JPH0647699B2 - 半導体素子ボンディング用金合金細線 - Google Patents

半導体素子ボンディング用金合金細線

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JPH0647699B2
JPH0647699B2 JP3060831A JP6083191A JPH0647699B2 JP H0647699 B2 JPH0647699 B2 JP H0647699B2 JP 3060831 A JP3060831 A JP 3060831A JP 6083191 A JP6083191 A JP 6083191A JP H0647699 B2 JPH0647699 B2 JP H0647699B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、常温および高温にお
いて高い引張強度を示し、特に半導体装置の製造に際し
て、半導体素子とリードフレームのボンディング(結
線)に用いた場合に強固な接合強度を示すと共に、変形
ループの発生もない金合金細線に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、一般にICやLSIなどの半導体
装置は、 (a)まず、リード素材として、板厚:0.1〜0.3
mmを有するCuおよびCu合金あるいはNiおよびNi
合金製条材を用意し、 (b)ついで、上記リード素材よりプレス打抜き加工に
より製造せんとする半導体装置の形状に適合したリード
フレームを形成し、 (c)上記リードフレームの所定個所に高純度Siある
いはGeなどの半導体素子を、Agペーストなどの導電
性樹脂を用いて加熱接着するか、あるいは予め上記リー
ド素材の片面にメッキしておいたAu,Ag,Ni,あ
るいはこれらの合金のメッキ層を介して加熱圧着するか
し、 (d)上記半導体素子と上記リードフレームとに渡って
金線によるボンディング(結線)を施し、 (e)引続いて、上記半導体素子、結線、および半導体
素子が接着された部分のリードフレームを、これらを保
護する目的で、プラスチックでパックし、 (f)上記リードフレームにおける相互に連なる部分を
切除してリード材とし、 (g)最終的に、上記リード材の脚部に、半導体装置の
基板への接続を可能とするために、はんだ材を被覆溶着
する、以上(a)〜(g)の主要工程によって製造され
ている。
【0003】さらに、上記半導体装置の製造工程におけ
る上記(d)工程について詳述すれば、半導体素子とリ
ードフレームとの金線によるボンディングは、金線を酸
水素炎または電気的に溶断し、その際にできる先端部の
金ボール部を押し潰して150〜300℃の加熱状態に
おかれている半導体素子とリードフレームに手動式ある
いは自動式のボンディングマシンを用いて熱圧着するこ
とにより行なわれている。
【0004】一方近年のボンディング技術の向上に伴う
高速度化、集積度の高密化、さらに経済性などの面か
ら、これに使用される金線にも細線化および高強度化が
要求されるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、現在実用に供
されている金線(純金線)では、これを直径:0.05
mmφ以下の細線とした場合、常温および高温引張強さが
比較的低いために、線引加工中あるいはボンディング中
によく断線を起し、またボンディングに際しては、軟化
温度が低いために、金線溶断時に再結晶による結晶粒の
粗大化を起して金線自体が脆くなるばかりでなく、15
0〜300℃の温度で熱圧着するために、ボンディング
金線が軟化し、この結果半導体素子とリードフレームを
接続するボンディング金線のループ形状にたるみを生じ
て変形し、ショートの原因となり、さらに半導体素子お
よびリードフレームに対する接合強度も不十分なもので
あるためボンディング不良を生じるなどの問題点の発生
があり、したがって上記の要望を満足することができな
いのが現状である。
【0006】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、ボンディング用純金線のもつ上
記問題点を解決すべく研究を行なった結果、ボンディン
グ金線を、重量%で(以下%は重量%を示す)、La,
Ce,Pr,Nd,およびSmからなるセリウム族希土
類元素のうちの 1種または2種以上:0.0003〜0.010%、を
含有し、さらに、 Be:0.0001〜0.0060%、を含有し、残り
がAuと不可避不純物からなる組成を有する金合金細線
で構成すると、この結果の金合金細線は、高い常温およ
び高温引張強さを有するので、これを直径:0.05mm
φ以下の極細線とした場合にも、線引加工中あるいはボ
