JP3085090B2 - ボンディングワイヤ - Google Patents

ボンディングワイヤ

Info

Publication number
JP3085090B2
JP3085090B2 JP06124879A JP12487994A JP3085090B2 JP 3085090 B2 JP3085090 B2 JP 3085090B2 JP 06124879 A JP06124879 A JP 06124879A JP 12487994 A JP12487994 A JP 12487994A JP 3085090 B2 JP3085090 B2 JP 3085090B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
bonding wire
ball
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP06124879A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07335684A (ja
Inventor
英一 廣田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP06124879A priority Critical patent/JP3085090B2/ja
Publication of JPH07335684A publication Critical patent/JPH07335684A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3085090B2 publication Critical patent/JP3085090B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/4851—Morphology of the connecting portion, e.g. grain size distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01038—Strontium [Sr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/011—Groups of the periodic table
    • H01L2924/01105—Rare earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01204—4N purity grades, i.e. 99.99%
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20751—Diameter ranges larger or equal to 10 microns less than 20 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20753—Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20754—Diameter ranges larger or equal to 40 microns less than 50 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20755—Diameter ranges larger or equal to 50 microns less than 60 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20756—Diameter ranges larger or equal to 60 microns less than 70 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20757—Diameter ranges larger or equal to 70 microns less than 80 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20758—Diameter ranges larger or equal to 80 microns less than 90 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20759—Diameter ranges larger or equal to 90 microns less than 100 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/2076—Diameter ranges equal to or larger than 100 microns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子のチップ電
極と外部リードとを接続するために使用されるボンディ
ングワイヤに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子の電極
と、外部リードを接続するために、一般に直径が０．０
１〜０．１ｍｍの直径を有するボンディングワイヤが用
いられている。
【０００３】前記ワイヤのボンディングには、ボンディ
ング治具となるセラミックス製キャピラリー、該キャピ
ラリーを保持するための前後上下左右移動可能なヘッ
ド、コントローラ及びボール形成のための電気トーチを
備えてなる超音波熱圧着式ワイヤボンダーが使用されて
いる。また、ボンディング方式には、ボンディングワイ
ヤの先端を溶解させてボール状にした後超音波振動を付
加しながら加熱することにより圧着するボールボンディ
ング方式と、超音波を付加しながら押圧してボンディン
グワイヤを圧着するウェッジボンディング方式がある。
【０００４】前記ワイヤボンダーを用いて半導体素子上
の電極と、外部リードとをボンディングワイヤで接続す
るには、まずキャピラリーを半導体素子の電極上に移動
させて降下させ、ボールボンディング方式によりボンデ
ィングワイヤを該電極に圧着せしめた後（第一ボンディ
ング）、キャピラリーを上昇させて外部リード上に移動
させて降下させ、該リードに前記ワイヤを圧着せしめ
（第二ボンディング）、続いてキャピラリーを上昇させ
てワイヤを切断するという方法により行われる。
【０００５】近年、ワイヤボンダーはボンディング１工
程当りの所要時間が約０．２秒と極めて高速になってお
り、ボンディングワイヤには、 第一ボンディングにおいて、ボンディングワイヤを
加熱して溶解した時に、酸化皮膜のない真球状のボール
が形成され、また該ワイヤと電極との接合状態が良好で
あること、 第二ボンディングにおいて、ワイヤと外部リードと
の接合状態が良好であること、 第一ボンディングと第二ボンディングとの間のワイ
ヤにカールや、ループ垂れなどのループ異常が発生しな
いこと、 ボンディング後の樹脂モールドの際、樹脂の流動に
よるワイヤの変形が起こりにくいこと、 長期間保存しても両ボンディングの接合部が劣化し
ないこと、等の特性が要求される。
【０００６】そこで、純度９９．９９重量％以上の金
に、例えばＣａ，Ｂｅ等の元素を０．０００１〜０．０
１重量％添加して硬度を高めた金合金線を使用すると、
上記〜の特性をある程度備えたボンディングワイヤ
が得られることから、通常純金線ではなく金合金線が用
いられることが多い。
【０００７】ところが近年、半導体デバイスの多ピン化
に伴いボンディングワイヤ間隔の狭ピッチ化及びボンデ
ィング距離の長距離化が進行してきており、そのまま従
来のボンディングワイヤを用いると、ワイヤーループが
垂れたり、樹脂封入する時に樹脂の流動抵抗によりボン
ディングワイヤが変形し、ボンディングワイヤ同士が接
触したりする等の不具合が生じるため、添加元素の添加
量を増やす、添加元素の種類を増やす、等の手段を用い
てボンディングワイヤの強度を向上させる試みがなされ
ている。
【０００８】しかしながら、単純に添加元素の添加量を
増やす、今までタイプ別に添加していた元素を複合添加
する、という作業では、ボンディングワイヤの強度は向
上しても、第一ボンディングにおいて、加熱溶解して得
られるボールが硬すぎる為、半導体素子に亀裂を生じ
る、ボール形状が真球にならない、真球に近くともボー
ルを形成する際に収縮孔を生じる、半導体素子上の電極
にボンディングした時に、ボールがいびつに変形し隣の
電極に接触する、収縮孔がある為電極との十分な接合強
度が得られない、ボンディング後のボールの潰れ形状が
いびつな為異常ループを形成してしまい、樹脂封入する
ときに樹脂の流動抵抗によりボンディングワイヤ同士が
接触する、等の不具合が生じる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、第一
ボンディングで接合したボンディングワイヤと半導体素
子上の電極との間に十分な接合強度を持ち、半導体素子
を樹脂封入する際にボンディングワイヤ同士の接触によ
る不良が起こりにくく、リードフレームの狭ピッチ、半
導体素子上の電極の狭パッドピッチ，リードフレームと
半導体素子上の電極間の長ループ配線に適するボンディ
ングワイヤを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のボンディングワイヤは、純度９９．９９
重量％以上の高純度金にＰｄを０．１〜０．８重量％、
Ｃａ，Ｂｅ，Ｇｅ及び希土類元素からなる１群の元素、
さらにＳｒ，Ｂａ，Ｉｎ，Ｓｎ及びＴｉからなる１群の
元素の中から、それぞれの群から少なくとも１種以上の
元素を総量で０．０００３〜０．０１重量％添加含有さ
せた点に特徴がある。
【００１１】
【作用】本発明のボンディングワイヤにおいて、Ａｕに
Ｐｄを含有させた理由は、ＰｄがＡｕに完全に固溶し、
溶解鋳造時及び熱処理後の結晶粒径を微細化させること
により、ボンディングワイヤの直進性が向上し、第一ボ
ンディングにおいて、ボンディングワイヤを加熱して溶
解した時に真球に近いボールを得ることが出来、このボ
ールの結晶粒径が微細なことにより、ボンディング後の
ボール潰れ形状が真円に近く、高く安定した接合強度が
得られる上、高純度金よりも常温及び高温での引張強度
が向上したボンディングワイヤを提供することが出来る
からである。この効果はＰｄを０．１重量％以上添加す
ることにより現れ、Ｐｄを０．８重量％を超えて添加す
ると、第一ボンディングにおいて、ボンディングワイヤ
を加熱して溶解した時にボール表面にしわを生じ、接合
後の引張強さのバラツキが大きくなったり、ボールが硬
くなりすぎて第一ボンディングの際に半導体素子に亀裂
を生じたりする上、直進性に異常をきたす場合があるの
で、Ｐｄを０．１〜０．８重量％含有する組成を有する
ことが必要である。
【００１２】またＡｕにＰｄを含有させる他に、微量の
Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ及び希土類元素からなる1群の元素
と、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＴｉからなる１群の元
素において、それぞれの群の中から少なくとも１種を含
有させる理由は、Ｐｄとの相乗効果により、直進性をさ
らに向上させる他、常温及び高温での引張強度、及び接
合強度をさらに向上させ、かつネック切れを防止する為
である。またそれぞれの群の元素を複合で添加すること
により、一層上記効果が向上が認められる。Ｃａ、Ｂ
ｅ、Ｇｅ及び希土類元素からなる１群の元素と、Ｓｒ、
Ｂａ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＴｉからなる１群の元素の中か
ら、それぞれの群から少なくとも１種以上の元素の総量
で０．０００３〜０．０１重量％としたのは、０．００
０３重量％未満ではＰｄとの相乗効果が現れず、直進
性、引張強度及び接合強度をさらに向上させることが出
来ず、０．０１重量％を超えると第一ボンディングにお
いて、ボンディングワイヤを加熱して溶解した時に形成
されるボールの真球度が得られず、接合後の引張強さの
バラツキが大きくなったり、ボンディングワイヤの硬度
が高くなり過ぎ、半導体素子に亀裂を生じたり、ネック
切れを生じたり、直進性に異常をきたす場合があるの
で、Ｐｄを０．１〜０．８重量％、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ及
び希土類元素からなる１群の元素、さらにＳｒ、Ｂａ、
Ｉｎ、Ｓｎ及びＴｉからなる１群の元素の中から、それ
ぞれの群から少なくとも１種以上の元素を総量で０．０
００３〜０．０１重量％含有する組成を有することが必
要である。
【００１３】本発明により、第一ボンディングで接合し
たボンディングワイヤと半導体素子上の電極との間に十
分な接合強度を持ち、半導体素子を樹脂封入する際にボ
ンディングワイヤ同士の接触による不良が起こりにく
く、リードフレームの狭ピッチ，半導体素子上の電極の
狭パッドピッチ，リードフレームと半導体素子上の電極
間の長ループ配線に適するボンディングワイヤが得られ
る。
【００１４】
【実施例】純度９９．９９重量％以上の高純度金にＰ
ｄ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｇｅ，希土類元素，Ｓｒ，Ｂａ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ及びＴｉを種々の割合で添加し、表１に示す組
成の金合金を溶解鋳造した。これらの鋳造品を圧延及び
線引き加工をすることにより３０μｍφのボンディング
ワイヤを得た。次にこれらのワイヤーを室温に於ける破
断伸びが６％になるように熱処理し、ボンディングサン
プルを得た。これらのボンディングサンプルを第一ボン
ディングする際に加熱溶解して得られるボールを採取
し、電子顕微鏡にて表面観察を行った。また、得られた
ボンディングワイヤを用いてボンディングを１０００回
行い、ループ異常の発生の有無、半導体素子の亀裂発生
の有無を調査した。更に得られたボンディングワイヤの
引張試験を常温にて行った。以上の試験にて得られた結
果を表１の右欄に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】上記表で明らかなように、本発明のボンデ
ィングワイヤは、従来例及び比較例のボンディングワイ
ヤに比べ、異常ループの発生がなく直進性に優れている
こと、及び従来例のボンディングワイヤ以上の破断強度
を有していることが判る。また、これら本発明のボンデ
ィングワイヤは、第一ボンディング時に形成されるボー
ルに収縮孔は観察されず、このボール潰れ形状は真円に
近く、チップクラックを生じない上、製造時の引張強度
も強く更なる細線化も可能である。
【００１７】
【発明の効果】従って、本発明によるボンディングワイ
ヤは、リードフレームの狭ピッチ，半導体素子上の電極
の狭パッドピッチ，リードフレームと半導体素子上の電
極間の長ループ配線に適するボンディングワイヤを提供
することが出来る。また、本発明によるボンディングワ
イヤは、製造時の引張強度が高い為１０数μｍφ程度の
極細線化が容易であり、かつこの極細線を用いることに
よりＩＣを小型化することが可能である。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】純度９９．９９重量％以上の高純度金にＰ
    ｄを０．１〜０．８重量％、Ｃａ，Ｂｅ，Ｇｅ及び希土
    類元素からなる１群の元素、さらにＳｒ，Ｂａ，Ｉｎ，
    Ｓｎ及びＴｉからなる１群の元素の中から、それぞれの
    群から少なくとも１種以上の元素を総量で０．０００３
    〜０．０１重量％添加含有させたことを特徴とするボン
    ディングワイヤ。
JP06124879A 1994-06-07 1994-06-07 ボンディングワイヤ Expired - Fee Related JP3085090B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06124879A JP3085090B2 (ja) 1994-06-07 1994-06-07 ボンディングワイヤ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06124879A JP3085090B2 (ja) 1994-06-07 1994-06-07 ボンディングワイヤ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07335684A JPH07335684A (ja) 1995-12-22
JP3085090B2 true JP3085090B2 (ja) 2000-09-04

Family

ID=14896359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06124879A Expired - Fee Related JP3085090B2 (ja) 1994-06-07 1994-06-07 ボンディングワイヤ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3085090B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3328135B2 (ja) 1996-05-28 2002-09-24 田中電子工業株式会社 バンプ形成用金合金線及びバンプ形成方法
JPH10233408A (ja) * 1997-02-21 1998-09-02 Nec Corp 金属接合構造及び半導体装置
JP4513440B2 (ja) * 2004-07-15 2010-07-28 住友ベークライト株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07335684A (ja) 1995-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101536554B1 (ko) 본딩용 와이어
JP3382918B2 (ja) 半導体素子接続用金線
JP3328135B2 (ja) バンプ形成用金合金線及びバンプ形成方法
JP3337049B2 (ja) ボンディング用金線
JP3085090B2 (ja) ボンディングワイヤ
JP3358295B2 (ja) ボンディングワイヤ
JPH1145899A (ja) ボンディングワイヤ
JP3586909B2 (ja) ボンディングワイヤ
KR100695925B1 (ko) 반도체 소자 접속용 금 와이어
JPH11126788A (ja) Ｉｃチップ接続用金合金線
JPH1167811A (ja) 半導体素子用金銀合金細線
JP2007019349A (ja) ボンディングワイヤ
JPH1145900A (ja) ボンディングワイヤ
JP3633222B2 (ja) ボンディングワイヤ
JP3312348B2 (ja) ボンディング用金合金線
JPH0982738A (ja) 半導体装置
JP3585993B2 (ja) ボンディング用金線
JPH08325657A (ja) ボンディング用金線
JP3615901B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金線
JP3916320B2 (ja) ボンディング用金合金線
JP4117973B2 (ja) ボンディング用金合金線
JP4318533B2 (ja) ボールバンプ形成用リボン
JP3786324B2 (ja) ボンディングワイヤ
JPH04229631A (ja) ボンデイングワイヤー
JPH1126491A (ja) 半導体素子用金合金細線

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070707

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080707

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130707

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees