktetest onder omstandigheden die de bindingsbewerking simuleren te weten een temperatuur van 250 °C en een verblijftijd van 30 seconden. De resultaten van elke test zijn aangegeven in tabel A. De 15 monsters 57-120 werden gebruikt bij een binding van de halfgeleiderelementen aan het omhulsel dat dient ter geleiding en de bindings-sterkte en de aanwezigheid van een vervormde draadlus werden onderzocht. De hierbij verkregen resultaten zijn eveneens vermeld in de tabel. Dezelfde experimenten werden uitgevoerd met een draad van zuiver goud en 20 deze resultaten zijn in de tabel ter vergelijking aangegeven.
8203706 * 'i -5- 22705/Vk/mb
TABEL A
treksterkte treksterkte samenstelling (gew.ixlO-5) naast goud bij omgevings- iij verhoogde draad- en onvermijdbare onzuiverheden temperatuur temperatuur monstar· breuk- verlen- breuk- verlen-
La Ce Pr Nd Sm Eu Gd Tb Dy sterkte ging 3terkte ging (g) (%) (g) (%) ï 110 9,2 4 8,4 2 2 430 13,8 4 11,9 2 3 970 19,1 4 16,8 2 4 60 10,1 4 8,9 2 5 310 12,9 4 11,2 2 6 990 19,5 4 17,1 2 7 50 . 9,4 4 8,5 2 8 490 14,2 4 12,1 2 9 950 18,8 4 15,9 2 10 40 9,3 4 8,2 2 11 440 · 13,8 4 11,9 2 12 940 18,3 4 15,1 2 13 40 9,2 4. 8,1 2 14 610 14,1 4 12,0 2 15 950 18,1 4 15,4 2 16 50 9,6 4 8,3 2 17 520 13,7 4 11,5 2 18 9¾ 17,6 4 15,2 2 19 5Q 9,0 4 7,9 2 20 440 13,2 4 11,3 2 21 950 16,8 4 14,7 2 22 40 9,3 4 8,1 2 23 480 13,9 4 11,5 2 24 960 17,4 4 14,9 2 25 50 9,0 4-7,9 2 26 520 13,6 4 11,4 2 27 l l | I_____ 950 |17,1 4 |14,3 2 8203706 -6- 22705/Vk/mb TABEL A-1 samenstelling (gevr.£ x 10-5; treksterkte bij treksterkte bij naast goud en onvermijdbare omgevingstempera- verhoogde tempera-draad- onzuiverheden tuur tuur monster — “ breuk- verlen- breuk- verlen-
Ho Er Tm Yb Lu Sc Y sterkte ging sterkte ging (g) (36) (g) (?) 28 60 9,5 4 8,3 2 29 330 12,9 4 10,6 2 30 970 18,3 4 15,8 2 31 40 9,1 4 8,0 2 32 610 14,1 4 12,3 2 33 950 17,5 4 14,8 2 34 40 8,9 4 7,7 2 35 560 13,9 4 11,9 2 36 960 17,3 4 14,6 2 37 40 9,3 4 8,1 2 38 240 12,1 4 10,3 2 39 970 18,6 4 15,9 2 40 40 8,9 4 7,6 2 41 490 14,3 4 12,5 2 42 960 17,9 4 15,4 2 43 50 9,5 4 8,2 2 44 610 14,5 - 4 13,1 2 45 980 18,9 4 16,2 2 46 40 8,4 4 7,3 2 47 730 13,7 4 11,3 2 48 ________940 16,2__4__13^_8__2 8203706 i -7- 22705/Vk/rab cd i £, Ö •<“5 φ φ bo •H Cl Η ΰ
o g £, rl^ C\I C\J CVj CVl C\J CVJ CV1 CVJ
Q) φ 00 Φ P >
P
JÜ 0) ............
