JPS6030158A - ボンデイングワイヤ− - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
続に用いられるボンデイングワイヤーに関する。
半導体装置の組立において、半導体素子と外部リードを
金1fAIIlaでボンデイングする方式が一般的であ
る。このような金属線として金線及びアルミニウム線が
用いられ、前者は熱圧着で、後者は超音波でボンディン
グされている。金線を用いる熱圧着ボンディングの工程
は大略、(1)ボンディングキャビラリ−を通した金線
の先端を電気的に又は水素炎により溶融してポールを形
成する過程)(2)該ボールを半導体素子上の電極にキ
ャビラリ−で押し付けて接合せしめるポールボンド過程
、(3)キャピラリーを移動して金線ループを形成した
後、外部リード上に金線を押し付は接合せしめるウェッ
ジボンド過程、及び(4)金線を挾んで上方に引張り、
金線を破断した移キャビラリーを半導体素子上に移動さ
ぜる過程、から成っており、全過程は.200〜30θ
Cの加熱雰囲気中で行なわれる。
金1fAIIlaでボンデイングする方式が一般的であ
る。このような金属線として金線及びアルミニウム線が
用いられ、前者は熱圧着で、後者は超音波でボンディン
グされている。金線を用いる熱圧着ボンディングの工程
は大略、(1)ボンディングキャビラリ−を通した金線
の先端を電気的に又は水素炎により溶融してポールを形
成する過程)(2)該ボールを半導体素子上の電極にキ
ャビラリ−で押し付けて接合せしめるポールボンド過程
、(3)キャピラリーを移動して金線ループを形成した
後、外部リード上に金線を押し付は接合せしめるウェッ
ジボンド過程、及び(4)金線を挾んで上方に引張り、
金線を破断した移キャビラリーを半導体素子上に移動さ
ぜる過程、から成っており、全過程は.200〜30θ
Cの加熱雰囲気中で行なわれる。
このようなボンディング工程はワイヤーボンダーによっ
て手動的又は自動的に行なうことができる。ところでこ
のようなボンディングに使用される金線は性質にバラツ
キがあるとボール形状、ループ形状、接合強度が区々と
なり、半導体装置の信頼性を低下せしめることから純度
が99.7?%以上の高純度金を用いるようにしている
。然るに近年半導体装置、特に工Cの組立コストを低減
するため自動ボンダーの一層の高速化が計られてきたが
、上記高純度金線はこのような高速化に適合し得ないこ
とが明らかになってきた。その理由は高純度金線の機械
的強度特に熱間における破断強度の低い点にあり、キャ
ピラリーの高速移動で金線が引張られた際その引張り力
が金線の破断強度を超えることがあり、そのためボンデ
ィング中に線切れが頻発するからである。又、線切れに
至らず何とかボンディング出来たとしても、−産熱を受
けた高純度金線は著るしく軟化し、ループ形状を保つだ
けの強さを殆んど失なう結果、ループが垂れて(これを
ループタレと称する)素子又は素子を塔載している金属
部に接触し、動作不良の原因となることもある。
て手動的又は自動的に行なうことができる。ところでこ
のようなボンディングに使用される金線は性質にバラツ
キがあるとボール形状、ループ形状、接合強度が区々と
なり、半導体装置の信頼性を低下せしめることから純度
が99.7?%以上の高純度金を用いるようにしている
。然るに近年半導体装置、特に工Cの組立コストを低減
するため自動ボンダーの一層の高速化が計られてきたが
、上記高純度金線はこのような高速化に適合し得ないこ
とが明らかになってきた。その理由は高純度金線の機械
的強度特に熱間における破断強度の低い点にあり、キャ
ピラリーの高速移動で金線が引張られた際その引張り力
が金線の破断強度を超えることがあり、そのためボンデ
ィング中に線切れが頻発するからである。又、線切れに
至らず何とかボンディング出来たとしても、−産熱を受
けた高純度金線は著るしく軟化し、ループ形状を保つだ
けの強さを殆んど失なう結果、ループが垂れて(これを
ループタレと称する)素子又は素子を塔載している金属
部に接触し、動作不良の原因となることもある。
このような高純度金線の欠点を解消するためOa。
Beを微量添加した金合金線が提案されている(特開昭
!;3\−10391,1号、特開昭33− //20
に9号)これらの金合金線は熱間強度が高純度金線の常
温強度程度あり、これによって高速ボンダーはその性能
を最大限に発揮できるようになった。
!;3\−10391,1号、特開昭33− //20
に9号)これらの金合金線は熱間強度が高純度金線の常
温強度程度あり、これによって高速ボンダーはその性能
を最大限に発揮できるようになった。
本発明者はOa、Be以外の種々の元素について実験を
重ねた結果、イツトリウム、希土類元素も又同様の効果
をもたらすこと、更にこれにベリリウム、ゲルマニウム
、錫ζ鉛、アルミニウムを併せて含有せしめると強度の
バラツキが減少し極めて優れたボンディングワイヤーが
得られることを見出して本発明に到達した。
重ねた結果、イツトリウム、希土類元素も又同様の効果
をもたらすこと、更にこれにベリリウム、ゲルマニウム
、錫ζ鉛、アルミニウムを併せて含有せしめると強度の
バラツキが減少し極めて優れたボンディングワイヤーが
得られることを見出して本発明に到達した。
即ち、本発明のボンディングワイヤーは純度99.9?
重量%以上の金に、イツ) IJウム及び希土類元素か
らなる第1の元素群から選ばれた少なくとも一種を0.
000/〜Q、0/重量%と、ベリリウム)ゲルマニウ
ム、錫、鉛、及びアルミニウムからなる第コの元素群か
ら選ばれた少なくとも一種を0.0001〜0.07重
量%をを含有せしめた金合金線とした点に特徴がある。
重量%以上の金に、イツ) IJウム及び希土類元素か
らなる第1の元素群から選ばれた少なくとも一種を0.
000/〜Q、0/重量%と、ベリリウム)ゲルマニウ
ム、錫、鉛、及びアルミニウムからなる第コの元素群か
ら選ばれた少なくとも一種を0.0001〜0.07重
量%をを含有せしめた金合金線とした点に特徴がある。
希土類元素は原子番号37〜7/の元素であるが、これ
らの元素をイツトリウムからなる第1の群の元素は何れ
も金合金線の常温強度、熱間強度の向上に顕著な効果が
ある。しかしながらこれらの元素のみを含有する金合金
線は伸線加工中の断線が多い上、強度のバラツキが大き
い。ところがベリリーウム、ゲルマニウム、錫、鉛及び
アルミニウムからなる第2の群の元素を併用すると驚く
べきことに伸線加工中の断線回数が激減し、強度のバラ
ツキが減少すると共に熱間強度が幾分向上することが認
められた。
らの元素をイツトリウムからなる第1の群の元素は何れ
も金合金線の常温強度、熱間強度の向上に顕著な効果が
ある。しかしながらこれらの元素のみを含有する金合金
線は伸線加工中の断線が多い上、強度のバラツキが大き
い。ところがベリリーウム、ゲルマニウム、錫、鉛及び
アルミニウムからなる第2の群の元素を併用すると驚く
べきことに伸線加工中の断線回数が激減し、強度のバラ
ツキが減少すると共に熱間強度が幾分向上することが認
められた。
この原因は、第1の群の元素は金と固溶しにくく、金合
金インゴットを鋳造した際、金の結晶粒界に析出し易い
が、第2の群の元素が共在すると固溶し易くなり、全結
晶粒界に析出しにくくなるためと考えられる。
金インゴットを鋳造した際、金の結晶粒界に析出し易い
が、第2の群の元素が共在すると固溶し易くなり、全結
晶粒界に析出しにくくなるためと考えられる。
第1の群の元素の含有率は大きい程常温強度、熱間強度
共に大きくなるが、0.01重量%を超えるとボール形
状が真球にならなくなるので0.07重量%以下とする
必要がある。又、第1の群の元素含有率が0.00θ/
重量%未満では強度向上の効果が殆んど無いので、イツ
トリウム及び希土類元素からなる第1の群の元素含・有
率はo、oooi〜θ、01重量%とする必要がある。
共に大きくなるが、0.01重量%を超えるとボール形
状が真球にならなくなるので0.07重量%以下とする
必要がある。又、第1の群の元素含有率が0.00θ/
重量%未満では強度向上の効果が殆んど無いので、イツ
トリウム及び希土類元素からなる第1の群の元素含・有
率はo、oooi〜θ、01重量%とする必要がある。
第コの群の元素の含有率は0.000/重景%未満では
効果が無いが、多い程効果が大きくなる訳でもない。0
.0/重量%を超えるとボール形状の真球度を悪化させ
たり、ボンディング個所の接着力を損うので、第コの群
の元素は0.0θθ/〜0.0/重量%とする必要があ
る。第1群の元素含有率を0.0003〜0.005重
量%及び第2群の元素含有率を0.00/〜θ、OOS
重量%とするのが一層好ましい。本発明に用いる全原料
は純度99.99重量%以上であれば良い。通常フォー
ナインと称する純金中には不純物としてIre、Sl、
Mgs pbXOu、 Ag等を含んでいる。これら不
純物の含有率は産地により、又メーカーにより一定しな
いので望ましくはファイブナイン(純度99.999重
量%以上)を用いるのが良い。゛本発明のボンディング
ワイヤーは次のようにして製造し得る。即ち、ファイブ
ナインの高純度金と各元素とで先ず母合金を作って含有
率を分析し、該母合金と高純度金の配合比を所望の元素
含有率範囲になるように決め、それぞれ秤量して不活性
ガス雰囲気中又は真空中で熔解し、鋳造後鍜造又は溝ロ
ール等で一定の線径まで圧延した後、順次口径の小さい
ダイスを用いて伸線加工する。
効果が無いが、多い程効果が大きくなる訳でもない。0
.0/重量%を超えるとボール形状の真球度を悪化させ
たり、ボンディング個所の接着力を損うので、第コの群
の元素は0.0θθ/〜0.0/重量%とする必要があ
る。第1群の元素含有率を0.0003〜0.005重
量%及び第2群の元素含有率を0.00/〜θ、OOS
重量%とするのが一層好ましい。本発明に用いる全原料
は純度99.99重量%以上であれば良い。通常フォー
ナインと称する純金中には不純物としてIre、Sl、
Mgs pbXOu、 Ag等を含んでいる。これら不
純物の含有率は産地により、又メーカーにより一定しな
いので望ましくはファイブナイン(純度99.999重
量%以上)を用いるのが良い。゛本発明のボンディング
ワイヤーは次のようにして製造し得る。即ち、ファイブ
ナインの高純度金と各元素とで先ず母合金を作って含有
率を分析し、該母合金と高純度金の配合比を所望の元素
含有率範囲になるように決め、それぞれ秤量して不活性
ガス雰囲気中又は真空中で熔解し、鋳造後鍜造又は溝ロ
ール等で一定の線径まで圧延した後、順次口径の小さい
ダイスを用いて伸線加工する。
本発明のボンディングワイヤーは常温強度、熱間強度共
に良好でしかも強度のバラツキが小さく、高速ボンダー
用ワイヤーとして極めて優れている。
に良好でしかも強度のバラツキが小さく、高速ボンダー
用ワイヤーとして極めて優れている。
実施例
全原料としてファイブ−ノーインの高純度金を用い、イ
ツトリウム及び希土類元素からなる第1の群の元素と、
ベリリウム、ゲルマニウム、錫、鉛、及びアルミニウム
からなる第一の群の元素とを種々の割合で含有する金合
金インゴットを作成し、これらに鍛造、伸線加工を施し
て直径θ、θ2夕11vusのボンディングワイヤーを
製造した。伸線後のワイヤーを室温における破断伸び率
(δ)がlI%程度になるように熱処理した後、室温に
おける破断強度(σB:破断破断率1.23θCに加熱
下の破断強度1破断伸び率を測定した。結果を下表に示
す。表において強度41.伸び率は試料数3本の平均値
であり、σBについてはバラツキの程度を比較するため
標準偏差を併記した。
ツトリウム及び希土類元素からなる第1の群の元素と、
ベリリウム、ゲルマニウム、錫、鉛、及びアルミニウム
からなる第一の群の元素とを種々の割合で含有する金合
金インゴットを作成し、これらに鍛造、伸線加工を施し
て直径θ、θ2夕11vusのボンディングワイヤーを
製造した。伸線後のワイヤーを室温における破断伸び率
(δ)がlI%程度になるように熱処理した後、室温に
おける破断強度(σB:破断破断率1.23θCに加熱
下の破断強度1破断伸び率を測定した。結果を下表に示
す。表において強度41.伸び率は試料数3本の平均値
であり、σBについてはバラツキの程度を比較するため
標準偏差を併記した。
第1表の結果から、ベリリウム、ゲルマニウム、錫、鉛
及びアルミニウムからなる第2の群の元素を含まない金
合金線は強度のバラツキが非常に大きいこと、第一の群
の元素を含有することによりこのバラツキが顕著に改善
されると共に熱間強度も改善されていることが判る。
及びアルミニウムからなる第2の群の元素を含まない金
合金線は強度のバラツキが非常に大きいこと、第一の群
の元素を含有することによりこのバラツキが顕著に改善
されると共に熱間強度も改善されていることが判る。
なお実験A/〜/7のワイヤーを高速ボンダーによるワ
イヤーボンディングに供したところ、ボール形成性が良
く、ループのタレも認められなかった。
イヤーボンディングに供したところ、ボール形成性が良
く、ループのタレも認められなかった。
第1表
Claims (1)
- (1) イツトリウム及び希土類元素からなる第1の元
素群から選ばれた少なくとも一種を0.00θ/〜0.
