JP3810200B2 - ワイヤボンディング用金合金線 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子の電極と外部リードを接続する為に使用する半導体素子のワイヤボンディング用金合金線に関し、更に詳しくは金合金線を用いて配線された半導体装置が熱衝撃や振動を受ける環境にさらされても金合金線の断線を効果的に防止出来るボンディング用金合金線に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から半導体装置に用いられるICチップ電極と外部リードを接続する線としては、純度99.99重量%以上の高純度金に他の金属元素を微量含有させた金合金線が信頼性に優れているとして多用されている。
通常半導体装置は前記接続する方法として、金合金線を用いた超音波併用熱圧着ボンディング法が主として用いられ、その後樹脂封止して半導体装置とされている。
【0003】
ここで超音波併用熱圧着ボンディング法により配線し、ループを形成した状態を図1に示す。1はICチップ、2はICチップ上のAl電極、3は金合金線、4はリードフレーム、5はファースト側接合点、6はセカンド側接合点である。最近半導体装置は外部リード材料として放熱性、コストを考慮して銅合金性のリードフレームを用いることが多くなってきた。銅合金性のリードフレームを用いた場合、封止用樹脂とリードフレームの熱膨張係数の差が大きく、半導体装置の作動による温度上昇によってループを形成した金合金線に外部応力が加わり、とりわけ半導体装置が過酷な熱サイクル環境に晒された場合、断線を生じ易くなるという問題がある。
【0004】
又半導体装置の小型化、高密度化の要求が高まる中で、ICチップの多ピン化及びこれに伴う狭ピッチ化が要求されている。多ピン化、狭ピッチ化を達成するためには、樹脂封止する際にワイヤ流れが小さくループ形状を安定させることが出来る金合金線が要求されている。
これの対応として合金元素を大量添加することが考えられる。例えば特開昭52−51867号公報には金素材中にNi,Fe,Co,Cr,Agのうち少なくとも1種を40〜5000重量ppm 含有させて破断強度を向上させることが提案されている。しかしながら破断強度を向上させるだけでは最近の前記要求に対しては未だ不十分である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述したような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは銅合金製のリードフレームを用いた半導体装置が過酷な熱サイクルの環境に晒された場合でも、断線を抑制する効果が向上し、且つ樹脂封止する際のワイヤ流れを小さくすることが出来る金合金線を提供することである。
【0006】
更に前記過酷な熱サイクル環境に晒された場合の断線防止や樹脂封止する際にワイヤ流れが小さくなるような金合金線にするために、金に合金元素を添加すると振動破断性能が低下してくるという問題が生じてくる。振動破断性能は半導体装置の樹脂封止前の試料運搬時に振動による断線を防止出来る金合金線が要求されているものである。この為本発明においては、更に振動破断性能に優れた金合金線を提供することをもう1つの目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者等が鋭意研究を重ねた結果、Zn,Co,Mo,Cr(以下「第1群」という)のうち少なくとも1種の所定量とLa,Eu,Be,Y,Ca(以下「第2群」という)のうち少なくとも1種の所定量を高純度金に含有させることにより、前述の目的を達成しうることを知見し、本発明を完成するに至った。
(1)高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種を1〜100重量ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物である(ただし、Coを0.5〜3.0重量%、Ca,Y,Laの1種以上を合計量で1〜100重量ppm含み、残部が金および不可避的不純物である合金組成を除く。)ことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
(2)高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Yのうち少なくとも1種を1〜100重量ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物である(ただし、Coを0.5〜3.0重量%、Y,Laの1種以上を合計量で1〜100重量ppm含み、残部が金および不可避的不純物である合金組成を除く。)ことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
(3)高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、Caを10〜100重量ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物である(ただし、Coを0.5〜3.0重量%、Caを10〜100重量ppm含み、残部が金および不可避的不純物である合金組成を除く。)ことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
(4)高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、CaとLa,Eu,Be,Yのうち少なくとも1種とをそれぞれ1重量ppm 以上かつその合計で1〜100重量ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物である(ただし、Coを0.5〜3.0重量%、CaとY,Laの1種以上を合計量で1〜100重量ppm含み、残部が金および不可避的不純物である合金組成を除く。)ことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
(5)更にBi,Yb,Sb,Mg,In,Ru,Irのうち少なくとも1種を1〜500重量ppm 含有させたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
(6)更にPd,Pt,Cuのうち少なくとも1種を0.01〜2.0重量%含有させたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
上記(1)〜(3)において、但し書きで除く合金組成は、特開平10−313018号公報に開示の発明と重複する部分を本発明の範囲から除くことを目的とするものである。したがって、以下の合金成分の説明では除くことは繰り返しては説明しない。
【0008】
【発明の実施の形態】
(1)組成
▲1▼ 原料金
原料金としては少なくとも99.99重量%以上に精製した高純度金を用いることが好ましい。更に好ましくは99.995重量%以上であり、最も好ましくは99.999重量%以上である。この為合金中の不可避不純物は0.01重量%未満が好ましい。更に好ましくは0.005重量%未満であり、最も好ましくは0.001重量%未満である。不可避不純物が少ない程有害元素を除去出来るため信頼性が向上して好ましい。
【0009】
▲2▼ 〔Zn,Co,Mo,Cr〕
(a)前記高純度金に所定量の第2群元素のうち少なくとも1種との共存において、所定量のZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を含有した組成とすることにより前記課題を達成することが出来る。
(b)前記共存組成において1〜100重量ppm の第2群元素のうち少なくとも1種と共存したZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種の含有量が0.1重量%以上になると0.1重量%未満のものと対比して熱衝撃破断率、振動破断率が大幅に低下するとともにワイヤ流れ量も小さくなる。
【0010】
前記Zn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種の含有量が3.0重量%迄は前記効果を維持出来るものの、3.0重量%を越えると金合金線の伸線加工中断線が増加し伸線加工性が悪くなってきた。
この為該共存組成に於けるZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種の含有量は0.1〜3.0重量%と定めた。好ましくは0.1〜2.0重量%である。
【0011】
▲3▼ 〔La,Eu,Be,Y,Ca〕
(a)前記高純度金に所定量の第1群元素のうち少なくとも1種との共存において、所定量のLa,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種を含有した組成とすることにより前記課題を達成することが出来る。
(b)前記共存組成において0.1〜3.0重量%の第1群元素のうち少なくとも1種と共存したLa,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種の含有量が1重量ppm 以上になると1重量ppm 未満のものと対比して熱衝撃破断率、振動破断率が大幅に低下するとともにワイヤ流れ量も小さくなる。
【0012】
又前記La,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種の含有量が100重量ppm 迄は前記効果を維持出来るものの、100重量ppm を越えると、ボンディングする為のボール形成時にボールに引け巣が生じたり、ボール表面に酸化物が形成されたりして、ICチップ電極上へのボールの接合性が悪くなる。この為該共存組成に於けるLa,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種の含有量は1〜100重量ppm と定めた。好ましくは1〜80重量ppm である。
【0013】
(c)更に前記共存組成において所定量のLa,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種が次の3種類の場合は、Caを単独で1重量ppm 以上10重量ppm 未満含有する場合と対比して振動破断率が一段と向上してくる。
この為、前記共存組成において所定量のLa,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種が次の3種類のうち何れか1つであることが好ましい。
【0014】
ア)La,Eu,Y,Beのうち少なくとも1種を1〜100重量ppm
イ)Caを10〜100重量ppm
ウ)Ca及びLa,Eu,Y,Beのうち少なくとも1種をそれぞれ1重量ppm 以上かつその合計1〜100重量ppm
▲4▼ 〔Yb,Bi,Sb,Mg,In,Ru,Ir〕
(a)前記高純度金に所定量の第1群元素のうち少なくとも1種と所定量の第2群元素のうち少なくとも1種との共存においてYb,Bi,Sb,Mg,In,Ru,Ir(以下「第3群」という)のうち少なくとも1種を1〜500重量ppm 含有させた場合にも熱衝撃破断率、振動破断率が大幅に低下するとともにワイヤ流れ量も小さくなる。好ましくは1〜300重量ppm である。
【0015】
(b)前記所定量の第2群元素のうち少なくとも1種を前記▲3▼(c)ア)〜ウ)項とすることが好ましい。この場合、Caを単独で1重量ppm 以上10重量ppm 未満含有する場合と対比して所定量の第3群元素のうち少なくとも1種を含有しない場合と同様に振動破断率が一段と向上してくる。
▲5▼ 〔Pd,Pt,Cu,Ag〕
(a)前記高純度金に所定量の第1群元素のうち少なくとも1種と所定量の第2群元素のうち少なくとも1種との共存、又はそれに加えて所定量の第3群元素のうち少なくとも1種との共存において、Pd,Pt,Cu,Ag(以下「第4群」という)のうち少なくとも1種を0.01〜2.0重量%含有させた場合にも、熱衝撃破断率、振動破断率が大幅に低下するとともにワイヤ流れ量も小さくなる。好ましくは0.05〜1.5重量%である。
【0016】
(b)前記所定量の第2群元素のうち少なくとも1種を前記▲3▼(c)ア)〜ウ)項とすることが好ましい。この場合、Caを単独で1重量ppm 以上10重量ppm 未満含有する場合と対比して所定量の第4群元素のうち少なくとも1種を含有しない場合と同様に振動破断率が一段と向上してくる。
(2)金合金線の製造方法
本発明になる金合金線の好ましい製造方法を説明する。
【0017】
前記高純度金に所定量の元素を添加し、真空溶解炉で溶解した後インゴットに鋳造する。インゴットに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工と中間アニールを施し、最終冷間加工により直径10〜100μmの細線とした後最終アニールを施すものである。
(3)用途
本発明になる半導体素子のワイヤボンディング用金合金線は、半導体装置の実装に際して、ICチップ等の半導体素子をリードフレームに接続する際、超音波併用熱圧着ボンディング法を用いた配線材料として好ましく用いられる。半導体装置はこの後樹脂封止をして仕上げられる。
【0018】
特には銅製リードフレームを用いた半導体装置更には、ICチップの狭ピッチ化に対応する際に好ましく用いられる。
【0019】
【実施例】
表1〜9に示す実施例及び比較例について説明する。
(実施例1)
純度99.999重量%の高純度金に所定量のZn,Laを添加し真空溶解炉で溶解した後、鋳造して表1に示す組成の金合金インゴットを得、これに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工と中間アニールを施し、最終冷間加工により直径30μmとし、伸び率4%となるように最終アニールを行い更に表面に潤滑剤を被覆して金合金線に仕上げた。
【0020】
該金合金線を全自動ワイヤボンダ(新川株式会社製UTC−100型)を用いてICチップのAl電極と銅合金リードフレームを超音波併用熱圧着ボンディング法でピン数96個の試料(この樹脂封止前の試料を「ボンディング試料」という。)を作成した。次いで該ボンディング試料をエポキシ樹脂で樹脂封止した半導体試料(樹脂封止後の試料を「半導体試料」という。)を作成した。これらの試料を用いて次の試験を行った。
〔熱サイクル試験〕
前記半導体試料を熱サイクル試験機を用いて、−65℃×30分と150℃×30分の温度環境下に3000サイクル晒し、加速試験を行った。その後封止用樹脂のみを硝酸液を用いて溶解して配線されたループ状金合金線を露出させた。96本の配線について断線の有無を走査電顕を用いて測定し、断線発生本数の割合を熱サイクル破断率(%)として表1に示した。
〔ワイヤ流れ量〕
前記半導体試料を軟X線装置を用いてワイヤ流れ量を測定した。
【0021】
図2を用いてワイヤ流れ量の測定方法を説明する。5はファースト側接合点、6はセカンド側接合点、3は配線された金合金線、7は5,6を結ぶ仮想直線、Lは金合金線3と仮想直線7との最大かい離量であり、仮想直線7を真上から観察してLを測定した。24個のLの平均値をワイヤ流れ量として表1に示した。
〔振動試験〕
前記ボンディング試料を用いた振動試験方法を図3を用いて説明する。
【0022】
11はICチップ、12はAl電極、13は金合金線、14,14′はリードフレーム、15は鉄製台、16,16′はリードフレーム固定用磁石、17は振動子である。
リードフレーム14,14′をリードフレーム固定用磁石16,16′で固定し、ICチップ11を搭載した部分を振動子17で上下方向(矢印方向)に振動させた。
【0023】
周波数100Hz、上下振動合計0.4mm、振動数20000回、振動させた後、40倍の実体顕微鏡を用いて金合金線13の破断数を測定した。ボンディング試料3個分(金合金線288本)測定し破断数の割合を振動破断率(%)として表1に示した。
(実施例2〜87)(比較例1〜8)
金合金線の組成を表1〜7に示すようにしたこと以外は実施例1と同様にして金合金線に仕上げ、同様の試験を行ってその結果を表1〜7に示した。
【0024】
【表1】
【0025】
【表2】
【0026】
【表3】
【0027】
【表4】
【0028】
【表5】
【0029】
【表6】
【0030】
【表7】
【0031】
(比較例9〜12)
金合金線の組成を表8に示すようにしたこと以外は実施例1と同様にして金合金線に仕上げる伸線加工を行ったところ、断線回数が実施例1〜87、比較例1〜8のものが許容される断線回数の範囲内であるのに対して許容される断線回数の2倍以上であった。この状況を表8に示す。
【0032】
【表8】
【0033】
(比較例13〜14)
金合金線の組成を表7に示すようにしたこと以外は実施例1と同様にして金合金線に仕上げた。該金合金線を全自動ワイヤボンダ(新川株式会社製UTC−100型)を用いてボール形成を行ったところ、実施例1〜87、比較例1〜8のものには発生がみられなかったボール引け巣が生じた。この状況を表9に示す。
【0034】
【表9】
【0035】
(試験結果)
(1)高純度金にZn,Co,Mo,Cr(第1群)のうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Y,Ca(第2群)のうち少なくとも1種を1〜100重量ppm 共存して含有した組成である実施例1〜67は、第1群、第2群の何れか一方を含有しない比較例1〜8と対比して、加速試験に於ける熱サイクル破断率が47〜72%に対して0〜42%、ワイヤ流れ量が299〜322μmに対して191〜258μmと何れも優れた効果を示した。
【0036】
又、振動破断率は12〜39%に対して0〜14%と同等若しくはそれ以上の優れた効果を示した。
(2)この中でも第2群元素のうち少なくとも1種が次の3種類のうち何れか1つである場合は、Caのみを1〜10重量ppm 未満含有する実施例24,25,46,55と対比して振動破断率が11〜14%に対して0〜5%と優れた効果を示す様になる。この為共存元素としての第2群元素のうち少なくとも1種は次の3種類のうち何れか1つであることが好ましい。
【0037】
ア)La,Eu,Y,Beのうち少なくとも1種を1〜100重量ppm
イ)Caを10〜100重量ppm
ウ)Ca及びLa,Eu,Y,Beのうち少なくとも1種をそれぞれ1重量ppm 以上、かつその合計1〜100重量ppm
(3)更に第3群元素のうち少なくとも1種を1〜500重量ppm 含有させた実施例68〜78においても比較例と対比して、熱サイクル破断率が10〜32%、ワイヤ流れ量が191〜229μm、振動破断率が0%と優れた効果を示すことがわかる。
(4)前記高純度金に所定量の第1群元素のうち少なくとも1種と所定量の第2群元素のうち少なくとも1種との共存、又はそれに加えて所定量の第3群元素のうち少なくとも1種との共存において、第4群元素のうち少なくとも1種を0.01〜2.0重量%含有させた実施例79〜87においても、比較例と対比して、熱サイクル破断率が12〜30%、ワイヤ流れ量が197〜225μm、振動破断率が0〜3%と優れた効果を示すことがわかる。
(5)高純度金に所定量の第1群元素のうち少なくとも1種を含有するものの、本発明の必須成分である所定量の第2群元素を含有しない比較例1,3,5,7は加速試験に於ける熱サイクル破断率が47〜52%、ワイヤ流れ量が299〜322μmであり本願の構成である実施例1〜87の方が優れていることがわかる。
(6)高純度金に所定量の第2群元素のうち少なくとも1種を含有するものの、本発明の必須成分である所定量の第1群元素を含有しない比較例2,4,6,8は加速試験に於ける熱サイクル破断率が65〜72%、ワイヤ流れ量が302〜329μm、振動破断率は35〜39%であり本願の構成である実施例1〜87の方が優れていることがわかる。
【0038】
【発明の効果】
本発明により高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種を1〜100重量ppm 含有させた組成を有する半導体素子ボンディング用金合金線によれば、銅合金製のリードフレームを用いた半導体装置が過酷な熱サイクルの環境に晒された場合でも、断線を抑制する効果が向上し、樹脂封止する際のワイヤ流れを小さくすることが出来、更には振動破断性能が低下することなく向上させることも出来る。前記含有成分に加えて所定量のYb,Bi,Sb,Mg,In,Ru,Irのうち少なくとも1種又はそれに加えて所定量のPd,Pt,Cu,Agのうち少なくとも1種を含有した場合においても同様の効果を示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】ワイヤボンディングされた半導体素子の例を示す。
【図2】ワイヤ流れ量の測定を説明する図。
【図3】ボンディング試料の振動試験方法を説明する図。
【符号の説明】
3…金合金線
5…ファースト側接合点
6…セカンド側接合点
7…5,6を結ぶ仮想直線
Claims (16)
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種を1〜100重量ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物である(ただし、Coを0.5〜3.0重量%、Ca,Y,Laの1種以上を合計量で1〜100重量ppm含み、残部が金および不可避的不純物である合金組成を除く。)ことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Yのうち少なくとも1種を1〜100重量ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物である(ただし、Coを0.5〜3.0重量%、Y,Laの1種以上を合計量で1〜100重量ppm含み、残部が金および不可避的不純物である合金組成を除く。)ことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、Caを10〜100重量ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物である(ただし、Coを0.5〜3.0重量%、Caを10〜100重量ppm含み、残部が金および不可避的不純物である合金組成を除く。)ことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、CaとLa,Eu,Be,Yのうち少なくとも1種とをそれぞれ1重量ppm 以上かつその合計で1〜100重量ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物である(ただし、Coを0.5〜3.0重量%、CaとY,Laのうち少なくとも1種とをそれぞれ1重量 ppm 以上かつその合計で1〜100重量ppm含み、残部が金および不可避的不純物である合金組成を除く。)ことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種を1〜100重量 ppm 、Bi,Yb,Sb,Mg,In,Ru,Irのうち少なくとも1種を1〜500重量 ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物であることを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Yのうち少なくとも1種を1〜100重量 ppm 、Bi,Yb,Sb,Mg,In,Ru,Irのうち少なくとも1種を1〜500重量 ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物であることを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、Caを10〜100重量 ppm 、Bi,Yb,Sb,Mg,In,Ru,Irのうち少なくとも1種を1〜500重量 ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物であることを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、CaとLa,Eu,Be,Yのうち少なくとも1種とをそれぞれ1重量 ppm 以上かつその合計で1〜100重量 ppm 、Bi,Yb,Sb,Mg,In,Ru,Irのうち少なくとも1種を1〜500重量 ppm 含有し、残部が金および不可避的不純物であることを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Y,Caのうち少なくとも1種を1〜100重量 ppm 、Pd,Pt,Cuのうち少なくとも1種を0.01〜2.0重量%含有し、残部が金および不可避的不純物であることを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Yのうち少なくとも1種を1〜100重量 ppm 、P d,Pt,Cuのうち少なくとも1種を0.01〜2.0重量%含有し、残部が金および不可避的不純物であることを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、Caを10〜100重量 ppm 、Pd,Pt,Cuのうち少なくとも1種を0.01〜2.0重量%含有し、残部が金および不可避的不純物であることを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、CaとLa,Eu,Be,Yのうち少なくとも1種とをそれぞれ1重量 ppm 以上かつその合計で1〜100重量 ppm 、Pd,Pt,Cuのうち少なくとも1種を0.01〜2.0重量%含有し、残部が金および不可避的不純物であることを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
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- 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、La,Eu,Be,Yのうち少なくとも1種を1〜100重量 ppm 、Bi,Yb,Sb,Mg,In,Ru,Irのうち少なくとも1種を1〜500重量 ppm 、Pd,Pt,Cuのうち少なくとも1種を0.01〜2.0重量% 含有し、残部が金および不可避的不純物であることを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
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