Sn Ό Φ
(DM IP
+> O ü X
ra o 3 cvioocvisrj=r,«-a£i‘ X r* C-. (D (D ÖO ** ·> «. ·» ·> « « » ® 3 s_ p v_> co as o o cvi t— t— vo £.0)3.001 *- T- r- τ- T- T- P > -P __
I I
cd C
•r> £. 0) ÖO^ •hoi rl xr=r=t=*'^xrxrst λ i1 Φ Φ > P P _______ D*: ra
U bQ
Φ G 0)
P ·Η IP
ra t> x x V <d t, 3 £ ^ vo in oo v— =t co =t t- 0) bO 3 0) 0) bO - “ - - - t, g 3 t, p cr> t- cvi m ·=τ cr> cn oo POP P ra T~ r- r- r- ^ T- T- 3 * 8 φ o o £ .c cn oo v- u 0) ------
-H 3 O O
3 P in
N
G----______________________ o p o o
φ >* t— VO
u __________ cd p Ό S O o
•Ό E-* =0 CVJ
•rl . ........
Ê 7 > ê a C G . - -------------- ' ..... 111 1............
p ° O O § ω G ac in ° ca o) ___._;_ ^ 1 * O g O O oo ? M _;--;--— S H ^ <d - 1' 1 ............
ö -O O
O =r in ________________________
3 O O
w M fü I»!__;___
w a _ O
5 W (O g CD_____________________ M - •‘-'O o o ïs o in bo ^ G...................
Zin* o O S §V
p o. o =r =r να) *“ P ' ......——.......................................................................
ra c a> o o [d cd o cm in ir e cd .................... ..................——· ...............- .......
Cd O o fd p ^ σν zr u _ ία) ovo’- (vjoo^rinvo •op ^rmininintninin cd ra cd a u o __PJ3____ 8203706 -8- 22705/Vk/mb TABEL A-3 samenstelling (gew.ix treksterkte bij treksterkte 10-5) naast goud en on- omgevings- Hj verhoogde kindirra· -ede_ vermijdbare onzuiver- temperatuur temperatuur aterIcxte fomeer- draa<^ heden______ («) de lus monsta? i breuk- verlei- breuk- verlen-
La Ce Pr Ge Be Ca sterkte ging sterkte ging ________<g) (%) (g) (%)___ 57 32 95 9,9 4 8,9 2 7,0 geen 5 8 525 87 14,5 4 12,5 2 8,0 geen 59 979 85 19,8 4 17,3 2 9,0 geen 60 513 12 14,1 4 12,1 2 7,5 geen 6 1 520 195 14,9 4 12,9 2 8,5 geen 62 503 13 14,,3 4 12,2 2 7,5 geen 63 486 102 14,6 4 12,7 2 8,0 geen 64 501 199 15,1 4 13,0 2 8,5 geen 65 491 11 14,3 4 12,2 2 7,5 geen 66 513 98 14,8 4 12,9 2 8,5 geen 67 509 196 15,1 4 13,2 2 9,5 geen 68 33 101 10,6 4 9,3 2 7,0 geen 69 428 98 13,6 4 11,8 2 8,0 geen 70 964 97 19,9 4 17,5 2 9,0 geen 71 503 13 13,1 4 11,3 2 7,5 geen 72 496 186 13,9 4 12,0 2 8,5 geen 73 486 12 13,2 4 11,4 2 7,5 geen 74 511 99 13,7 4 11,8 2 8,0 geen 75 591 191 14,0 4 12,0 2 9,0 geen 76 479 12 13,3 4 11,5 2 7,5 geen 77 513 103 13,9 4 12,0 2 8,5 geen 78 499 194 14,1 4 12,1 2 9,5 geen 79 31 89 9,9 4 8,9 2 7,0 geen 80 529 87 14,6 4 12,4 2 . 8,0 geen 8 1 984 96 19,6 4 16,7 2 9,0 geen 82 511 13 13,9 4 12,0 2 7,5 geen 83 ___513 194___14,5 4 12,5 2 9,0 geen 8203706 < c ·% -9- 22705/Vk/mb TABEL A-4 samenstelling (gew.$ x treksterkte bij treksterkte bijl 10-5) naast goud en on- omgevings- verhoogde ..
