JP3070862B2 - 優れた接着特性を有するリードフレーム - Google Patents
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- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 36
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 16
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 claims description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 6
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 3
- DQIPXGFHRRCVHY-UHFFFAOYSA-N chromium zinc Chemical compound [Cr].[Zn] DQIPXGFHRRCVHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZQISRDCJNBUVMM-YFKPBYRVSA-N L-histidinol Chemical compound OC[C@@H](N)CC1=CNC=N1 ZQISRDCJNBUVMM-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical class [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 1
- 241000482268 Zea mays subsp. mays Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 hydroxide ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L2924/01041—Niobium [Nb]
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- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
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- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
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Description
らに詳細にいえば、本発明は、クロムと亜鉛とを含有す
る被覆層を沈着することにより、リードフレームとポリ
マ接着剤との間の接合を増進したリードフレームを有す
るパッケージに関する。
クロ電子装置に用いられる1つの形式のパッケージは、
成形されたプラスチック・パッケージである。このパッ
ケージは、価格が安く、かつ、組み立てが容易であり、
かつ、水蒸気および他の汚染物質に対し装置を適切に保
護する特性を有する。組立工程の期間中、装置はダイ取
付パドルに装着され、そして、装置がリードフレームに
電気的に相互接続される。その後、ダイ取付パドル、電
子装置、および、リードフレームの内部部分が、トラン
スファ成形のような方法で、成形用樹脂の中に封止され
る。この樹脂は、防湿性が比較的高い硬い胴を形成し、
装置と電気接続体との両方を保護する。
路基板または他の外部装置にハンダ付けすることができ
る。ハンダ付けの期間中のパッケージの温度は、約260
℃にまで上昇することがある。パッケージの中に捕らえ
られた水分はすべて水蒸気に変わり、そして、膨張する
であろう。水分が蓄積する場所の1つは、ダイ取付パド
ルの下である。この蓄積した水分が膨張する時、成形さ
れたプラスチック・パッケージの基板が変形し、その結
果、「ポップコーン効果」として知られている現象が起
こる。
て、プラスチック・パッケージの中に浸入する。樹脂と
導線との間の接着は、本来の性質として、機械的なもの
であり、そして、導線と封止体との間に隙間が存在する
ことがあり得る。湿気がこの隙間を通って進み、そし
て、ダイ取付パドルに蓄積することがある。
ために、種々の機構が提案されている。例えば、マスダ
ほかの米国特許第4,862,246号は成形用樹脂に対するパ
ドルの接着を増強するために、ダイ取付パドルの中に一
連の半球状の凹部を作成することを開示している。
いるように、リードフレームに取り付けられたダル・ニ
ッケル(dull nickel)の層が、樹脂との接合を増強す
ることが分かっている。クレ−ンほかのこの米国特許は
また、金属パッケージ部品を、ニッケル、スズ、コバル
ト、クロム、モリブデン、タングステン、チタン、ジル
