JPH0131691B2 - - Google Patents
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- JPH0131691B2 JPH0131691B2 JP57175498A JP17549882A JPH0131691B2 JP H0131691 B2 JPH0131691 B2 JP H0131691B2 JP 57175498 A JP57175498 A JP 57175498A JP 17549882 A JP17549882 A JP 17549882A JP H0131691 B2 JPH0131691 B2 JP H0131691B2
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- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
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- H01L2924/012—Semiconductor purity grades
- H01L2924/01204—4N purity grades, i.e. 99.99%
Description
本発明は半導体素子と外部リードとの電気的接
続に用いられるボンデイングワイヤーに関する。 半導体装置の組立において、半導体素子と外部
リードを金属線でボンデイングする方式が一般的
である。このような金属線として金線及びアルミ
ニウム線が用いられ、前者は熱圧着で、後者は超
音波でボンデイングされている。金線を用いる熱
圧着ボンデイングの工程は大略、(i)ボンデイング
キヤピラリーを通した金線の先端を電気的に又は
水素炎により熔融してボールを形成する過程、(ii)
該ボールを半導体素子上の電極にキヤピラリーで
押し付けて接合せしめるボールボンド過程、(iii)キ
ヤピラリーを移動して金線ループを形成した後、
外部リード上に金線を押し付け接合せしめるウエ
ツジボンド過程、及び(iv)金線を挾んで上方に引張
り、金線を破断した後キヤピラリーを半導体素子
上に移動させる過程、から成つており、全過程は
200〜300℃の加熱雰囲気中で行なわれる。 このようなボンデイング工程はワイヤーボンダ
ーによつて手動的又は自動的に行なうことができ
る。ところでこのようなボンデイングに使用され
る金線は性質にバラツキがあるとボール形状、ル
ープ形状、接合強度が区々となり、半導体装置の
信頼性を低下せしめることから純度が99.99%以
上の高純度金を用いるようにしている。然るに近
年半導体装置、特にICの組立コストを低減する
ため自動ボンダーの一層の高速化が計られてきた
が、上記高純度金線はこのような高速化に適合し
得ないことが明らかになつてきた。その理由は高
純度金線の機械的強度特に熱間における破断強度
の低い点にあり、キヤピラリーの高速移動で金線
が引張られた際その引張り力が金線の破断強度を
超えることがあり、そのためボンデイング中に線
切れが頻発するからである。又、線切れに至らず
何とかボンデイング出来たとしても、一度熱を受
けた高純度金線は著るしく軟化し、ループ形状を
保つだけの強さを殆んど失なう結果、ループが垂
れて(これをループタレと称する)素子又は素子
を塔載している金属部に接触し、動作不良の原因
となることもある。 このような高純度金線の欠点を解消するため
Ca、Beを微量添加した金合金線が提案されてい
る(特開昭53−105968号、特開昭53−112059号)
これらの金合金線は熱間強度が高純度金線の常温
強度程度あり、これによつて高速ボンダーはその
性能を最大限に発揮できるようになつた。 本発明者等はCa、Be以外の種々の元素につい
て実験を重ねた結果、ストロンチウム(Sr)も
又、同様の効果をもたらすことを見出して本発明
に到達したものである。即ち、本発明のボンデイ
ングワイヤーは純度99.99重量%以上の金に
0.0001〜0.01重量%のストロンチウムを含有した
金合金線とした点に特徴がある。 ストロンチウムの含有率は大きい程常温強度、
熱間強度共に大きくなるが、0.01重量%を超える
とボール形状が真球にならなくなるので0.01重量
%以下とする必要がある。 またストロンチウムの含有率が0.0001重量%以
下ではストロンチウム含有による効果が殆んど生
じないので、ストロンチウムの含有率は0.0001〜
0.01重量%とする必要がある。より好ましいスト
ロンチウムの含有率は0.0005〜0.006重量%であ
る。 本発明に用いる金原料は純度99.99%以上であ
れば良い。通常フオーナインと称する純金中には
不純物としてFe、Si、Mg、Pb、Cu、Ag等を含
んでいる。これら不純物の含有率は産地により、
又メーカーにより一定しないので望ましくはフア
イブナイン(純度99.999%以上)を用いるのが良
い。 本発明のボンデイングワイヤーは次のようにし
て製造し得る。 即ち、所望のSr含有率とするためSr含有率既
知のAu―Sr母合金と高純度金の配合比を決め、
それぞれ秤量して不活性ガス雰囲気中のルツボ中
で熔解し、鋳造後鍛造又は溝ロール等で一定の線
径まで圧延した後、順次口径の小さいダイスを用
いて伸線加工する。 本発明の金合金組成は純金線に比べて引張強度
が大きいため、伸線加工中の断線も著るしく減少
する利点もある。 以下に実施例を示す。 実施例 金原料としてフアイブナインの高純度金を用
い、ストロンチウムを0.0005、0.0011及び0.0056
重量%含有する金合金インゴツトを作成し、これ
らに鍛造、伸線加工を施して直径0.0254mmのボン
デイングワイヤーを製造した。伸線後のワイヤー
を室温における破断伸び率(δ)が4%程度にな
るように熱処理した後、室温における破断強度
(σB)、破断伸び率、250℃に加熱下の破断強度、
破断伸び率を測定した。 測定結果を次表に示す。
続に用いられるボンデイングワイヤーに関する。 半導体装置の組立において、半導体素子と外部
リードを金属線でボンデイングする方式が一般的
である。このような金属線として金線及びアルミ
ニウム線が用いられ、前者は熱圧着で、後者は超
音波でボンデイングされている。金線を用いる熱
圧着ボンデイングの工程は大略、(i)ボンデイング
キヤピラリーを通した金線の先端を電気的に又は
水素炎により熔融してボールを形成する過程、(ii)
該ボールを半導体素子上の電極にキヤピラリーで
押し付けて接合せしめるボールボンド過程、(iii)キ
ヤピラリーを移動して金線ループを形成した後、
外部リード上に金線を押し付け接合せしめるウエ
ツジボンド過程、及び(iv)金線を挾んで上方に引張
り、金線を破断した後キヤピラリーを半導体素子
上に移動させる過程、から成つており、全過程は
200〜300℃の加熱雰囲気中で行なわれる。 このようなボンデイング工程はワイヤーボンダ