vermijdbare onzuiver- temperatuur temperatuur ge e or“ draad- heden ; .......__ ^ ff* E ® moisten breuk- verlen- breuk- verlm-
Pr Nd Sm Ge Be Ca sterkte ging sterkte ging (g) (50 Cg) (%) 84 496 12 13,9 4 12,0 2 7,5 geen 85 503 106 14,3 4. 12,3 2 8,0 geen 86 516 187 14,7 4 12,6 2 8,5 geen 87 509 11 14,0 4 12,1 2 7,5 geen 88 505 112 14,5 4 12,4 2 8,5 geen 89 515 194 14,8 4 12,7 2 9,5 geen 90 33 86 9,9 4 8,7 2 7,5 geen 91 495 89 14,5 4 12,4 2 8,0 geen 92 975 98 18,6 4 15,9 2 9,0 geen 93 486 12 14,2 4 12,1 2 7,5 geen 94 465 195 14,7 4 12^6 2 8,5 geen 95 473 12 14,3 4 12,1 2 7,5 geen 96 456 103 14,6 4 12,4 2 8,0 geen 97 492 189 14,8 4 12,6 2 9,0 geen 98 507 13 14,3 4 12,1 2 7,5 geen 99 504 110 14,7 4 12,4 2 8,5 geen 100 512 192 14,9 4 12,7 2 9,5 geen 101 35 105 9,8 4 8,6 2 7,0 geen 102 489 96 14,5 4 12,4 2 8,0 geen 103 990 103 18,7 4 15,9 2 9,0 geen 104 487 15 14,3 4 12,1 2 7,5 geen 105 476 187 14,8 4 12,5 2 9,0 geen 106 455 11 14,2 4 12,0 2 7,5 geen 107 468 95 14,6 4 12,4 2 .7,5 geen 108 471 195 14,9 4 12,5 2 8,5 geen 109 __ 456____ 16 14,3 4 12,1 2 7,5 geen 82 0 3 7 0 6 -10- 22705/Vk/rab TABEL A-5 samenstelling (gew.i x treksterkte bij treksterkte hij 10“5) naast goud en on- oragevings- verhoogde Dirdinss- cede- vermijdbare onzuiver- temperatuur temperatuur sterkte for” draad- heden ---------- * ° 5 maister breuk- verlen- jreuk- i/erlen- ...
,La Ce Pr Nd Sm Ge Be Ca sterkte ging 3terkte ging (g) (*) (g) (.%) 110 473 97 14,6 4 12,5 2 8,5 geen 111 479 187 14,9 4 12,6 2 9,5 geen 1C 112 315 84 64 14,3 4 12,2 2 8,5 geen 113 225 314 156 14,8 4 12,4 2 9,0 geen 114 613 115 87 51 18,3 4 15,7 2 9,0 geen 115 236 213 341 67 69 58 19,0 4 16,3 2 9,5 geen 116 335 56 49 14,4 4 12,2 2 8,5 geen 15 117 305 152 83 45 14,2 4 12,3 2 8,5 geen 118 103 71 29 12,1 4 10,0 2 8,5 geen 119 112 96 87 99 36 31 27 14,3 4 12,3 2 9,5 geen 120 28 76 32 45 65 78 38 46 14,1 4 12,1 2 9,5 geen zuivere ü aanwe- 20 gouddraad 6,5 4,0 3,0 5,9 1,9 zig
Uit de gegevens in tabel A blijkt dat de draadmonsters vervaardigd uit de goudlegering volgens de uitvinding een hogere treksterkte hebben bij zowel omgevingstemperatuur als verhoogde temperatuur dan de 25 draad uit zuiver goud en dat de draden die bovendien Ge, Be of Ca bevatten extra voordelen hebben door een significant verhoogde bindingssterkte en deze draden zijn volledig vrij van een gedeformeerde lusvorming. Door deze voordelen kan de draad uit de goudlegering volgens de uitvinding tot een kleinere diameter worden getrokken van 0,05 mm of minder en kan worden 30 gebruikt voor bindingsdoeleinden zonder dat er een breuk optreedt. Door toevoeging van Ge, Be of Ca wordt het verwekingspunt van de draad verder verhoogd zodat de kans op het ontstaan van brosse gedeelten (door de vorming van grote korrels) of het optreden van een gedeformeerde lus worden voorkomen en wordt een hoge bindingssterkte verkregen tussen de halfge-35 leiderelementen en het geleidende omhulsel. Door deze voordelen is de draad volgens de uitvinding zeer geschikt om een snellere binding te verkrijgen en om ’'integrated circuit" componenten te verkrijgen van een goede kwaliteit.
