JPH06112257A - 半導体素子用Ｐｔ合金極細線 - Google Patents

半導体素子用Ｐｔ合金極細線

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JPH06112257A
JPH06112257A JP4262213A JP26221392A JPH06112257A JP H06112257 A JPH06112257 A JP H06112257A JP 4262213 A JP4262213 A JP 4262213A JP 26221392 A JP26221392 A JP 26221392A JP H06112257 A JPH06112257 A JP H06112257A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】Ｐｔ極細線の高温強度を向上させると同時に、
高温放置試験におけるＡ点剥がれの発生率を低下させ、
ワイヤボンディング法及びバンプ接続法に用いるに極め
て有用な半導体素子用Ｐｔ合金極細線を提供する。 【構成】高純度Ｐｔに、Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの１種
又は２種を、総添加量0.01〜５wt％含有せしめると共
に、Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｙ，希土類
元素の中から１種又は２種以上を、0.0001〜0.005 wt％
含有せしめて溶解鋳造し、次に溝ロール加工を施し、そ
の途中で焼なまし処理を施した後に線引加工し、更に十
分な応力除去を行って線径25μｍの母線を成形した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子のチップ電
極と基板上の外部リードとを接続するために用いられる
半導体素子用Ｐｔ合金極細線、特にワイヤボンディング
法及びバンプ接続法に好適なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えばキャピラリーの先端に
垂下せしめた合金ワイヤの先端を電気トーチにより溶融
させてボールを形成し、このボールをチップ上のＡｌ又
はＡｌ合金からなる電極に圧着・切断してバンプ電極を
形成するバンプ接続法や、前記ボールをチップ電極に圧
着，接合せしめた後、ループ状に外部リードまで導いて
該外部リードに圧着・切断することにより、チップ電極
と外部リードを接続させるワイヤボンディング法が知ら
れている。また、この種ボンディングに用いるに有用な
合金ワイヤとして、特公昭６２−４３５４０号に開示さ
れるような、高純度ＰｔからなるＰｔワイヤがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、上記従来
のＰｔワイヤでは高温強度が弱く、所定のボンディング
強度が得られない欠点があると共に、Ｐｔの純度が高す
ぎることから、チップ上のＡｌ電極とボールとの接合面
（即ち、Ａ点）におけるＰｔとＡｌの相互拡散が過剰に
なり、接合強度の低下が生じる結果、ボンディング後の
高温放置試験におけるＡ点剥がれの発生率が高くなると
いう不具合があった。
【０００４】本発明はこのような従来事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、所定の高温
強度が得られると共に、ボンディング後の高温放置試験
でＡ点剥がれが発生する虞れのない、信頼性の高い半導
体素子用Ｐｔ合金極細線を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、本発明の半導体素子用Ｐｔ合金極細線は、Ｏｓ，
Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの中から１種又は２種以上を総添加量
０．０１〜５wt％含有し、残部Ｐｔからなることを特徴
とする。
【０００６】また、後述の理由から、上記の配合に加え
て、Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｙ，希土類
元素の中から１種又は２種以上を０．０００１〜０．０
０５wt％含有せしめることが有用である。
【０００７】
【作用】上記の構成によれば、Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ
の各添加元素は融点がＰｔより高いことからＰｔ合金の
焼鈍温度を高め、高温強度の高いＰｔ合金ワイヤを形成
する。同時に、その添加総量を０．０１〜５wt％の範囲
内としたことから、ボールとチップ電極の下地金属層と
の接合面におけるＰｔとＡｌの相互拡散を適度に抑止
し、該接合面、即ち、Ａ点における接合強度が改善され
る。
【０００８】また、Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓ
ｃ，Ｙ，希土類元素を添加することで、前記Ｐｔ合金に
おける結晶の粗粒化（粒子の粗大化）を防止し、ワイヤ
の高温強度をさらに向上させる。
【０００９】しかし乍ら、Ｏｓ，Ｒｕ、Ｉｒ，Ｒｈ，Ｂ
ｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｙ，希土類元素の
添加量が上記添加範囲の下限未満では、上述の効果を得
ることができない。
【００１０】また、Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの添加量が
５wt％を越えると、ワイヤ先端に形成するボールが硬く
なり過ぎ、ボンディング時においてチップ割れが生じる
ので好ましくない。
【００１１】Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，
Ｙ，希土類元素の添加量が０．００５wt％を越えると、
ワイヤ先端に形成するボールの形状が不安定になり、ボ
ンディング時におけるボールとチップとの接合がなされ
ない。
【００１２】従って、Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの添加総
量を０．０１〜５wt％の範囲に、Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｓ
ｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｙ，希土類元素の添加量を０．０００
１〜０．００５wt％の範囲に、各々設定した。
【００１３】
【実施例】以下、具体的な実施例について説明する。
【００１４】高純度Ｐｔに、Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，
Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ、Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａの各添
加元素を表１中に示す含有率に基づき添加して溶解鋳造
し、次に溝ロール加工を施し、その途中で焼なまし処理
を施した後に線引加工で線径２５μｍの母線に成形し、
更に十分な応力除去を行うことにより各試料とした。
【００１５】表１中の試料Ｎｏ．１〜１６は高純度Ｐｔ
にＯｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの中から１種又は２種以上を
添加した本発明実施品、試料Ｎｏ．１７〜２９は前記Ｏ
ｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの配合に加えてＢｅ，Ｇｅ，Ｃ
ａ、Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｙ，希土類元素（Ｌａ）の１種
又は２種を添加した本発明実施品である。
【００１６】また、試料Ｎｏ．３０は高純度Ｐｔ（９
９．９６wt％）に何も添加しない比較品である。
【００１７】尚、表１では希土類元素の代表としてＬａ
のデータを示したが、これ以外の希土類元素はＬａと同
質性のため省略した。
【００１８】上記のようにして作製した各試料を熱処理
により所定の伸び率に合わせた後、高温強度及びＡ点剥
がれ発生率を測定した。
【００１９】高温強度は、各試料を２５０℃×２０秒間
保持後、標点間距離１００ｍｍにて引張速度１０ｍｍ／
ｍｉｎで引張り試験を行った時の破断荷重を測定した。
【００２０】Ａ点剥がれ発生率は、各試料をＡｌ薄膜
（０．８μｍ厚）のチップ電極上に所定条件にてボンデ
ィングした後、Ａｌが拡散し易い高温条件下で放置し
（２００℃×３００時間）、その後にＣ点（ループ部）
を引張るプルテストを行って、ボンディングワイヤがチ
ップとの接合面から剥がれた割合を計算した。これらの
結果も表１中に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】試料Ｎｏ．１〜１６の測定結果から、高純
度ＰｔにＯｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの１種又は２種を、総
添加量０．０１〜５wt％の範囲内で添加すれば、所定の
高温強度が得られると同時に、ボールとチップ電極の下
地金属層との接合面（Ａ点）において剥がれが発生せ
ず、該接合面における接合強度が改善されることが確認
できた。
【００２３】また、試料Ｎｏ．１７〜２９の測定結果か
ら、０．０１〜５wt％のＯｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの添加
に加えて、Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｙ，
希土類元素の中から１種又は２種以上を所定量添加すれ
ば、上記高温強度をより高レベルなものにし得ることが
確認できた。
【００２４】また、試料Ｎｏ．３０の測定結果から、高
純度ＰｔにＯｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃ
ａ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｙ，希土類元素を添加しない場
合は、所定の高温強度が得られないと共に、Ａ点剥がれ
の発生率が高いことが確認できた。
【００２５】
【発明の効果】本発明に係る半導体素子用Ｐｔ合金極細
線は以上説明したように、高純度ＰｔにＯｓ，Ｒｕ，Ｉ
ｒ，Ｒｈを添加することで、ワイヤの高温強度向上を図
ると同時に、ボンディング後の高温放置試験におけるＡ
点剥がれの発生率を著しく低下し得た。
【００２６】従って、ボンディング後において所定の高
温強度を得られると共に、ボールとチップ電極の接合強
度を著しく改善して、ワイヤボンディング法及びバンプ
接続法に用いるに極めて有用な半導体素子用Ｐｔ合金極
細線を提供できた。
【００２７】また、Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓ
ｃ，Ｙ，希土類元素を添加することで、より高レベルな
高温強度を得ることができた。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの中から１種又は
    ２種以上を総添加量０．０１〜５wt％含有し、残部Ｐｔ
    からなる半導体素子用Ｐｔ合金極細線。
  2. 【請求項２】 Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈの中から１種又
    は２種以上を総添加量０．０１〜５wt％含有すると共
    に、Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｙ，希土類
    元素の中から１種又は２種以上を０．０００１〜０．０
    ０５wt％含有し、残部Ｐｔからなる半導体素子用Ｐｔ合
    金極細線。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5945065A (en) * 1996-07-31 1999-08-31 Tanaka Denshi Kogyo Method for wedge bonding using a gold alloy wire
JP2010138418A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Ishifuku Metal Ind Co Ltd 白金イリジウム合金及びその製造方法
CN113241303A (zh) * 2021-05-19 2021-08-10 合肥矽格玛应用材料有限公司 封装键合铂金丝及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5945065A (en) * 1996-07-31 1999-08-31 Tanaka Denshi Kogyo Method for wedge bonding using a gold alloy wire
JP2010138418A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Ishifuku Metal Ind Co Ltd 白金イリジウム合金及びその製造方法
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