JPH1167811A - 半導体素子用金銀合金細線 - Google Patents

半導体素子用金銀合金細線

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JPH1167811A
JPH1167811A JP21453697A JP21453697A JPH1167811A JP H1167811 A JPH1167811 A JP H1167811A JP 21453697 A JP21453697 A JP 21453697A JP 21453697 A JP21453697 A JP 21453697A JP H1167811 A JPH1167811 A JP H1167811A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子ボンディング用金細線としての性
能を維持しつつ、金細線中の金の含有量を低減して半導
体素子の製造コストを低減する。更に過酷な使用環境に
耐える高信頼性を実現する。 【解決手段】 Ａｇを１〜１1 重量％の範囲で含有し、
さらに必要によりＣｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種、
Ｃａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種、Ｍ
ｎ、Ｃｒの少なくとも１種を所要量含有し、残部が金お
よび不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子
用金銀合金細線。Ａｇの含有量の範囲が１〜６重量％で
あることを特徴とする前記半導体素子用金銀合金細線。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上の電
極と外部リードを接続するために使用されるボンディン
グワイヤに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体基板上の内部
配線と、インナーリード部との電気的導通を得る接続法
として、線径２０〜５０μｍの細線を用いたボンディン
グワイヤ法が主流である。この細線の材料としては、Ｌ
ＳＩの大半を占める樹脂封止する半導体では、金合金細
線が広く用いられている。金合金細線の長所として、金
は化学的に安定であることが挙げられる。金合金細線は
半導体基板上のアルミ電極との接続に用いるボール接合
において、大気中でのワイヤ溶融時の酸化の心配がな
く、真球で清浄なボールが容易に得られ、超音波を併用
した熱圧着により良好な接合性が得られており、高速接
合、量産性に優れている。
【０００３】金合金細線は上記のように優れた特性を有
するが、原料である金が高価であり、金合金細線の製造
方法を改善するだけではコストを大幅に低減することが
できず、半導体素子の価格低減をはばむ要因の一つとな
っている。ボンディングワイヤとしての特性を具備した
上で、高価な金の使用量を削減することができれば、半
導体素子の製造コスト削減に寄与するところは大きい。
【０００４】現状の半導体素子用金合金細線のほとんど
すべては、特性発現のために添加する不純物の総量を
０．０１％以下におさえた、純度が９９．９９％（4
Ｎ：フォーナイン）の高純度細線が用いられているのが
現状であり、高機能化した半導体の開発が進む中でも、
主原料としての金の成分範囲には大きな変動はみられて
いない。最近では、不純物総量として１％程度含有する
合金細線の検討もされているが、さらなる低コスト化の
メリットを重視した、数％程度の合金化を達成した金合
金細線が使用された実例はみられない。
【０００５】Ａｇは金中に全率固溶する金属であり、金
中に高濃度の添加をする試みがなされてきた。Ａｇの高
濃度添加では、特開昭５５−１５８６４２号公報におい
て、低コスト化と硫化による細線表面の変色などを考慮
して、Ａｇの添加範囲として２０〜５０重量％が開示さ
れている。また特開昭５６−１９６２８号公報において
は、Ａｇ添加により高温での機械的強さ特に破断強さに
優れ、且つ接合部の引張強さに優れていることを考慮し
て、Ａｇの添加範囲として１９〜５９重量％と他元素群
Pd,Pt,Rh,Ir,Os,Ru を0.0003〜0.1 重量％との併用につ
いて開示されており、また特開昭５６−１９６２９号公
報においては、同様の効果を得るためのＡｇの添加範囲
として１９〜５９重量％と、他元素群Be,Ca,Co,Fe,Niを
0.0003〜0.1 重量％との併用について開示されている。
ただし、実際の量産に用いられる半導体素子用細線とし
ては、Ａｇを高濃度含有した金銀合金細線は用いられて
いない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らの研究によ
り、従来知られている上記のＡｇを高濃度に含有した金
銀合金細線は、純金に比較してワイヤの引張強度は改善
されているものの、リード端子との接合部の接合強度が
十分に得られないという問題を有していることが明らか
になった。多ピン狭ピッチ化に伴いリード端子が微細と
なるため、その微細なリード端子上の銀メッキおよびＰ
ｄメッキ面と金銀合金細線との良好な接合が得られなか
ったのである。また、特に過酷な条件で用いられる半導
体素子に対しては、金銀合金細線と半導体基板のアルミ
電極との接合の信頼性が十分でないとの問題点も明らか
になった。
【０００７】半導体素子用の細線にＡｇを高濃度に含有
させて半導体素子の製造コストを低減させるためには、
細線とリード端子との接合部の接合強度を十分に確保し
なければならない。また、特に過酷な条件で用いられる
半導体素子に対してＡｇを高濃度に含有させた金銀合金
細線を用いるためには、過酷な条件における信頼性を確
保しなければならない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、その要旨とするとこ
ろは以下のとおりである。 （１）Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で
含有し、残部が金および不可避不純物からなることを特
徴とする半導体素子用金銀合金細線。 （２）Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で
含有し、さらにＣｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総
計で０．０1 〜４重量％の範囲で含有し、残部が金およ
び不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用
金銀合金細線。 （３）Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で
含有し、さらにＣａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なく
とも１種を総計で０．０００５〜０．０５重量％の範囲
で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを
特徴とする半導体素子用金銀合金細線。 （４）Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で
含有し、さらにＭｎ、Ｃｒの少なくとも１種を総計で
０．０1 〜０．２重量％の範囲で含有し、残部が金およ
び不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用
金銀合金細線。 （５）Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で
含有し、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で
０．０1 〜４重量％の範囲で含有し、さらにＣａ、Ｉ
ｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０
００５〜０．０５重量％の範囲で含有し、残部が金およ
び不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用
金銀合金細線。 （６）Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で
含有し、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で
０．０１〜４重量％の範囲で含有し、Ｃａ、Ｉｎ、Ｂ
ｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０００５
〜０．０５重量％の範囲で含有し、さらにＭｎ、Ｃｒの
少なくとも１種を総計で０．０1 〜０．２重量％の範囲
で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを
特徴とする半導体素子用金銀合金細線。 （７）Ａｇの含有量の範囲が１重量％以上かつ６重量％
以下であることを特徴とする上記（１）乃至（６）に記
載の半導体素子用金銀合金細線。 （８）半導体基板上の配線電極とリード上のＡｇメッキ
面またはＰｄメッキ面との間を、上記（１）乃至（７）
に記載の半導体素子用金銀合金細線によって接続したこ
とを特徴とする半導体素子。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明（１）〜（６）において
は、金中にＡｇを１重量％以上かつ１１重量％未満含有
することを特徴とする。金中のＡｇの含有量が１％未満
であると、金細線を半導体素子のボンディングワイヤと
して使用する場合の強度が不足し、ボールボンディング
後のネック部での破断が発生したり、あるいは形成した
ループがたわんで隣のループとの接触を起こし、ボンデ
ィングワイヤとして機能することができない。本発明に
おいては、金細線中にＡｇを１％以上含有することで金
細線の強度の向上を図り、その結果、ネック部の破断強
度、ループのたわみともに向上し、Ａｇ以外に添加成分
を加えることなくボンディングワイヤとして必要な特性
を獲得することを特徴とする。Ａｇ含有により細線の強
度が上昇してループ制御が容易になり、その結果として
ループ高さのばらつきが低減する。一般には材料費低減
の目的で不純物元素を大量に添加すると、強度の増加お
よび伸線くせなどが原因となってむしろループ形状のば
らつきが増加する傾向が見られる。その中で、Ａｇを本
発明範囲で添加すると、強度のバランスが良好に実現
し、却ってループ形状のばらつきの低減が実現できるの
である。
【００１０】一方、金中のＡｇ濃度が１１重量％以上で
は、細線とリード端子上のＡｇメッキおよびＰｄメッキ
面とのステッチ接合における接合不良発生頻度が増大す
る。リード端子との接合時の荷重印加時の細線の硬化が
大きいこと、表面部において金中のＡｇが酸化膜を形成
すること、また接合部のリード端子のＡｇメッキおよび
Ｐｄめっきとの拡散が抑えられることなどが関係してい
ると考えられる。接合不良を防止するために接合荷重を
高めると、細線がつぶれすぎてリード接合部近傍の細線
の強度が低下したり断線不良の原因となる。その結果と
して、ループ形成後の強度評価法として多用されている
プル試験において、通常はボール接合部直上のネック部
で破断するが、高荷重で接合した場合、細線とリード端
子部との接合部近傍で破断が生じ、この部位での強度低
下が問題となる。
【００１１】本発明は、ボンディングワイヤの特性とし
て、上記に示した特性以外の特性も良好である。即ち、
電極とのボール接合のためにワイヤ先端に作製したボー
ルの形状、細線先端のボールと電極との接合部のボール
と電極の損傷の有無、ボール接合部の接合強度、ループ
形成時のワイヤ曲がり状況、通常の半導体素子の電極接
合部に要求される信頼性評価についても、ボンディング
ワイヤとして必要な特性を具備していることが確認でき
た。
【００１２】本発明の金銀の合金細線に、さらにＣｕ、
Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０1 〜4 重量
％の範囲で含有させることにより、アルミ電極との接続
直後の接合強度が高まる。その効果は、上記の元素を高
純度の金のみに添加するよりも、Ａｇと併用して含有さ
せることにより、より高められる。Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの
含有量を上記範囲と定めたのは、０．０1 重量％未満で
あれば上記効果は小さく、４重量％を超えるとボール部
が硬化するため接合時に半導体素子に損傷を与えること
が懸念され、それを回避するために接合時の変形を軽減
すると接合強度がむしろ低下するという理由に基づくも
のである。
【００１３】本発明の金銀合金細線に、さらにＣａ、Ｉ
ｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０
００５〜０．０５重量％の範囲で含有すると、伸線時の
断線不良が低下し、ループ形成時の曲がり変形が低下す
るため、隣接する細線ピッチが狭い高密度接合に好適な
金銀合金細線が得られる。その効果は、上記の元素を高
純度の金のみに添加するよりも、Ａｇと併用して含有さ
せることにおいて、高い効果が得られる。Ｃａ、Ｉｎ、
Ｂｅ、希土類元素の含有量を上記範囲と定めたのは、
０．０００５重量％未満であれば上記効果は小さく、
０．０５重量％を超えると伸線後に熱処理を施しても伸
線時の加工ぐせを低減することが困難になり、ワイヤの
ループ形成時の曲がり変形が増加するためである。
【００１４】また、本発明の金銀合金細線に、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０1 〜４重量％
の範囲で含有させ、さらにＣａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元
素の少なくとも１種を総計で０．０００５〜０．０５重
量％の範囲で含有させると、樹脂封止工程における金銀
合金細線の変形量が低減することが判明した。これは、
高温強度が増加することと関連するものである。上記の
元素添加による樹脂封止時の変形量の低減する効果につ
いては、Ａｇと併用して含有させることにおいて、より
高い効果が得られる。ここで、各元素群の含有量を上記
範囲と定めたのは、前述した理由に基づくものである。
【００１５】また、本発明の金銀の合金細線に、さらに
Ｍｎ、Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．００５〜０．
２重量％の範囲で含有すると、ボール部の接合時におけ
る変形容易性が向上する。Ａｇ濃度が増加するに従い、
ボール部が硬くなるため、接合時に半導体基板へのダメ
ージを与えないように注意を払う必要が生じるが、Ａｇ
に加えてＭｎ、Ｃｒを適量添加すると、ボール変形性が
高まり接合面積が増加する効果がある。従って、低い接
合荷重および超音波出力でも十分な接合強度が得られる
ことから、ダメージ軽減に効果が得られる。ここで、含
有量を上記範囲と定めたのは、０．００５重量％未満で
は上記効果は小さく、０．２重量％を超えると、大気中
のボール形成では真球で清浄なボール部を得ることが困
難となるためである。
【００１６】通常用いられる半導体素子用のボンディン
グワイヤにおいては、半導体基板のアルミ電極との接合
信頼性に関しては通常の信頼性試験での評価が良好であ
れば問題無く使用することができる。即ち、第１に、ボ
ンディングワイヤを半導体基板のアルミ電極にボール接
合した接合部を、樹脂封止しない状態で窒素ガス中にお
いて１２０℃で２００時間加熱処理した後に、シェアテ
ストによって接合強度の変化を評価した。第２に、樹脂
封止した最終製品について、信頼性試験を行った。金中
にＡｇを１〜１１％含有した本発明において、通常の信
頼性に関してはなんら問題はない。
【００１７】本発明者らは、通常の使用条件を超える過
酷な使用環境においてボンディングワイヤとアルミ電極
との接合部の強度が保持されるかどうかを評価する新た
な接合信頼性評価試験を導入し、評価を行った。即ち、
ボンディングワイヤを半導体基板のアルミ電極にボール
接合した接合部を、樹脂封止しない状態で窒素ガス中に
おいて２００℃で２００時間加熱処理した後に、シェア
テストによって接合強度の変化を評価した。その結果、
金銀合金細線中のＡｇ濃度が１〜６％の範囲において、
上記高温加熱テストを経た後であっても接合部の接合強
度が低下しないことを明らかにした。
【００１８】本発明（７）は上記の知見に基づいてなさ
れたものであり、本発明（１）〜（６）において、金銀
合金細線における金中のＡｇ含有量を１〜６％とするこ
とにより、２００℃×２００時間という過酷な条件にお
いても金銀合金細線とアルミ電極接合部の接合強度は全
く低下することがなく、過酷な条件においても信頼性の
高い半導体素子を実現する。Ａｇ含有量の上限を６％と
したのは、６％を超えると２００℃×２００時間の加熱
後の接合部シェア強度が低下するからである。Ａｇ含有
量の下限を１％としたのは、本発明（１）と同じ理由で
ある。
【００１９】本発明（１）〜（６）の金銀合金細線をボ
ンディングワイヤとして用い、半導体基板上の電極とリ
ード上のＡｇメッキまたはＰｄメッキ面とを接合するこ
とによって製造した半導体素子は、従来知られているボ
ンディングワイヤを用いた場合と同等の性能を従来に比
較して安価な製造コストで実現することができる。ま
た、本発明（７）の金銀合金細線をボンディングワイヤ
として用いれば、過酷な条件においても信頼性の高い半
導体素子を実現することができる。
【００２０】
【実施例】母材の金としては金純度が約99.995重量％以
上の電解金を、添加するＡｇとしては純度が99.95 ％以
上の高純度のものを用いた。前述の各添加元素群を含有
する母合金を個別に高周波真空溶解炉で溶解鋳造して母
合金を溶製した。
【００２１】このようにして得られた各添加元素の母合
金の所定量と金純度が約99.995重量％以上の電解金とに
より、表１〜４に示す化学成分の金合金を高周波真空溶
解炉で溶解鋳造し、その鋳塊を圧延した後に常温で伸線
加工を行い、必要に応じて金合金細線の中間焼鈍工程を
加え、さらに伸線工程を続け、最終線径が２５μｍの金
合金細線とした後に、連続焼鈍して伸び値が４％程度に
なるように調整した。得られた金合金細線について、半
導体素子用途のボンディング性などの使用性能を調べた
結果を表１〜４に併記した。
【００２２】ワイヤボンディングに使用される高速自動
ボンダーを使用して、アーク放電によりワイヤ先端に作
製した金銀合金ボールを１０本採取し、走査型電子顕微
鏡で観察した。結果を表１〜４の「ボール形状」に示
す。ボール形状が異常なもの、ボール先端部において収
縮孔の発生が認められるもの等半導体素子上の電極に良
好な接合ができないものを△印で、形状が真球で表面も
清浄である良好なボールについて○印で示した。
【００２３】接合時のチップ損傷を調べるため、ボンデ
ィングした素子を王水中に数分間漬けて、金ワイヤおよ
びアルミ電極などを溶解した後に、接合箇所を光学顕微
鏡により観察したした。問題となる損傷が認められなか
ったものについては、更にＳＥＭで５００倍程度の倍率
で観察して微小なクラックが認められるものについて○
印、損傷のない特に良好な結果について◎印で示した。
結果を「ボール接合損傷」に示す。
【００２４】ボンディング後にリードフレームと測定す
る半導体素子を固定した状態で、ボンディング後の金合
金細線をフックで上方に引張り、そのときの破断強度を
3 ０本測定したプル強度の平均値で評価した。結果を表
１〜４の「プル強度」に示す。その際、リード端子との
接合性を評価するために、フックを掛けて上方引張する
箇所を、中央部よりもリード端子に近いところで試験し
た。結果を表１〜４の「プルテスト破断モード」に示
す。このプルテストにおける破断箇所として、リード端
子との接合部近傍が1 本でもあれば、この部位の強度が
ループの中でも相対的に低下しているため△で示し、３
０本とも破断箇所が中央部およびボール直上のネック部
の場合には、リード部接合は良好であると判断し○印で
表示した。細線のループ形状制御容易性の評価は、ルー
プ高さのばらつき測定で行った。ループ高さは、半導体
素子上の電極と外部リードとの間を接合した後に形成さ
れる各ループの頂高と当該半導体素子の電極面とを光学
顕微鏡で５０本測定し、その両者の高さの差であるルー
プ高さとそのばらつきを評価した。結果を表１〜４の
「ループ高さ」「ループ高さ偏差」に示す。
【００２５】金銀合金細線のループ形成時のワイヤ曲が
りは、ワイヤ両端の接合距離（スパン）が４．５ｍｍと
なるようボンディングしたワイヤを半導体素子とほぼ垂
直上方向から観察し、ワイヤ中心部からワイヤの両端接
合部を結ぶ直線と、ワイヤの曲がりが最大の部分との垂
線の距離を、投影機を用いて５０本測定した平均値で、
結果を表１〜４の「接続後のワイヤ曲がり」に示した。
【００２６】樹脂封止後のワイヤ流れの測定に関して
は、ワイヤのスパンとして４．５ｍｍが得られるように
ボンディングした半導体素子が搭載されたリードフレー
ムを、モールディング装置を用いてエポキシ樹脂で封止
した後に、軟Ｘ線非破壊検査装置を用いて樹脂封止した
半導体素子内部をＸ線投影し、前述したワイヤ曲がりと
同等の手順によりワイヤ流れが最大の部分の流れ量を４
０本測定し、その平均値をワイヤのスパン長さで除算し
た値（百分率）を封止後のワイヤ流れと定義し、結果を
表１〜４の「樹脂封止ワイヤ流れ」に示した。
【００２７】ボール接合部の接合強度については、アル
ミ電極の２μｍ上方で冶具を平行移動させて剪断破断を
読みとるシェアテスト法で測定し、４０本の破断荷重の
平均値を測定し、表１〜４の「接合直後のシェア強度」
に示した。
【００２８】通常の使用条件における電極接合部信頼性
評価として、金ボールをアルミニウム電極に接合した半
導体装置を樹脂封止しない状態で、窒素ガス中において
１２０℃で２００時間加熱処理した後に、４０本のシェ
アテストの平均値により接合強度の変化を評価した。結
果を、表１〜４の「加熱後のシェア強度／１２０℃」に
示した。
【００２９】過酷な使用条件における電極接合部信頼性
評価として、金ボールをアルミニウム電極に接合した半
導体装置を樹脂封止しない状態で、窒素ガス中において
２００℃で２００時間加熱処理した後に、４０本のシェ
アテストの平均値により接合強度の変化を評価した。結
果を、表１〜４の「加熱後のシェア強度／２００℃」に
示した。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３３】
【表４】
【００３４】表１、２において、実施例Ｎｏ．１〜４は
本発明（１）に係るものであり、実施例Ｎｏ．５〜１２
は本発明（２）、実施例Ｎｏ．１３〜２７は本発明
（３）、実施例Ｎｏ．２８〜３２は本発明（４）、実施
例Ｎｏ．３３〜３５は本発明（５）、実施例Ｎｏ．３
６、３７は本発明（６）、実施例Ｎｏ．１、２は同時に
本発明（７）に係る金銀合金細線の結果である。
【００３５】また表３の実施例Ｎｏ．ｂ１〜ｂ２８は、
Ａｇの含有量が本発明（１）の範囲であることから本発
明に関わるものであるが、Ａｇ以外の元素添加量が本発
明（２）から（４）に記載されている適性な含有量から
はずれる金合金細線について、比較として示したもので
ある。実施例Ｎｏ．ｂ１〜ｂ８は本発明（２）に対する
比較、実施例Ｎｏ．ｂ９〜ｂ２２は本発明（３）、実施
例Ｎｏ．ｂ２３〜ｂ２８は本発明（４）に対する比較と
して示した。表４の比較例Ｎｏ．１〜４は、Ａｇの含有
量が本発明範囲外となる比較例として示した。
【００３６】プル試験の評価では、単独添加したＡｇ濃
度が本発明の成分範囲である実施例Ｎｏ．１〜４では、
破断箇所は主としてボール接合側のネック部であり、プ
ル強度も4 ｇｆ近傍の高い値を示すのに対し、比較例Ｎ
ｏ．３、４ではＡｇ濃度が１１重量％超であり、破断箇
所がリード端子の近傍であるためプルテスト破断モード
は△であり、プル強度も低かった。これは、連続ボンデ
ィング中に接合不良の発生を抑えるためには、接合荷重
を高める必要があり、その過剰な圧接によりリード端子
近傍の細線の強度が低下したためと考える。また比較例
１、２では、Ａｇ濃度が１％未満であり細線の強度も十
分でなく、プル強度が低い値であった。ループ高さのば
らつきについては、Ａｇの添加量が本発明の下限以下で
ある比較例Ｎｏ．１、２ではループ高さ偏差が２０μｍ
以上と大きいのに対し、Ａｇの添加量が本発明の範囲内
である実施例Ｎｏ．１〜４においては偏差が低減してお
り、Ａｇの添加がループ制御性の向上に有効であった。
【００３７】ボール接合損傷については、実施例Ｎｏ．
１〜３７の本発明の範囲内においてはいずれも光学顕微
鏡観察結果において実用上問題となる損傷は認められな
かった。
【００３８】Ａｇの適正量の含有に加えて、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ｐｔを０．０１〜４重量％の範囲で含有する実施例
Ｎｏ．５〜１２では、接合直後の接合強度が６０ｇｆ以
上と高い値を示しており、例えば含有量が上記範囲をは
ずれる実施例Ｎｏ．ｂ１〜ｂ８などと比較しても、2 割
以上の向上が確認された。
【００３９】Ａｇの適正量の含有に加えて、Ｃａ、Ｉ
ｎ、Ｂｅ、希土類元素の含有量が０．０００５〜０．０
５重量％の範囲である実施例Ｎｏ．１３〜２７では、ル
ープ形成時のワイヤ曲がり量が２０μｍ以下であり、す
なわち金細線の直径よりも小さく抑えられているのに対
し、例えば含有量が上記範囲をはずれる実施例Ｎｏ．ｂ
９〜ｂ２２ではワイヤ曲がり量が３５μｍ以上であるこ
とと比しても、４割以上低減している。
【００４０】Ａｇの適正量の含有に加えて、Ｍｎ、Ｃｒ
の含有量が０．０１〜０．２重量％の範囲である実施例
Ｎｏ．２８〜３２では、シェア強度が６０ｇｆ以上の高
い値が得られた。接合されたボール部の直径を測定した
ところ、実施例Ｎｏ．２８〜３２では約７５μm であ
り、例えば実施例Ｎｏ．１〜２７における約６５μｍに
比して、高い値を示し、この接合面積の増加が、シェア
強度の増加に寄与している。更に、ボール接合損傷の評
価結果においては、実施例Ｎｏ．２８〜３２及び３６、
３７ではＳＥＭ観察においてもクラックなどは認められ
ず、非常に良好であり、Ｍｎ、Ｃｒを添加した効果が見
られた。一方、Ｍｎ、Ｃｒの含有量が０．２重量％を超
える実施例Ｎｏ．ｂ２４、ｂ２６、ｂ２８では、ボール
部の形状が真球からずれて扁平であった。
【００４１】Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの元素群と、Ｃａ、Ｉ
ｎ、希土類元素の元素群とを、本発明（５）の範囲で含
有する実施例Ｎｏ．３３〜３５では、樹脂封止時のワイ
ヤ流れ率が３％以下であり、他の金合金細線における流
れ率が４％以上の結果と比較しても、半分以下にまでに
低く抑えられていることが確認された。
【００４２】Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの元素群と、Ｃａ、Ｉ
ｎ、Ｂｅ、希土類元素の元素群、さらにＭｎ、Ｃｒの元
素群を、本発明（６）の範囲で含有する実施例Ｎｏ．３
６、３７では、接合強度の上昇効果が大きく、７０ｇｆ
超の高い値が得られた。本発明（６）の成分の細線にお
いて、実施例Ｎｏ．１〜２７と同等の５０ｇｆ以下のシ
ェア強度を確保するには、接合時の荷重および超音波振
動の設定値を１〜２割も低く抑えることができ、ダメー
ジの低減には有効である。
【００４３】通常の使用条件における電極接合部信頼性
評価である１２０℃で２００時間加熱後のシェア強度
は、本発明の範囲である実施例Ｎｏ．１〜３７のすべて
にわたって良好な結果を示した。
【００４４】過酷な使用条件における電極接合部信頼性
評価である２００℃で２００時間加熱後のシェア強度
は、本発明例のうち、本発明（７）の範囲を外れる実施
例Ｎｏ．３、４についてはシェア強度が低下している
が、それ以外の本発明（７）の範囲内にある実施例Ｎ
ｏ．１、２及び５〜３７については良好な結果を示し
た。
【００４５】
【発明の効果】本発明の範囲でＡｇを含有する金銀合金
細線を半導体素子に用いることにより、性能を損なうこ
となく半導体素子の製造原価を低減することができる。
更に、製造原価の低減を実現し、かつ過酷な条件での使
用に耐える半導体素子を実現することができる。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満
    の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなる
    ことを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
  2. 【請求項２】 Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満
    の範囲で含有し、さらにＣｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも
    １種を総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有し、残部
    が金および不可避不純物からなることを特徴とする半導
    体素子用金銀合金細線。
  3. 【請求項３】 Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満
    の範囲で含有し、さらにＣａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素
    の少なくとも１種を総計で０．０００５〜０．０５重量
    ％の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からな
    ることを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
  4. 【請求項４】 Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満
    の範囲で含有し、さらにＭｎ、Ｃｒの少なくとも１種を
    総計で０．０1 〜０．２重量％の範囲で含有し、残部が
    金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体
    素子用金銀合金細線。
  5. 【請求項５】 Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満
    の範囲で含有し、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を
    総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有し、さらにＣ
    ａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で
    ０．０００５〜０．０５重量％の範囲で含有し、残部が
    金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体
    素子用金銀合金細線。
  6. 【請求項６】 Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満
    の範囲で含有し、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を
    総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有し、Ｃａ、Ｉ
    ｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０
    ００５〜０．０５重量％の範囲で含有し、さらにＭｎ、
    Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０1〜０．２重量％
    の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなる
    ことを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
  7. 【請求項７】 Ａｇの含有量の範囲が１重量％以上かつ
    ６重量％以下であることを特徴とする請求項１乃至６記
    載の半導体素子用金銀合金細線。
  8. 【請求項８】 半導体基板上の配線電極とリード上のＡ
    ｇメッキ面またはＰｄメッキ面との間を、請求項１乃至
    ７記載の半導体素子用金銀合金細線によって接続したこ
    とを特徴とする半導体素子。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100427749B1 (ko) * 2002-05-07 2004-04-28 엠케이전자 주식회사 반도체 소자 본딩용 금-은 합금 와이어
KR101001700B1 (ko) * 2007-03-30 2010-12-15 엠케이전자 주식회사 반도체 패키지용 은합금 와이어
US8022541B2 (en) 2006-05-30 2011-09-20 Mk Electron Co., Ltd. Au-Ag based alloy wire for semiconductor package
KR101441551B1 (ko) * 2012-10-18 2014-09-17 희성금속 주식회사 반도체 패키지용 은합금 와이어
CN109554574A (zh) * 2018-12-18 2019-04-02 山东赢耐鑫电子科技有限公司 金基银钯合金复合材料
CN113862504A (zh) * 2021-12-01 2021-12-31 北京达博有色金属焊料有限责任公司 一种金合金和合金制品及其制备方法

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US8403149B2 (en) 2005-11-18 2013-03-26 Ricoh Company, Ltd. Cyclone classifier, flash drying system using the cyclone classifier, and toner prepared by the flash drying system

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100427749B1 (ko) * 2002-05-07 2004-04-28 엠케이전자 주식회사 반도체 소자 본딩용 금-은 합금 와이어
US8022541B2 (en) 2006-05-30 2011-09-20 Mk Electron Co., Ltd. Au-Ag based alloy wire for semiconductor package
KR101001700B1 (ko) * 2007-03-30 2010-12-15 엠케이전자 주식회사 반도체 패키지용 은합금 와이어
KR101441551B1 (ko) * 2012-10-18 2014-09-17 희성금속 주식회사 반도체 패키지용 은합금 와이어
CN109554574A (zh) * 2018-12-18 2019-04-02 山东赢耐鑫电子科技有限公司 金基银钯合金复合材料
CN113862504A (zh) * 2021-12-01 2021-12-31 北京达博有色金属焊料有限责任公司 一种金合金和合金制品及其制备方法

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