JPH0520494B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0520494B2
JPH0520494B2 JP59139109A JP13910984A JPH0520494B2 JP H0520494 B2 JPH0520494 B2 JP H0520494B2 JP 59139109 A JP59139109 A JP 59139109A JP 13910984 A JP13910984 A JP 13910984A JP H0520494 B2 JPH0520494 B2 JP H0520494B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
conductivity
ball
bonding
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59139109A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6120694A (ja
Inventor
Shigemi Yamane
Koichiro Atsumi
Tetsuo Ando
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP59139109A priority Critical patent/JPS6120694A/ja
Publication of JPS6120694A publication Critical patent/JPS6120694A/ja
Publication of JPH0520494B2 publication Critical patent/JPH0520494B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026Alloys based on copper
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/302Cu as the principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01007Nitrogen [N]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0103Zinc [Zn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0104Zirconium [Zr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕 本発明は、銅系ボンデイングワイヤーに関す
る。 〔発明の技術的背景及びその問題点〕 ICやLSI等の半導体素子の内部では、例えば、
図面に示すように、半導体チツプ1及びリードフ
インガー2が設けられており、これらを線径10〜
100μ程度のボンデイングワイヤー3で結ぶ構造
となつている。 このボンデイングワイヤー3の接合方法として
は、まずワイヤーの先端をボール状に加熱溶融さ
せ、次にこのボール状の先端を半導体チツプ1に
圧接し、更に弧を描くようにワイヤーを延ばし、
300〜350℃に加熱されたリードフインガー2にワ
イヤーの一部を再度圧接し、切断することによ
り、半導体チツプ1とリードフインガー2とを結
線するものである。 この種のボンデイングワイヤーとして導電性、
ワイヤー伸び、ワイヤー強度、半導体チツプとの
接合強度(以下ボール接合強度と称す。)及びボ
ール形成性が要求されており、従来から主に金線
が使用されている。 しかし、近年、価格及び導電性の点からボンデ
イングワイヤーとして、銅線を用いる試みがなさ
れているが、銅線を用いて熱圧接を行なうと、ボ
ール接合強度が十分出ない場合がしばしばあり、
一方、この点を改善しようとすると、導電性が低
下し、双方の特性を満足する銅リードワイヤーが
得られなかつた。 〔発明の目的〕 本発明は、ボール接合強度が良好でかつ導電性
が良好な銅リードワイヤーを提供することを目的
とする。 〔発明の概要〕 本発明者らは、ボンデイングワイヤーについて
鋭意研究した結果、ボンデイング強度の低下は、
主に形成されたボール中のガスにより生じること
を見い出した。 即ち、半導体チツプ上にこのボールが圧接され
た際、ガスによる空洞が接合部に位置し、接合強
度を低下させること及びこの現象は特に銅線で発
生しやすいことを見い出した。 本発明は、これらの知見をもとに完成されたも
のである。 本発明は、Be,Sn,Zn,Zr,Ag,Cr及びFe
から選択された1種又は2種以上の元素を0.001
重量%以上、0.1重量%未満含有し、残部が実質
的に銅であるボンデイングワイヤーを提供する。 即ち、これら添加元素は、合金中のH,O,
N,Cを固定し、H2,O2,N2及びCOガスの発
生を抑制する。 しかし、これらの添加量が多すぎると、導電性
を低下させ、一方少なすぎると、効果が生じにく
い。したがつて、上記添加元素の成分範囲は
0.001〜0.1重量%未満、更には0.01〜0.05重量%
が好ましい。 上記添加元素のうちでも、Ag,Zr及びCrは、
導電性をあまり低下させず、ガス発生防止効果が
高い。しかし、これらの添加量も多すぎると、導
電性を低下させ、一方少なすぎると、効果が生じ
にくい。したがつて、その成分範囲は0.005〜
0.08重量%、更には0.007〜0.05重量%が好まし
い。なお、本発明のワイヤーは被覆されて使用さ
れてもよい。 以上述べたワイヤーの製造方法を次に述べる。
まず、成分元素を添加して溶解鋳造してインゴツ
トを得、次にこのインゴツトを700〜800℃で熱間
加工し、その後900〜960℃で熱処理し、急冷後、
60%以上の冷間加工を施し、400〜600℃で熱処理
を施す。それにより、所望のワイヤーが得られ
る。 〔発明の実施例〕 本発明の実施例について説明する。第1表に示
す成分のリードワイヤーを製造し、その特性とし
て、導電性、初期ボール硬度、ワイヤーの伸び、
ワイヤー強度、ボール接合強度及びボール形成性
を測定した。 初期ボール硬度は、ボール圧着時の硬度をい
い、硬度が低いほど、圧着性は良好となる。 又、ワイヤーの伸びは、ワイヤーが破断する迄
の伸びをいい、伸びが大きいほど、断線率が低
い。 又、ボール接合強度は、熱圧着されているリー
ドワイヤーの接合部に、つり針状のカギをかけ、
真横に引つぱつて、接合部をせん断破壊させるま
での荷重(gf)を測定することにより、得られ
る。 又、ボール形成性は、ワイヤーの先端がボール
状に溶融した際、酸化するかどうか、空洞ができ
るかどうか、ボールの径のバラツキが大きいか小
さいかという事を測定することにより、判断され
る。 まず、導電性に関しては、実施例(1)〜(5)及び比
較例(1)がAu線より高い導電性を示し、極めて有
用である。 又、初期ボール硬度に関しては、実施例(1)〜(5)
及び比較例(4)がビツカース硬度90以下を示し、実
用的である。 又、ワイヤーの伸びに関しては、実施例(1)〜(5)
及び比較例(1),(3)がAu線より大きい伸びを示し、
有用である。 又、ワイヤー強度に関しては、実施例(1)〜(5)及
び比較例(1)〜(3)がAu線より大きい強度を示し、
有用である。 又、ボール接合強度に関して、実施例(1)〜(5)及
び比較例(2)〜(4)は、接合強度が65(gf)以上であ
り、実用的である。 又、ボール形成性は、すべて良好である。 以上の各特性を総合的に考慮すると、本発明の
実施例(1)〜(5)は比較例(1)〜(4)に比べて、優れてい
る。
〔発明の効果〕
本発明は、Be,Sn,Zn,Zr,Ag,Cr及びFe
から選択された1種又は2種以上の元素を0.001
重量%以上、0.1重量%未満含有させることによ
り、ボール接合強度が良好でかつ導電性が良好な
銅系リードワイヤーを提供できる。
【図面の簡単な説明】
図面は、半導体素子の一部切り欠き斜視図であ
る。 1……半導体チツプ、2……リードフインガ
ー、3……ボンデイングワイヤー、4……樹脂モ
ールド。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Be,Sn,Zn,Zr,Ag,Cr及びFeから選択
    された1種又は2種以上の元素を0.001重量%以
    上、0.1重量%未満含有し、残部が実質的に銅で
    あるボンデイングワイヤー。 2 Ag,Cr及びZrから選択された1種又は2種
    以上の元素を0.005〜0.08重量%含有し、残部が
    実質的に銅である特許請求の範囲第1項に記載の
    ボンデイングワイヤー。
JP59139109A 1984-07-06 1984-07-06 ボンデイングワイヤ− Granted JPS6120694A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59139109A JPS6120694A (ja) 1984-07-06 1984-07-06 ボンデイングワイヤ−

