JPS63247325A - 銅細線及びその製造方法 - Google Patents
銅細線及びその製造方法Info
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- JPS63247325A JPS63247325A JP62081791A JP8179187A JPS63247325A JP S63247325 A JPS63247325 A JP S63247325A JP 62081791 A JP62081791 A JP 62081791A JP 8179187 A JP8179187 A JP 8179187A JP S63247325 A JPS63247325 A JP S63247325A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器用途に用いられる銅細線に関し、特に
半導体製造に使用するボンディングワイヤーを安価に提
供するものである。
半導体製造に使用するボンディングワイヤーを安価に提
供するものである。
ＩＣやトランジスタ等の半導体の製造には３ｉデツプ上
に組まれた回路素子と外部の電源との接続や外部との情
報の交換を行なうために回路素子に接続したパッドと半
導体のリード間に線径１５〜１００μｍの金、アルミニ
ウムあるいはアルミニウム合金等の細線が用いられてい
る。
に組まれた回路素子と外部の電源との接続や外部との情
報の交換を行なうために回路素子に接続したパッドと半
導体のリード間に線径１５〜１００μｍの金、アルミニ
ウムあるいはアルミニウム合金等の細線が用いられてい
る。
上記細線のうちアルミニウムやアルミニウム合金は外部
電源もアルミニウム又はアルミニウム合金であるのでこ
れらの接続は同種金属同士で行なえるという利点を有し
、かつ安価ではあるがボールボンドが困難であるため、
生産性に劣る超音波を用いるウェッジボンドが行なわれ
ており、さらに耐食性に劣るため樹脂封止型半導体では
透湿水によりワイヤの腐食が生じるので専ら一部の気密
封止型半導体に使用されているだけである。
電源もアルミニウム又はアルミニウム合金であるのでこ
れらの接続は同種金属同士で行なえるという利点を有し
、かつ安価ではあるがボールボンドが困難であるため、
生産性に劣る超音波を用いるウェッジボンドが行なわれ
ており、さらに耐食性に劣るため樹脂封止型半導体では
透湿水によりワイヤの腐食が生じるので専ら一部の気密
封止型半導体に使用されているだけである。
一方金は耐食性に優れ、生産性の高いボールボンディン
グを利用できる等の利点を有しており、樹脂封止型の半
導体を中心に広く利用されている。しかし、素材である
金が著しく高価でおり、また電極パッドのアルミニウム
やアルミニウム合金と脆弱なＡＵ−Ａｉの金属間化合物
を形成したり、あるいは透湿水の存在下でアルミニウム
と電食対を形成してアルミニウムを腐食せしめる等によ
り、電気回路の断線を生じることが知られている。特に
半導体の高密度集積化によって発生する熱による温度上
昇やチップ面積の増大により透湿水経路の短縮とともに
多ピン化のための信頼性の大幅な低下が懸念されている
。
グを利用できる等の利点を有しており、樹脂封止型の半
導体を中心に広く利用されている。しかし、素材である
金が著しく高価でおり、また電極パッドのアルミニウム
やアルミニウム合金と脆弱なＡＵ−Ａｉの金属間化合物
を形成したり、あるいは透湿水の存在下でアルミニウム
と電食対を形成してアルミニウムを腐食せしめる等によ
り、電気回路の断線を生じることが知られている。特に
半導体の高密度集積化によって発生する熱による温度上
昇やチップ面積の増大により透湿水経路の短縮とともに
多ピン化のための信頼性の大幅な低下が懸念されている
。
このため最近鋼のワイヤが種々提案されているが、銅の
ワイヤはその変形能が金に対して劣り、パッド下にクラ
ックを生じたり、外部電極のアルミニウムとの接合が不
十分であるという問題点を生じている。特に高集積ＩＣ
では電極パッド下に５ｉＯｚ等の脆い絶縁層が存在する
例が多く、問題となっていた。
ワイヤはその変形能が金に対して劣り、パッド下にクラ
ックを生じたり、外部電極のアルミニウムとの接合が不
十分であるという問題点を生じている。特に高集積ＩＣ
では電極パッド下に５ｉＯｚ等の脆い絶縁層が存在する
例が多く、問題となっていた。
（問題点を解決するための手段〕
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、長期信頼性の面で
は脆弱な界面相の形成がＡＬＩの数分の１以下であり、
ボールボンディングにおいては電極パッドのＡ１との接
合性が良いのでボール浮き率が小ざく、ざらには低荷重
、低超音波出力を要求される高集積ＩＣにおいても良好
なボンディング特性が得られる銅細線及びその製造方法
を開発したものである。これにより、ＡＵに比べはるか
に安価で変形能に優れ、ワイヤ強度が高く、常温軟化に
よるループのダレを生じないワイヤの供給が可能となっ
た。
は脆弱な界面相の形成がＡＬＩの数分の１以下であり、
ボールボンディングにおいては電極パッドのＡ１との接
合性が良いのでボール浮き率が小ざく、ざらには低荷重
、低超音波出力を要求される高集積ＩＣにおいても良好
なボンディング特性が得られる銅細線及びその製造方法
を開発したものである。これにより、ＡＵに比べはるか
に安価で変形能に優れ、ワイヤ強度が高く、常温軟化に
よるループのダレを生じないワイヤの供給が可能となっ
た。
即ち、本発明銅細線はそれぞれ０．１〜ｉｏｏ。
ｐｐｍのＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｎを１種以
上とＺ ｒｏ、１〜２．５ｐｐｍを合計で０．２〜２０
００１）ｐｍ含み、残部Ｃｕからなることを特徴とする
ものである。
上とＺ ｒｏ、１〜２．５ｐｐｍを合計で０．２〜２０
００１）ｐｍ含み、残部Ｃｕからなることを特徴とする
ものである。
また本発明′ｔＡ造方決方法れぞれ０．１〜１１０００
ｐｐのＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｎを１種以上
とＺ ｒ０．１〜２．５ｐｐｍを合計で０．２〜２．５
ｐｐｍ含み、残部Ｃｕからなる合金を真空又は非酸化性
雰囲気下で鋳造し、得られた鋳塊を伸縮加工と焼鈍処理
を繰り返す銅細線の製造において、少なくとも最終加工
率を７０〜９９．９９％とし、かつ最終焼鈍により伸び
を２〜２０％とすることを特徴とするものである。
ｐｐのＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｎを１種以上
とＺ ｒ０．１〜２．５ｐｐｍを合計で０．２〜２．５
ｐｐｍ含み、残部Ｃｕからなる合金を真空又は非酸化性
雰囲気下で鋳造し、得られた鋳塊を伸縮加工と焼鈍処理
を繰り返す銅細線の製造において、少なくとも最終加工
率を７０〜９９．９９％とし、かつ最終焼鈍により伸び
を２〜２０％とすることを特徴とするものである。
（作 用〕
一般に半導体素子とインナーリード間を結ｔＳ”ｓには
ボールボンディングされる例が多い。これはボンディン
グワイヤの先端を水素炎又は放電により溶融してワイヤ
金属をボール状に形成したワイヤを適当なループ状に曲
げて外部電極とステッチ側に接合するものである。
ボールボンディングされる例が多い。これはボンディン
グワイヤの先端を水素炎又は放電により溶融してワイヤ
金属をボール状に形成したワイヤを適当なループ状に曲
げて外部電極とステッチ側に接合するものである。
このような加工を受けるボンディングワイヤに要求され
る特性は、溶融したボールが真球に近く偏芯していない
こと、ボールが電極であるアルミニウムパッドに容易に
接合すること、ワイヤのループが適当な高さを保つこと
及びステッチ側との接合が十分であることが必要である
。
る特性は、溶融したボールが真球に近く偏芯していない
こと、ボールが電極であるアルミニウムパッドに容易に
接合すること、ワイヤのループが適当な高さを保つこと
及びステッチ側との接合が十分であることが必要である
。
上記ワイヤ材質として銅は純度の向上により電気伝導性
、変形能が優れたものとはなるが、常温軟化し易くルー
プ状に曲げて接合した時にループのダレを生じ易いこと
、製造ロットによる特性のバラツキが生じ易いこと、さ
らにボールボンディング時に電極パッドのアルミニウム
と接合しない、いわゆるボール浮き現象を生じ易いこと
などの欠点を有している。
、変形能が優れたものとはなるが、常温軟化し易くルー
プ状に曲げて接合した時にループのダレを生じ易いこと
、製造ロットによる特性のバラツキが生じ易いこと、さ
らにボールボンディング時に電極パッドのアルミニウム
と接合しない、いわゆるボール浮き現象を生じ易いこと
などの欠点を有している。
本発明はこれらの欠点を解消するためＣｕにそれぞれｏ
、１〜ｉｏｏｏｐｐｍのＭｒｌ、ｃｏ、Ｎ ｉ。
、１〜ｉｏｏｏｐｐｍのＭｒｌ、ｃｏ、Ｎ ｉ。
Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｎを１種以上とＺ ｒｏ、１〜２．５ｐ
ｐｍを合計で０．２〜２０００ｐｐｍ添加したものであ
る。
ｐｍを合計で０．２〜２０００ｐｐｍ添加したものであ
る。
上記本発明銅細線によればチップの機械的損傷を防止す
るため低荷重、低超音波出力条件を要求される高集積Ｉ
Ｃのボールボンディングにおいても金に匹敵する以上の
ボンディング特性が得られる。
るため低荷重、低超音波出力条件を要求される高集積Ｉ
Ｃのボールボンディングにおいても金に匹敵する以上の
ボンディング特性が得られる。
しかして合金組成を上記の範囲に限定したのは、組成範
囲の下限未満のものは添加の効果がなく、上限を超える
ものはボール変形能が劣るからである。なおこの作用は
高純度の銅でより有効に発現できるので、その不純物は
少ないほど良く、銅純度は９９．９９９ｗｔ％以上、望
ましくは９９．９９９９ ｗｔ％以上が良好である。
囲の下限未満のものは添加の効果がなく、上限を超える
ものはボール変形能が劣るからである。なおこの作用は
高純度の銅でより有効に発現できるので、その不純物は
少ないほど良く、銅純度は９９．９９９ｗｔ％以上、望
ましくは９９．９９９９ ｗｔ％以上が良好である。
また銅細線については以上のボール及びステッチ側ボン
ディング性と共にループ形状やワイヤ強度が実用上重要
である。これらの特性にはワイヤの機械的特性が関与す
るけれども半導体の種類、ボンディング方式及び装置条
件によって要求される特性は異なる。しかしながら伸び
が著しく小さいとループ高さが大きくなりワイヤ間でシ
ョートを引き起こす原因となるばかりでなく、ワイヤ変
形能が小さくなりステッチボンディングを行なう際に高
荷重、高超音波出力を必要とするなどボンディング性低
下の原因となる。一方伸びが著しく大きいとループ高さ
が低くなりチップとの接触を招く危険があるばかりでな
く、ステッチボンディングでのワイヤの漬れが大きくな
りネック部が脆弱となり易く、ざらにボンディング後の
ワイヤ変形能が不均一となりボール形成が行なえない事
態となってしまう。従って上記ワイヤ強度等を実用的に
安定して有利に発現する必要があり、このためには製造
工程、特に最終伸縮工程での加工率が重要でおる。
ディング性と共にループ形状やワイヤ強度が実用上重要
である。これらの特性にはワイヤの機械的特性が関与す
るけれども半導体の種類、ボンディング方式及び装置条
件によって要求される特性は異なる。しかしながら伸び
が著しく小さいとループ高さが大きくなりワイヤ間でシ
ョートを引き起こす原因となるばかりでなく、ワイヤ変
形能が小さくなりステッチボンディングを行なう際に高
荷重、高超音波出力を必要とするなどボンディング性低
下の原因となる。一方伸びが著しく大きいとループ高さ
が低くなりチップとの接触を招く危険があるばかりでな
く、ステッチボンディングでのワイヤの漬れが大きくな
りネック部が脆弱となり易く、ざらにボンディング後の
ワイヤ変形能が不均一となりボール形成が行なえない事
態となってしまう。従って上記ワイヤ強度等を実用的に
安定して有利に発現する必要があり、このためには製造
工程、特に最終伸縮工程での加工率が重要でおる。
しかして本発明鋼細線の製造方法は、真空又は非酸化性
雰囲気下で前記組成の合金鋳塊ビレットを鋳造した後、
必要に応じて熱間加工を行ない、その後伸縮加工と焼鈍
とを繰返して少なくとも最終焼鈍前の最終加工率を７０
〜９９．９９％、より好ましくは９０〜９９゜９５％と
した後、１５０〜４００℃の温度で所定時間最終焼鈍を
施して伸びを２〜２０％、より好ましくは６〜１６％に
調整することにより優れた特性とするものである。なお
最終焼鈍により銅細線の特性を発現する代わりに最終焼
鈍を過剰に行なった後、１〜５％の加工率で伸縮加工を
行なって同様の伸びを得ることもよい。
雰囲気下で前記組成の合金鋳塊ビレットを鋳造した後、
必要に応じて熱間加工を行ない、その後伸縮加工と焼鈍
とを繰返して少なくとも最終焼鈍前の最終加工率を７０
〜９９．９９％、より好ましくは９０〜９９゜９５％と
した後、１５０〜４００℃の温度で所定時間最終焼鈍を
施して伸びを２〜２０％、より好ましくは６〜１６％に
調整することにより優れた特性とするものである。なお
最終焼鈍により銅細線の特性を発現する代わりに最終焼
鈍を過剰に行なった後、１〜５％の加工率で伸縮加工を
行なって同様の伸びを得ることもよい。
（実施例〕
本発明を実施例に基づき詳しく説明する。
実施例■
真空溶解炉を用いて純度９９．９９９６％の純銅に添加
元素を加えて第１表に示す組成の合金を溶解し、２５＃
角Ｘ１４０ｍの鋳塊ビレットを鋳造した。該ビレットを
面削後直径２０ｍＸ長ざ１００ Ｍとした後、熱間圧延
により直径約１１０１ｒＩとし、しかる後直径８ｍとな
るまで皮剥きを入れて伸縮を行なった。
元素を加えて第１表に示す組成の合金を溶解し、２５＃
角Ｘ１４０ｍの鋳塊ビレットを鋳造した。該ビレットを
面削後直径２０ｍＸ長ざ１００ Ｍとした後、熱間圧延
により直径約１１０１ｒＩとし、しかる後直径８ｍとな
るまで皮剥きを入れて伸縮を行なった。
ざらに９２％の加工率で伸縮加工と３５０℃で真空焼鈍
を繰り返して直径２５μｍのワイヤを得た。
を繰り返して直径２５μｍのワイヤを得た。
最後にアルゴン雰囲気中２５０〜４００℃の温度に保持
した走間焼鈍炉で焼鈍を行ない、伸びを約１５％前後と
したワイヤを製造した。各合金ワイヤの機械的特性とし
て破断強度（Ｂｉと略記）及び伸び（Ｅｉと略記〉の測
定値を第１表に併記した。なおワイヤ中の酸素量はいず
れの合金においても５ ｐｐｍ以下であった。
した走間焼鈍炉で焼鈍を行ない、伸びを約１５％前後と
したワイヤを製造した。各合金ワイヤの機械的特性とし
て破断強度（Ｂｉと略記）及び伸び（Ｅｉと略記〉の測
定値を第１表に併記した。なおワイヤ中の酸素量はいず
れの合金においても５ ｐｐｍ以下であった。
このように作製したワイヤを１０％Ｈ２−Ｎ２雰囲気中
にて、荷重３５９、超音波出力０．０２Ｗ、時間３０ｍ
５ｅｃ、ステージ温度２７５℃のボンディング条件でマ
ニュアル型のワイヤボンダーにてボールボンドを行ない
次の項目について比較試験を行ない、その結果を第２表
に示した。
にて、荷重３５９、超音波出力０．０２Ｗ、時間３０ｍ
５ｅｃ、ステージ温度２７５℃のボンディング条件でマ
ニュアル型のワイヤボンダーにてボールボンドを行ない
次の項目について比較試験を行ない、その結果を第２表
に示した。
（１）ボールの形状（真球度、偏芯度）（２）ボールの
歪（ボールアップ直後のボールの径と押し潰した後のボ
ール径との比較）（３）ボール浮き（Ｓｉウェハ上に蒸
着した１μｍ厚のＡ１にボールボンドした時の接合不成
功率） （４）チップ割れ （５）接合ワイヤ破断率（ポンディング後ワイヤプル試
験を行なった時の破断の部位が接合部かワイヤ切れかを
表わし、ワイヤ切れの割合で示す） （６）ループ形状（ボンディング後のループの形状〉 なお上記（５）及び（６）の項目については基材として
０．２５１Ｍｔ厚ざでメッキレスのＣｕ−０・１５％Ｑ
ｒ−０，１％Ｓｎ合金条を用いた。
歪（ボールアップ直後のボールの径と押し潰した後のボ
ール径との比較）（３）ボール浮き（Ｓｉウェハ上に蒸
着した１μｍ厚のＡ１にボールボンドした時の接合不成
功率） （４）チップ割れ （５）接合ワイヤ破断率（ポンディング後ワイヤプル試
験を行なった時の破断の部位が接合部かワイヤ切れかを
表わし、ワイヤ切れの割合で示す） （６）ループ形状（ボンディング後のループの形状〉 なお上記（５）及び（６）の項目については基材として
０．２５１Ｍｔ厚ざでメッキレスのＣｕ−０・１５％Ｑ
ｒ−０，１％Ｓｎ合金条を用いた。
第１表及び第２表かられかるように本発明材（Ｎｏ、
１〜Ｎｏ、 ６ ＞はすべてのボンディング特性が良好
であり、ＡＵ細線を用いた従来材（Ｎα１３）と比べて
も同等あるいはそれ以上の特性を有しているのがわかる
。これに対し、Ｚｒ含有量がｏ、 ｉｐｐｍ未満の比較
材（Ｎ（１７）、Ｍｎ含有量が０、 ｌｐｐｍ未満の比
較材（Ｎα８）及び純銅のみからなる比較材（Ｎα１２
）はいずれも本発明材と同等レベルの変形能を有するが
、常温軟化し易いためループ形状が劣り、ボール浮き率
が大きくアルミニウムパッドとの接合性が悪い。またＺ
ｒ含有量が２．５ｐｐｍを越える比較材（Ｎ（１９＞、
Ｎｉ含有量が１０００ｐｐｍを越える比較材（Ｎα１０
）及び添加元素合計の含有量が２０００ｐｐｍを越える