ンディング中に断線が発生することがなく、その上高い
軟化温度を有するので、ボンディング時に、再結晶によ
る結晶粒の粗大化が原因の脆化や、変形ループの発生が
なく、さらに高い接合強度が確保できるという研究結果
を得たのである。
【0007】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、以下に金合金細線の成分組成を
上記の通りに限定した理由を説明する。
【0008】(a)セリウム族希土類元素 これらの成分には、細線の常温および高温引張強さを向
上させる均等的作用があるが、その含有量が0.000
3%未満では、所望の高い常温および高温引張強さを確
保することができず、一方0.010%を越えて含有さ
せると脆化がみられるようになって線引加工性などが劣
化するようになることから、その含有量を0.0003
〜0.010%と定めた。
【0009】(b)Be Be成分には、セリウム族希土類元素との共存におい
て、細線の軟化温度を高め、もってボンディング時の細
線自体の脆化並びに変形ループの発生を抑制すると共
に、ボンディングの接合強度を高め、さらに常温および
高温引張強さを一段と高める作用があるが、その含有量
が0.0001%未満では前記作用に所望の効果が得ら
れず、一方0.0060%を越えて含有させると、脆化
して線引加工性などが劣化するようになるばかりでな
く、ボンディング時の加熱温度で結晶粒界破断を起し易
くなることから、その含有量を0.0001〜0.00
60%と定めた。
【0010】
【実施例】つぎに、この発明の金合金細線を実施例によ
り具体的に説明する。
【0011】通常の溶解法によりそれぞれ表1に示され
る成分組成をもった金合金溶湯を調製し、鋳造した後、
公知の溝型圧延機を用いて圧延し、引続いて線引加工を
行なうことによって、直径:0.025mmφを有する本
発明金合金細線1〜29をそれぞれ製造した。
【0012】つぎに、この結果得られた本発明金合金細
線1〜29について、常温引張試験、および半導体素子
のボンディング時にさらされる条件に相当する温度:2
50℃,保持時間:30秒の条件での高温引張試験を行
ない、その試験結果を表2に示した。
【0013】また、上記本発明金合金細線1〜29を用
いて、ボンディングマシンにて半導体素子とリードフレ
ームとのボンディングを行ない、ボンディング後の接合
強度を測定すると共に、変形ループの発生の有無を観察
した。これらの結果も表2に示した。なお、表2には比
較の目的で同径の純金線の同一条件での試験結果も示し
た。
【0014】
【表1】
【0015】
【表2】
【0016】
【発明の効果】表1,2に示される結果から、本発明金
合金細線1〜29は、いずれも純金細線に比して一段と
高い常温および高温引張強さを示し、さらにボンディン
グ後の接合強度も著しく高いものになっており、変形ル
ープの発生も皆無であることが明らかである。
【0017】上述のように、この発明の金合金細線は、
きわめて高い常温および高温引張強さを有しているの
で、直径:0.05mmφ以下の細線への線引加工中、あ
るいはボンディング中に切断することがなく、また高い
軟化温度を有しているので、ボンディング時の結晶粒粗
大化に原因する脆化や変形ループの発生もなく、さらに
ボンディング時に強固な接合強度が確保できるなど工業
上有用な特性を有し、かつボンディングの高速化および
集積度の高密化を可能とするものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 La,Ce,Pr,Nd,およびSmか
    らなるセリウム族希土類元素のうちの1種または2種以
    上:0.0003〜0.010%を含有し、さらにB
    e:0.0001〜0.0060%を含有し、残りがA
    uと不可避不純物からなる組成(以上重量%)を有する
    ことを特徴とする半導体素子ボンディング用金合金細
    線。
JP3060831A 1991-01-29 1991-01-29 半導体素子ボンディング用金合金細線 Expired - Lifetime JPH0647699B2 (ja)

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GB2116208B (en) * 1981-12-04 1985-12-04 Mitsubishi Metal Corp Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
W.S.RAPSON、外1名著「GOLDUSAGE」(1978)ACADEMICPRESSP.292,293

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