DE3936281A1 - Golddraht fuer das verbinden einer halbleiter-vorrichtung - Google Patents

Golddraht fuer das verbinden einer halbleiter-vorrichtung

Info

Publication number
DE3936281A1
DE3936281A1 DE3936281A DE3936281A DE3936281A1 DE 3936281 A1 DE3936281 A1 DE 3936281A1 DE 3936281 A DE3936281 A DE 3936281A DE 3936281 A DE3936281 A DE 3936281A DE 3936281 A1 DE3936281 A1 DE 3936281A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ppm
weight
wire
gold
gold wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE3936281A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Kujiraoka
Koichiro Mukoyama
Hiromi Yamamoto
Kenichi Kurihara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP1109447A external-priority patent/JP2680413B2/ja
Priority claimed from JP1109448A external-priority patent/JP2680414B2/ja
Priority claimed from JP1109450A external-priority patent/JP2680416B2/ja
Priority claimed from JP1109449A external-priority patent/JP2680415B2/ja
Application filed by Tanaka Denshi Kogyo KK filed Critical Tanaka Denshi Kogyo KK
Publication of DE3936281A1 publication Critical patent/DE3936281A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/02—Alloys based on gold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01055—Cesium [Cs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01059—Praseodymium [Pr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01076—Osmium [Os]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/011—Groups of the periodic table
    • H01L2924/01105—Rare earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01205—5N purity grades, i.e. 99.999%
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Golddraht zum Drahtverbinden, wie er für das Verbinden von Chipelektroden und äußeren Drähten eines Halbleiters verwendet wird.
Für die Verbesserung der mechanischen Eigenschaft und der Eigenschaft von Golddrähten beim Verbinden sind verschiedene Elemente in Gold von hoher Reinheit von 99,99% oder höher inkorporiert worden.
Es sind z. B. Drähte zum Verbinden bekannt, die durch das Einbringen von La, Pb, Be und Ca in Gold von hoher Reinheit (japanische Patentveröffentlichung 62-2 28 440) oder von einer vorausbestimmten Menge von La und Be in Gold von hoher Reinheit (japanische Patentveröffentlichung 60-30 158) hergestellt werden und die unter bestimmten Konditionen entsprechende Nützlichkeit aufweisen.
Wie aber in den letzten Jahren mehr und mehr Mehrfachanschlußanordnungen in LSI-Bausteine übernommen wurden, ist verlangt worden, daß Drahtschleifen (loops) in der Art des Verbindens eine größere Länge und eine größere Höhe der Schleife aufweisen als herkömmliche Schleifen.
Es ist also verlangt worden, daß die Schleifenhöhe ohne das Absacken der Schleife erhalten werden kann und daß sogar eine lange Schleife die Eigenschaft aufweist, nicht dem Drahtverbiegen zu unterliegen, also hohe Zugfestigkeit im Kugelhalsbereich (Halsfestigkeit), große Schleifenhöhe und geringe Drahtverbiegung aufzuweisen. Bei den herkömmlichen Golddrähten können aber diese angeführten Anforderungen nicht vollkommen erfüllt werden, was die Auswahl der zusätzlichen Elemente und den Bereich des Gehaltes derselben betrifft. Demgemäß kann keine Verbesserung für die Verläßlichkeit einer Halbleiter-Vorrichtung erwartet werden.
Im Hinblick auf den vorher angeführten Stand der Technik ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Golddraht für das Verbinden zur Verfügung zu stellen, der diese Anforderungen hinsichtlich Schleifenlänge und -höhe erfüllt und der in der Lage ist, eine hohe Verläßlichkeit der Halbleitervorrichtung zu gewährleisten.
Die Lösung dieser Aufgabe kann durch einen Golddraht zum Verbinden hinsichtlich vier erfindungsgemäßer Aspekte erfüllt werden.
Der Golddraht gemäß dem ersten erfindungsgemäßen Aspekt enthält 30 bis 100 Gew.-ppm La (30 to 100 wt ppm of La), 2 bis 10 Gew.-ppm Be, 1 bis 20 Gew.-ppm Ca und 1 bis 10 Gew.-ppm Mg und als Rest Gold von hoher Reinheit.
Der Golddraht zum Verbinden gemäß dem zweiten erfindungsgemäßen Aspekt enthält 1 bis 20 Gew.-ppm Ca, 1 bis 10 Gew.-ppm Mg und 1 bis 90 Gew.-ppm eines oder mehrerer seltenen Erdelemente und als Rest Gold von hoher Reinheit.
