JPH08325657A - ボンディング用金線 - Google Patents
ボンディング用金線Info
- Publication number
- JPH08325657A JPH08325657A JP7128079A JP12807995A JPH08325657A JP H08325657 A JPH08325657 A JP H08325657A JP 7128079 A JP7128079 A JP 7128079A JP 12807995 A JP12807995 A JP 12807995A JP H08325657 A JPH08325657 A JP H08325657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- group
- bonding
- neck portion
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01051—Antimony [Sb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01083—Bismuth [Bi]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】超音波出力を増大させた超音波併用熱圧着ボン
ディングを行い、且つボールネック部を過酷に屈曲，変
形させるリバース変形を行ってループを形成しても断線
が生じることの少ないＩＣチップボンディング用金線を
提供する。 【構成】９９．９９９重量％以上の高純度金に、Ｓｂ：
０．０００５〜０．０１重量％，Ｂｉ：０．０００１〜
０．００５重量％の内少くとも１種と、Ｂｅ：０．００
００２〜０．００１重量％を含有するＩＣチップボンデ
ィング用金線。
ディングを行い、且つボールネック部を過酷に屈曲，変
形させるリバース変形を行ってループを形成しても断線
が生じることの少ないＩＣチップボンディング用金線を
提供する。 【構成】９９．９９９重量％以上の高純度金に、Ｓｂ：
０．０００５〜０．０１重量％，Ｂｉ：０．０００１〜
０．００５重量％の内少くとも１種と、Ｂｅ：０．００
００２〜０．００１重量％を含有するＩＣチップボンデ
ィング用金線。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップの電極と外
部リード部を接続するために使用するボンディング用金
線に関し、さらに詳しくは、半導体装置組み立ての際、
超音波出力の増加等によってボンディングワイヤのネッ
ク部が損傷を受ける程度を大幅に低減することができる
ＩＣチップボンディング用金線に関する。
部リード部を接続するために使用するボンディング用金
線に関し、さらに詳しくは、半導体装置組み立ての際、
超音波出力の増加等によってボンディングワイヤのネッ
ク部が損傷を受ける程度を大幅に低減することができる
ＩＣチップボンディング用金線に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】従来、ＩＣチップ上の電極
と外部リード部を接続する技術としては、金線を用いた
超音波併用熱圧着ボンディング法が主として用いられて
いる。また、最近の半導体装置の高速化，高機能化の要
求に伴って電極と外部リード部の数が増加した結果、電
極から外部リード部迄の配線距離が長くなっている。一
方では、半導体装置を小型，薄型にするため、電極と外
部リード部の配線距離を極端に短くすることによって対
応している。この為、多数のリード線を用いながら短く
配線を行うことが要求され、これに対応するために、ボ
ンディング装置を用いてループを形成する過程で、ルー
プ形成と逆方向へボールネック部を過酷に屈曲させて変
形させた後にループを張る、所謂リバース変形を行うこ
とによって、ループ高さとループ形状を安定化させる試
みがなされている。
と外部リード部を接続する技術としては、金線を用いた
超音波併用熱圧着ボンディング法が主として用いられて
いる。また、最近の半導体装置の高速化，高機能化の要
求に伴って電極と外部リード部の数が増加した結果、電
極から外部リード部迄の配線距離が長くなっている。一
方では、半導体装置を小型，薄型にするため、電極と外
部リード部の配線距離を極端に短くすることによって対
応している。この為、多数のリード線を用いながら短く
配線を行うことが要求され、これに対応するために、ボ
ンディング装置を用いてループを形成する過程で、ルー
プ形成と逆方向へボールネック部を過酷に屈曲させて変
形させた後にループを張る、所謂リバース変形を行うこ
とによって、ループ高さとループ形状を安定化させる試
みがなされている。
【０００３】しかし乍ら前述の様なリバース変形を行っ
て形成されたループは、半導体装置の作動段階で半導体
の発熱に伴う熱サイクルの環境に晒された場合、ボール
ネック部に断線不良が発生するという問題が生じてい
た。この様な半導体作動中の断線不良を防止するため
に、ボールネック部を過酷に屈曲，変形させてループを
張った場合、その後の過酷な熱サイクル試験において断
線が生じることの少ない金線が要求されている。
て形成されたループは、半導体装置の作動段階で半導体
の発熱に伴う熱サイクルの環境に晒された場合、ボール
ネック部に断線不良が発生するという問題が生じてい
た。この様な半導体作動中の断線不良を防止するため
に、ボールネック部を過酷に屈曲，変形させてループを
張った場合、その後の過酷な熱サイクル試験において断
線が生じることの少ない金線が要求されている。
【０００４】他方、従来において、振動により金ボール
直上のネック部が破断するという問題を改善することを
目的として、Ｅｕ、Ｃａ、Ｇｅ、Ｂｅを所定量含有させ
たものがある（特開平５−９６２４号）。しかし乍ら上
記従来の提案は、ボンディングワイヤーをボールネック
部で過酷に屈曲，変形させてループを張った後に過酷な
熱サイクル環境に晒された場合でも、ボールネック部で
の断線の少ない金線として十分なものとはいえない状態
にある。
直上のネック部が破断するという問題を改善することを
目的として、Ｅｕ、Ｃａ、Ｇｅ、Ｂｅを所定量含有させ
たものがある（特開平５−９６２４号）。しかし乍ら上
記従来の提案は、ボンディングワイヤーをボールネック
部で過酷に屈曲，変形させてループを張った後に過酷な
熱サイクル環境に晒された場合でも、ボールネック部で
の断線の少ない金線として十分なものとはいえない状態
にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述したよう
な従来事情に鑑みて成されたものであり、その目的とす
るところは、超音波出力を増大させた超音波併用熱圧着
ボンディングを行い、且つボールネック部を過酷に屈
曲，変形させてループを張る、所謂リバース変形を行っ
てループを形成した後に過酷な熱サイクル環境に晒され
ても断線が生じることの少ないＩＣチップボンディング
用金線を提供することである。
な従来事情に鑑みて成されたものであり、その目的とす
るところは、超音波出力を増大させた超音波併用熱圧着
ボンディングを行い、且つボールネック部を過酷に屈
曲，変形させてループを張る、所謂リバース変形を行っ
てループを形成した後に過酷な熱サイクル環境に晒され
ても断線が生じることの少ないＩＣチップボンディング
用金線を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等が鋭意研究を
重ねた結果、９９．９９９重量％以上の高純度金に、ア
ンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂｉ）の内少なくとも１
種と、ベリリウム（Ｂｅ）とを夫々所定量含有させるこ
とにより、それら各元素の相乗効果によって前述の目的
を達成し得ることを知見し、本発明を完成するに至っ
た。すなわち本願第１発明は、９９．９９９重量％以上
の高純度金に、アンチモン（Ｓｂ）：０．０００５〜
０．０１重量％、ビスマス（Ｂｉ）：０．０００１〜
０．００５重量％の内少なくとも１種を含有し、さらに
ベリリウム（Ｂｅ）：０．００００２〜０．００１重量
％を含有することを特徴とするＩＣチップボンディング
用金線である。
重ねた結果、９９．９９９重量％以上の高純度金に、ア
ンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂｉ）の内少なくとも１
種と、ベリリウム（Ｂｅ）とを夫々所定量含有させるこ
とにより、それら各元素の相乗効果によって前述の目的
を達成し得ることを知見し、本発明を完成するに至っ
た。すなわち本願第１発明は、９９．９９９重量％以上
の高純度金に、アンチモン（Ｓｂ）：０．０００５〜
０．０１重量％、ビスマス（Ｂｉ）：０．０００１〜
０．００５重量％の内少なくとも１種を含有し、さらに
ベリリウム（Ｂｅ）：０．００００２〜０．００１重量
％を含有することを特徴とするＩＣチップボンディング
用金線である。
【０００７】また本願第２発明は、上記第１発明に、カ
ルシウム（Ｃａ）：０．００００５〜０．０１重量％，
ゲルマニウム（Ｇｅ）：０．０００１〜０．０１重量％
の内少なくとも１種をさらに含有することを特徴とする
ＩＣチップボンディング用金線である。
ルシウム（Ｃａ）：０．００００５〜０．０１重量％，
ゲルマニウム（Ｇｅ）：０．０００１〜０．０１重量％
の内少なくとも１種をさらに含有することを特徴とする
ＩＣチップボンディング用金線である。
【０００８】さらに本願第３発明は、上記第１発明又は
第２発明に、ユウロピウム（Ｅｕ），イットリウム
（Ｙ），ランタン（Ｌａ），鉛（Ｐｂ），エルビウム
（Ｅｒ），カドリニウム（Ｇｄ），セリウム（Ｃｅ），
プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），サマリウム
（Ｓｍ），イッテルビウム（Ｙｂ）の内少なくとも１種
を０．０００１〜０．０２重量％さらに含有することを
特徴とするＩＣチップボンディング用金線である。
第２発明に、ユウロピウム（Ｅｕ），イットリウム
（Ｙ），ランタン（Ｌａ），鉛（Ｐｂ），エルビウム
（Ｅｒ），カドリニウム（Ｇｄ），セリウム（Ｃｅ），
プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），サマリウム
（Ｓｍ），イッテルビウム（Ｙｂ）の内少なくとも１種
を０．０００１〜０．０２重量％さらに含有することを
特徴とするＩＣチップボンディング用金線である。
【０００９】
【作用】前述の通り本発明は、所定量のＳｂ，Ｂｉの内
少なくとも１種と、所定量のＢｅとからなる第１群、所
定量のＣａ，Ｇｅの内少なくとも１種からなる第２群、
Ｅｕ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｙｂの内少なくとも１種の所定量からなる第
３群の成分を含有した組成となっている。以下、本発明
の詳細な構成とその作用について説明する。本発明で使
用する出発原料は、純度が９９．９９９重量％以上の金
を含有し残部が不可避不純物からなるものである。該出
発原料にＳｂ，Ｂｉ、Ｂｅを上記構成になるよう含有し
た組成にすることにより、それら金属元素同士の相乗効
果によって、超音波出力を増大させた超音波併用熱圧着
ボンディングを行い、且つループ形成の際にリバース変
形を加えたボンディングワイヤのネック部の信頼性にお
いて、疲労特性に優れ、熱サイクルの環境に晒された場
合の破断性能に優れた金合金線を得ることが出来る。次
に、本発明の金合金線の成分組成を上記の通り限定した
理由を説明する。
少なくとも１種と、所定量のＢｅとからなる第１群、所
定量のＣａ，Ｇｅの内少なくとも１種からなる第２群、
Ｅｕ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｙｂの内少なくとも１種の所定量からなる第
３群の成分を含有した組成となっている。以下、本発明
の詳細な構成とその作用について説明する。本発明で使
用する出発原料は、純度が９９．９９９重量％以上の金
を含有し残部が不可避不純物からなるものである。該出
発原料にＳｂ，Ｂｉ、Ｂｅを上記構成になるよう含有し
た組成にすることにより、それら金属元素同士の相乗効
果によって、超音波出力を増大させた超音波併用熱圧着
ボンディングを行い、且つループ形成の際にリバース変
形を加えたボンディングワイヤのネック部の信頼性にお
いて、疲労特性に優れ、熱サイクルの環境に晒された場
合の破断性能に優れた金合金線を得ることが出来る。次
に、本発明の金合金線の成分組成を上記の通り限定した
理由を説明する。
【００１０】〔第１群；Ｓｂ〕Ｓｂは、Ｂｅとの共存に
おいて、ボールネック部の信頼性向上に優れた効果を示
す。Ｓｂ含有量が０．０００５重量％以上になると０．
０００５重量％未満と対比してボールネック部の信頼性
が大きくなり、０．０１重量％を越えると良好なボール
形成が出来なくなってくると共に接合時に電極割れが生
じてくる。このためＳｂ含有量を０．０００５〜０．０
１重量％と定めた。Ｓｂを前記規定量含有してもＢｅが
含有されていない場合と対比して、Ｂｅとの共存におい
てボールネック部の信頼性が向上するためＳｂはＢｅと
の共存が必要である。さらに好ましい組成は、所定量の
Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種を含有させることであ
り、この組成において、ボールネック部の信頼性向上に
さらに優れた効果を示す。
おいて、ボールネック部の信頼性向上に優れた効果を示
す。Ｓｂ含有量が０．０００５重量％以上になると０．
０００５重量％未満と対比してボールネック部の信頼性
が大きくなり、０．０１重量％を越えると良好なボール
形成が出来なくなってくると共に接合時に電極割れが生
じてくる。このためＳｂ含有量を０．０００５〜０．０
１重量％と定めた。Ｓｂを前記規定量含有してもＢｅが
含有されていない場合と対比して、Ｂｅとの共存におい
てボールネック部の信頼性が向上するためＳｂはＢｅと
の共存が必要である。さらに好ましい組成は、所定量の
Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種を含有させることであ
り、この組成において、ボールネック部の信頼性向上に
さらに優れた効果を示す。
【００１１】〔第１群；Ｂｉ〕Ｂｉは、Ｂｅとの共存に
おいて、ボールネック部の信頼性向上に優れた効果を示
す。Ｂｉ含有量が０．０００１重量％以上になると０．
０００１重量％未満と対比してボールネック部の信頼性
が大きくなり、０．００５重量％を越えると良好なボー
ル形成が出来なくなってくると共に接合時に電極割れが
生じてくる。このためＢｉ含有量を０．０００１〜０．
００５重量％と定めた。Ｂｉを前記規定量含有してもＢ
ｅが含有されていない場合と対比して、Ｂｅとの共存に
おいてボールネック部の信頼性が向上するためＢｉはＢ
ｅとの共存が必要である。さらに好ましい組成は、所定
量のＣａ，Ｇｅの内少なくとも１種を含有させることで
あり、この組成において、ボールネック部の信頼性向上
にさらに優れた効果を示す。
おいて、ボールネック部の信頼性向上に優れた効果を示
す。Ｂｉ含有量が０．０００１重量％以上になると０．
０００１重量％未満と対比してボールネック部の信頼性
が大きくなり、０．００５重量％を越えると良好なボー
ル形成が出来なくなってくると共に接合時に電極割れが
生じてくる。このためＢｉ含有量を０．０００１〜０．
００５重量％と定めた。Ｂｉを前記規定量含有してもＢ
ｅが含有されていない場合と対比して、Ｂｅとの共存に
おいてボールネック部の信頼性が向上するためＢｉはＢ
ｅとの共存が必要である。さらに好ましい組成は、所定
量のＣａ，Ｇｅの内少なくとも１種を含有させることで
あり、この組成において、ボールネック部の信頼性向上
にさらに優れた効果を示す。
【００１２】〔第１群；Ｂｅ〕Ｂｅは、Ｓｂ，Ｂｉの内
少なくとも１種との共存において、ボールネック部の信
頼性向上に優れた効果を示す。Ｂｅ含有量が０．０００
０２重量％以上になると０．００００２重量％未満と対
比してボールネック部の信頼性が大きくなり、０．００
１重量％を越えると良好なボール形成が出来なくなって
くる。このためＢｅ含有量を０．００００２〜０．００
１重量％と定めた。Ｂｅを前記規定量含有してもＳｂ，
Ｂｉの内少なくとも１種が含有されていない場合と対比
して、Ｓｂ，Ｂｉの内少なくとも１種との共存において
ボールネック部の信頼性が向上するためＢｅはＳｂ，Ｂ
ｉの内少なくとも１種との共存が必要である。さらに好
ましい組成は、所定量のＣａ，Ｇｅの内少なくとも１種
を含有させることであり、この組成において、ボールネ
ック部の信頼性向上にさらに優れた効果を示す。
少なくとも１種との共存において、ボールネック部の信
頼性向上に優れた効果を示す。Ｂｅ含有量が０．０００
０２重量％以上になると０．００００２重量％未満と対
比してボールネック部の信頼性が大きくなり、０．００
１重量％を越えると良好なボール形成が出来なくなって
くる。このためＢｅ含有量を０．００００２〜０．００
１重量％と定めた。Ｂｅを前記規定量含有してもＳｂ，
Ｂｉの内少なくとも１種が含有されていない場合と対比
して、Ｓｂ，Ｂｉの内少なくとも１種との共存において
ボールネック部の信頼性が向上するためＢｅはＳｂ，Ｂ
ｉの内少なくとも１種との共存が必要である。さらに好
ましい組成は、所定量のＣａ，Ｇｅの内少なくとも１種
を含有させることであり、この組成において、ボールネ
ック部の信頼性向上にさらに優れた効果を示す。
【００１３】〔第２群；Ｃａ，Ｇｅ〕Ｃａ含有量が０．
００００５〜０．０１重量％、Ｇｅ含有量が０．０００
１〜０．０１重量％の内少なくとも１種の成分が、Ｓ
ｂ，Ｂｉの内少なくとも１種とＢｅとの共存においてボ
ールネック部の信頼性向上にさらに優れた効果を示すた
め、好ましく用いられる。Ｃａ含有量が０．００００５
重量％未満で且つＧｅ含有量が０．０００１重量％未満
のとき、前記のようなさらに優れた効果は得られない。
Ｃａ含有量が０．０１重量％を越えると良好なボール形
成が出来なくなってくる。Ｇｅ含有量が０．０１重量％
を越えるとボンディング時の電極割れが発生し易くな
る。このため、好ましく用いられるＣａの含有量を０．
００００５〜０．０１重量％、Ｇｅの含有量を０．００
０１〜０．０１重量％と定めた。
００００５〜０．０１重量％、Ｇｅ含有量が０．０００
１〜０．０１重量％の内少なくとも１種の成分が、Ｓ
ｂ，Ｂｉの内少なくとも１種とＢｅとの共存においてボ
ールネック部の信頼性向上にさらに優れた効果を示すた
め、好ましく用いられる。Ｃａ含有量が０．００００５
重量％未満で且つＧｅ含有量が０．０００１重量％未満
のとき、前記のようなさらに優れた効果は得られない。
Ｃａ含有量が０．０１重量％を越えると良好なボール形
成が出来なくなってくる。Ｇｅ含有量が０．０１重量％
を越えるとボンディング時の電極割れが発生し易くな
る。このため、好ましく用いられるＣａの含有量を０．
００００５〜０．０１重量％、Ｇｅの含有量を０．００
０１〜０．０１重量％と定めた。
【００１４】〔第３群；Ｅｕ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅｒ，
Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ〕第１群の成分
に、第３群の成分すなわちＥｕ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅ
ｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂの内少なくと
も１種の成分を０．０００１〜０．０２重量％含有した
場合、ボールネック部の信頼性において、第１群のみを
含有する組成と対比して同等の効果を有する。この場
合、第３群の成分を含有しても、第１群の成分である所
定量のＳｂ，Ｂｉの内少なくとも１種と所定量のＢｅの
内いずれかを含有しない場合、ボールネック部の信頼性
において優れた効果は得られない。
Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ〕第１群の成分
に、第３群の成分すなわちＥｕ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅ
ｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂの内少なくと
も１種の成分を０．０００１〜０．０２重量％含有した
場合、ボールネック部の信頼性において、第１群のみを
含有する組成と対比して同等の効果を有する。この場
合、第３群の成分を含有しても、第１群の成分である所
定量のＳｂ，Ｂｉの内少なくとも１種と所定量のＢｅの
内いずれかを含有しない場合、ボールネック部の信頼性
において優れた効果は得られない。
【００１５】また第１群の成分及び第２群の成分に、第
３群の成分すなわちＥｕ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇ
ｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂの内少なくとも１種
の成分を０．０００１〜０．０２重量％含有した場合、
ボールネック部の信頼性において、第１群の成分及び第
２群の成分を同時に含有した組成と対比して同等のさら
に優れた効果を有する。この場合、第２群及び第３群の
成分を同時に含有しても、第１群の成分である所定量の
Ｓｂ，Ｂｉの内少なくとも１種と所定量のＢｅの内いず
れかを含有しない場合、ボールネック部の信頼性におい
て優れた効果は得られない。
３群の成分すなわちＥｕ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇ
ｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂの内少なくとも１種
の成分を０．０００１〜０．０２重量％含有した場合、
ボールネック部の信頼性において、第１群の成分及び第
２群の成分を同時に含有した組成と対比して同等のさら
に優れた効果を有する。この場合、第２群及び第３群の
成分を同時に含有しても、第１群の成分である所定量の
Ｓｂ，Ｂｉの内少なくとも１種と所定量のＢｅの内いず
れかを含有しない場合、ボールネック部の信頼性におい
て優れた効果は得られない。
【００１６】
【実施例】以下、表１〜表１０に示す実施例及び比較例
について説明する。 （実施例１）表中に示す組成と成るように９９．９９９
重量％の金地金と各元素を含む母合金を真空溶解炉で溶
解した後鋳造し、溝ロール，伸線機を用いた冷間加工と
熱処理を繰り返し，最終線径３０μｍ、伸び率４％の細
線になるように仕上げた。この細線をボンディングワイ
ヤとして、高速自動ボンダを用いてＩＣチップ電極上に
超音波熱圧着ボンディングを行った。超音波出力を０．
５Ｗとし最初のボール接合を行った後、ループ形成と逆
方向にキャピラリを一旦動かしそのリバース角度を垂直
方向に対して６０度に設定し、ボールネック部を苛酷に
屈曲させて変形させ、次いで正規のループを形成した。
まず細線を用いてボール形状、振動試験を行い、さらに
ＩＣチップ電極上にボンディングを行った後、接合時の
電極割れ、熱サイクル試験を行った。測定結果を表２に
示す。
について説明する。 （実施例１）表中に示す組成と成るように９９．９９９
重量％の金地金と各元素を含む母合金を真空溶解炉で溶
解した後鋳造し、溝ロール，伸線機を用いた冷間加工と
熱処理を繰り返し，最終線径３０μｍ、伸び率４％の細
線になるように仕上げた。この細線をボンディングワイ
ヤとして、高速自動ボンダを用いてＩＣチップ電極上に
超音波熱圧着ボンディングを行った。超音波出力を０．
５Ｗとし最初のボール接合を行った後、ループ形成と逆
方向にキャピラリを一旦動かしそのリバース角度を垂直
方向に対して６０度に設定し、ボールネック部を苛酷に
屈曲させて変形させ、次いで正規のループを形成した。
まず細線を用いてボール形状、振動試験を行い、さらに
ＩＣチップ電極上にボンディングを行った後、接合時の
電極割れ、熱サイクル試験を行った。測定結果を表２に
示す。
【００１７】（実施例２〜７５／比較例１〜１４）表中
に示す組成としたこと以外は実施例１と同様にして細線
に仕上げ、試験を行った。結果を表２，表４，表７，表
１０に示す。
に示す組成としたこと以外は実施例１と同様にして細線
に仕上げ、試験を行った。結果を表２，表４，表７，表
１０に示す。
【００１８】測定方法は以下の通りである。 〔ボール形状〕高速自動ボンダに組み込まれている電気
トーチを用いて金ボールを作製し、走査型電子顕微鏡を
用いて金ボールの大きさ、真球度、表面状態を観察し
た。金ボールの大きさは線径の２．５倍、即ち７５μｍ
φを基準とし、真球度、表面状態は比較サンプル対比で
測定した。１０個測定して全て良好な時は「良好」、１
個でも不良がある時は「不良」と表示した。
トーチを用いて金ボールを作製し、走査型電子顕微鏡を
用いて金ボールの大きさ、真球度、表面状態を観察し
た。金ボールの大きさは線径の２．５倍、即ち７５μｍ
φを基準とし、真球度、表面状態は比較サンプル対比で
測定した。１０個測定して全て良好な時は「良好」、１
個でも不良がある時は「不良」と表示した。
【００１９】〔接合時の電極割れ〕高速自動ボンダーを
用いて１００個のボンディングテストを行い、電極割れ
不良の発生がないものを「良好」、１個でも割れ不良の
発生があるものを「不良」と表示した。
用いて１００個のボンディングテストを行い、電極割れ
不良の発生がないものを「良好」、１個でも割れ不良の
発生があるものを「不良」と表示した。
【００２０】〔熱サイクル試験〕ループを形成した後エ
ポキシ樹脂にて封止し、−１０℃×３０分と１５０℃×
３０分の熱サイクルテストを2000回行った。１００個の
試料を測定に供し、導通テストにより断線の有無を確認
した。断線した個数を破断率（％）で表示した。
ポキシ樹脂にて封止し、−１０℃×３０分と１５０℃×
３０分の熱サイクルテストを2000回行った。１００個の
試料を測定に供し、導通テストにより断線の有無を確認
した。断線した個数を破断率（％）で表示した。
【００２１】〔振動試験〕基板材料として、ＩＣチップ
電極に代えて銀メッキしたリードフレーム１を用意した
こと以外は実施例１と同様にしてボンディングを行い、
振動試験の材料とした。図１に示す振動試験機２を用
い、前記リードフレーム１に先端をボンディングしたワ
イヤ３をクランプ４で保持し、軸５を中心に左右両側へ
振幅させる振動試験を次の条件で行い、破断に至るまで
の振動回数を測定した。 スパン距離（Ｌ1 ）：１５０μｍ 両側振幅（Ｌ2 ）：２６μｍ 振動周波数：４０Ｈｚ（１秒間に４０回） 同様の試験を３回繰り返し、得られた平均値を表示し
た。
電極に代えて銀メッキしたリードフレーム１を用意した
こと以外は実施例１と同様にしてボンディングを行い、
振動試験の材料とした。図１に示す振動試験機２を用
い、前記リードフレーム１に先端をボンディングしたワ
イヤ３をクランプ４で保持し、軸５を中心に左右両側へ
振幅させる振動試験を次の条件で行い、破断に至るまで
の振動回数を測定した。 スパン距離（Ｌ1 ）：１５０μｍ 両側振幅（Ｌ2 ）：２６μｍ 振動周波数：４０Ｈｚ（１秒間に４０回） 同様の試験を３回繰り返し、得られた平均値を表示し
た。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】
【表４】
【００２６】
【表５】
【００２７】
【表６】
【００２８】
【表７】
【００２９】
【表８】
【００３０】
【表９】
【００３１】
【表１０】
【００３２】以上の測定結果から明らかなように、所定
量のＳｂ，Ｂｉの内少くとも１種とＢｅからなる第１群
の成分を含有した実施例１〜１１は、ボール形状が良好
であり、ボンディング時の電極割れ不良の発生がないと
共に、熱サイクル試験後の破断率が１％、振動試験での
破断に至るまでの振動回数が１２，０００回以上であり
ボールネック部の信頼性向上に優れた効果を示した。
量のＳｂ，Ｂｉの内少くとも１種とＢｅからなる第１群
の成分を含有した実施例１〜１１は、ボール形状が良好
であり、ボンディング時の電極割れ不良の発生がないと
共に、熱サイクル試験後の破断率が１％、振動試験での
破断に至るまでの振動回数が１２，０００回以上であり
ボールネック部の信頼性向上に優れた効果を示した。
【００３３】また前記第１群の成分に加えて、所定量の
Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種からなる第２群の成分を
含有した実施例１２〜４５は、ボール形状が良好であ
り、ボンディング時の電極割れ不良の発生がないと共
に、熱サイクル試験後の破断率が０％であり、且つ振動
試験での破断に至るまでの振動回数が１３，０００回以
上とさらに優れた効果を示した。
Ｃａ，Ｇｅの内少なくとも１種からなる第２群の成分を
含有した実施例１２〜４５は、ボール形状が良好であ
り、ボンディング時の電極割れ不良の発生がないと共
に、熱サイクル試験後の破断率が０％であり、且つ振動
試験での破断に至るまでの振動回数が１３，０００回以
上とさらに優れた効果を示した。
【００３４】さらに前記第１群の成分に加えて、Ｅｕ，
Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓ
ｍ，Ｙｂの内少なくとも１種の所定量からなる第３群の
成分を含有した実施例４６〜６０は、第１群のみを含有
する実施例１〜１１と対比して同等の効果を示した。
Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓ
ｍ，Ｙｂの内少なくとも１種の所定量からなる第３群の
成分を含有した実施例４６〜６０は、第１群のみを含有
する実施例１〜１１と対比して同等の効果を示した。
【００３５】さらにまた、前記第１群の成分及び第２群
の成分に加えて、Ｅｕ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂの内少なくとも１種の所
定量からなる第３群の成分を含有した実施例６１〜７５
は、第１群の成分及び第２群の成分を同時に含有した実
施例１２〜４５と対比して同等のさらに優れた効果を示
した。
の成分に加えて、Ｅｕ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂの内少なくとも１種の所
定量からなる第３群の成分を含有した実施例６１〜７５
は、第１群の成分及び第２群の成分を同時に含有した実
施例１２〜４５と対比して同等のさらに優れた効果を示
した。
【００３６】これに対し、本発明に係る第１群、第２
群、第３群の成分のいずれも含有しない比較例１は、熱
サイクル試験後の破断率が１５％、振動試験での破断に
至るまでの回数が６，４００回程度であることが判る。
また、Ｂｅを含有しない比較例２，３，７〜９は、熱サ
イクル試験後の破断率６〜１１％、振動試験での破断に
至るまでの回数７，２００〜１０，８００回程度である
ことが判る。
群、第３群の成分のいずれも含有しない比較例１は、熱
サイクル試験後の破断率が１５％、振動試験での破断に
至るまでの回数が６，４００回程度であることが判る。
また、Ｂｅを含有しない比較例２，３，７〜９は、熱サ
イクル試験後の破断率６〜１１％、振動試験での破断に
至るまでの回数７，２００〜１０，８００回程度である
ことが判る。
【００３７】また、第１群の必須成分を含有してもその
内のいずれか１種の含有量が本発明の規定量を越える比
較例１０〜１２は、熱サイクル試験後の破断率３％、振
動試験での破断に至るまでの回数１１，０００回前後
で、前記比較例に比べれば改善されるものの、ボール形
状又はチップ電極割れの点で不良であることが判る。
内のいずれか１種の含有量が本発明の規定量を越える比
較例１０〜１２は、熱サイクル試験後の破断率３％、振
動試験での破断に至るまでの回数１１，０００回前後
で、前記比較例に比べれば改善されるものの、ボール形
状又はチップ電極割れの点で不良であることが判る。
【００３８】さらにまた、Ｂｅを含有するがＳｂ、Ｂｉ
の両方を含有しない比較例４〜６、第１群の成分及び第
２群の成分を同時に含有するが本課題に対して不適なＩ
ｎを含有した比較例１３，１４は、熱サイクル試験後の
破断率２〜３％、振動試験での破断に至るまでの回数１
１，０００回前後、ボール形状及びチップ電極割れの双
方で良好と、前記比較例に比べれば改善されるものの、
本発明に対して劣ることが判る。
の両方を含有しない比較例４〜６、第１群の成分及び第
２群の成分を同時に含有するが本課題に対して不適なＩ
ｎを含有した比較例１３，１４は、熱サイクル試験後の
破断率２〜３％、振動試験での破断に至るまでの回数１
１，０００回前後、ボール形状及びチップ電極割れの双
方で良好と、前記比較例に比べれば改善されるものの、
本発明に対して劣ることが判る。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＩＣ
チップボンディング用金線は、９９．９９９重量％以上
の高純度金に、所定量のＳｂ，Ｂｉの内少なくとも１種
と所定量のＢｅを含有した組成としたので、超音波出力
を増大させた超音波併用熱圧着ボンディングを行い、且
つリバース変形を加えて形成したループのネック部にお
いて、疲労特性に優れると共に熱サイクルの環境に晒さ
れた場合の破断性能を大幅に向上することが出来た。従
って、多数のリード線を用いながら短く配線を行う半導
体装置の組み立てにおいて高い信頼性が得られ、半導体
装置の高速化，高機能化，小型化，薄型化の促進に極め
て有用である。
チップボンディング用金線は、９９．９９９重量％以上
の高純度金に、所定量のＳｂ，Ｂｉの内少なくとも１種
と所定量のＢｅを含有した組成としたので、超音波出力
を増大させた超音波併用熱圧着ボンディングを行い、且
つリバース変形を加えて形成したループのネック部にお
いて、疲労特性に優れると共に熱サイクルの環境に晒さ
れた場合の破断性能を大幅に向上することが出来た。従
って、多数のリード線を用いながら短く配線を行う半導
体装置の組み立てにおいて高い信頼性が得られ、半導体
装置の高速化，高機能化，小型化，薄型化の促進に極め
て有用である。
【００４０】また、９９．９９９重量％以上の高純度金
に、所定量のＳｂ，Ｂｉの内少くとも１種と所定量のＢ
ｅを含有し、さらに所定量のＣａ，Ｇｅの内少なくとも
１種を含有した組成とした場合は、超音波出力を増大さ
せた超音波併用熱圧着ボンディングを行い、且つリバー
ス変形を加えて形成したループのネック部において、疲
労特性、及び熱サイクルの環境に晒された場合の破断性
能をさらに向上することが出来、前述した効果をより実
効あるものとすることができた。
に、所定量のＳｂ，Ｂｉの内少くとも１種と所定量のＢ
ｅを含有し、さらに所定量のＣａ，Ｇｅの内少なくとも
１種を含有した組成とした場合は、超音波出力を増大さ
せた超音波併用熱圧着ボンディングを行い、且つリバー
ス変形を加えて形成したループのネック部において、疲
労特性、及び熱サイクルの環境に晒された場合の破断性
能をさらに向上することが出来、前述した効果をより実
効あるものとすることができた。
【図１】振動試験の概要を示す簡略図。
１：リードフレーム ２：振動試験機 ３：ボンディングワイヤ ４：クランプ ５：振幅中心軸
Claims (3)
- 【請求項１】 ９９．９９９重量％以上の高純度金に、
アンチモン（Ｓｂ）：０．０００５〜０．０１重量％、
ビスマス（Ｂｉ）：０．０００１〜０．００５重量％の
内少なくとも１種を含有し、さらにベリリウム（Ｂ
ｅ）：０．００００２〜０．００１重量％を含有するこ
とを特徴とするＩＣチップボンディング用金線。 - 【請求項２】 カルシウム（Ｃａ）：０．００００５〜
０．０１重量％，ゲルマニウム（Ｇｅ）：０．０００１
〜０．０１重量％の内少なくとも１種を含有することを
特徴とする請求項１記載のＩＣチップボンディング用金
線。 - 【請求項３】 ユウロピウム（Ｅｕ），イットリウム
（Ｙ），ランタン（Ｌａ），鉛（Ｐｂ），エルビウム
（Ｅｒ），カドリニウム（Ｇｄ），セリウム（Ｃｅ），
プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），サマリウム
（Ｓｍ），イッテルビウム（Ｙｂ）の内少なくとも１種
を０．０００１〜０．０２重量％含有することを特徴と
する請求項１又は請求項２記載のＩＣチップボンディン
グ用金線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128079A JPH08325657A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | ボンディング用金線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128079A JPH08325657A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | ボンディング用金線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325657A true JPH08325657A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=14975909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7128079A Pending JPH08325657A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | ボンディング用金線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08325657A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6159420A (en) * | 1996-05-28 | 2000-12-12 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Gold alloy wire and method for making a bump |
| WO2006057230A1 (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | 半導体素子用Auボンディングワイヤ |
| EP1811556A1 (en) * | 2004-09-30 | 2007-07-25 | Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Wire bump material |
| WO2020218968A1 (en) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. | Coated wire |
| CN115044797A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-09-13 | 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司 | 一种微型窄薄金属键合金带及其一体化制备方法 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP7128079A patent/JPH08325657A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6159420A (en) * | 1996-05-28 | 2000-12-12 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Gold alloy wire and method for making a bump |
| US6213382B1 (en) | 1996-05-28 | 2001-04-10 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Method for making a bump |
| EP1811556A1 (en) * | 2004-09-30 | 2007-07-25 | Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Wire bump material |
| EP1811556A4 (en) * | 2004-09-30 | 2009-08-05 | Tanaka Electronics Ind | MATERIAL FOR BOSS OF WIRE |
| WO2006057230A1 (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | 半導体素子用Auボンディングワイヤ |
| US8440137B2 (en) | 2004-11-26 | 2013-05-14 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Au bonding wire for semiconductor device |
| WO2020218968A1 (en) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. | Coated wire |
| CN115044797A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-09-13 | 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司 | 一种微型窄薄金属键合金带及其一体化制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3337049B2 (ja) | ボンディング用金線 | |
| JP2005268771A (ja) | 半導体装置用金ボンディングワイヤ及びその接続方法 | |
| JPH08325657A (ja) | ボンディング用金線 | |
| JP3585993B2 (ja) | ボンディング用金線 | |
| JPH1083716A (ja) | 半導体素子用金合金細線および半導体装置 | |
| JP3628139B2 (ja) | 半導体素子ボンディング用金合金線 | |
| JP3612179B2 (ja) | 半導体素子用金銀合金細線 | |
| JPH08109425A (ja) | ボンディング用金線 | |
| JP3312348B2 (ja) | ボンディング用金合金線 | |
| JPH11126788A (ja) | Ｉｃチップ接続用金合金線 | |
| JPH08316262A (ja) | ボンディング用金線 | |
| JPH08321523A (ja) | ボンディング用金線 | |
| JP3810200B2 (ja) | ワイヤボンディング用金合金線 | |
| JP2007019349A (ja) | ボンディングワイヤ | |
| JPH10303235A (ja) | 半導体素子ボンディング用金合金線 | |
| JPH1167812A (ja) | 半導体素子用金銀合金細線 | |
| JP2641000B2 (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JP3085090B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
| JP3916320B2 (ja) | ボンディング用金合金線 | |
| JP3586909B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
| KR100232115B1 (ko) | 본딩용 금선 | |
| JP4117973B2 (ja) | ボンディング用金合金線 | |
| JPH0813062A (ja) | ボンディング用金線 | |
| JP3426473B2 (ja) | 半導体素子用金合金細線 | |
| JP3669811B2 (ja) | 半導体素子ボンディング用金合金線 |