コニウム、ハフニウム、ニオビウム、タンタル、ゲルマ
ニウム、アルミニウム、および、これらの金属の合金か
らなる群から選択された金属または金属合金で被覆する
ことを開示している。
するために金属被覆体を開示しているこの他の特許は、
スズキほかの米国特許第4,707,724号である。スズキほ
かのこの米国特許は、ダイ取付パドルをスズ/ニッケル
の合金または鉄/ニッケルの合金で被覆することを開示
している。
ほかの米国特許第4,428,987号は、接着を改良するため
に、銅表面の事前処理を開示している。この表面が電解
的に還元され、そしてその後、ベンゾトリアゾル溶液で
被覆される。
ドフレームを薄いポリマ層で被覆すると、リードフレー
ムとモールド用樹脂との間の接着が改善されることを開
示している。
ク体である。他の電子パッケージは、別々の基板部品と
カバー部品で作成される。このようなパッケージの1つ
が、マヒューリカほかの米国特許第4,939,316号に開示
されている。このパッケージは、陽極酸化されたアルミ
ニウムの基板部品およびカバー部品と、それらの間に配
置されたリードフレームを有する。ポリマ接着剤は、リ
ードフレームを基板部品とカバー部品の両方に接合す
る。別々の基板部品およびカバー部品を備えた他のパッ
ケージは、銅部品、または、銅合金部品、または、プラ
スチック部品を有する。もし金属リードフレームとポリ
マ樹脂との間の接着が改善されるならば、これらのパッ
ケージのおのおのは改良されるであろう。
し接着が増強された金属リードフレームを有するパッケ
ージを得ることである。本発明の1つの特徴は、リード
フレームを複数個の層で被覆することができるが、最も
外側の層は、亜鉛対クロムの比が4:1以上であるクロム
と亜鉛との混合体である。この層は、電解または浸漬の
ような、任意の適切な方法で沈着することができる。亜
鉛およびクロムは、同時に沈着することもできるし、ま
たは、逐次に沈着することもできる。
ノリシックに成形されたパッケージと個別に接着封止さ
れたパッケージとの両方において、湿気の耐浸入性があ
る。最も外側の被覆層は、パッケージの組み立て期間
中、耐錆性を有する。ポリマと金属との接合の強度は、
ポリマと被覆されていない銅との接合の強度よりも強
く、または、ポリマと銅の酸化物で被覆された銅との接
合の強度よりも強く、または、ポリマとニッケルで被覆
された銅との接合の強度よりも強い。被覆体の亜鉛対ク
ロムの比は、約4:1以上であることが好ましい。この好
ましい被覆体は、希塩酸または希硫酸の中で容易に除去
され、そしてまた、導線に接合可能である。
た、かつ、少なくとも最も外側の金属層で被覆された導
電性の金属基板を有し、最も外側の金属層が、亜鉛対ク
ロムの比が4:1以上であるクロムと亜鉛との混合体であ
り、最も外側の金属層の一部が、ポリマ樹脂に接着され
ており、最も外側の金属層の厚さが、10オングストロー
ムから100オングストロームであることを特徴とする、
パッケージが得られる。
に関する下記の詳細な説明とから、さらに明らかになる
であろう。
形されたプラスチック・パッケージの横断面図である。
々の基板部品とカバー部品とを有する電子パッケージの
横断面図である。
る。
れた、歪み応力のグラフである。
れた、歪み応力のグラフである。
るために、リードフレームは少なくとも1つの金属層で
被覆される。リードフレームは、導電性の任意の金属基
板で作成される。金属基板として好ましい材料は、銅を
基本とする合金である。銅合金は大きな導電率を有し、
それにより、封止された電子装置の中へ、および、封止
された電子装置から外へ、信号を転送することができ
る。銅合金はまた大きな熱伝導率を有し、それにより、
装置が動作中に発生する熱を取り去ることができる。
(PDIP)や、プラスチックの導線付チップ・キャリア
(PLCC)、小型アウトライン集積回路(SOIC)、個別の
装置パッケージのような、成熟した電子装置に対する適
切な銅合金は、中程度の強度と中程度の導電率を有する
ことが特徴である。これらの合金の降状強度は、通常、
345MPa(50ksi)ないし485MPa(70ksi)の範囲内にあ
り、そして、導電率はIACSの約30%よりも大きい。ここ
で、IACSはインターナショナル・アニールド・カッパ・
スタンダード(International Annealed Copper Standa
rd)の略であり、純銅の値は100%である。
る銅合金の例を挙げれば、下記の通りである。パーセン
ト値は、特に断らない限り、すべて重量パーセント値で
ある。頭に「C」の文字を付した5桁の数字の合金は、
カッパ・ディベロップメント・アソシエーションおよび
アメリカン・ソサイアティ・オブ・メタルにより推奨さ
れた、合金に対するUNS(ユニファイド・ナンバリング
・システム)記法である。
カット)により製造されたC15100は、ジルコニウムが0.
05%〜0.15%で残りは銅という組成を有する。名目上の
組成は、銅99.9%、ジルコニウム0.1%である。
カット)により製造されたC19400は、鉄2.1%〜2.6%、
リン0.015%〜0.15%、亜鉛0.05%〜0.20%、残りは銅
という組成を有する。名目上の組成は、銅97.5%、鉄2.
35%、リン0.3%、亜鉛0.12%である。
カット)により製造されたC19500は、鉄1.0%〜2.0%、
リン0.01%〜0.35%、コバルト0.30%〜1.3%、スズ0.1
0%〜1.0%、残りは銅という組成を有する。名目上の組
成は、銅97%、鉄1.5%、リン0.1%、コバルト0.8%、
スズ0.6%である。
カット)により製造されたC19700は、鉄0.30%〜1.2
%、リン0.10%〜0.40%、マグネシウム0.01%〜0.20
%、残りは銅という組成を有する。名目上の組成は、銅
99%、鉄0.6%、リン0.2%、マグネシウム0.05%であ
る。
京、日本)により製造されたC50710は、スズ1.7%〜2.3
%、ニッケル0.1%〜0.4%、リン0.15%以下、残りは銅
という組成を有する。
れたC19210は、鉄0.05%〜0.15%、リン0.025%〜0.040
%、残りは銅という組成を有する。
により製造されたC19520は、鉄0.5%〜1.5%、スズ0.5
%〜1.5%、リン0.01%〜0.35%、残りは銅という組成
を有する。
れたC18070は、クロム0.15%〜0.40%、チタン0.01%〜
0.40%、シリコン0.02%〜0.07%、残りは銅という組成
を有する。
ェオン、韓国)により製造されたC19010は、ニッケル0.
8%〜1.8%、シリコン0.15%〜0.35%、リン0.01%〜0.
05%、残りは銅という組成を有する。
イン・パッケージ(TSOP)および薄いクヮッド・フラッ
ト・パック(TQFP)のような、薄いパッケージを有す
る。薄いパッケージの厚さは約2ミリメートル以下であ
り、その典型的な厚さは、1.0ミリメートルないし1.3ミ
リメートルである。最近開発された他のパッケージは、
テープパック・パッケージのような、クヮッド・フラッ
ト・パック(QFP)および成形されたキャリア・リング
・パッケージ(MCR)を有する。テープパック(TapePa
K)は、ナショナル・セミコンダクタ・コーポレーショ
ン(サンタ・クララ、カリフォルニア)の商標である。
対しては、厚さが約0.2mm(0.008インチ)未満であり、
そして典型的には、0.13mm〜0.15mm(0.005インチ〜0.0
06インチ)の程度であることが要請される。降伏強度
は、中程度で約485MPa(70ksi)より大きい(30%IACS
導電率より大きい)。
ジに対するリードフレーム合金の例を挙げれば、次の通
りである。
カット)により製造されたC70250は、ニッケル2%〜4.
