JP3337049B2 - ボンディング用金線 - Google Patents

ボンディング用金線

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JP3337049B2 JP31905995A JP31905995A JP3337049B2 JP 3337049 B2 JP3337049 B2 JP 3337049B2 JP 31905995 A JP31905995 A JP 31905995A JP 31905995 A JP31905995 A JP 31905995A JP 3337049 B2 JP3337049 B2 JP 3337049B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップの電極
と外部リード部を接続するために使用するボンディング
用金線に関し、さらに詳しくは、半導体装置組み立ての
際、超音波出力の増加等によってボンディングワイヤの
ネック部が損傷を受ける程度を大幅に低減することがで
きるＩＣチップボンディング用金線に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】従来、ＩＣチップ上の電極
と外部リード部を接続する技術としては、金線を用いた
超音波併用熱圧着ボンディング法が主として用いられて
いる。また、最近の半導体装置の高速化，高機能化の要
求に伴って電極と外部リード部の数が増加した結果、電
極から外部リード部迄の配線距離が長くなっている。一
方では、半導体装置を小型，薄型にするため、電極と外
部リード部の配線距離を極端に短くすることによって対
応している。この為、多数のリード線を用いながら短く
配線を行うことが要求され、これに対応するために、ボ
ンディング装置を用いてループを形成する過程で、ルー
プ形成と逆方向へボールネック部を過酷に屈曲させて変
形させた後にループを張る、所謂リバース変形を行うこ
とによって、ループ高さとループ形状を安定化させる試
みがなされている。
【０００３】しかし乍ら前述の様なリバース変形を行っ
て形成されたループは、半導体装置の作動段階で半導体
の発熱に伴う熱サイクルの環境に晒された場合、ボール
ネック部に断線不良が発生するという問題が生じてい
た。この様な半導体作動中の断線不良を防止するため
に、ボールネック部を過酷に屈曲，変形させてループを
張った場合、その後の過酷な熱サイクル試験において断
線が生じることの少ない金線が要求されている。
【０００４】他方、従来において、振動により金ボール
直上のネック部が破断するという問題を改善することを
目的として、Ｅｕ、Ｃａ、Ｇｅ、Ｂｅを所定量含有させ
たものがある（特開平５−９６２４号）。しかし乍ら上
記従来の提案は、ボンディングワイヤーをボールネック
部で過酷に屈曲，変形させてループを張った後に過酷な
熱サイクル環境に晒された場合や、振動や衝撃を受けた
時、ボールネック部での断線の少ない金線として十分な
ものとはいえない状態にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述したよう
な従来事情に鑑みて成されたものであり、その目的とす
るところは、超音波出力を増大させた超音波併用熱圧着
ボンディングを行い、且つボールネック部を過酷に屈
曲，変形させてループを張る、所謂リバース変形を行っ
てループを形成した後に過酷な熱サイクル環境に晒され
ても断線が生じることが少なく、振動や衝撃によって金
ボール直上のネック部が破断することの少ないＩＣチッ
プボンディング用金線を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等が鋭意研究を
重ねた結果、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム
（Ｍｇ）、ユウロピウム（Ｅｕ）を夫々所定量含有し、
残部が金（Ａｕ）からなり、該金が０．００１重量％以
下の不可避不純物を含む組成の金線とすることにより、
それら各元素の相乗効果によって前述の目的を達成し得
ることを知見し、本発明を完成するに至った。すなわち
本願第１発明は、白金（Ｐｔ）：０．０００１〜０．０
０５重量％、銀（Ａｇ）：０．０００１〜０．００５重
量％、マグネシウム（Ｍｇ）：０．０００５〜０．００
５重量％及びユウロピウム（Ｅｕ）：０．００００５〜
０．００５重量％を含有し、残部が金（Ａｕ）からな
り、該金が０．００１重量％以下の不可避不純物を含む
ことを特徴とするＩＣチップボンディング用金線であ
る。
【０００７】また本願第２発明は、白金（Ｐｔ）：０．
０００１〜０．００５重量％、銀（Ａｇ）：０．０００
１〜０．００５重量％、マグネシウム（Ｍｇ）：０．０
００５〜０．００５重量％及びユウロピウム（Ｅｕ）：
０．００００５〜０．００５重量％を含有し、さらにベ
リリウム（Ｂｅ）：０．００００２〜０．００１重量
％，カルシウム（Ｃａ）：０．００００５〜０．００４
重量％，ゲルマニウム（Ｇｅ）：０．０００５〜０．０
１重量％の内少なくとも１種を含有し、残部が金（Ａ
ｕ）からなり、該金が０．００１重量％以下の不可避不
純物を含むことを特徴とするＩＣチップボンディング用
金線である。
【０００８】さらに本願第３発明は、白金（Ｐｔ）：
０．０００１〜０．００５重量％、銀（Ａｇ）：０．０
００１〜０．００５重量％、マグネシウム（Ｍｇ）：
０．０００５〜０．００５重量％及びユウロピウム（Ｅ
ｕ）：０．００００５〜０．００５重量％を含有し、さ
らにランタン（Ｌａ），イットリウム（Ｙ），鉛（Ｐ
ｂ），エルビウム（Ｅｒ），カドリニウム（Ｇｄ），セ
リウム（Ｃｅ），プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎ
ｄ），サマリウム（Ｓｍ）の内少なくとも１種を０．０
００１〜０．０２重量％含有し、残部が金（Ａｕ）から
なり、該金が０．００１重量％以下の不可避不純物を含
むことを特徴とするＩＣチップボンディング用金線、又
は、白金（Ｐｔ）：０．０００１〜０．００５重量％、
銀（Ａｇ）：０．０００１〜０．００５重量％、マグネ
シウム（Ｍｇ）：０．０００５〜０．００５重量％及び
ユウロピウム（Ｅｕ）：０．００００５〜０．００５重
量％を含有し、さらにベリリウム（Ｂｅ）：０．０００
０２〜０．００１重量％，カルシウム（Ｃａ）：０．０
０００５〜０．００４重量％，ゲルマニウム（Ｇｅ）：
０．０００５〜０．０１重量％の内少なくとも１種を含
有すると共に、ランタン（Ｌａ），イットリウム
（Ｙ），鉛（Ｐｂ），エルビウム（Ｅｒ），カドリニウ
ム（Ｇｄ），セリウム（Ｃｅ），プラセオジム（Ｐ
ｒ），ネオジム（Ｎｄ），サマリウム（Ｓｍ）の内少な
くとも１種を０．０００１〜０．０２重量％含有し、残
部が金（Ａｕ）からなり、該金が０．００１重量％以下
の不可避不純物を含むことを特徴とするＩＣチップボン
ディング用金線である。
【０００９】
【発明の実施の形態】前述の通り本発明は、所定量のＰ
ｔ、Ａｇ、Ｍｇ及びＥｕからなる第１群、所定量のＢ
ｅ，Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種からなる第２群、Ｌ
ａ，Ｙ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの
内少なくとも１種の所定量からなる第３群の成分を含有
した組成となっている。以下、本発明の詳細な構成とそ
の作用について説明する。本発明ではＰｔ、Ａｇ、Ｍ
ｇ、Ｅｕを上記構成になるよう含有し、残部が金からな
り、該金が０．００１重量％以下の不可避不純物を含む
組成にすることにより、それら金属元素同士の相乗効果
によって、超音波出力を増大させた超音波併用熱圧着ボ
ンディングを行い、且つループ形成の際にリバース変形
を加えたボンディングワイヤのネック部の信頼性におい
て、熱サイクルの環境に晒された場合及び振動や衝撃を
受けた場合の破断性能に優れた金合金線を得ることが出
来る。次に、本発明の金合金線の成分組成を上記の通り
限定した理由を説明する。
【００１０】〔第１群；Ｐｔ〕Ｐｔは、Ａｇ、Ｍｇ、Ｅ
ｕとの共存において、ボールネック部の信頼性向上に優
れた効果を示す。Ｐｔ含有量が０．０００１重量％以上
になると０．０００１重量％未満と対比してボールネッ
ク部の信頼性が大きくなり、０．００５重量％を越える
と良好なボール形成が出来なくなってくる。このためＰ
ｔ含有量を０．０００１〜０．００５重量％と定めた。
Ｐｔを前記規定量含有してもＡｇ、Ｍｇ、Ｅｕのいずれ
か１種が含有されていない場合と対比して、Ａｇ、Ｍ
ｇ、Ｅｕとの共存においてボールネック部の信頼性が向
上するためＰｔはＡｇ、Ｍｇ、Ｅｕとの共存が必要であ
る。さらに好ましい組成は、所定量のＢｅ，Ｃａ，Ｇｅ
の内少なくとも１種を含有させることであり、この組成
において、ボールネック部の信頼性向上にさらに優れた
効果を示す。
【００１１】〔第１群；Ａｇ〕Ａｇは、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｅ
ｕとの共存において、ボールネック部の信頼性向上に優
れた効果を示す。Ａｇ含有量が０．０００１重量％以上
になると０．０００１重量％未満と対比してボールネッ
ク部の信頼性が大きくなる。好ましくは０．０００５重
量％以上であり、この時ボールネック部の信頼性の中で
衝撃試験による破断率がさらに向上してくる。０．００
５重量％を越えると良好なボール形成が出来なくなって
くる。このためＡｇ含有量を０．０００１〜０．００５
重量％と定めた。Ａｇを前記規定量含有してもＰｔ、Ｍ
ｇ、Ｅｕのいずれか１種が含有されていない場合と対比
して、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｅｕとの共存においてボールネック
部の信頼性が向上するためＡｇはＰｔ、Ｍｇ、Ｅｕとの
共存が必要である。さらに好ましい組成は、所定量のＢ
ｅ，Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種を含有させることで
あり、この組成において、ボールネック部の信頼性向上
にさらに優れた効果を示す。
【００１２】〔第１群；Ｍｇ〕Ｍｇは、Ｐｔ、Ａｇ、Ｅ
ｕとの共存において、ボールネック部の信頼性向上に優
れた効果を示す。Ｍｇ含有量が０．０００５重量％以上
になると０．０００５重量％未満と対比してボールネッ
ク部の信頼性が大きくなる。Ｍｇ含有量が０．００５重
量％を越えると良好なボール形成が出来なくなってくる
と共に、ボンディング時にチップ電極に割れが生じてく
る。このためＭｇ含有量を０．０００５〜０．００５重
量％と定めた。Ｍｇを前記規定量含有してもＰｔ、Ａ
ｇ、Ｅｕのいずれか１種が含有されていない場合と対比
して、Ｐｔ、Ａｇ、Ｅｕとの共存においてボールネック
部の信頼性が向上するためＭｇはＰｔ、Ａｇ、Ｅｕとの
共存が必要である。さらに好ましい組成は、所定量のＢ
ｅ，Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種を含有させることで
あり、この組成において、ボールネック部の信頼性向上
にさらに優れた効果を示す。
【００１３】〔第１群；Ｅｕ〕Ｅｕは、Ｐｔ、Ａｇ、Ｍ
ｇとの共存において、ボールネック部の信頼性向上に優
れた効果を示す。Ｅｕ含有量が０．００００５重量％以
上になると０．００００５重量％未満と対比してボール
ネック部の信頼性が大きくなり、０．０００１重量％以
上になると該信頼性はさらに大きくなる。Ｅｕ含有量が
０．００５重量％を越えるとボンディング時にチップ電
極に割れが生じてくる。このためＥｕ含有量を０．００
００５〜０．００５重量％と定めた。Ｅｕを前記規定量
含有してもＰｔ、Ａｇ、Ｍｇのいずれか１種が含有され
ていない場合と対比して、Ｐｔ、Ａｇ、Ｍｇとの共存に
おいてボールネック部の信頼性が向上するためＥｕはＰ
ｔ、Ａｇ、Ｍｇとの共存が必要である。Ｅｕ含有量のさ
らに好ましい範囲は０．０００１〜０．００５重量％で
あり、この範囲においてボールネック部の信頼性向上は
さらに優れた効果を示す。さらに好ましい組成は、所定
量のＢｅ，Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種を含有させる
ことであり、この組成において、ボールネック部の信頼
性向上にさらに優れた効果を示す。
【００１４】〔第２群；Ｂｅ，Ｃａ，Ｇｅ〕Ｂｅ含有量
が０．００００２〜０．００１重量％、Ｃａ含有量が
０．００００５〜０．００４重量％、Ｇｅ含有量が０．
０００５〜０．０１重量％の内少なくとも１種の成分
が、Ｐｔ、Ａｇ、Ｍｇ及びＥｕとの共存においてボール
ネック部の信頼性向上にさらに優れた効果を示すため、
好ましく用いられる。Ｂｅ含有量が０．００００２重量
％未満で且つＣａ含有量が０．００００５重量％未満で
且つＧｅ含有量が０．０００５重量％未満のとき、前記
のようなさらに優れた効果は得られない。Ｂｅ含有量が
０．００１重量％を越えると良好なボール形成が出来な
くなってくる。Ｃａ含有量が０．００４重量％を越える
と良好なボール形成が出来なくなってくる。Ｇｅ含有量
が０．０１重量％を越えるとボンディング時の電極割れ
が発生し易くなる。このため、Ｂｅ含有量を０．０００
０２〜０．００１重量％、Ｃａ含有量を０．００００５
〜０．００４重量％、Ｇｅ含有量を０．０００５〜０．
０１重量％と定めた。
【００１５】〔第３群；Ｌａ，Ｙ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ〕第１群の成分に、第３群の成
分すなわちＬａ，Ｙ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｓｍの内少なくとも１種の成分を０．０００１〜
０．０２重量％含有した場合、ボールネック部の信頼性
において、第１群のみを含有する組成と対比して同等の
効果を有する。この場合、第３群の成分を含有しても、
第１群の成分であるＰｔ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｅｕのいずれか
１種を含有しない場合、ボールネック部の信頼性におい
て優れた効果は得られない。
【００１６】また第１群の成分及び第２群の成分に、第
３群の成分すなわちＬａ，Ｙ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの内少なくとも１種の成分を０．
０００１〜０．０２重量％含有した場合、ボールネック
部の信頼性において、第１群の成分及び第２群の成分を
同時に含有した組成と対比して同等のさらに優れた効果
を有する。この場合、第２群及び第３群の成分を含有し
ても、第１群の成分であるＰｔ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｅｕのい
ずれか１種を含有しない場合、ボールネック部の信頼性
において優れた効果は得られない。
【００１７】
【実施例】以下、表１〜表１６に示す実施例及び比較例
について説明する。 （実施例１）純度９９．９９９重量％の高純度金に所定
量のＰｔ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｅｕを添加し真空溶解炉で溶解
した後鋳造して表中に示す組成の金合金、即ちＰｔ１ｐ
ｐｍ、Ａｇ１０ｐｐｍ、Ｍｇ２０ｐｐｍ、Ｅｕ１０ｐｐ
ｍを含有し残部がＡｕからなり、該Ａｕが１０ｐｐｍの
不可避不純物を含む金合金を得、これに溝ロール，伸線
機を用いた冷間加工と熱処理を繰り返し，最終線径３０
μｍ、伸び率４％の細線になるように仕上げた。この細
線をボンディングワイヤとして、高速自動ボンダを用い
てＩＣチップ電極上に超音波熱圧着ボンディングを行っ
た。超音波出力を０．５Ｗとし最初のボール接合を行っ
た後、ループ形成と逆方向にキャピラリを一旦動かしそ
のリバース角度を垂直方向に対して６０度に設定し、ボ
ールネック部を苛酷に屈曲させて変形させ、次いで外部
リードに接合し正規のループ（配線）を形成した。配線
試料は１個のＩＣチップに対して４０ピン、即ち４０本
の配線を行った。次いでボール形状、接合時の電極割
れ、熱サイクル試験、振動試験、衝撃試験を行った。測
定結果を表２に示す。
【００１８】（実施例２〜１５９／比較例１〜２２）金
合金の組成を表中に示すようにしたこと以外は実施例１
と同様にして細線に仕上げ、前記した各試験を行った。
結果を表２，表４，表６，表８，表１１，表１４，表１
６に示す。
【００１９】測定方法は以下の通りである。 〔ボール形状〕高速自動ボンダに組み込まれている電気
トーチを用いて金ボールを作製し、走査型電子顕微鏡を
用いて金ボールの大きさ、真球度、表面状態を観察し
た。金ボールの大きさは線径の２．５倍、即ち７５μｍ
φを基準とし、真球度、表面状態は比較サンプル対比で
測定した。１０個測定して全て良好な時は「良好」、１
個でも不良がある時は「不良」と表示した。
【００２０】〔接合時の電極割れ〕高速自動ボンダーを
用いて１００個の配線試料を作製し、電極割れ不良の発
生がないものを「良好」、１個でも割れ不良の発生があ
るものを「不良」と表示した。
【００２１】〔熱サイクル試験〕配線試料をエポキシ樹
脂にて封止し、−１０℃×３０分と１５０℃×３０分の
熱サイクルテストを2000回行った。１００個の配線試料
を測定に供し、導通テストにより断線の有無を確認し
た。断線した個数を破断率（％）で表示した。
【００２２】〔振動試験〕基板材料として、ＩＣチップ
電極に代えて銀メッキしたリードフレーム１を用いて実
施例１と同様にして配線し、次いで外部リード側の接合
部を切断して図１に示すような試料を作成し振動試験の
材料とした。図１に示す振動試験機２を用い、前記リー
ドフレーム１に先端をボンディングしたワイヤ３を治具
４を用いて軸５を中心に左右両側へ振幅させる振動試験
を次の条件で行い、破断に至るまでの振動回数を測定し
た。 スパン距離（Ｌ1 ）：１５０μｍ 両側振幅（Ｌ2 ）：２６μｍ 振動周波数：４０Ｈｚ（１秒間に４０回） 同様の試験を３回繰り返し、得られた平均値を表示し
た。
【００２３】〔衝撃試験〕配線試料６個（配線数合計２
４０本）作成し衝撃加速試験を行った。即ち該試料をマ
ガジンに入れ高さ１００ｍｍから落下させて、そのワイ
ヤ破断本数を光学顕微鏡で検査した。破断率を次式で表
示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】
【表５】
【００２９】
【表６】
【００３０】
【表７】
【００３１】
【表８】
【００３２】
【表９】
【００３３】
【表１０】
【００３４】
【表１１】
【００３５】
【表１２】
【００３６】
【表１３】
【００３７】
【表１４】
【００３８】
【表１５】
【００３９】
【表１６】
【００４０】以上の測定結果から明らかなように、所定
量のＰｔ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｅｕからなる第１群の成分を含
有した実施例１〜１１は、ボール形状が良好であり、ボ
ンディング時の電極割れ不良の発生がないと共に、熱サ
イクル試験後の破断率が１％、振動試験での破断に至る
までの振動回数が１１，０００回以上であり、衝撃試験
での破断率が１２％以下であり、ボールネック部の信頼
性向上に優れた効果を示した。またこの中でも、Ｅｕの
含有量が０．０００１重量％以上である実施例は、振動
試験での破断に至るまでの振動回数が１２，０００回以
上であり、Ａｇの含有量が０．０００５重量％以上であ
る実施例は、衝撃試験での破断率が５％以下であり、ボ
ールネック部の信頼性向上により優れた効果を示した。
【００４１】また前記第１群の成分に加えて、所定量の
Ｂｅ，Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種からなる第２群の
成分を含有した実施例１２〜１１２は、ボール形状が良
好であり、ボンディング時の電極割れ不良の発生がない
と共に、熱サイクル試験後の破断率が１％以下であり、
且つ振動試験での破断に至るまでの振動回数が１１，０
００回以上であり、衝撃試験での破断率が１５％以下と
優れた効果を示した。またこの中でも、Ｅｕの含有量が
０．０００１重量％以上である実施例は、熱サイクル試
験後の破断率が０％、振動試験での破断に至るまでの振
動回数が１３，０００回以上であり、Ａｇの含有量が
０．０００５重量％以上である実施例は衝撃試験での破
断率が３％以下であり、ボールネック部の信頼性向上に
さらに優れた効果を示した。
【００４２】さらに前記第１群の成分に加えて、Ｌａ，
Ｙ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの内少
なくとも１種の所定量からなる第３群の成分を含有した
実施例１１３〜１３５は、第１群のみを含有する実施例
１〜１１と対比して同等の効果を示した。
【００４３】さらにまた、前記第１群の成分及び第２群
の成分に加えて、Ｌａ，Ｙ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの内少なくとも１種の所定量からなる
第３群の成分を含有した実施例１３６〜１５９は、第１
群の成分及び第２群の成分を同時に含有した実施例１２
〜１１２と対比して同等のさらに優れた効果を示した。
【００４４】これに対し、本発明に係る第１群、第２
群、第３群の成分のいずれも含有しない比較例１は、熱
サイクル試験後の破断率が１５％、振動試験での破断に
至るまでの回数が６，４００回程度、衝撃試験での破断
率が３８％であることが判る。また、第１群の内のいず
れか１種の成分を含有しない比較例２〜１８は、熱サイ
クル試験後の破断率が５〜９％、振動試験での破断に至
るまでの回数が８，８００回以上１０，６００回以下、
衝撃試験での破断率が２０〜３７％と、比較例１に比べ
れば改善されるものの、本発明に比べれば劣ることが判
る。さらに、第１群の成分の全てを含有してもその内の
いずれか１種の含有量が本発明の範囲外である比較例１
９〜２２は、熱サイクル試験後の破断率が２％、振動試
験での破断に至るまでの回数が１１，０００回以上、衝
撃試験での破断率が１２〜１４％と本発明に近似する結