Der Golddraht zum Verbinden gemäß dem dritten erfindungsgemäßen Aspekt enthält 30 bis 200 Gew.-ppm La, 1 bis 20 Gew.-ppm Be, 1 bis 20 Gew.-ppm Ca und 1 bis 60 Gew.-ppm eines oder mehrerer Elemente der Platingruppe und als Rest Gold von hoher Reinheit.
Der Golddraht zum Verbinden gemäß dem vierten erfindungsgemäßen Aspekt enthält 30 bis 100 Gew.-ppm La, 0,5 bis 30 Gew.-ppm Be, 1 bis 20 Gew.-ppm Ca und 0,5 bis 50 Gew.-ppm Mg, 2 bis 80 Gew.-ppm Ag, 0,5 bis 50 Gew.-ppm Fe und als Rest Gold von hoher Reinheit.
In jedem der vorstehend erwähnten Aspekte hat Gold, wie es als Ausgangsmaterial verwendet wird, eine Reinheit von 99,99% oder mehr, mit eingeschlossen unvermeidbare Verunreinigungen.
Entsprechend dem ersten erfindungsgemäßen Aspekt enthält der Golddraht 30 bis 100 Gew.-ppm La, 2 bis 10 Gew.-ppm Be, 1 bis 20 Gew.-ppm Ca und 1 bis 10 Gew.-ppm Mg und als Rest Gold von hoher Reinheit.
Hinsichtlich des ersten Aspektes haben La, Be, Ca und Mg folgende Aufgaben.
La hat die Aufgabe, die Zugfestigkeit eines Golddrahtes bei hoher Temperatur (Hochtemperaturfestigkeit) zu erhöhen, das Feinen der Kristallkörner beim Ausbilden der Kugel zu fördern, das Drahtverbiegen bei einer langen Schleife und das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 30 Gew.-ppm, können die angeführten Aufgaben nicht erfüllt werden.
Übersteigt andererseits der La-Gehalt 100 Gew.-ppm, wird sowohl die Verbindungsfestigkeit nach dem Verbinden reduziert, als auch die Kugelhärte vergrößert, was zum Chipbruch beim Verbinden führt.
Be hat die Aufgabe, sowohl die Zugfestigkeit des Golddrahtes bei Normaltemperatur zu erhöhen, als auch das Feinen der Kristallkorngröße bei der Kugelbildung des Golddrahtes zu fördern und das Drahtverbiegen bei einer langen Schleife, so wie La, zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 2 Gew.-ppm, kann die verlangte Wirkungsweise nicht erhalten werden.
Übersteigt andererseits der Be-Gehalt 10 Gew.-ppm, wird sowohl die Verbindungsfestigkeit reduziert, als auch die Abtrennung des Halses oder das Brechen des Chips beim Verbinden verursacht.
Ca hat die Funktion, insbesondere die Hochtemperaturfestigkeit des Golddrahtes zu erhöhen, die Zugfestigkeit bei Normaltemperatur zu steigern, sowohl die Veränderung beim Altern zu unterdrücken, als auch das Feinen der Kristallkörner bei der Kugelbildung zu fördern und das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 1 Gew.-ppm, können die angeführten Wirkungsweisen nicht erhalten werden.
Übersteigt andererseits der Ca-Gehalt 20 Gew.-ppm, ist sowohl die Verbindungsfestigkeit reduziert, es werden auch häufig Halsbruch oder Chipbruch und Abnormalitäten in der Schleifenform, wie z. B. Durchsacken, verursacht.
Mg hat die Aufgabe, die Zugfestigkeit bei Normaltemperatur und die Hochtemperaturfestigkeit des Golddrahtes zu erhöhen, sowohl Veränderungen beim Altern, als auch das Drahtverbiegen bei einer langen Schleife und das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 1 Gew.-ppm, so können die angeführten Wirkungsweisen nicht erhalten werden.
Wenn andererseits der Mg-Gehalt 10 Gew.-ppm übersteigt, so ist sowohl die Verbindungsfestigkeit verringert, als auch die Kugelform (sphärisch) instabil und es wird Chipbruch beim Verbinden verursacht.
Es folgt die Beschreibung der Beispiele hinsichtlich des ersten Aspektes.
Jede der Proben wurde durch Schmelzen und Gießen von Gold hoher Reinheit (99,999%) unter einem Zusatz von La, Be, Ca und Mg, durch einen Fertigungsvorgang unter Anwendung einer Rillenwalze, bei der eine Temperbehandlung im Laufe dieses Fertigungsvorganges angewandt wurde, und durch Drahtziehen unter Ausbildung eines extrem dünnen Golddrahtes von 25 µm (Durchmesser) hergestellt.
Der Gehalt an Elementen dieser Proben ist in Tabelle 1 dargestellt. Die Proben Nr. 1 bis 4 sind erfindungsgemäße Beispiele, während die Proben Nr. 5 bis 7 Vergleichsbeispiele mit Zusammensetzungen, die außerhalb des Bereiches der erfindungsgemäßen Zusammensetzung liegen, darstellen.
Tabelle 1
Die Ergebnisse der Messungen der mechanischen Eigenschaften und der Verbindungseigenschaften der oben angeführten Proben sind in Tabelle 2 dargestellt.
Tabelle 2
Aus den Ergebnissen dieser Messungen kann man ersehen, daß die erfindungsgemäße Zusammensetzung innerhalb des zuvor beschriebenen Bereiches die vorteilhafteste ist.
Entsprechend dem zweiten erfindungsgemäßen Aspekt enthält der Golddraht 1 bis 20 Gew.-ppm Ca, 1 bis 10 Gew.-ppm Mg und 1 bis 90 Gew.-ppm eines oder mehrerer seltenen Erdelemente und als Rest Gold von hoher Reinheit. Hinsichtlich des zweiten Aspektes haben die zusätzlichen Elemente Ca, Mg und die seltenen Erdelemente in der Goldlegierung die folgenden Aufgaben.
Ca hat die Aufgabe, besonders die Hochtemperaturfestigkeit des Golddrahtes zu verbessern, die Zugfestigkeit bei Normaltemperatur zu erhöhen, Veränderungen beim Altern zu unterdrücken und schließlich das Feinen der Kristallkörner beim Formen der Kugel zu unterstützen und das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 1 Gew.-ppm, können die angeführten Aufgaben nicht erfüllt werden.
Übersteigt andererseits der Ca-Gehalt 20 Gew.-ppm, wird sowohl die Verbindungsfestigkeit verringert, es werden auch Halsbruch oder Chipbruch und häufig Abnormalitäten in der Schleifenform, wie z. B. das Durchsacken, verursacht.
Mg hat die Funktion, die Zugfestigkeit bei Normaltemperatur und die Hochtemperaturfestigkeit des Golddrahtes zu erhöhen, sowohl Veränderungen beim Altern, als auch das Drahtverbiegen bei einer langen Schleife und das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 1 Gew.-ppm, so können die angeführten Wirkungsweisen nicht erhalten werden.
Wenn andererseits der Mg-Gehalt 10 Gew.% übersteigt, so ist sowohl die Verbindungsfestigkeit verringert, als auch die Kugelform (sphärisch) instabil und Chipbruch wird beim Verbinden verursacht.
Die seltenen Erdelemente, wie z. B. La, Ce, Pr, Nd, Sm und dergleichen, mit den Ordnungszahlen von 50 bis 71, haben die Aufgabe, im Zusammenwirken mit Ca und Mg die Hochtemperaturfestigkeit zu erhöhen, das Feinen der Kristallkörner bei der Kugelbildung zu fördern, sowohl das Drahtverbiegen bei langen Schleifen als auch das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 30 Gew.-ppm, so kann die angeführte Aufgabe nicht erfüllt werden.
Übersteigt andererseits der Gehalt an seltenen Erdelementen 100 Gew.-ppm, so ist die Verbindungsfestigkeit nach dem Verbinden verringert und die Verbindungshärte erhöht, wodurch Chipbruch beim Verbinden verursacht wird.
Es folgt die Beschreibung der Beispiele hinsichtlich des zweiten Aspektes.
Jede der Proben wurde durch Schmelzen und Gießen von Gold hoher Reinheit (99,999%) unter einem Zusatz von Ca, Mg und eines oder mehrerer Elemente der Gruppe, die La, Ce und Pr der seltenen Erdelemente umfaßt, durch einen Fertigungsvorgang unter Anwendung einer Rillenwalze, bei der eine Temperbehandlung im Laufe dieses Fertigungsvorganges durchgeführt wurde, und durch Drahtziehen unter Ausbildung eines extrem dünnen Golddrahtes von 25 µm (Durchmesser) hergestellt.
Der Gehalt an Elementen dieser Proben ist in Tabelle 3 dargestellt. Die Proben Nr. 1 bis 7 sind erfindungsgemäße Beispiele, während die Proben Nr. 8 bis 11 Vergleichsbeispiele mit Zusammensetzungen, die außerhalb des Bereiches der erfindungsgemäßen Zusammensetzung liegen, darstellen.
Tabelle 3
Die Ergebnisse der Messungen der mechanischen Eigenschaften und der Verbindungseigenschaften der oben angeführten Proben sind in Tabelle 4 dargestellt.
Tabelle 4
Aus den Ergebnissen dieser Messungen kann man ersehen, daß die erfindungsgemäße Zusammensetzung innerhalb des beschriebenen Bereiches die vorteilhafteste ist.
Entsprechend dem dritten erfindungsgemäßen Aspekt enthält der Golddraht 30 bis 200 Gew.-ppm La, 1 bis 20 Gew.-ppm Be, 1 bis 20 Gew.-ppm Ca, 1 bis 60 Gew.-ppm eines oder mehrerer Elemente der Platingruppe und als Rest Gold von hoher Reinheit.
Hinsichtlich des dritten Aspektes haben La, Be, Ca und die Elemente der Platingruppe folgende Aufgaben.
La hat die Aufgabe, die Zugfestigkeit des Golddrahtes bei hoher Temperatur (Hochtemperaturfestigkeit) zu erhöhen, das Feinen der Kristallkörner beim Ausbilden der Kugel zu fördern, das Drahtverbiegen bei einer langen Schleife und das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 30 Gew.-ppm, können die angeführten Aufgaben nicht erfüllt werden.
Übersteigt andererseits der La-Gehalt 200 Gew.-ppm, wird sowohl die Verbindungsfestigkeit nach dem Verbinden verringert, als auch die Kugelhärte vergrößert, was zum Chipbruch beim Verbinden führt.
Be hat die Aufgabe, sowohl die Zugfestigkeit des Golddrahtes bei Normaltemperatur zu erhöhen, als auch das Feinen der Kristallkorngröße bei der Kugelbildung des Golddrahtes zu fördern und das Drahtverbiegen bei einer langen Schleife so wie La, zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 1 Gew.-ppm, kann die verlangte Aufgabe nicht erfüllt werden.
Übersteigt andererseits der Be-Gehalt 20 Gew.-ppm, wird sowohl die Verbindungsfestigkeit reduziert als auch die Abtrennung des Halses oder Chipbruch beim Verbinden verursacht.
Ca hat die Aufgabe, besonders die Hochtemperaturfestigkeit des Golddrahtes zu erhöhen, die Zugfestigkeit bei Normaltemperatur zu steigern, sowohl die Veränderung beim Altern zu unterdrücken, als auch das Feinen der Kristallkörner bei der Kugelbildung zu fördern und das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 1 Gew.-ppm, können die angeführten Aufgaben nicht erfüllt werden.
Übersteigt andererseits der Ca-Gehalt 20 Gew.-ppm, ist sowohl die Verbindungsfestigkeit verringert, es werden auch Halsbruch oder Chipbruch und häufig Abnormalitäten in der Schleifenform, wie z. B. Durchsacken, verursacht.
Die Elemente der Platingruppe, wie z.B. Pt, Ir, Pd, Rh und dergleichen, haben die Aufgabe, im Zusammenwirken mit La, Be und Ca das Drahtverbiegen, besonders bei einer langen Schleife, zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 1 Gew.-ppm, kann diese Aufgabe nicht erfüllt werden. Wenn andererseits der Gehalt 60 Gew.-ppm übersteigt, so ist sowohl die Verbindungsfestigkeit verringert, es wird auch Halsbruch oder Chipbruch verursacht.
Es folgt die Beschreibung der Beispiele hinsichtlich des dritten Aspektes. Jede der Proben wurde durch Schmelzen und Gießen von Gold hoher Reinheit (99,999%) und bei einem Zusatz von La, Be, Ca und eines oder mehrerer Elemente der Platingruppe, wie z.B. Pt oder Pd, durch einen Fertigungsvorgang unter Anwendung einer Rillenwalze, bei der eine Temperbehandlung im Laufe des Fertigungsvorganges angewandt wurde, und durch Drahtziehen und Ausbildung eines extrem dünnen Golddrahtes von 25 µm (Durchmesser) hergestellt.
Der Gehalt an Elementen dieser Proben ist in Tabelle 5 dargestellt. Die Proben Nr. 1 bis 7 sind erfindungsgemäße Beispiele, während die Proben Nr. 8 bis 12 Vergleichsbeispiele mit Zusammensetzungen, die außerhalb des Bereiches der erfindungsgemäßen Zusammensetzung liegen, darstellen.
Tabelle 5
Die Ergebnisse der Messungen der mechanischen Eigenschaften und der Verbindungseigenschaften der oben­ erwähnten Proben sind in Tabelle 6 dargestellt.
Tabelle 6
Aus den Ergebnissen dieser Messungen folgt, daß die erfindungsgemäße Zusammensetzung innerhalb des oben beschriebenen Bereiches am vorteilhaftesten ist.
Entsprechend dem vierten erfindungsgemäßen Aspekt enthält der Golddraht 30 bis 100 Gew.-ppm La, 0,5 bis 30 Gew.-ppm Be, 1 bis 20 Gew.-ppm Ca, 0,5 bis 50 Gew.-ppm Mg, 2 bis 80 Gew.-ppm Ag, 0,5 bis 50 Gew.-ppm Fe und als Rest Gold von hoher Reinheit.
Hinsichtlich des vierten Aspektes haben La, Be, Ca, Mg, Ag und Fe die folgenden Aufgaben.
La hat die Aufgabe, die Zugfestigkeit des Golddrahtes bei hoher Temperatur (Hochtemperaturfestigkeit) zu erhöhen, das Kristallfeinen bei der Kugelbildung zu fördern, das Drahtverbiegen bei langen Schleifen und das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 30 Gew.-ppm, können die angeführten Aufgaben nicht erfüllt werden.
Übersteigt andererseits der La-Gehalt 100 Gew.-ppm, wird sowohl die Verbindungsfestigkeit nach dem Verbinden verringert, als auch die Kugelhärte vergrößert, was zum Chipbruch beim Verbinden führt.
Be hat die Aufgabe, sowohl die Zugfestigkeit des Golddrahtes bei Normaltemperatur zu erhöhen, als auch das Feinen der Kristallkorngröße bei der Kugelbildung des Golddrahtes zu fördern und das Drahtverbiegen bei einer langen Schleife, wie La, zu unterdrücken. Wenn der Gehalt größer ist als 0,5 Gew.-ppm, können die verlangten Aufgaben nicht erfüllt werden.
Übersteigt andererseits der Be-Gehalt 30 Gew.-ppm, wird sowohl die Verbindungsfestigkeit verringert, es wird auch Abtrennung des Halses oder Chipbruch beim Verbinden verursacht.
Ca hat die Aufgabe, besonders die Hochtemperaturfestigkeit des Golddrahtes zu erhöhen, die Zugfestigkeit bei Normaltemperatur zu steigern, die Veränderung beim Altern zu unterdrücken, und schließlich das Feinen der Kristallkörner bei der Kugelbildung zu fördern und das Fließen des Drahtes beim Formen des Harzes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 1 Gew.-ppm, können die angeführten Aufgaben nicht erfüllt werden.
Übersteigt andererseits der Ca-Gehalt 20 Gew.-ppm, ist sowohl die Verbindungsfestigkeit verringert, es werden auch Halsbruch oder Chipbruch und häufig Abnormalitäten in der Schleifenform, wie z. B. Durchsacken, verursacht.
Mg hat die Aufgabe, die Zugfestigkeit bei Normaltemperatur und die Hochtemperaturfestigkeit des Golddrahtes zu erhöhen, sowohl die Veränderung beim Altern als auch das Drahtverbiegen bei langen Schleife und das Fließen des Drahtes beim Formen des Kunststoffes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 1 Gew.-ppm, können die angeführten Aufgaben nicht erfüllt werden. Übersteigt jedoch der Mg-Gehalt 10 Gew.-ppm, so ist sowohl die Verbindungsfestigkeit verringert, als auch die Kugelform (sphärisch) instabil und es wird Chipbruch beim Verbinden verursacht.
Ag hat die Aufgabe, die Zugfestigkeit bei hoher Temperatur zu erhöhen und die Veränderung beim Altern des Golddrahtes, genauso wie das Drahtverbiegen bei langen Schleifen zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 2 Gew.-ppm, können die angeführten Aufgaben nicht erfüllt werden.
Übersteigt jedoch der Ag-Gehalt 80 Gew.-ppm, so ist die Verbindungsfestigkeit verringert.
Fe hat die Aufgabe, die Zugfestigkeit bei normaler und bei hoher Temperatur zu erhöhen und die Veränderungen beim Altern des Golddrahtes zu unterdrücken. Wenn der Gehalt geringer ist als 0,5 Gew.-ppm, können die verlangten Aufgaben nicht erfüllt werden. Übersteigt andererseits der Gehalt 50 Gew.-ppm, so ist die Verbindungsfestigkeit verringert, die Kugelform instabil und es werden Abnormalität der Schleifenform und Chipbruch verursacht.
Es folgt die Beschreibung der Beispiele hinsichtlich des vierten Aspektes.
Jede der Proben wurde durch Schmelzen und Gießen von Gold hoher Reinheit (99,999%) unter einem Zusatz von La, Be, Ca, Mg, durch einen Fertigungsvorgang unter Anwendung einer Rillenwalze, bei der eine Temperbehandlung im Laufe dieses Fertigungsvorganges durchgeführt wurde, und durch Drahtziehen unter Ausbildung eines extrem dünnen Golddrahtes von 25 µm (Durchmesser) hergestellt.
Der Gehalt an Elementen in jeder dieser Proben ist in Tabelle 7 dargestellt. Die Proben Nr. 1 bis 4 sind erfindungsgemäße Beispiele, während die Proben Nr. 5 bis 9 Vergleichsbeispiele außerhalb des Bereiches der erfindungsgemäßen Zusammensetzung darstellen.
Tabelle 7
Die Ergebnisse der Messungen der mechanischen Eigenschaften und der Verbindungseigenschaften der oben erwähnten Proben sind in Tabelle 8 dargestellt.
Tabelle 8
Den Messergebnissen kann entnommen werden, daß die erfindungsgemäße Zusammensetzung innerhalb des beschriebenen Bereiches am vorteilhaftesten ist.
Entsprechend den oben beschriebenen vier Aspekten ist die Kristallkorngröße im Kugelhalsbereich beim Verbinden gefeint, wodurch sowohl die Festigkeit des Halses als auch die mechanische Festigkeit erhöht ist. Es können die Verbindungseigenschaften sogar für eine Schleife von großer Höhe und Länge verbessert werden und es ist möglich, eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung zu stellen, die sich gerade wegen der Tendenz der zunehmenden Verwendung von Mehrfachanschlußbausteinen durch eine hohe Zuverlässigkeit auszeichnet.

Claims (6)

1. Golddraht für das Verbinden einer Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß er 30 bis 100 Gew.-ppm La, 2 bis 10 Gew.-ppm Be, 1 bis 20 Gew.-ppm Ca, 1 bis 10 Gew.-ppm Mg und als Rest Au hoher Reinheit enthält.
2. Golddraht für das Verbinden einer Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß er 1 bis 20 Gew.-ppm Ca, 1 bis 10 Gew.-ppm Mg, 1 bis 90 Gew.-ppm eines oder mehrerer seltenen Erdelemente und als Rest Au hoher Reinheit enthält.
3. Golddraht für das Verbinden nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die seltenen Erdelemente eines oder mehrere Elemente der Gruppe La, Ce und Pr sind.
4. Golddraht für das Verbinden einer Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß er 30 bis 200 Gew.-ppm La, 1 bis 20 Gew.-ppm Be, 1 bis 20 Gew.-ppm Ca, 1 bis 60 Gew.-ppm eines oder mehrerer Elemente der Platingruppe und als Rest Au hoher Reinheit enthält.
5. Golddraht für das Verbinden nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Elemente der Platingruppe Pt und/oder Pd sind.
6. Golddraht zum Verbinden einer Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß er 30 bis 100 Gew.-ppm La, 0,5 bis 30 Gew.-ppm Be, 1 bis 20 Gew.-ppm Ca, 0,5 bis 50 Gew.-ppm Mg, 2 bis 80 Gew.-ppm Ag, 0,5 bis 50 Gew.-ppm Fe und als Rest Au hoher Reinheit enthält.
DE3936281A 1989-04-28 1989-10-31 Golddraht fuer das verbinden einer halbleiter-vorrichtung Withdrawn DE3936281A1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1109447A JP2680413B2 (ja) 1989-04-28 1989-04-28 半導体素子のボンディング用金線
JP1109448A JP2680414B2 (ja) 1989-04-28 1989-04-28 半導体素子のボンディング用金線
JP1109450A JP2680416B2 (ja) 1989-04-28 1989-04-28 半導体素子のボンディング用金線
JP1109449A JP2680415B2 (ja) 1989-04-28 1989-04-28 半導体素子のボンディング用金線

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3936281A1 true DE3936281A1 (de) 1990-10-31

Family

ID=27469720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3936281A Withdrawn DE3936281A1 (de) 1989-04-28 1989-10-31 Golddraht fuer das verbinden einer halbleiter-vorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4938923A (de)
KR (1) KR920010119B1 (de)
DE (1) DE3936281A1 (de)
GB (2) GB2231336B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19740004A1 (de) * 1997-09-11 1998-11-19 Siemens Ag Bonddraht

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2116208B (en) * 1981-12-04 1985-12-04 Mitsubishi Metal Corp Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
JP2780611B2 (ja) * 1993-09-06 1998-07-30 三菱マテリアル株式会社 少量成分の合金化で硬質化した金装飾品材
JP3337049B2 (ja) * 1995-05-17 2002-10-21 田中電子工業株式会社 ボンディング用金線
JP3367544B2 (ja) * 1995-08-23 2003-01-14 田中電子工業株式会社 ボンディング用金合金細線及びその製造方法
JP3328135B2 (ja) * 1996-05-28 2002-09-24 田中電子工業株式会社 バンプ形成用金合金線及びバンプ形成方法
JP3126926B2 (ja) * 1996-09-09 2001-01-22 新日本製鐵株式会社 半導体素子用金合金細線および半導体装置
EP0890987B1 (de) * 1997-07-07 2003-03-05 W.C. Heraeus GmbH & Co. KG Feinstdraht aus einer Goldlegierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE19821395C2 (de) 1998-05-13 2000-06-29 Heraeus Gmbh W C Verwendung eines Feinstdrahtes aus einer nickelhaltigen Gold-Legierung
JP3382918B2 (ja) * 2000-05-31 2003-03-04 田中電子工業株式会社 半導体素子接続用金線
KR100618052B1 (ko) * 2003-04-14 2006-08-30 엠케이전자 주식회사 반도체 소자 본딩용 금 합금세선
EP1830398A4 (de) * 2004-11-26 2012-06-06 Tanaka Electronics Ind Au-bondierungsdraht für ein halbleiterelement
JP4195495B1 (ja) * 2007-11-06 2008-12-10 田中電子工業株式会社 ボールボンディング用金合金線
US11331942B2 (en) * 2019-08-21 2022-05-17 Quang V. Huwang Molten gold writing apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2116208A (en) * 1981-12-04 1983-09-21 Mitsubishi Metal Corp Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
JPS62228440A (ja) * 1986-03-28 1987-10-07 Matsuda Kikinzoku Kogyo Kk 半導体素子ボンデイング用金線
JPH0630158A (ja) * 1992-04-14 1994-02-04 Akira Kaneko 伝言システム

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3272625A (en) * 1965-10-18 1966-09-13 James Cohn Beryllium-gold alloy and article made therefrom
JPS5282183A (en) * 1975-12-29 1977-07-09 Nec Corp Connecting wires for semiconductor devices
JPS53105968A (en) * 1977-02-26 1978-09-14 Tanaka Electronics Ind Gold wire for bonding semiconductor
JPS5613740A (en) * 1979-07-16 1981-02-10 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Bonding wire for semiconductor element
JPS5630731A (en) * 1979-08-21 1981-03-27 Tanaka Denshi Kogyo Kk Au solder for semiconductor element
US4330329A (en) * 1979-11-28 1982-05-18 Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha Gold bonding wire for semiconductor elements and the semiconductor element
JPS5696844A (en) * 1979-12-29 1981-08-05 Tanaka Denshi Kogyo Kk Semiconductor element
JPS56122140A (en) * 1980-02-29 1981-09-25 Tanaka Denshi Kogyo Kk Gold wire for bonding semiconductor element and semiconductor element
JPS5790952A (en) * 1980-11-27 1982-06-05 Nippon Mining Co Ltd Bonding wire
JPS6026822B2 (ja) * 1981-07-17 1985-06-26 三菱マテリアル株式会社 高張力Ａｕ合金細線
JPS5896741A (ja) * 1981-12-04 1983-06-08 Mitsubishi Metal Corp 半導体素子結線用高張力ａｕ合金細線
JPS6030158A (ja) * 1983-07-29 1985-02-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ボンデイングワイヤ−
JPS61220343A (ja) * 1985-03-26 1986-09-30 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 金テ−プ
US4775512A (en) * 1985-10-01 1988-10-04 Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha Gold line for bonding semiconductor element
JPS62278241A (ja) * 1986-05-26 1987-12-03 Shoei Kagaku Kogyo Kk ボンデイングワイヤ
JPH0726167B2 (ja) * 1986-06-09 1995-03-22 三菱マテリアル株式会社 半導体装置のボンデイングワイヤ用Ａｕ合金極細線
JPH0830229B2 (ja) * 1987-03-31 1996-03-27 三菱マテリアル株式会社 半導体装置のボンデイングワイヤ用Ａｕ合金極細線
JPS644441A (en) * 1987-06-24 1989-01-09 Shoei Kagaku Kogyo Kk Bonding wire
JPH0686637B2 (ja) * 1987-11-09 1994-11-02 三菱マテリアル株式会社 ループ成形性の優れた半導体素子ボンディング用Ａｕ合金細線

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2116208A (en) * 1981-12-04 1983-09-21 Mitsubishi Metal Corp Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
JPS62228440A (ja) * 1986-03-28 1987-10-07 Matsuda Kikinzoku Kogyo Kk 半導体素子ボンデイング用金線
JPH0630158A (ja) * 1992-04-14 1994-02-04 Akira Kaneko 伝言システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19740004A1 (de) * 1997-09-11 1998-11-19 Siemens Ag Bonddraht

Also Published As

Publication number Publication date
KR900016480A (ko) 1990-11-13
GB9301998D0 (en) 1993-03-17
GB8924398D0 (en) 1989-12-20
GB2231336A (en) 1990-11-14
GB2262944B (en) 1993-09-22
GB2231336B (en) 1993-09-22
GB2262944A (en) 1993-07-07
US4938923A (en) 1990-07-03
KR920010119B1 (ko) 1992-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3237385C2 (de)
DE3936281A1 (de) Golddraht fuer das verbinden einer halbleiter-vorrichtung
DE112017008353B3 (de) Kupferlegierungs-Bonddrähte für Halbleiterbauteile
DE3631119C2 (de)
DE3023623C2 (de) Gold-Verbindungsdraht für Halbleiterelemente und dessen Verwendung für Verbindungsstellen einer Silicium-Chip-Elektrode in Halbleiterelementen
DE112011100491T5 (de) Bonddraht aus Au-Legierung mit hoher Festigkeit und hoher Dehnungsrate
DE3725830C2 (de) Kupfer-Zinn-Legierung für elektronische Instrumente
DE102005011028A1 (de) Kupferbonddraht mit verbesserten Bond- und Korrosionseigenschaften
DE102005002763A1 (de) Kupferlegierung mit hoher Festigkeit und hoher Leitfähigkeit
DE2720460A1 (de) Quartaere, spinodale kupfer-nickel- zinn-legierungen
DE2630141C2 (de) Verwendung einer Wolfram, Silizium und/oder Titan enthaltenden Eisenlegierung zur Herstellung von Teilen mit hoher Dämpfungsfähigkeit
DE2620311C2 (de)
DE2134393C2 (de) Verwendung einer Aluminiumlegierung für die Herstellung von elektrisch leitenden Gegenständen
DE2316891C2 (de) Verfahren zur Verarbeitung einer Titanlegierung
CH693209A5 (de) Feinstdraht aus einer Gold-Legierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung.
EP0890987B1 (de) Feinstdraht aus einer Goldlegierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE69937628T2 (de) Herstellungsverfahren von aluminium-stabilisiertem supraleitendem draht
DE2558915C2 (de) Magnesiumlegierung und Verfahren zu ihrer Wärmebehandlung
DE2929623A1 (de) Feinstdraht aus einer aluminiumlegierung
CH665222A5 (de) Kupfer-nickel-zinn-titan-legierung, verfahren zu ihrer herstellung sowie ihre verwendung.
DE3990432C1 (de) Bonddraht für Halbleiterelemente
DE3610582A1 (de) Draht zum bonden von halbleitervorrichtungen
DE2742149A1 (de) Verfahren zur herstellung von elektrischem leiterdraht
DE112018000061T5 (de) Bonddraht für Halbleiterbauelement
DE4319249C2 (de) Anschlußrahmenmaterial, das aus einer Kupferlegierung geformt ist, für mit Epoxyharz gekapselte Halbleitervorrichtungen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8139 Disposal/non-payment of the annual fee