8203706 ' <s ' -11- 22705/Vk/mb
Samengevat wordt volgens de uitvinding een dunne draad van een goudlegering verkregen met een hoge treksterkte om halfgeleiderelementen met elkaar te verbinden. Deze draad bestaat in hoofdzaak uit 0,0003 tot 0,010 gew.i van ten minste één van de zeldzame aardeleraenten 5 gekozen uit de groep bestaande uit La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Se en Y, waarbij de rest in hoofdzaak goud is en de onvermijdbare onzuiverheden. Deze draad heeft geen gedeformeerde lus en een hogere bindingssterkte wanneer hij ook 0,0003 tot 0,010 gev.% bevat van ten minste één van de zeldzame aardelementen van de ceriumgroep ge-10 kozen uit La, Ce, Pr, Nd en Sm en 0,0001 tot 0,0060 gev.% van ten minste één van de elementen gekozen uit Ge, Be en Ca.
8203706

Claims (55)

15 Pr, Nd en Sm, waarbij de rest in hoofdzaak goud en onvermijdbare onzuiverheden is.
3. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat deze als additionele component 0,0001 tot 0,0060 gew.% Ge bevat.
4. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat deze 20 als additionele component 0,0001 tot 0,0060 gev.% Be bevat.
5. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat deze als additionele component 0,0001 tot 0,0060 gev.% Ca bevat.
6. Draad volgens conclusie 3» met het kenmerk, dat een deel van Ge is vervangen door Be. 25 7« Draad volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat Ge ge deeltelijk is vervangen door Ca.
8. Draad volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat Be gedeeltelijk is vervangen door Ca.
9. Draad volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat Be dat 30 gedeeltelijk is vervangen door Ge verder gedeeltelijk is vervangen door Ca.
10. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement La is toegepast.
11. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als 35 zeldzaam aardelement Ce is toegepast.
12. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Pr is toegepast.
13. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Nd is toegepast. 8203706 - v k -»· -13- 22705/Vk/mb
14. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Sm is toegepast.
15. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Eu is toegepast.
16. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Gd is toegepast.
17. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Tb is toegepast,
18. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als 10 zeldzaam aardelement Dy is toegepast. 19* Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Ho is toegepast.
20. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Er is toegepast.
21. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Tm is toegepast.
22. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Yb is toegepast.
23. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als 20 zeldzaam aardelement Lu is toegepast.
24. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Sc is toegepast.
25. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzaam aardelement Y is toegepast.
26. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzame aardelementen La en Ce zijn toegepast.
27 Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzame aardelementen La en Pr zijn toegepast.
28. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als 30 zeldzame aardelementen Nd, Eu, Gd, Tb en Ho zijn toegepast.
29. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzame aardelementen Ho, Yb, Lu en Sc zijn toegepast.
30. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzame aardelementen Ce, Pr, Sm, Dy, Tm, Yb en Lu zijn toegepast.
31. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dèt als zeldzame aardelementen Pr, Sm en Eu zijn toegepast.
32. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzame aardelementen La, Nd, Tb, Dy, Er en Tra zijn toegepast. 8203706 m- %- r ' -14- 22705/Vk/mb
33. Draad volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als zeldzame aardelementen Ce, Pr, Sc en T zijn toegepast.
34. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep La is en de additionele component die in 5 saraenhang hiermee is gebruikt Ge is.
35. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep La is en de additionele component die in samenhang hiermee is gebruikt Be is.
36. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat als TO element uit de ceriumgroep La is toegepast en de additionele component die in samenhang hiermee is gebruikt Ca is.
37. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep Ce is en de additionele component die in saraenhang hiermee is gebruikt Ge is.
38. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep Ce is en de additionele component die in samenhang hiermee is gebruikt Be is.
39. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep Ce is en de additionele component die in 20 samenhang hiermee is gebruikt Ca is.
40. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep Pr is en de additionele component die in samenhang hiermee is gebruikt Ge is.
41. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het 25 element uit de ceriumgroep Pr is en de additionele component die in saraenhang hiermee is gebruikt Be is.
42. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep Pr is en de additionele component die in samenhang hiermee is gebruikt Ca is.
43. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep Nd is en de additionele component die in samenhang hiermee is gebruikt Ge is.
44. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep Nd is en de additionele component die in 35 samenhang hiermee is gebruikt Be is.
45. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep Nd is en de additionele component die in samenhang hiermee is gebruikt Ca is. 8203706 • ·. · ' " ' '· " -3C · ' ·. :J>' . : : Of- Λ· ,, .v -15- 22705/Vk/rab
46. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriuragroep Sm is en de additionele component die in Samenhang hiermee is gebruikt Ge is.
47. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het 5 element uit de ceriumgroep Sm is en de additionele component die in samenhang hiermee is gebruikt Be is.
48. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het element uit de ceriuragroep Sm is en de additionele component die in samenhang hiermee is gebruikt Ca is.
49. Draad volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep La is en de additionele componenten die in samenhang hiermee zijn gebruikt Ge en Be zijn.
50. Draad volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de elementen uit de ceriumgroep La en Ce zijn en de additionele component 15 die in samenhang hiermee is gebruikt Ca is.
51. Draad volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de elementen uit de ceriumgroep Pr en Sm zijn en de additionele componenten die in samenhang hiermee zijn gebruikt Be en Ca zijn.
52. Draad volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de 20 elementen uit de ceriumgroep La, Pr en Sm zijn en de additionele componenten die in samenhang hiermee zijn gebruikt Ge, Be en Ca zijn.
53. Draad volgens conclusie 7» met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep Ce is en de additionele componenten die in samenhang hiermee zijn gebruikt Ge en Ca zijn.
54. Draad volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de elementen uit.de ceriumgroep Ce en Nd zijn en de additionele componenten die in samenhang hiermee zijn gebruikt Ge en Be zijn.
55. Draad volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat het element uit de ceriumgroep La is en de additionele componenten die in 30 samenhang hiermee zijn gebruikt Ge en Ca zijn.
56. Draad volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de elementen uit de ceriumgroep La, Ce, Pr en Sm zijn en de additionele componenten die in samenhang hiermee zijn gebruikt Ge, Be en Ca zijn.
57. Draad volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de 35 elementen uit de ceriumgroep La, Ce, Pr, Nd en Sm zijn en de additionele componenten die in samenhang hiermee zijn gebruikt Ge, Be en Ca zijn.
58. Haifgeleiderorgaan, voorzien van een draad, met het kenmerk, dat een gouden draad is toegepast zoals beschreven in conclusies 1-57. Eindhoven, september 1982 8203706
NL8203706A 1981-12-04 1982-09-24 Draad vervaardigd uit een goudlegering en halfgeleiderorgaan voorzien van een dergelijke draad. NL8203706A (nl)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56195299A JPS5896741A (ja) 1981-12-04 1981-12-04 半導体素子結線用高張力ａｕ合金細線
JP19529981 1981-12-04
JP57037580A JPS58154242A (ja) 1982-03-10 1982-03-10 半導体素子ボンデイング用金合金細線
JP3758082 1982-03-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8203706A true NL8203706A (nl) 1983-07-01

Family

ID=26376707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8203706A NL8203706A (nl) 1981-12-04 1982-09-24 Draad vervaardigd uit een goudlegering en halfgeleiderorgaan voorzien van een dergelijke draad.

Country Status (10)

Country Link
US (2) US4885135A (nl)
KR (1) KR890003143B1 (nl)
DE (1) DE3237385A1 (nl)
FR (1) FR2517885B1 (nl)
GB (1) GB2116208B (nl)
HK (1) HK17888A (nl)
IT (1) IT1156088B (nl)
MY (1) MY8700920A (nl)
NL (1) NL8203706A (nl)
SG (1) SG93487G (nl)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4775512A (en) * 1985-10-01 1988-10-04 Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha Gold line for bonding semiconductor element
JPS62278241A (ja) * 1986-05-26 1987-12-03 Shoei Kagaku Kogyo Kk ボンデイングワイヤ
US5491034A (en) * 1988-05-02 1996-02-13 Nippon Steel Corporation Bonding wire for semiconductor element
DE69009814T2 (de) * 1989-03-24 1994-11-17 Mitsubishi Materials Corp Silberlegierungsblatt zur Verbindung von Sonnenzellen.
