JP2689773B2 - ボンデイングワイヤー - Google Patents

ボンデイングワイヤー

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子上のチップ電
極と外部リードを接続するために用いるボンデイングワ
イヤーに関する。
【0002】
【従来の技術】トランジスタ、IC、LSIなどの半導
体素子のチップ電極と外部リードとの結線用として多く
用いられている金線は、その機械的及び、耐熱強度を向
上させるために純度99.999重量%以上の高純度金
に、他金属元素を微量添加する方法が取られている。例
えば、高純度金にCa、Be、Geを含有させた組成の
もの(特公昭57−35577号公報)、La等の希土
類、Ca、Be、Geを含有させた組成のもの(特公平
2−12022号公報)等が提案されている。
【0003】しかしながら最近の半導体デバイスの多ピ
ン化傾向にともなう外部リードの長尺化によってボンデ
イング工程あるいはそれ以降の工程で発生する振動によ
り金ボールネック部が破断するという現象が見られるよ
うになってきた。この破断原因は、ボール形成時に金線
が受ける熱影響によりボール直上の結晶組織が粗大化し
た再結晶組織となり、ボール形成以前の金線の7割程度
の強度に低下してしまうためである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来の合金金
線では十分な解決にいたらなかった、振動により金ボー
ル直上のネック部が破断するという問題を改善したボン
デイングワイヤーを提供せんとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のボンデイングワ
イヤーは純度99.999重量%以上の高純度金に、E
uを0.00002〜0.004重量%、Caを0.0
001〜0.003重量%、Geを0.0001〜0.
003重量%、及びBeを0.0001〜0.001重
量%含有せしめて合金線とした点に特徴がある。
【0006】
【作用】Euは金線の機械的強度を高め金ボールを形成
する際の熱影響によるボール直上の結晶粒の粗大化を防
ぐ効果があり、Caと共存するとその効果は顕著とな
る。Euが0.004重量%を超えるとループ高さが低
くなり、0.00002重量%未満では前記の効果が不
充分なので、0.00002〜0.004重量%である
ことが必要である。La、Ce等の希土類元素も前記の
効果が認められるが、Euを含有させた時に0.000
02重量%といった極小値でも効果が大きいのは、Eu
がLa、Ce等の他の希土類元素と比較して原子半径、
イオン半径等の物性値が特異な値を持つ為と考える。
【0007】CaはEuと同様に金線の機械的強度を高
め金ボールを形成する際の熱影響によるボール直上の結
晶粒の粗大化を防ぐ効果があるが、含有率が0.000
1重量%未満では効果がなく、0.003重量%を超え
ると機械的強度の向上が著しく低下し、金ボールを形成
する際にボール表面にCaが析出して、チップ電極との
接合性を阻害するので、0.0001〜0.003重量
%含有することが必要である。
【0008】GeはCaを添加したワイヤーの機械的強
度を安定させるのに効果がある。Beはループ形状を改
善し含有率が高いほどループ高さは高くなるが、0.0
001重量%未満では効果がなく0.001重量%を超
えるとボール直上の結晶粒界の脆化を生じる。Eu、C
aは添加量が増えるに従ってループ高さを低下させるた
め、Beの添加によるループ高さの改善が必要となる。
【0009】
【実施例】純度99.999重量%以上の高純度金に、
Eu等を種々の組成になるように添加し、高周波誘導炉
で水素ガス中で高純度カーボンルツボを用いて溶解し、
母合金を得た。この母合金と高純度金を配合して表1に
示す組成の金合金を高周波誘導炉で真空中で高純度カー
ボンルツボを用いて溶解した。次に溝ロール加工を施し
た後、線引き加工で直径0.03mmまで伸線した。
【0010】得られたボンデイングワイヤーを用いて表
1に示した接合性等の特性を調査した。常温抗張力はこ
のワイヤーを室温における破断伸びが6%になるように
熱処理し、常温での引っ張り試験を行った。その結果を
表1に示す。繰返し曲げ試験は、図1のように金メッキ
リードフレーム(7mm×7mm)上にボールボンデイ
ングした(10cm長さのワイヤーを超音波熱圧着させ
た。ボール径は90ミクロン)ワイヤー先端に重り
(0.5g)をぶら下げ、ワイヤーと+45°〜−45
°の角度をなすようにボンデイング面を回転させてネッ
ク部の繰り返し曲げ(20回/分)を行い、破断までの
曲げ回数によりネック部の疲労強度を比較した。その結
果を表1に示した。
【0011】
【表1】
【0012】表1において、ループ高さは、金属顕微鏡
を用いてリードフレーム面にピントを合わせた際と、ロ
ープ最高部にピントを合わせた際の相対変位量を求め
た。接合性は、圧着したボールをはがす際に要する力
(シエア強度)により評価した。
【0013】試験番号1〜9と10〜14との比較によ
り本発明によるボンデイングワイヤーは、接合性等のボ
ンデイングワイヤーとしての特性が優秀で、特に繰り返
し曲げ試験の回数が多く、振動に対する強度が大きいこ
とが判る。
【0014】
【発明の効果】以上の結果より本発明の金線は従来のボ
ンデイングワイヤーの欠点を解消しボンデイング工程の
歩留り向上及び信頼性の向上を可能にするものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、繰り返し曲げ試験の概要を示した図で
ある。
【符号の説明】
1 金メッキリードフレーム 2 ボールネック部 3 ボンデイングワイヤー 4 重り

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 純度99.999重量%以上の高純度金
    に、Euを0.00002〜0.004重量%、Caを
    0.0001〜0.003重量%、Geを0.0001
    〜0.003重量%、及びBeを0.0001〜0.0
    01重量%含有せしめた合金線からなるボンデイングワ
    イヤー。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US5945065A (en) * 1996-07-31 1999-08-31 Tanaka Denshi Kogyo Method for wedge bonding using a gold alloy wire
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5735577A (en) * 1980-08-11 1982-02-26 Nippon Petrochem Co Ltd Glycidic ester and its preparation
JPS6179741A (ja) * 1984-09-27 1986-04-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ボンデイングワイヤ−
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