0/重量%と、ベリリウム、ゲルマニウム、錫、鉛及び
アルミニウムからなる第一の元素群から選ばれた少なく
とも一種を0.0007〜0.07重量%とを含有する
ことを特徴とする残部純度99.99重量%以上の高純
度金からなるボンディングワイヤー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58137589A JPS6030158A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | ボンデイングワイヤ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58137589A JPS6030158A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | ボンデイングワイヤ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6030158A true JPS6030158A (ja) | 1985-02-15 |
JPH0245336B2 JPH0245336B2 (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=15202240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58137589A Granted JPS6030158A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | ボンデイングワイヤ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6030158A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3618560A1 (de) * | 1985-10-01 | 1987-04-02 | Tanaka Electronics Ind | Goldleitung zum verbinden von halbleiterelementen |
JPS63262433A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Tanaka Electron Ind Co Ltd | 半導体用高純度金及びその製造方法 |
JPH01127635A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-19 | Mitsubishi Metal Corp | ループ成形性の優れた半導体素子ボンディング用Au合金細線 |
JPH01198438A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体素子ボンディング用Au合金極細線 |
JPH02170931A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-07-02 | Mitsubishi Metal Corp | 金バンプ用金合金細線 |
US4938923A (en) * | 1989-04-28 | 1990-07-03 | Takeshi Kujiraoka | Gold wire for the bonding of a semiconductor device |
EP3656245A1 (fr) * | 2018-11-26 | 2020-05-27 | Richemont International S.A. | Article d'horlogerie ou de joaillerie a base d'un alliage d'or comprenant au moins 990 pour mille en poids d'or |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3272625A (en) * | 1965-10-18 | 1966-09-13 | James Cohn | Beryllium-gold alloy and article made therefrom |
JPS53112059A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Tanaka Electronics Ind | Gold wire for bonding semiconductor |
JPS53112060A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Tanaka Electronics Ind | Gold wire for bonding semiconductor |
JPS5790954A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Nippon Mining Co Ltd | Gold wire for bonding |
JPS58154242A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体素子ボンデイング用金合金細線 |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP58137589A patent/JPS6030158A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3272625A (en) * | 1965-10-18 | 1966-09-13 | James Cohn | Beryllium-gold alloy and article made therefrom |
JPS53112059A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Tanaka Electronics Ind | Gold wire for bonding semiconductor |
JPS53112060A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Tanaka Electronics Ind | Gold wire for bonding semiconductor |
JPS5790954A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Nippon Mining Co Ltd | Gold wire for bonding |
JPS58154242A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体素子ボンデイング用金合金細線 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3618560A1 (de) * | 1985-10-01 | 1987-04-02 | Tanaka Electronics Ind | Goldleitung zum verbinden von halbleiterelementen |
JPS63262433A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Tanaka Electron Ind Co Ltd | 半導体用高純度金及びその製造方法 |
JPH01127635A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-19 | Mitsubishi Metal Corp | ループ成形性の優れた半導体素子ボンディング用Au合金細線 |
JPH01198438A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体素子ボンディング用Au合金極細線 |
JPH02170931A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-07-02 | Mitsubishi Metal Corp | 金バンプ用金合金細線 |
US4938923A (en) * | 1989-04-28 | 1990-07-03 | Takeshi Kujiraoka | Gold wire for the bonding of a semiconductor device |
EP3656245A1 (fr) * | 2018-11-26 | 2020-05-27 | Richemont International S.A. | Article d'horlogerie ou de joaillerie a base d'un alliage d'or comprenant au moins 990 pour mille en poids d'or |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0245336B2 (ja) | 1990-10-09 |
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