ーによつて手動的又は自動的に行なうことができ
る。ところでこのようなボンデイングに使用され
る金線は性質にバラツキがあるとボール形状、ル
ープ形状、接合強度が区々となり、半導体装置の
信頼性を低下せしめることから純度が99.99%以
上の高純度金を用いるようにしている。然るに近
年半導体装置、特にICの組立コストを低減する
ため自動ボンダーの一層の高速化が計られてきた
が、上記高純度金線はこのような高速化に適合し
得ないことが明らかになつてきた。その理由は高
純度金線の機械的強度特に熱間における破断強度
の低い点にあり、キヤピラリーの高速移動で金線
が引張られた際その引張り力が金線の破断強度を
超えることがあり、そのためボンデイング中に線
切れが頻発するからである。又、線切れに至らず
何とかボンデイング出来たとしても、一度熱を受
けた高純度金線は著るしく軟化し、ループ形状を
保つだけの強さを殆んど失なう結果、ループが垂
れて(これをループタレと称する)素子又は素子
を塔載している金属部に接触し、動作不良の原因
となることもある。 このような高純度金線の欠点を解消するため
Ca、Beを微量添加した金合金線が提案されてい
る(特開昭53−105968号、特開昭53−112059号)
これらの金合金線は熱間強度が高純度金線の常温
強度程度あり、これによつて高速ボンダーはその
性能を最大限に発揮できるようになつた。 本発明者等はCa、Be以外の種々の元素につい
て実験を重ねた結果、ストロンチウム(Sr)も
又、同様の効果をもたらすことを見出して本発明
に到達したものである。即ち、本発明のボンデイ
ングワイヤーは純度99.99重量%以上の金に
0.0001〜0.01重量%のストロンチウムを含有した
金合金線とした点に特徴がある。 ストロンチウムの含有率は大きい程常温強度、
熱間強度共に大きくなるが、0.01重量%を超える
とボール形状が真球にならなくなるので0.01重量
%以下とする必要がある。 またストロンチウムの含有率が0.0001重量%以
下ではストロンチウム含有による効果が殆んど生
じないので、ストロンチウムの含有率は0.0001〜
0.01重量%とする必要がある。より好ましいスト
ロンチウムの含有率は0.0005〜0.006重量%であ
る。 本発明に用いる金原料は純度99.99%以上であ
れば良い。通常フオーナインと称する純金中には
不純物としてFe、Si、Mg、Pb、Cu、Ag等を含
んでいる。これら不純物の含有率は産地により、
又メーカーにより一定しないので望ましくはフア
イブナイン(純度99.999%以上)を用いるのが良
い。 本発明のボンデイングワイヤーは次のようにし
て製造し得る。 即ち、所望のSr含有率とするためSr含有率既
知のAu―Sr母合金と高純度金の配合比を決め、
それぞれ秤量して不活性ガス雰囲気中のルツボ中
で熔解し、鋳造後鍛造又は溝ロール等で一定の線
径まで圧延した後、順次口径の小さいダイスを用
いて伸線加工する。 本発明の金合金組成は純金線に比べて引張強度
が大きいため、伸線加工中の断線も著るしく減少
する利点もある。 以下に実施例を示す。 実施例 金原料としてフアイブナインの高純度金を用
い、ストロンチウムを0.0005、0.0011及び0.0056
重量%含有する金合金インゴツトを作成し、これ
らに鍛造、伸線加工を施して直径0.0254mmのボン
デイングワイヤーを製造した。伸線後のワイヤー
を室温における破断伸び率(δ)が4%程度にな
るように熱処理した後、室温における破断強度
(σB)、破断伸び率、250℃に加熱下の破断強度、
破断伸び率を測定した。 測定結果を次表に示す。
【表】
又、これらの金合金線を高速ボンダーによるワ
イヤーボンデイングに供したところ、ボール形成
性が良く、ループのタレも認められなかつた。
イヤーボンデイングに供したところ、ボール形成
性が良く、ループのタレも認められなかつた。
Claims (1)
- 1 0.0001〜0.01重量%のストロンチウムを含有
することを特徴とする残部純度99.99重量%以上
の高純度金からなるボンデイングワイヤー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175498A JPS5965439A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | ボンデイングワイヤ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175498A JPS5965439A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | ボンデイングワイヤ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5965439A JPS5965439A (ja) | 1984-04-13 |
JPH0131691B2 true JPH0131691B2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=15997086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57175498A Granted JPS5965439A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | ボンデイングワイヤ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5965439A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61220343A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金テ−プ |
US4993622A (en) * | 1987-04-28 | 1991-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit chip interconnections and methods |
JP4150752B1 (ja) * | 2007-11-06 | 2008-09-17 | 田中電子工業株式会社 | ボンディングワイヤ |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57175498A patent/JPS5965439A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5965439A (ja) | 1984-04-13 |
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