8%、シリコン0.2%〜1.4%、マグネシウム0.05%〜0.4
5%、残りは銅という組成を有する。名目上の組成は、
銅96.2%、ニケッル3.0%、シリコン0.65%、マグネシ
ウム0.15%である。
日本)により製造されたEFTEC−64Tのおおよその組成
は、クロム0.30%〜0.40%、スズ0.20%〜0.30%、亜鉛
0.15%〜0.25%、残りは銅である。
その組成は、ニッケル2.7%〜3.7%、シリコン0.2%〜
1.2%、亜鉛0.1%〜0.5%、残りは銅である。
組成は、ニッケル1.9%〜2.9%、シリコン0.20%〜0.60
%、リン0.10%〜0.20%、残りは銅である。
本とする合金のリードフレームはまた、本発明により改
良される。これらのリードフレームは、コバール(重量
パーセントでFe54%、Ni29%、Co17%の合金の商標)お
よび合金42(重量パーセントでNi42%、残りはFe)を有
する。
数が比較的大きいという傾向がある。パッケージ部品
は、通常、また熱膨張係数の大きな銅またはアルミニウ
ムを基本とする合金で製造される。熱膨張係数の不整合
により生ずる応力をできるだけ小さくするために、リー
ドフレームは銅または銅合金の基板でまた作成されるこ
とが好ましい。銅合金C7025は、導電率が比較的大きく
そして熱誘起軟化に対する耐性が比較的大きいので、好
ましいリードフレーム材料である。
インチ)である金属基板が備えられる。さらに詳細にい
えば、デュアル・イン・ライン・パッケージのためのリ
ードフレームに対する厚さは、約0.25mmないし約0.38mm
(0.010インチ〜0.015インチ)である。このデュアル・
イン・ライン・パッケージでは、導線はパッケージ本体
の両側に取り付けられる。クワッド・パッケージのため
のリードフレームに対する好ましい厚さは、約0.13mmな
いし約0.25mm(0.005インチ〜0.010インチ)である。こ
のクワッド・パッケージでは、導線はパッケージ本体の
4つの側面に取り付けられる。この基板は、スタンピン
グまたはエッチングのような従来の適当な処理工程によ
り、リードフレームの中に作成することができる。
覆される。最も外側の層は、下記で説明されるように、
亜鉛対クロムの比が4:1以上であるクロムと亜鉛との混
合体で作成されるが、中間層はニッケルで作成すること
ができる。それは、後の層が金属基板の中に拡散するこ
とを防止するためである。導線の接合強度を増大するた
めに、銀またはアルミニウムの層を用いることができ
る。
クロムと亜鉛との混合体である。最も外側の層は薄く、
その厚さは、約10オングストロームないし約1000オング
ストロームの程度である。さらに詳細にいえば、その厚
さは約10オングストロームないし約100オングストロー
ムであり、そして最も好ましい厚さは、約40オングスト
ロームないし約80オングストロームである。最も外側の
被覆層により、耐酸化性が得られ、そして、導線の接合
強度を大幅に損なうことなく、または、後での組立工程
に有害な影響を与えることなく、ポリマ樹脂に対する接
着性の増大を得ることができる。最も外側の層は、浸漬
メッキ、電解メッキ、または、クラディングのような任
意の適切な技術により、作成することができる。
れる。この被覆体は、従来の任意の方法で沈着すること
ができる。この被覆体は、クロムと亜鉛の同時沈着層で
あることもできるし、または、順次に沈着された層であ
ることもできる。この被覆体を沈着する1つの好ましい
方法は、リンほかの米国特許第5,022,968号に開示され
ている。この特許は、防錆の目的のために、クロムと亜
鉛を含有する被覆体層を開示している。この被覆体層
は、水酸化物イオンと、1リットル当り約0.07グラムか
ら約7g/lの亜鉛イオンと、約0.1g/lから約100g/lの水溶
性6価クロム塩とを有する、塩基性水溶性電解液から、
電気分解で沈着される。この場合、亜鉛イオン、また
は、クロム(VI)イオン、または、両方の濃度は、1.0g
/l以下である。被覆層の亜鉛対クロムの比は4:1以上で
ある。分析された1つの試料の組成は、Crが5原子パー
セント、Zn21原子%、O原子56%、C原子16%、Cu原子
1%である。
混合体からなる金属層を最も外側に有するリードフレー
ムにより、増強された電子パッケージが得られる。第1
図は、本発明の増強されたリードフレーム12が組み込ま
れている成形されたプラスチック・パッケージの横断面
図である。この増強されたリードフレーム12は、複数個
の内部導線16および複数個の外部導線18に形作られた導
電性の金属基板14を有する。導電性の金属基板14は、約
0.13mmないし約0.51mm(0.005インチないし0.020イン
チ)の厚さを有する。その厚さの最も典型的な値は、約
0.25mmないし約0.38mm(0.010インチないし0.015イン
チ)である。
することができる。最も外側の層20(図面では、この層
は正しい寸法では描かれていない)は、クロムと亜鉛と
の混合体からできている。最も好ましいのは、この最も
外側の層20が、亜鉛対クロムの比が4:1以上であるクロ
ムと亜鉛の混合体である、同時沈着された層であること
である。
テッド・ボンデング(TAB)ビーム導線のような適切な
手段により、増強されたリードフレーム12に電気的に相
互接続される。接合導線24は、加熱圧縮接合または加熱
超音波接合により、内部導線16に接続される。導線の接
合は、最も外側の層20に対して、または、内側の被覆層
に対して、または、基板に対して行うことができる。最
も外側の被覆層20は、この被覆層の沈着期間中に内側導
線をマスクすることにより、または、後で除去すること
によるかのいずれかによって、内側導線16から省略する
ことができる。亜鉛対クロムの比が約4:1以上であると
いう好ましい比が用いられる時、除去は容易に実行する
ことができる。最も外側の被覆層は、希塩酸または希硫
酸に浸すことにより、容易に除去することができる。
り被覆されたリードフレームに対する導線接合の接合強
度は、銀がメッキされた従来のリードフレームに対して
行われた接合の接合強度よりも大幅に小さくはないこと
が、本出願人により確かめられた。
は、典型的には、導電性の金属基板14と同じ材料で作成
され、そして、中央に配置されたダイ取付パッド26によ
り保持される。ダイ取付パッド26とモールド用樹脂28と
の間に湿気が蓄積するから、ダイ取付パッド26はまた、
亜鉛対クロムの比が4:1以上であるクロムと亜鉛との混
合体からなる最も外側の層20で被覆される。
ド26に取り付けられる。ダイ取付材料30は、ポリマ接着
材料またはハンダであることができる。もしダイ取付接
着材料として金属ハンダが用いられるならば、最も外側
の層20はポリマ・ダイ取付接着材料30の接合を増強する
一方で、電子装置22と接触しているその表面から、最も
外側の層20を省略することができる。最も外側の層は、
沈着期間中のマスキング、または、後での希塩酸または
希硫酸の中でのエッチングのいずれかにより、除去する
ことができる。
そして、増強されたリードフレーム12に接合導線24によ
り電気的に相互接続されるならば、この組立体は成形用
樹脂の中に封止される。ポリマ樹脂が、電子装置22およ
び内部導線16についてモールドされる。適切な任意のモ
ールド用樹脂、例えば、ニットー・デンコー・コーポレ
ーション(大阪,日本)により製造されたニットー180B
のようなモールド用樹脂を用いることができる。
ケージ40は、別々の基板部品42とカバー部品44とを有す
る。前述したような増強されたリードフレーム12が、基
板42とカバー44との間に配置される。基板42およびカバ
ー44は、金属、ポリマ、または、セラミックのような任
意の適切な材料から作成され得る。基板42とカバー44の
両方は、典型的には、同じ金属で製造される。それは、
熱膨張係数の不整合から生ずる応力を避けるためであ
る。基板42およびカバー44に対する最も好ましい材料
は、銅および銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム
合金、ポリマである。電子装置22から熱を効率的に取り
除くために、基板部品42は銅合金またはアルミニウム合
金であることが好ましい。米国特許第4,939,316号に開
示されているように、基板42およびカバー44がアルミニ
ウム合金である時、陽極酸化層を最も外側の層20′とし
て作成することにより、ポリマ樹脂46に対する接合を改
善することができる。基板部品およびカバー部品が銅ま
たは銅合金である時、最も外側の層20′は、クロム被覆
体、または、亜鉛被覆体、または、本発明のクロムと亜
鉛との混合体の被覆体であることが好ましい。
カバー部品44との間に配置され、そして、デキスタ・カ
ンパニ(ピッツバーグ、カリフォルニア)により製造さ
れているハイゾルXEA9684NMのようなポリマ接着剤46に
より、これらの両者に接着される。増強されたリードフ
レーム12の最も外側の層20により、ポリマ樹脂に対する
接着が改善され、そして、リードフレーム/ポリマの界
面に沿って湿気が侵入することが減る。ポリマ樹脂46に
接触する基板部品42とカバー部品44のこれらの表面の上
に、最も外側の層20′を沈着することにより、接着がさ
らに改善される。
のチップ18がハンダで被覆される。最も外側の層20が、
希塩酸または希硫酸で容易に溶解され、そして、ハンダ
層の電解沈着の活動段階の期間中、容易に除去される。
浸漬被覆および高温浸漬は、同様に、最も外側の層20の
存在により影響されない。
への接着が改善される機構は十分には理解されていない
が、接着が改善される理由の一部分は層の耐錆特性によ
るものであると、本出願人は考えている。電子パッケー
ジの組み立て期間中、リードフレームは高い温度にさら
される。電子装置をダイ取付パッドに接合する際、リー
ドフレームは約280℃の温度にさらされる。導線接合の
際には、内部導線は約175℃の温度にさらされる。ポリ
マ封止、または、基板部品とカバー部品のポリマ封止で
は、リードフレームおよびダイ取付パドルは約190℃の
温度にさらされる。スズ・メッキまたはハンダ付けで
は、外部導線は約260℃の温度にさらされる。高い温度
にさらされるたびに、銅の酸化物の生成が促進される。
銅の酸化物は、金属銅に十分によくは接着しない。リー
ドフレームとポリマ接着剤との間で起こる接合の故障
は、銅の酸化物と金属銅基板との間に原因があると考え
られる。上述したような被覆層を沈着することにより、
銅の酸化物の生成が抑止され、そして、ポリマ接着剤と
金属銅基板との間に直接の接触が可能である。
明の最も外側の被覆体を有するリードフレームの接着で
は、ニッケルのような他の金属被覆体を有するリードフ
レームの接着よりも、優れた性能を示す。第3図に示さ
れた検査装置を用いて、この改善の程度が判定された。
第3図には金属カバー部品48が示されている。この金属
カバー部品48は、それに接合された樹脂リング50(点線
で示されている)を有する。検査ストリップ52は、厚さ
が0.15mm(0.006インチ)で幅が6.35mm(0.25インチ)
であり、複数個の導線をシュミレートしている。同じよ
うに取り付けられた樹脂リングを備えた整合した基板部
品が、検査ストリップ52の反対側に接合された。この検
査構造体の組み立ての前に、チップの取付けと導線の接
合とをシュミレートするために、検査ストリップ52が空
気中で高い温度の下に置かれる。その後、検査ストリッ
プ52は基板部品とカバー部品との間に接合され、樹脂接
着剤50で封止される。
ューセッツ)により製造された引張り検査機械のような
適切な検査装置に取り付けられる。検査ストリップ52
が、検査体から、矢印で示されたように、通常は平行な
方向に引張られる。検査ストリップ52を取り去るのに必
要なせん断応力により、接着剤の接合強度の指標が得ら
れる。実施例2ないし実施例4に示されているように、
本発明の被覆体により、他の金属被覆体、または、他の
酸化物被覆体、または、裸の金属基板に比べて、優れた
接合が得られる。一方、実施例1は、導線が接合可能で
ある被覆体を示している。
範囲がこれらの実施例に限定されることを意味するもの
ではない。
検査クーポンが、導線の接合強度を評価するために、銀
が約200マイクロインチ−400マイクロインチにメッキさ