GB2231336B (en) * 1989-04-28 1993-09-22 Tanaka Electronics Ind Gold wire for the bonding of a semiconductor device
US5336434A (en) * 1989-10-02 1994-08-09 Allergan, Inc. Methods, compositions and apparatus to disinfect lenses
JPH0647699B2 (ja) * 1991-01-29 1994-06-22 三菱マテリアル株式会社 半導体素子ボンディング用金合金細線
US5518691A (en) * 1993-07-29 1996-05-21 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Precious metal material
ES2170850T3 (es) * 1995-04-07 2002-08-16 Kazuo Ogasa Procedimiento de obtencion de una aleacion de oro de alta pureza.
JP3337049B2 (ja) * 1995-05-17 2002-10-21 田中電子工業株式会社 ボンディング用金線
US5966592A (en) * 1995-11-21 1999-10-12 Tessera, Inc. Structure and method for making a compliant lead for a microelectronic device
JP3328135B2 (ja) * 1996-05-28 2002-09-24 田中電子工業株式会社 バンプ形成用金合金線及びバンプ形成方法
WO1997047778A1 (fr) * 1996-06-12 1997-12-18 Kazuo Ogasa Alliage d'or dur de grande purete et procede de fabrication correspondant
JP3426473B2 (ja) * 1997-07-01 2003-07-14 新日本製鐵株式会社 半導体素子用金合金細線
EP0890987B1 (de) * 1997-07-07 2003-03-05 W.C. Heraeus GmbH & Co. KG Feinstdraht aus einer Goldlegierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE19753055B4 (de) * 1997-11-29 2005-09-15 W.C. Heraeus Gmbh Feinstdraht aus einer Gold-Legierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE19821395C2 (de) 1998-05-13 2000-06-29 Heraeus Gmbh W C Verwendung eines Feinstdrahtes aus einer nickelhaltigen Gold-Legierung
US6319617B1 (en) * 1999-12-17 2001-11-20 Agere Systems Gaurdian Corp. Oxide-bondable solder
US6306516B1 (en) * 1999-12-17 2001-10-23 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising oxide-bondable solder
JP3382918B2 (ja) 2000-05-31 2003-03-04 田中電子工業株式会社 半導体素子接続用金線
JP3323185B2 (ja) * 2000-06-19 2002-09-09 田中電子工業株式会社 半導体素子接続用金線
JP2001049364A (ja) 2000-07-03 2001-02-20 Kazuo Ogasa 硬質貴金属合金部材とその製造方法
WO2006057230A1 (ja) * 2004-11-26 2006-06-01 Tanaka Denshi Kogyo K.K. 半導体素子用Auボンディングワイヤ
US7713390B2 (en) * 2005-05-16 2010-05-11 Applied Materials, Inc. Ground shield for a PVD chamber
DE102006006728A1 (de) * 2006-02-13 2007-08-23 W.C. Heraeus Gmbh Bonddraht
KR100796570B1 (ko) 2006-08-22 2008-02-21 헤라우스오리엔탈하이텍 주식회사 본딩용 금합금 세선
CN102127663B (zh) * 2010-12-30 2012-10-17 宁波康强电子股份有限公司 键合金丝及其制备方法
EP2871642B1 (en) 2013-11-06 2019-08-28 Airbus Defence and Space GmbH Solar cell interconnector and manufacturing method thereof
TWI656222B (zh) * 2018-08-23 2019-04-11 香港商駿碼科技（香港）有限公司 金合金封裝線材及其製備方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3211595A (en) * 1959-11-02 1965-10-12 Hughes Aircraft Co P-type alloy bonding of semiconductors using a boron-gold alloy
US3667937A (en) * 1970-10-07 1972-06-06 John A Williams Dental filling
US4018599A (en) * 1975-09-05 1977-04-19 Engelhard Minerals & Chemicals Corporation Electrical contacts of dispersion strengthened gold
JPS5282183A (en) * 1975-12-29 1977-07-09 Nec Corp Connecting wires for semiconductor devices
JPS53105968A (en) * 1977-02-26 1978-09-14 Tanaka Electronics Ind Gold wire for bonding semiconductor
JPS53112060A (en) * 1977-03-11 1978-09-30 Tanaka Electronics Ind Gold wire for bonding semiconductor
DE2741277C3 (de) * 1977-09-14 1980-03-27 Fa. Dr. Th. Wieland, 7530 Pforzheim Kupferfreie Gold-Gußlegierung fur zahnarztliche Zwecke
US4217137A (en) * 1978-03-13 1980-08-12 Medtronic, Inc. Gold based alloy composition and brazing therewith, particularly for ceramic-metal seals in electrical feedthroughs
US4180700A (en) * 1978-03-13 1979-12-25 Medtronic, Inc. Alloy composition and brazing therewith, particularly for _ceramic-metal seals in electrical feedthroughs
JPS5613740A (en) * 1979-07-16 1981-02-10 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Bonding wire for semiconductor element
JPS5619629A (en) * 1979-07-25 1981-02-24 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Bonding wire for semiconductor element
JPS5630731A (en) * 1979-08-21 1981-03-27 Tanaka Denshi Kogyo Kk Au solder for semiconductor element
JPS5649535A (en) * 1979-09-28 1981-05-06 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Bonding wire for semiconductor device
JPS5649534A (en) * 1979-09-28 1981-05-06 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Bonding wire for semiconductor device
US4330329A (en) * 1979-11-28 1982-05-18 Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha Gold bonding wire for semiconductor elements and the semiconductor element
US4374668A (en) * 1981-04-29 1983-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Gold based electrical materials
US4387073A (en) * 1981-09-08 1983-06-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Gold based electrical contact materials
JPS5896741A (ja) * 1981-12-04 1983-06-08 Mitsubishi Metal Corp 半導体素子結線用高張力ａｕ合金細線
GB2231336B (en) * 1989-04-28 1993-09-22 Tanaka Electronics Ind Gold wire for the bonding of a semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
DE3237385C2 (nl) 1991-06-20
IT8268243A0 (it) 1982-10-25
DE3237385A1 (de) 1983-06-09
US4885135A (en) 1989-12-05
FR2517885A1 (fr) 1983-06-10
KR840002161A (ko) 1984-06-11
MY8700920A (en) 1987-12-31
GB2116208B (en) 1985-12-04
KR890003143B1 (ko) 1989-08-23
US5071619A (en) 1991-12-10
IT1156088B (it) 1987-01-28
GB2116208A (en) 1983-09-21
HK17888A (en) 1988-03-11
SG93487G (en) 1988-09-16
FR2517885B1 (fr) 1987-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8203706A (nl) Draad vervaardigd uit een goudlegering en halfgeleiderorgaan voorzien van een dergelijke draad.
JP3328135B2 (ja) バンプ形成用金合金線及びバンプ形成方法
JP2737953B2 (ja) 金バンプ用金合金細線
JPH0212022B2 (nl)
JP3573321B2 (ja) Ａｕボンディングワイヤー
JPH10233408A (ja) 金属接合構造及び半導体装置
JP2656236B2 (ja) 半導体装置
KR100695925B1 (ko) 반도체 소자 접속용 금 와이어
JPH0412623B2 (nl)
JP3074626B2 (ja) 半導体素子用Ｐｔ合金極細線
JP3090549B2 (ja) 半導体素子用ボンディング線
JPH11126788A (ja) Ｉｃチップ接続用金合金線
JP2003059964A (ja) ボンディングワイヤ及びその製造方法
JP3085090B2 (ja) ボンディングワイヤ
JP2773202B2 (ja) 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線
JP2779683B2 (ja) 半導体素子用ボンディングワイヤ
JP3586909B2 (ja) ボンディングワイヤ
JP3204335B2 (ja) 半導体素子用Ｐｔ合金極細線
JP3358295B2 (ja) ボンディングワイヤ
JP2621288B2 (ja) 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線
JP3744131B2 (ja) ボンディングワイヤ
JP2766701B2 (ja) ボンデイングワイヤー
JP2661247B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金細線
JP3615901B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金線
JPH0413858B2 (nl)

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed