JP3445616B2 - 半導体素子用金合金細線 - Google Patents

半導体素子用金合金細線

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JP3445616B2 JP52297694A JP52297694A JP3445616B2 JP 3445616 B2 JP3445616 B2 JP 3445616B2 JP 52297694 A JP52297694 A JP 52297694A JP 52297694 A JP52297694 A JP 52297694A JP 3445616 B2 JP3445616 B2 JP 3445616B2
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智裕 宇野
修 北村
恭秀 大野
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Nippon Steel Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、半導体素子上の電極と外部リードを接続す
るために利用される接合部信頼性に優れた金合金細線に
関するものである。
背景技術 現在半導体素子上の電極と外部リードとの間を接合す
るボンディング線としては、金合金細線が主として使用
されている。金合金細線の接合技術としては超音波併用
熱圧着方式が一般的である。すなわち、金細線先端をア
ーク入熱で加熱溶融し、表面張力によりボールを形成さ
せた後に、150〜300℃の範囲内で加熱した半導体素子の
電極上にこのボール部を圧着接合せしめた後に、さらに
外部リード側との接続を超音波圧着する方法である。
トランジスタやICなどの半導体素子として使用するた
めには、前記の金合金細線によるボンディングの後に、
Siチップ、ボンディングワイヤ、およびSiチップが取り
付けられた部分のリードフレームを、これらを保護する
目的で樹脂封止する。
半導体素子の高集積化、薄型化の傾向により、金合金
細線が満足すべき特性も多様化しており、例えば、高密
度配線および狭ピッチに対応するため金合金細線の長尺
化、細線化あるいは高ループ化、さらに半導体素子の薄
型化を可能にすべく低ループ化などが要求されている。
上記の長尺化、細線化、ループ高さの調整に対応するた
め、数種の合金化元素を添加した金合金細線の開発が進
められ、例えば特開昭61−296731号公報や特開昭61−17
2343号公報などに、これらが開示されている。
ことろで、最近、半導体素子が使用される環境条件が
ますます厳しくなっており、例えば自動車のエンジンル
ーム内で使用される半導体素子では150℃〜200℃の高温
あるいは高湿などの環境で使用される場合もある。また
半導体素子の高密度実装により使用時に発生する熱が無
視できなくなっていると共に、金合金細線を用いた場
合、高温環境下におけるアルミ電極との接合部の長期信
頼性の低下などが問題視されている。
耐熱性が要求される環境条件で使用される半導体素子
においては、従来、ボンディングワイヤとしてはアルミ
合金細線を使用し、セラミックスパッケージした半導体
素子が利用されていた。アルミ合金細線では、半導体素
子上の電極との接合部において同種金属の接合により、
高信頼性が得られる利点がある。しかし、樹脂封止と比
較してセラミックスパッケージは高価であり、またアル
ミ合金細線では大気中で正常なボール形成が困難である
ことから接合方法としてウェッジ接合法が一般的であ
り、金合金細線に比べて生産性が低下する。
従って、コスト、生産性などの理由から、アルミ合金
細線の使用は特定の半導体素子に限定されており、今後
とも高速性、生産性、作業性などに優れている、金合金
細線によるボンディング方式が主流であると考えられ
る。
高温環境（50〜200℃）において従来の金合金細線を
用いた場合、半導体素子上のアルミ電極との接合部の長
期信頼性の低下が問題視されていた。すなわち、電極部
材であるアルミと金が相互拡散して金属間化合物の生成
やボイドの発生による接合部で剥離や電気的導通不良な
どが生じることが問題として指摘されている。そして金
属間化合物の成長を抑制するために金合金細線にMnを添
加する技術が特開平２−215149号公報に開示されてい
る。
このような状況から金合金細線とアルミ電極との接合
において、高温環境における高い接合信頼性を有する金
合金細線が要望されている。