果が得られるものの、ボール形状、チップ電極割れのい
ずれかの点で本発明に劣ることが判る。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に係るＩＣチップボンディング用金線は、所定量のＰ
ｔ、Ａｇ、Ｍｇ及びＥｕを含有し、残部が金からなり、
該金が０．００１重量％以下の不可避不純物を含む組成
としたので、超音波出力を増大させた超音波併用熱圧着
ボンディングを行い、且つリバース変形を加えて形成し
たループのネック部において、熱サイクルの環境に晒さ
れた場合及び振動や衝撃を受けた場合の破断性能を大幅
に向上することが出来た。従って、多数のリード線を用
いながら短く配線を行う半導体装置の組み立てにおいて
高い信頼性が得られ、半導体装置の高速化，高機能化，
小型化，薄型化の促進に極めて有用である。
【００４６】また請求項２に記載のように、所定量のＰ
ｔ、Ａｇ、Ｍｇ及びＥｕを含有し、さらに所定量のＢ
ｅ，Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種を含有し、残部が金
からなり、該金が０．００１重量％以下の不可避不純物
を含む組成とした場合は、超音波出力を増大させた超音
波併用熱圧着ボンディングを行い、且つリバース変形を
加えて形成したループのネック部において、熱サイクル
の環境に晒された場合及び振動や衝撃を受けた場合の破
断性能をさらに向上することが出来、前述した効果をよ
り実効あるものとすることができた。
【００４７】また請求項３に記載の如く、所定量のＰ
ｔ、Ａｇ、Ｍｇ及びＥｕを含有し、さらに所定量のＬ
ａ，Ｙ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの
内少なくとも１種を含有し、残部が金からなり、該金が
０．００１重量％以下の不可避不純物を含む組成とした
場合は上記請求項１と同等の効果が得られ、また、所定
量のＰｔ、Ａｇ、Ｍｇ及びＥｕを含有し、さらに所定量
のＢｅ，Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種を含有すると共
に、所定量のＬａ，Ｙ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍの内少なくとも１種を含有し、残部が金
からなり、該金が０．００１重量％以下の不可避不純物
を含む組成とした場合は、上記請求項２と同等の効果を
得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】振動試験の概要を示す簡略図。
【符号の説明】
１：リードフレーム ２：振動試験機 ３：ボンディングワイヤ ４：クランプ ５：振幅中心軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 C22C 5/02

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 白金（Ｐｔ）：０．０００１〜０．００
    ５重量％、銀（Ａｇ）：０．０００１〜０．００５重量
    ％、マグネシウム（Ｍｇ）：０．０００５〜０．００５
    重量％及びユウロピウム（Ｅｕ）：０．００００５〜
    ０．００５重量％を含有し、残部が金（Ａｕ）からな
    り、該金が０．００１重量％以下の不可避不純物を含む
    ことを特徴とするＩＣチップボンディング用金線。
  2. 【請求項２】 ベリリウム（Ｂｅ）：０．００００２〜
    ０．００１重量％，カルシウム（Ｃａ）：０．００００
    ５〜０．００４重量％，ゲルマニウム（Ｇｅ）：０．０
    ００５〜０．０１重量％の内少なくとも１種を含有する
    ことを特徴とする請求項１記載のＩＣチップボンディン
    グ用金線。
  3. 【請求項３】 ランタン（Ｌａ），イットリウム
    （Ｙ），鉛（Ｐｂ），エルビウム（Ｅｒ），カドリニウ
    ム（Ｇｄ），セリウム（Ｃｅ），プラセオジム（Ｐ
    ｒ），ネオジム（Ｎｄ），サマリウム（Ｓｍ）の内少な
    くとも１種を０．０００１〜０．０２重量％含有するこ
    とを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＩＣチップ
    ボンディング用金線。
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