比較材（Ｎα１１）は変形能が小さく、チップ割れを生
じ、ループ形状及びステッチボンド性が劣っていること
がわかる。
１〜Ｎｏ、 ６ ＞はすべてのボンディング特性が良好
であり、ＡＵ細線を用いた従来材（Ｎα１３）と比べて
も同等あるいはそれ以上の特性を有しているのがわかる
。これに対し、Ｚｒ含有量がｏ、 ｉｐｐｍ未満の比較
材（Ｎ（１７）、Ｍｎ含有量が０、 ｌｐｐｍ未満の比
較材（Ｎα８）及び純銅のみからなる比較材（Ｎα１２
）はいずれも本発明材と同等レベルの変形能を有するが
、常温軟化し易いためループ形状が劣り、ボール浮き率
が大きくアルミニウムパッドとの接合性が悪い。またＺ
ｒ含有量が２．５ｐｐｍを越える比較材（Ｎ（１９＞、
Ｎｉ含有量が１０００ｐｐｍを越える比較材（Ｎα１０
）及び添加元素合計の含有量が２０００ｐｐｍを越える
比較材（Ｎα１１）は変形能が小さく、チップ割れを生
じ、ループ形状及びステッチボンド性が劣っていること
がわかる。
実施例■
実施例■の合金Ｎα２と同一の合金組成の鋳塊ビレット
を用いて実施例■と同一の工程で最終伸縮加工率を８０
．９９．９５ 、９９．９９％としたワイヤを得、最終
焼鈍温度を変化させて種々の伸びのものを製造した。こ
れらのワイヤについて０．２５ｍ厚さでメッキレスのＣ
ｕ−０，１５％Ｃｒ０．１％Ｓｎ合金条を基材にボール
ボンディング後、ワイヤプル試験を実施して接合ワイヤ
破断率を求め、その結果を第１図に示した。
を用いて実施例■と同一の工程で最終伸縮加工率を８０
．９９．９５ 、９９．９９％としたワイヤを得、最終
焼鈍温度を変化させて種々の伸びのものを製造した。こ
れらのワイヤについて０．２５ｍ厚さでメッキレスのＣ
ｕ−０，１５％Ｃｒ０．１％Ｓｎ合金条を基材にボール
ボンディング後、ワイヤプル試験を実施して接合ワイヤ
破断率を求め、その結果を第１図に示した。
第１図から明らかなように線材の伸縮加工率が高加工率
であっても線材の伸びが２〜２０％の範囲で良好な接合
強度、即ちボンディング特性が得られることがわかる。
であっても線材の伸びが２〜２０％の範囲で良好な接合
強度、即ちボンディング特性が得られることがわかる。
このように本発明によれば、安価な材料から成るボンデ
ィングワイヤで良好なボンディング特性と高い信頼性が
得られる等工業上顕著な効果を奏するものである。
ィングワイヤで良好なボンディング特性と高い信頼性が
得られる等工業上顕著な効果を奏するものである。
第１図はＣｕ−０，１５％０ｒ−０，１％Ｓｎ合金条に
ボールボンドしたワイヤの破断率をワイヤの最終伸縮加
工率と伸びに対して測定した実測図を示す。 第１図 ワイヤ伸び（％）
ボールボンドしたワイヤの破断率をワイヤの最終伸縮加
工率と伸びに対して測定した実測図を示す。 第１図 ワイヤ伸び（％）
Claims (5)
- （１）それぞれ０．１〜１０００ｐｐｍのＭｎ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｎを１種以上とＺｒ０．１〜２．
５ｐｐｍを合計で０．２〜２０００ｐｐｍ含み、残部Ｃ
ｕからなることを特徴とする銅細線。 - （２）残部のＣｕが純度９９．９９９ｗｔ％以上である
特許請求の範囲第１項記載の銅細線。 - （３）それぞれ０．１〜１０００ｐｐｍのＭｎ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｎを１種以上とＺｒ０．１〜２．
５ｐｐｍを合計で０．２〜２０００ｐｐｍ含み、残部Ｃ
ｕからなる合金を真空又は非酸化性雰囲気下で鋳造し、
得られた鋳塊を伸縮加工と焼鈍処理を繰り返す銅細線の
製造において、少なくとも最終加工率を７０〜９９．９
９％とし、かつ最終焼鈍により伸びを２〜２０％とする
ことを特徴とする銅細線の製造方法。 - （４）残部のＣｕの純度が９９．９９９ｗｔ％以上であ
る特許請求の範囲第３項記載の銅細線の製造方法。 - （５）最終焼鈍後に加工率１〜５％の加工を施すことに
より伸びを２〜２０％とする特許請求の範囲第３項又は
第４項記載の銅細線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081791A JPS63247325A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 銅細線及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081791A JPS63247325A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 銅細線及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63247325A true JPS63247325A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13756312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62081791A Pending JPS63247325A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 銅細線及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63247325A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2447380A1 (en) * | 2009-06-24 | 2012-05-02 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | Copper alloy bonding wire for semiconductor |
| EP3086362A4 (en) * | 2015-02-26 | 2017-05-31 | Nippon Micrometal Corporation | Bonding wire for semiconductor devices |
| US10950570B2 (en) | 2014-04-21 | 2021-03-16 | Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd. | Bonding wire for semiconductor device |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP62081791A patent/JPS63247325A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2447380A1 (en) * | 2009-06-24 | 2012-05-02 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | Copper alloy bonding wire for semiconductor |
| EP2447380A4 (en) * | 2009-06-24 | 2012-12-05 | Nippon Steel Materials Co Ltd | COPPER ALLOY CONNECTING WIRE FOR SEMICONDUCTOR |
| US9427830B2 (en) | 2009-06-24 | 2016-08-30 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Copper alloy bonding wire for semiconductor |
| US10950570B2 (en) | 2014-04-21 | 2021-03-16 | Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd. | Bonding wire for semiconductor device |
| EP3086362A4 (en) * | 2015-02-26 | 2017-05-31 | Nippon Micrometal Corporation | Bonding wire for semiconductor devices |
| US10032741B2 (en) | 2015-02-26 | 2018-07-24 | Nippon Micrometal Corporation | Bonding wire for semiconductor device |
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