JPS6365037A - 銅細線とその製造方法 - Google Patents

銅細線とその製造方法

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JPS6365037A
JPS6365037A JP61208895A JP20889586A JPS6365037A JP S6365037 A JPS6365037 A JP S6365037A JP 61208895 A JP61208895 A JP 61208895A JP 20889586 A JP20889586 A JP 20889586A JP S6365037 A JPS6365037 A JP S6365037A
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JP
Japan
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wire
ball
annealing treatment
bonding
copper wire
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Pending
Application number
JP61208895A
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English (en)
Inventor
Toru Tanigawa
徹 谷川
Shoji Shiga
志賀 章二
Masaaki Kurihara
正明 栗原
Kozo Okuda
耕三 奥田
Ichiro Kaga
加賀 一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FURUKAWA TOKUSHU KINZOKU KOGYO KK
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
FURUKAWA TOKUSHU KINZOKU KOGYO KK
Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明体、電子機器用途に用いられる銅細線に関し、特
に半導体製造に用いられるボンディングワイヤに関する
(従来の技術) ICやトランジスタ等の半導体の製造において、Siチ
ップ上の回路素子と外部の電源への接続や、外部との情
報のやりとりを行うために、回路素子に接続したパッド
と、半導体のリード間に線径15へ100μmの金やア
ルミニウムあるいはアルミニウム合金等の細線が用いら
れている。
(発明が解決しようとする問題点) このうち、アルミニウムやアルミニウム合金は電源との
接合は同種金属で行える利点を有し、安価であるけれど
もボールボンドか困難であり、生産性に劣る超音波を用
いるウェッジボンドが行われているのみならず、さらに
耐食性に劣るために、樹脂対比型の半導体では透湿水に
よるワイヤの腐食が生じるので、一部の気密封止型半導
体に専ら使用されている。
一方、金は耐食性に優れ、生産性の高いボールボンディ
ングを利用できる等の利点を有し、樹脂封1hffiの
半導体を中心に広く利用されている。しかしながら、素
材である金が著しく高価であるばかりか、電極バッドの
アルミニウムやアルミニウム合金と脆弱なA1−Auの
金属間化合物を形成したり、あるいは透湿水の存在下で
アルミニウムと電食対を形成してアルミニウムを腐食せ
しめる等により、電気回路の断線を生じることが知られ
ている。特に半導体の高度集積化によって熱発生による
温度上昇やチップ面積の増大による通温水経路の短縮と
ともに多ピン化による信頼性の大幅な低下が懸念される
このために金に代替でき、かつ、特性的にも金に劣らな
いワイヤの開発が望まれていた。
このために、銅のワイヤが提案されているけれども、そ
の変形1tが金に劣り、バッド下にクラックを生じたり
、電極のアルミニウムとの接合か不十分であるという問
題点を生じている。特に高集積ICでは、電極バッド下
に5102kgの脆い絶縁層が存在する例が多く、金に
匹敵するかまたはそれ以上の変形能を有する銅ワイヤの
開発か期待されていた。
(問題点を解決するための手段) 本発明は上記に鑑みて鋭意検討の結果成されたものてあ
り、Na、K、Rb、Cs、Sr、Ba、Ga、Tl、
Mo及びWから成る群から選ばれた少なくとも1種の元
素を0.1〜2000ppm含有し、残部Cuから成る
ことを特徴とする銅細線及び真空または非酸化性雰囲気
下で鋳造されたNa、K、Rb、Cs、Sr、Ba、G
a%TIL。
Mo及びWから成る群から選ばれた少なくとも1種の元
素を0.1〜2000ppm含有し、残部Cuから成る
鋳塊を、伸線加工と焼鈍処理を繰り返して所定の線径に
するに当り、少なくとも最終加工率を70〜99.99
%とし、焼鈍処理により2〜20%の伸びとすることを
特徴とする銅細線の製造方法を提供するものである。
本発明の銅細線の製造は、非酸化性雰囲気、もしくは真
空中で前記組成の銅合金の鋳塊ビレットを鋳造した後、
必要に応じて熱間加工を行い、その後伸線加工と焼鈍を
繰り返して所定線径とした後、最終焼鈍を行って所定の
性能とする工程により行うことができる。この際少なく
とも焼鈍前の最終加工率を70〜99.99%、好まし
くは90〜99.95%とし、さらに150〜400°
Cの温度で所定時間焼鈍して伸びを2〜20%、好まし
くは6へ16%に31整すると、より優れた特性とする
ことができる。また、焼鈍により細線の特性を発現する
代わりに、過剰に焼鈍した後、1〜5%の加工率の伸線
加工を行って同様の特性としてもよい。
半導体素子とインナーリード間のワイヤボンディングは
ポールボンディングされる例が多い。
ポールボンディングにおいて、細線はH2炎又は放電に
より先端をメルトしてボールを形成されるがボールが真
球に近く偏芯していないこと、ボールが電極であるアル
ミニウムバッドに容易に接合すること、ワイヤのループ
が適当な高さを保持すること、ステッチ側の接合が十分
であること等が必要とされる。
銅は純度の向上により、変形能が優れたものとできるけ
れども、常温軟化し易くループのダレを生じたりするこ
と、ロフトによる特性のバラツキを生じ易いこと、また
ボールボンディング時に電極バッドのアルミニウムと接
合しない、ボール浮き現象を生じ易いことなどの欠点を
有していた。
本発明によれば、Na、K、Rb、Cs、Sr。
Ba、Ga、7文、Mo及びWから成る群から選ばれた
少なくとも1種の元素をO,1〜2000ppm添加す
ることにより上記欠点を解消できるばかりでなく、チッ
プの機械的損傷を防止するため低荷重、低超音波出力条
件を要求される高集積ICのボールボンディングにおい
ても金に匹敵する以上のボンディング特性が得られる。
この添加元素の作用は前記濃度範囲て有利に発現できる
また以上の作用は高純度の銅でより有効に発現できるの
で、その不純物は少ないほど良く、銅純度99.999
%以上、望ましくは99.9999%以上が良い。
銅細線については以上のボール及びステッチ側ボンディ
ング性と共にループ形状やワイヤ強度が実用的に重要で
ある。これらの特性には、ワイヤの機械的特性が関与す
るけれども半導体の種類や、ボンディング方式及び装置
条件によって要求される特性は異なる。しかしながら、
伸びが著しく小さいと、ループ高さが大きくなり、ワイ
ヤ間でのショートを引起こす原因となる他、ワイヤ変形
涜が小さく、ステッチボンドを行うに高荷重、高超音波
出力を必要とするほど、ボンディング性が低下する。一
方、伸びが著しく大きいと、ループ高さか低くなり、チ
ップとの接触を招く危険がある他、ステッチボンドでの
ワイヤ漬れが大きくなり、ネック部が脆弱となり易い、
また、ボンド後のワイヤテイルが不均一となり、ボール
形成が行えない事態が生じることとなる。
このため、前記の機械的特性が実用上有効である。これ
らの特性を実用的に安定して有利に発現するためには、
製造工程、特に最終伸線工程での加工率が特に重要であ
り、前記加工範囲が必要とされる。
(実施例) 次に本発明を実施例に基づきさらに詳しく説明する。
実施例1 真空溶解炉を用いて99.9996%の純銅に添加元素
を加え第1表の実験No、1〜19に示した合金組成の
鋳塊(25tsx、140m■)ビレットを鋳造した。
このビレットを面出して約201■(直径)xloom
■(長さ)とした後、熱間圧延で直径約10m墓とし、
その後直径8−■まで皮ムキを入れて伸線な行った。
さらに92%の加工率での伸線と、350℃での真空焼
鈍を繰り返して、直径25gmのワイヤとした。最後に
アルゴン雰囲気中250〜400°Cの温度とした走間
焼鈍炉で焼鈍を行い、伸び約15%前後にしたワイヤを
製造した。この実験No、l〜19で得られたワイヤの
機械的特性を第2表に示した。同表中Blは破断強度、
Elは伸びである。
ワイヤ中の酸素量はいずれも5ppm以下であった。
これらのワイヤをlO%H2−N2雰囲気中で、ボンデ
ィング条件を、荷重35g、超音波出力0.02W、時
間30 m s e c、ステージ温度275℃として
マニュアル型のワイヤボンダーでボールボンドを行い、
次の項目について比較試験した。
l)ボールの形状(真球度、偏芯) 2)ボールの歪(ボールアップ直後のボールの径と押潰
した後のボール径との比較) 3)ボール浮き(Siウェハ上に蒸着した1gm厚のA
nにボールボンドした時の接合不成功率) 4)チップ割れ 5)接合ワイヤ破断モード(ボンディング後ワイヤプル
試験を行った時の破断の部位が接合部かワイヤ切れかを
みる。ワイヤ切れの割合(%)で示す、) 6)ループ形状(ボンディング後のループの形状) なお、5)、6)の項目については基材とじてメッキレ
スのCu−0,15Cr−0,1sn合金条(0,25
鳳聰厚)を用いた。
この結果を第2表に示した。同表の結果より本発明のワ
イヤはボンディング特性が優れるのに対して実験No、
14(1!添加)や実験NO,15〜18(過剰添加)
は同じレベルのボール変形滝な有するけれども、ボール
浮き率か大きいこと。
ループ形状が適当でないことがわかる。また微量添加(
実験No−4〜12)は無添加(実験No。
14)のワイヤに対してボール浮き率が小さいことがわ
かる。
実施例2 実施例1の実験No、2と同じ合金組成の鋳塊ビレット
を用いてワイヤを製造した。この場合最終伸線加工率を
80.99.95.99.97%とするとともに、焼鈍
温度を変えて種々の伸びのものを作った以外は実施例1
と同様にして行った。
これらワイヤについて実施例1の条件でメッキレスのC
u−0,15Cr−0,1Sn合金条(0,25mm厚
)にボールボンドを行い、そのプル試験を実施して、ワ
イヤ破断モードの割合を求めた。
結果を第1図に示した。
同図の結果より高加工率でも、2〜20%の範囲内で良
好なボンディング特性が得られることがわかる。
(発明の効果) 本発明の銅細線は変形歯が優れるばかりでなく、ワイヤ
強度が高く、常温軟化せず、ループのダレを生じない、
またボールの形状が良好でボールボンディングにおいて
電極パッドのアルミニウムとの接合性がよく、ボール浮
き率が大きいという優れた効果を奏する。
さらに本発明の銅細線によれば、チップの機械的損傷を
防止できるため低荷重、低超音波出力条件を要求される
高4JIIkICのボールボンドにおいても金に匹敵す
る以上のボンディング特性が得られる。
本発明によれば安価な銅線を用いて金線を有利に代替で
きる。
本発明は、高純度Cuの特性を追求して得られた成果で
あり、上記の効果のほか長期の信頼性については、前述
の如<AfL/Auは固相拡散して脆弱な界面相を形成
し、パープルプラーグ現象を起こし易いが、A1−Cu
はこれに比して数分の1以下であることが知られており
、この意味でも効果は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図はCu−0,15cr−0,ISn条にボールボ
ンドしたワイヤの破断モード中、正常なワイヤ切れの割
合を、ワイヤの最終伸線加工率と伸びについて比較した
結果である。 特許出願人 古河電気工業株式会社 第  1  図 ワイヤ伸び(%)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Na、K、Rb、Cs、Sr、Ba、Ga、Tl
    、Mo及びWから成る群から選ばれた少なくとも1種の
    元素を0.1〜2000ppm含有し、残部Cuから成
    ることを特徴とする銅細線。
  2. (2)残部のCuが純度99.999重量%以上のCu
    である特許請求の範囲第1項記載の銅細線。
  3. (3)真空または非酸化性雰囲気下で鋳造されたNa、
    K、Rb、Cs、Sr、Ba、Ga、Tl、Mo及びW
    から成る群から選ばれた少なくとも1種の元素を0.1
    〜2000ppm含有し、残部Cuから成る鋳塊を、伸
    線加工と焼鈍処理を繰り返して所定の線径にするに当り
    、少なくとも最終加工率を70〜99.99%とし、焼
    鈍処理により2〜20%の伸びとすることを特徴とする
    銅細線の製造方法。
  4. (4)焼鈍処理後に1〜5%の加工を加えて2〜20%
    の伸びとする特許請求の範囲第3項記載の銅細線の製造
    方法。
JP61208895A 1986-09-05 1986-09-05 銅細線とその製造方法 Pending JPS6365037A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004091907A (ja) * 2002-09-04 2004-03-25 Dept Corp 電子部品用金属材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法、電子部品の製造方法及び電子光学部品

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004091907A (ja) * 2002-09-04 2004-03-25 Dept Corp 電子部品用金属材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法、電子部品の製造方法及び電子光学部品

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