JPS5965439A - ボンデイングワイヤ− - Google Patents

ボンデイングワイヤ−

Info

Publication number
JPS5965439A
JPS5965439A JP57175498A JP17549882A JPS5965439A JP S5965439 A JPS5965439 A JP S5965439A JP 57175498 A JP57175498 A JP 57175498A JP 17549882 A JP17549882 A JP 17549882A JP S5965439 A JPS5965439 A JP S5965439A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gold
purity
strontium
wire
content
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57175498A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0131691B2 (ja
Inventor
Yutaka Kato
豊 加藤
Kunio Watanabe
邦夫 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP57175498A priority Critical patent/JPS5965439A/ja
Publication of JPS5965439A publication Critical patent/JPS5965439A/ja
Publication of JPH0131691B2 publication Critical patent/JPH0131691B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01038—Strontium [Sr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01204—4N purity grades, i.e. 99.99%

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 続に用いられるボンデイングワイヤーに関する。
半導体装置の組立において、半導体素子と外部リードを
金属線でボンデイングする方式が一般的である。このよ
うな金属線として金線及びアルミニウム線が用いられ、
前者は熱圧着で、後者は超音波でボンティングされてい
る。金線を用いる熱圧着ボンディングの工程は大略、（
ｉ）ボンデインクキャピラリーを通した金線の先端を電
気的に又は水素炎により熔融してボールを形成する過程
、（ｉＩ）該ボールを半導体素子上の電極にキヤビンＩ
Ｊ　−て押し伺けて接合せしめるボールセンド過程、（
ｔｉｌｌキャピラリーを移動して金線ループを形成した
後、外部リード上に金線を押し付は接合せしめるウェッ
ジボンド過程、及び（１ｌｌＩ）金線を挾んで上方に引
張り、金線を破断した後キャピラリーを半導体素子上に
移動させる過程、から成っており、全過程は２００〜３
ｏｏ　Ｃの加熱雰囲気中で行なわれる。
このようなボンディング工程はワイヤーボングーによっ
て手動的又は自動的に行なうことができる。ところでこ
のようなボンディングに使用される金線は性質にバラツ
キがあるとボール形状、ループ形状、接合強度が区々と
なり、半導体装置の信頼性を低下せしめることから純度
が９９．９９％以上の高純度金を用いるようにしている
。然るに近年半導体装置、特に工Ｃの組立コストを低減
するため自動ボングーの一層の高速化が計られてきたが
、上記高純度金線はこのような高速化に適合し得ないこ
とが明らかになってきた。その理由は高純度金線の機械
的強度特に熱間における破断強度の低い点にあり、□キ
ャビラリーの高速移動で金線が引張られた際その引張り
力が金線の破断強度を超えることがあり、そのためボン
デ・ｒジグ中に線切れが頻発するからである。又、線切
れに至らず何とかボンディング出来たとしても、・一度
熱を受けた高純度金線は奢るしく軟化し、ループ形状を
保つだけの強さを殆んど失なう結果、ループが垂れて（
これをループタレと称する）素子又は素子を塔載してい
る金属部に接触し、動作不良の原因となることもある。
このような高純度金線の欠点を解消するためＣａ。
Ｂｅを微量添加した金合金線が提案されている（特開昭
５３−／θに９６ｇ号、特開昭、！；３−　／／２０に
９号）これらの金合金線は熱間強度が高純度金線の常温
強度程度あり、これによって高速ボンダーはその性能を
最大限に発揮できるようにな−った。
本発明者等はＣａ、Ｅｅ以外の種々の元素について実験
を重ねた結果、ストロンチウム（Ｓｒ）モ又、同様の効
果をもたらすことを見出して本発明に到達したものであ
る。即ち、本発明のボンディングワイヤーは純度ｑｑ、
ｑｑ重量％以」二の金に０．０００／〜０．０／重量％
のストロンチウムを含イｆした金合金ストロンチウムの
含有率は大きい程常温強度、熱間強度共に大きくなるが
、０．０７重量％を超えるとボール形状が真球にならな
くなるので０．０７重量％以下とする必要がある。
またストロンチウムの含有率が０．０００７重量％以下
ではストロンチウム含有による効果が殆んど生じないの
で、ストロンチウムの含有率はθ、ｏｏθ／〜０．０／
重Ｍ％とす゛る必要がある。より好ましいストロンチウ
ムの含有率はθ、０θＯｋ〜０．０先重量％である。
本発明に用いる全原料は純度９９．９９％以上であれば
良い。通常フォーナインと称する純金中には不純物とし
てＦｅ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｐｂ、ＯｕＸＡｇ等を含んでいる
。これら不純物の含有率は産地により、又メーカーによ
り一定しないので望ましくはファイブナイン（純度９９
．９９９％以上）を用いるのが良い。
本発明のボンディングワイヤーは次のようにして製造し
得る。
即ち、所望のＳｒ含有率とするためＳｒ含有率既知のＡ
ｕ　−３ｒ母合金と高純度金の配合比を決め、尋れぞれ
秤量して不活性ガス雰囲気中のル゛ンボ中で熔解し、鋳
造後鍛造又は溝ロール等で一定の線径まで圧延した後、
順次口径の小さいダイスを用いて伸線加工する。
本発明の金合金組成は純金線に比べて引張強度が大きい
ため、伸線加工中の断線も著るしく減少する利点もある
。
以下に実施例を示す。　　　　　　　゛実施例 全原料としてファイブナインの高純度金を用い、ストロ
ンチウムをθ、″θ００Ｓ１θ、Ｏθ／／及びｏ、ｏｏ
ｓｔ重量％含有する金合金インゴットを作成し、これら
に鍛造、伸線加工を施して直径ｏ、　ｏ、２ｓｐ　ｔｎ
ｍのボンディングワイヤーを製造した。伸線後のワイヤ
ーを室温における破断伸び率（δ）がｌ１％程度になる
ように熱処理した後、室温における破断強度（σＢ）、
破断伸び率、−タＯＣに加熱下の破断強度、破断伸び率
を測定した。
測定結果を次表に示す。
又、これらの金合金線を高速ボンダーによるワイヤーボ
ンディングに供したところ、ボール形成性が良く、ルー
プのタレも認められなかった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　θ、　０００／〜０．０／重量％のストロン
    チウムを含有することを特徴とする残部純度９９．９９
    Ｍ量％以上の高純度金からなるボンディングワイヤー　
    〇
JP57175498A 1982-10-06 1982-10-06 ボンデイングワイヤ− Granted JPS5965439A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57175498A JPS5965439A (ja) 1982-10-06 1982-10-06 ボンデイングワイヤ−

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57175498A JPS5965439A (ja) 1982-10-06 1982-10-06 ボンデイングワイヤ−

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5965439A true JPS5965439A (ja) 1984-04-13
JPH0131691B2 JPH0131691B2 (ja) 1989-06-27

Family

ID=15997086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57175498A Granted JPS5965439A (ja) 1982-10-06 1982-10-06 ボンデイングワイヤ−

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5965439A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61220343A (ja) * 1985-03-26 1986-09-30 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 金テ−プ
US4993622A (en) * 1987-04-28 1991-02-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor integrated circuit chip interconnections and methods
WO2009060662A1 (ja) * 2007-11-06 2009-05-14 Tanaka Denshi Kogyok. K. ボンディングワイヤ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61220343A (ja) * 1985-03-26 1986-09-30 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 金テ−プ
US4993622A (en) * 1987-04-28 1991-02-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor integrated circuit chip interconnections and methods
WO2009060662A1 (ja) * 2007-11-06 2009-05-14 Tanaka Denshi Kogyok. K. ボンディングワイヤ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0131691B2 (ja) 1989-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0520493B2 (ja)
JPS62278241A (ja) ボンデイングワイヤ
JPS62228440A (ja) 半導体素子ボンデイング用金線
JPS62127438A (ja) 半導体素子用ボンディング線
JPS6030158A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPH0520494B2 (ja)
JPS5965439A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPS60162741A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPH0555580B2 (ja)
JP3323185B2 (ja) 半導体素子接続用金線
JPH0123540B2 (ja)
JPH0131692B2 (ja)
JPS6030159A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPS6119158A (ja) ボンデイングワイヤ−
JP3484823B2 (ja) ボンディングワイヤ
JPS6160841A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPS63238232A (ja) 銅細線とその製造法
JPS5826662B2 (ja) 半導体素子のボンデイング用金線
JP3312348B2 (ja) ボンディング用金合金線
JPH06112255A (ja) 半導体素子用ボンディング線
JP3615901B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金線
JPS6030160A (ja) ボンデイングワイヤ−
JP3586909B2 (ja) ボンディングワイヤ
JPS6160842A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPS61110735A (ja) 耐熱性に優れた金合金