発明の開示 本発明者等が、高温環境における接合部の信頼性に関
して調べた結果、従来の公知技術における認識に反して
金属間化合物の成長は接合部界面の強度を上昇せしめる
こと、しかしながらこの金属間化合物は樹脂封止された
半導体素子の接合部が高温に保持されたとき樹脂中のハ
ロゲン成分によって腐食されることなどが確認された。
本発明者らは上記接合部を更に詳細に調査したとこ
ろ、該接合部で生成した金属間化合物のほとんどがAu5A
l2相であり、AuとAlの相互拡散が進行するに従い、この
化合物はAu4Al相に変化することが判明した。
そしてこのAu4Al相が封止樹脂中に含有するハロゲン
成分と反応して腐食を生じしめ、これにより接合部の電
気抵抗が増加し、場合により導通不良にまで到る。
本発明者らの研究によりAu−Al系の多種の化合物の
内、腐食されるのは上記のAu4Al相のみであることが究
明された。
上記の結果から、高温下で接合強度を得るためには積
極的に金属間化合物を形成させてAl5Al2相を成長せしめ
るとともに、この相から被腐食相であるAu4Al相への相
変化を阻止することが必要である。
本発明者らは前述した研究成果から、高温下での接合
信頼性を向上させる金合金細線を開発すべく研究を行っ
た結果、 （ａ）Au中にMnを50〜1000重量ppm添加させることによ
り、高温環境下において、樹脂封止された接合部の金属
間化合物層の腐食を著しく低減させることができること
を見出した。すなわち、Mn添加により金属間化合物のAu
5Al2相からAu4Al相への変化を抑えるのである。一例と
して、Mnを1000重量ppm含有する金合金細線とアルミ電
極との接合部を樹脂封止して200℃300hrの加熱を施し、
得られた試料にＸ線回折を施した。その結果を第１図に
示す。第１図において確認された化合物はAu5Al2のみで
あった。
上記の加熱条件によれば、従来の金合金細線では、Au
5Al2相からAu4Al相への変化が終了しており、腐食も起
こしていたが、Mn添加した金合金細線では、第１図で示
すとおりAu4Alへの相変化は抑制されており、腐食は観
察されなかった。
またMnを100重量ppm以下の微量の範囲含有する場合に
はAu4Al相は若干生成するが、腐食は十分抑制されてい
て実用上問題はなく、更に細線の先端に形成されたボー
ル部の真球度が上昇するという効果があった。
第２図でMn0.1％（1000ppm）、0.01％（100ppm）、０
％の３種類の金合金細線を配設し、溶接し、その接合部
を樹脂封止した半導体素子を200℃の温度で300時間及び
1000時間熱処理して各細線の電気抵抗を測定した結果を
表示した。電気抵抗は腐食が進むにつれて増大する。Mn
が100ppm添加された細線は300時間でやゝ電気抵抗は増
加するがこの程度の増加では何ら問題はない。また、20
0℃の温度で1000時間保持してもMn0％の場合に比較して
電気抵抗は約半分以下であり、高温における耐腐食性が
十分であることを示している。
なお、この図においてMnを1000ppm添加し、200℃×30
0時間の熱処理を施した場合には熱処理前の材料が有す
る電気抵抗とほとんど変化していない。図１の結果が正
しいことを示している。
このように本発明によればその特徴がAu5Al2相からの
Au4Al相への変化を抑制することにあるので、接合部分
の腐食防止とともに接合強度を向上することができ、そ
の効果は大きい。
また、前述したワイヤの長尺化、ループ形状や最高高
さなどを制御すべく研究を進めた結果、Mn元素に、さら
に下記の第一群、第二群、第三群の元素を共存せしめる
ことにより、以下の知見を見出すことができた。
（ｂ）Be,Bの１種または２種（第一群）を総計で重量と
して１〜20ppmの範囲での添加は、細線の常温強度を高
めることに有効であるため、Mn元素を単独添加した金合
金と比較して伸線工程を容易にするものである。
（ｃ）Ca,Sr,希土類元素（この元素にはＹが含まれる）
の１種または２種以上（第二群）を総計で重量として１
〜30ppmの範囲で添加することにより、細線の機械的強
度特に高温強度を高め、さらにボール部近傍の熱影響部
における結晶粒の粗大化を抑制して、ボール部近傍のネ
ック部における強度を高めるものである。
（ｄ）第一、二元素群の共存により、細線の機械的強度
を増加させてボンディング後の細線直線性を向上（ルー
プ曲がりの低減）させることにより、接合間距離の長い
ロングスパン化に対応するものであり、さらに細線の再
結晶開始温度の上昇に伴い高温強度が増加させて樹脂封
止時のワイヤ流れを低減させるものである。
（ｅ）第二元素群に加えて、In,Tlの１種または２種以
上（第三群）を総計で重量として１〜50ppmの範囲で添
加することにより、ボール部近傍の熱影響部における再
結晶長さを拡大せしめ、これにより、ループ高さを高く
することができる金合金細線が得られる。
（ｆ）第一、二、三群の共存により、上記の元素群の添
加効果を併せ持つ金合金細線が得られるものであり、す
なわち、長尺化配線において細線がSiチップとのエッジ
タッチすることなく、さらにループ曲がりおよび樹脂封
止時のワイヤ流れを低減させることにより、隣接する細
線配線間隔の狭い高密度実装を実現するものである。
すなわち、本発明は、上記知見に基づくものであっ
て、以下の構成を要旨とする。
（１）高温領域での使用のために樹脂封止される半導体
素子の金合金細線において、該金合金細線の成分が、 Mn:50〜1000重量ppm、 Ca、Sr及びＹを含む希土類元素のグループから選ばれ
た少くとも１種を総計１〜30重量ppm、 In及びTlのグループから選ばれた少くとも１種を総計
１〜50重量ppm、及び、 残部金と不可避的不純物 からなる耐食性の優れた半導体素子用金合金細線。
（２）高温領域での使用のために樹脂封止される半導体
素子の金合金細線において、該金合金細線の成分が、 Mn:50〜1000重量ppm、 Be及びＢのグループから選ばれた少なくとも１種を総
計１〜20重量ppm、 Ca、Sr及びＹを含む希土類元素のグループから選ばれ
た少くとも１種を総計１〜30重量ppm、 In及びTlのグループから選ばれた少くとも１種を総計
１〜50重量ppm、及び、 残部金と不可避的不純物 からなる耐食性の優れた半導体素子用金合金細線。
図面の簡単な説明 第１図は本発明の細線（AuにMnを1000重量％添加した
細線）を200℃×300hrの熱処理を施した後に、その材料
をＸ線回折した結果を示す図である。
第２図はMnの添加量と熱処理時間及び電気抵抗との関
係を示す図である。
発明を実施するための最良の形態 以下、本発明を実施するための最良の形態について説
明する。
本発明で使用する高純度金とは、純度が少なくとも9
9.995重量％以上の金を含有し、残部が不可避不純物か
らなるものである。
金ボール接合部が高温環境に曝されると、接合界面に
おいて金とアルミの相互拡散に伴い数種の金属間化合物
が成長し、この金／アルミ化合物の中で特定の化合物相
すなわち、Au4Al相が封止樹脂中のハロゲン元素と容易
に反応して、接合部における電気抵抗を増加させる原因
となる。
このような原因を除くためにはMnの添加が極めて有効
である。すなわち、金中にMnを添加すると、Mnが金中を
拡散することにより界面近傍に濃化して腐食される化合
物相の成長を抑制するものであり、高温放置した接合部
の電気抵抗の上昇を抑制する。Mnの含有量を50〜1000重
量ppmと定めたのは、Mnの含有量が50重量ppm未満では接
合部における高温領域における金属間化合物の腐食を抑
制する効果が小さく、一方1000重量ppmを超えるとボー
ル形成時に表面に酸化膜が形成され、接合性（シェア強
度）が低下するという理由に基づくものである。なお、
Mnが100重量ppmまではワイヤ先端に形成したボール部の
真球度が上昇し、半導体素子上の電極間距離の短ピッチ
化に対応するために好ましい小径ボールの作製を容易に
する。Mn含有量が上記範囲内で、信頼性を向上する効果
が十分得られる。
また、Mnは、金中への固溶度が大きく、機械的強度へ
の影響が小さいことが知られている。上記の含有量のMn
でループ形状を制御する効果は期待できない。そこで、
Mn以外の元素を共存させることにより、細線の基本的特
性をさらに向上させ、細線特性に関し多様化するニーズ
に対応するものである。好ましいことに、上記含有量の
Mnは他の元素が発現する特性に対しほとんど影響を及ぼ
さないことを確認している。
第一群元素としてBe,Bの添加目的は、細線の常温強度
を高めるとともに、ワイヤ伸線工程を容易にすることに
より、Mnを含有する金合金細線を工業的に容易に製造で
きるものである。Mn元素の単独添加では破断強度の上昇
はほとんど期待できず、伸線工程中の加工硬化も小さい
ため、細線の伸線速度を速くすると断線の原因となる。
BeまたはＢが適量含有されると、細線の伸線工程中の加
工硬化を促進することにより、生産性の向上および伸線
工程の高速化を実現できる。Be,Bが１重量ppm未満では
機械的強度の変化は非常に小さく、一方20重量ppmを超
えるとボール部の硬度が高くなり、十分な接合強度が得
にくくなるか、あるいは接合時に半導体素子に損傷を与
えることになる。従って、Be,Bの含有量を１〜２重量pp
mの範囲とした。
第二群元素としてCa,Sr,希土類元素の添加により、細
線の常温強度のみならず高温強度が増加するため、ルー
プ形成時の細線の流れや垂れが低減する。樹脂封止時に
は、高温加熱された樹脂が高い粘性を保持しつつ高速で
金型内に流入するため、結線された細線が変形して流れ
を生じるが、Ca,Sr,および希土類元素は微量添加により
細線の高温強度が増加するため、樹脂封止時のワイヤ流
れを低減させる。また、ボール部近傍において熱影響部
により結晶粒が粗大化すると、ループ形成時のネック部
に亀裂などの損傷を及ぼすことが懸念されるが、Ca,Sr,
および希土類元素の添加により、熱影響部における再結
晶を抑制して結晶粒を微細化し、これにより、ネック部
強度を高めるものである。Ca,Sr,および希土類元素が１
重量ppm未満では、高温強度の増加は小さく、一方30重
量ppmを超えるとボール先端部に収縮孔が形成されるた
めに、ボールボンディング後の接合強度が低下する。従
って、Ca,Sr,および希土類元素の１種または２種以上を
総計して１〜30重量ppmの範囲とした。
第一、二群の共存により、細線の機械的強度の上昇に
よりボンディング後のワイヤの直線性が向上し、さらに
高温強度の増加およびネック部の破断強度の上昇により
樹脂封止時のワイヤ流れを低減させて、接合間距離の長
いロングスパン化（長尺化）に適するものとなる。上記
の長尺化に対応すべく細線の機械的強度を増加させるた
めに第二群元素の添加効果が大きいが、第二群元素の単
独添加で細線の機械的強度を増加させるために含有量を
増加させると、ボール先端における収縮孔の形成による
接合強度低下が懸念されるため、第一群元素を共存させ
て強度特に破断強度の上昇を助長することにより、接合
強度が低下することなく長尺化を達成する。それぞれの
添加量に関しては、前述した理由から、Be,Bの１種また
は２種を総計で１〜20重量ppmの範囲とし、一方、Ca,S
r,希土類元素の１種または２種以上を総計で１〜30重量
ppmの範囲とした。
第三群元素であるIn,Tlを添加することにより、ボー
ル形成時の熱影響を受けた再結晶部長さが拡大すること
を見出している。この再結晶部長さはループ高さを支配
する重要な要因であり、再結晶末端部すなわち機械的強
度が顕著に変化する部分がループ最高部位に相当するも
のである。しかし、第三群元素の単独添加では細線の機
械的強度が十分でなく、ループ形状のばらつきが大きく
なる。
そこで、第二、三群元素を共存させることにより、第
三群元素により前述した高ループ化を達成し、さらに第
二元素群により細線の機械的強度を上昇させてループ高
さのばらつきを低減せしめるものである。In,Tlが１重
量ppm未満では添加効果が小さく、一方50重量ppmを超え
るとボール部が真球にならず、電極間の短い狭ピッチの
接合が困難である。従って、In,Tlの１種または２種の
含有量を１〜50重量ppmの範囲とした。また、第一群元
素であるCa,Sr,希土類元素の含有量に関しては、前述し
た同等の理由から、１種または２種以上の元素を総計で
１〜30重量ppmの範囲とした。
細線が長尺化すると、一般的に、ボンディング直後の
細線の垂れや曲がり、樹脂封止時のワイヤ流れなどが大
きくなる傾向がある。長尺化と細線の垂れおよび曲がり
の抑制という条件を同時に満足するためには厳しいルー
プ制御が可能な細線が要求される。そこで、第一、二、
三群元素の共存により、それぞれの元素群の添加効果を
併せ持つ金合金細線を得るものである。第二群元素添加
による細線の機械的強度の増加によりループの直線性を
高め、特に、高い高温強度は樹脂封止時のワイヤ流れを
抑制するのに有効であり、第一群元素添加により常温強
度の上昇によりばらつきの少ない安定したループ形状が
得られる。また、第二群元素により、ネック部の強度が
上昇することにより垂れも減少し、かつ第三群元素添加
により高ループ化を達成して、ボンディング直後のみな
らず樹脂封止時においても、細線がSiチップとのエッジ
タッチすることなく、容易に長尺化に対応できる。上記
の元素群の共存により、より十分な効果が得られ、さら
にそれぞれの元素群の添加効果は基本的には独立したも
のであることから、各元素群の含有量に関してもそれぞ
れ前述した範囲とした。
実施例 以下、実施例について説明する。
金純度が約99.995重量％以上の電解金を用いて、前述
の各添加元素群を含有させた第１表に示す化学成分の金
合金を高周波真空溶解炉で1200±20℃の温度範囲で溶解
鋳造し、その鋳塊を圧延した後に常温で伸線加工を行
い、最終線径が25μｍの金合金細線とした後に、大気中
で200〜500℃の温度範囲で連続焼鈍して伸び値が約４％
になるように調整した。
得られた金合金細線について、ボール形状、伸線工程
中の断線程度、細線の機械的特性、接合強度、ループ高
さ、ワイヤ曲がりおよび封止後のワイヤ流れ、ボール接
合部における金属間化合物の腐食度などを調べた結果を
第２表に記載した。
伸線工程における断線程度は、所定成分に調整した金
合金の鋳塊2kgを、線径500μｍから最終線径25μｍの金
合金細線に到るまで伸線する工程において、断線回数を
調査し、０回のものを◎で、１〜５回を○、５回を超え
るものを△で示した。
細線の機械的特性については、線径が25μｍの金合金
細線を使用し、常温での引張破断強度と、約250度に設
定した縦型炉中で細線を約20秒間保持した後に引張試験
した破断強度、すなわち高温強度をそれぞれ測定し、常
温強度と高温強度との強度差を示した。細線の機械的強
度は伸線工程や中間焼鈍の影響を受けやすく、しかも最
終線径における調質焼鈍により大きく変化すること、さ
らに、ボール形成時の熱影響を受けたネック部近傍と母
線部との、両者の機械的特性の差によりループ形状は左
右されるところが大きく、この特性は常温強度と高温強
度との強度差を用いて整理することが可能であることな
どを考慮したものである。
ボール形状は、高速自動ボンダーを使用して電気トー
チによるアーク放電により作製した金合金ボールを走査
型電子顕微鏡で観察し、ボール形状が異常なもの、ボー
ル先端部において収縮孔の発生が認められるもの等半導
体素子上の電極に良好な接合ができないものを×印、真
球度は低下するが、接合性に悪影響を及ぼさないものを
△印、良好なものを○印にて評価した。
接合強度は、高速自動ボンディングワイヤ後にリード
フレームと測定する半導体素子を治具で固定した後に、
ボンディング後の金合金細線の中央部を引張り、その細
線破断時の引張強度を100本測定したプル強度の平均値
で評価した。また、同じく固定した半導体素子の電極か
ら上に３μｍ離した位置で平行に治具を移動させ接合し
たボールを剪断破断させ、破断時の荷重を100本測定し
たシェア強度により評価した。
ループ高さは、半導体素子上の電極と外部リードとの
間を接合した後に、形成される各ループの頂高と当該半
導体素子の電極面とを光学顕微鏡で100本測定し、その
両者の高さの差であるループ高さとばらつきで評価し
た。
ワイヤ曲がり（直線性）は細線の両端の接合距離（ス
パン）が2.5mmとなるようにボンディングした細線を半
導体素子とほぼ垂直上方向から観察し、ワイヤ中心部か
らワイヤの両端接合部を結ぶ直線と、細線の曲がりが最
大の部分との垂線の距離を、投影機を用いて80本測定し
た平均値で示した。
樹脂封止後のワイヤ流れの測定に関しては、細線のス
パンとして4.5mmが得られるようボンディングした半導
体素子が搭載されたリードフレームを、モールディング
装置を用いてエポキシ樹脂で封止した後に、軟Ｘ線非破
壊検査装置を用いて樹脂封止半導体素子内部をＸ線投影
し、前述したワイヤ曲がりと同等の手順によりワイヤ流
れが最大の部分の流れ量を80本測定し、その平均値を細
線のスパン長さで除算した値（百分率）を封止後のワイ
ヤ流れと定義した。
金合金細線の先端に形成したボールをアルミ電極に接
合し、さらにエポキシ樹脂で封止した後に、窒素ガス中
において200度で300時間加熱処理した半導体素子を用い
て、ボール接合部の中心を通る断面まで垂直研磨し、接
合界面に成長した金とアルミの金属間化合物層の腐食を
観察した。金属間化合物層は灰色を呈し、腐食が進行し
た化合物層は褐色になり容易に識別可能であることを利
用して、ボール接合部における金属間化合物の腐食の進
行を調べた。金属間化合物の腐食進行としては、ボール
結合部の研磨断面において腐食領域長さ（ｂ）が金属間
化合物層成長の長さ（ａ）に占める割合で評価したもの
であり、腐食部が占める割合（a/b）を30個のボール接
合部で平均した値が、５％以下では腐食の抑制が顕著で
あると判断して○印、40％以上で腐食が顕著なものは×
印、その中間である５〜40％のものは△印で表記した。
第１表及び第２表には、それぞれ、本発明構成成分及
びこの成分で製造した金合金細線の評価結果を、第３表
及び第４表には本発明構成成分を外れる添加量を含む成
分及びこの成分で製造した金合金細線の評価結果を示し
た。
表２表に示すように、Mnを添加することにより接合部
における化合物層の腐食はいずれも抑制されており、長
期信頼性が向上している。
ボール形状の評価では、本発明範囲内の成分では、い
ずれも正常なボール（第２表参照）を形成したが、第３
表の成分で本発明範囲を超えて過剰に含有したものは、
第４表に示すように、ボール形状が真球にならない。
シェア強度は、通常25μｍ金合金細線の場合、50gf以
上であれば問題ないとされている。第２表の場合はいず
れも50gf以上の値を満足していたが、第４表の結果では
50gf未満の場合があり、ボンディングワイヤ用金合金細
線としては不十分であった。
プル試験後に細線を観察すると、全種の金合金細線で
ボール直上のネック部で破断していることから、プル強
度はネック強度を反映した値であり、第二群元素を適量
添加した金合金細線ではネック強度が上昇していること
がわかる。
第一群元素を適量含有する金合金細線では伸線工程で
の破断は見られず、他の元素群を複合添加したものでも
機械的強度が上昇し且つ伸線も容易であった。
第二群元素を適量含有する金合金細線では、高温強度
と常温強度との強度差が1gf程度と小さく耐熱性に優れ
ており、樹脂封止後のワイヤ流れも低減していた。
ワイヤ曲がりは、ほとんどの金合金細線で線径以下で
あり、ボンディング後の細線の直線性が向上していた。
ループ高さに関しては、ほとんどの金合金細線で200
μｍを超えており、ばらつきも低く抑えられていること
から、安定して高ループ化を実現することが容易であっ
た。
上述のように、本発明の金合金細線においては、優れ
た機械的特性及びボンディング諸特性が得られている。
しかし、第４表に示すように、本発明の構成成分の下限
を外れる場合には、上記特性の発現効果は小さく、ま
た、本発明の構成成分の上限を外れる場合には、ボール
形状を安定して真球に保つことが困難である。
産業上の利用可能性 以上、本発明に係わる金合金細線を使用して、半導体
素子上の電極部に接合した後に樹脂阻止した状態で高温
条件下においても、接合部における金属間化合物の腐食
を抑制することにより、接合部において高い信頼性を有
するものであり、また、ワイヤ曲がりおよび樹脂封止時
のワイヤ流れの低減、高ループ化などを同時に実現する
ことにより、半導体の高密度実装にも対応する金合金細
線を提供するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 恭秀 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新 日本製鐵株式会社先端技術研究所内 (56)参考文献 特開 平２−215140（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−145729（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−122140（ＪＰ，Ａ) 特公 平１−31691（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】高温領域での使用のために樹脂封止される
    半導体素子の金合金細線において、該金合金細線の成分
    が、 Mn:50〜1000重量ppm、 Ca、Sr及びＹを含む希土類元素のグループから選ばれた
    少くとも１種を総計１〜30重量ppm、 In及びTlのグループから選ばれた少くとも１種を総計１
    〜50重量ppm、及び、 残部金と不可避的不純物 からなる耐食性の優れた半導体素子用金合金細線。
  2. 【請求項２】高温領域での使用のために樹脂封止される
    半導体素子の金合金細線において、該金合金細線の成分
    が、 Mn:50〜1000重量ppm、 Be及びＢのグループから選ばれた少なくとも１種を総計
    １〜20重量ppm、 Ca、Sr及びＹを含む希土類元素のグループから選ばれた
    少くとも１種を総計１〜30重量ppm、 In及びTlのグループから選ばれた少くとも１種を総計１
    〜50重量ppm、及び、 残部金と不可避的不純物 からなる耐食性の優れた半導体素子用金合金細線。
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