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59139109A JPS6120694A (ja) 1984-07-06 1984-07-06 ボンデイングワイヤ−

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6117381A Division JPH07138678A (ja) 1994-05-09 1994-05-09 半導体装置
JP6117403A Division JPH07138679A (ja) 1994-05-09 1994-05-09 ボンディングワイヤー

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6120694A JPS6120694A (ja) 1986-01-29
JPH0520494B2 true JPH0520494B2 (ja) 1993-03-19

Family

ID=15237693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59139109A Granted JPS6120694A (ja) 1984-07-06 1984-07-06 ボンデイングワイヤ−

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6120694A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6199645A (ja) * 1984-10-20 1986-05-17 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体素子のボンデイング用銅線
JPS6199646A (ja) * 1984-10-20 1986-05-17 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体素子のボンデイング用銅線
JPS61113740A (ja) * 1984-11-09 1986-05-31 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体素子のボンデイング用銅線
JPH0785484B2 (ja) * 1986-07-16 1995-09-13 株式会社東芝 半導体装置
JPH02243733A (ja) * 1989-03-15 1990-09-27 Fujikura Ltd 銅合金線材
JP2505056B2 (ja) * 1990-06-05 1996-06-05 アイシン化工株式会社 カップリングファンの取付構造
JPH0441919A (ja) * 1990-06-05 1992-02-12 Aisin Chem Co Ltd カップリングファンの取付構造
SG190480A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-28 Heraeus Materials Tech Gmbh 3n copper wire with trace additions for bonding in microelectronics device
SG190479A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-28 Heraeus Materials Tech Gmbh Secondary alloyed 1n copper wire for bonding in microelectronics device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60124960A (ja) * 1983-12-09 1985-07-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子結線用線

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60124960A (ja) * 1983-12-09 1985-07-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子結線用線

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6120694A (ja) 1986-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0520493B2 (ja)
JPH0547608B2 (ja)
JPH0547609B2 (ja)
JPH0520494B2 (ja)
JPS62278241A (ja) ボンデイングワイヤ
JPS62127438A (ja) 半導体素子用ボンディング線
JPH0572750B2 (ja)
JP2501306B2 (ja) 半導体装置
JPS63235440A (ja) 銅細線及びその製造方法
JPH0555580B2 (ja)
JPH0770674A (ja) 半導体装置
JPS6030158A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPH0123540B2 (ja)
JPS5816041A (ja) 高張力Au合金細線
JPH0464121B2 (ja)
JPS63238232A (ja) 銅細線とその製造法
JPH07138678A (ja) 半導体装置
JPS5965439A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPH02250934A (ja) 半導体素子ボンディング用Au合金極細線
JPS62142734A (ja) 半導体装置
JPH07138679A (ja) ボンディングワイヤー
JPS6030159A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPH06112257A (ja) 半導体素子用Pt合金極細線
JPH0770673A (ja) 半導体装置
JPH02251155A (ja) 半導体素子用金合金細線及びその接合方法