れた。その後、2個のクーポンは、クロム・亜鉛の材料
の最も外側の層で、電解により被覆された。Cr−Znで被
覆された1個のクーポンと、Cr−Znの最も外側の層のな
い1個のクーポンとが、接着剤のダイ取り付けをシュミ
レートするために、空気中で2時間、175℃にまで加熱
された。その後、直径が0.001インチの金の接合導線
が、熱圧着接合により、4個のクーポンすべてに接合さ
れた。次に、導線引張検査計を用いて、基板から導線を
引張るのに必要な力が測定された。
は、導線の接合強度を大幅に小さくすることはない。
ンチ)の8個の銅合金C7025クーポンが、2つの群に分
けられた。4個のクーポンはクロム・亜鉛からなる被覆
体で被覆され、一方、他の4個のクーポンは被覆されな
いままである。そして、組立体をシュミレートするため
に、2個の被覆されたクーポンおよび2個の被覆されな
いクーポンが加熱された。加熱は、ダイ取付けをシュミ
レートするために、空気中で175℃で2時間行われ、そ
の後、導線接合をシュミレートするために、空気中で25
0℃で3分間行われた。次に、これらのクーポンが、ニ
ットー150SGモールド用樹脂の中に封止され、そして、
クーポンを取り去るのに必要な引張り強度が測定され
た。第2表に示されているように、本発明の最も外側の
被覆体を有する場合、モールド用樹脂に対する接着の増
大が得られた。
された後、温度121℃で相対湿度100%において96時間、
圧力料理器の中に置かれた。本発明の最も外側の被覆体
はまた、第3表に示されているように、優れた接着特性
を示すことが分かった。
5NM接着剤と、陽極酸化されたアルミニウム基板部品お
よびカバー部品と、C7025検査ストリップとを用いて製
造された。
は、付加的な被覆層を全く有しないC7025クーポンであ
る。
最も外側の層を有するクーポンである。
から電解沈着されたニッケル表面の最も外側の層を有す
るクーポンである。
約4:1以上である亜鉛とクロムの混合体で被覆された最
も外側の層を有するクーポンである。
対して最大であり、亜鉛:クロムが同時沈着された層60
は少し小さなせん断応力を有する。最も外側のニッケル
層を有するクーポン58、または、酸化された銅を有する
クーポン60は、かなり低い初期せん断応力を有する。
され、熱的ショックが与えられ、そしてその後、−65℃
の第2不活性液体の中に入れられる。このサイクルが15
回と100回の両方が繰り返された。第4図に示されてい
るように、被覆のないC7025クーポン54のせん断強度
は、約15サイクルの後、減少を始める。亜鉛:クロム層
で被覆されたC7025クーポン60では、変化は事実上なか
った。
任意の試料よりも大幅に大きなせん断強度を有する。
の検査クーポンが、121℃、15psigにおいて、相対湿度1
00%で、100時間および200時間の間、圧力料理器の中に
入れられた。
ポン58と、酸化物で被覆されたクーポン56とのすべて
は、100時間と200時間との両方で、せん断応力に大幅な
減少が見られた。亜鉛とクロムで被覆されたクーポン60
は、せん断応力に大幅な減少が見られなかった。
問題に関連して本発明が説明されたが、上述したような
最も外側の被覆体を沈着することにより、任意の金属基
板とポリマ樹脂との間の接着が改善されるのは確実であ
る。本発明の応用される範囲は、電子パッケージの組立
体に限定されるものではない。
ポリマ樹脂に対し増強された接着を備えたリードフレー
ムを有するパッケージが本発明により得られることは、
明らかである。本発明は特定の実施例に関連して説明さ
れたが、前記説明から、本発明の範囲内において、多く
の変更実施例および修正実施例の可能であることは、当
業者にはすぐに分かるであろう。したがって、このよう
な変更実施例および修正実施例はすべて、本発明の範囲
内に包含されるものと理解しなければならない。
Claims (10)
- 【請求項1】内部導線(16)および外部導線(18)に形
作られた、かつ、少なくとも最も外側の金属層(20)で
被覆された導電性の金属基板(14)を有し、 前記最も外側の金属層(20)が、亜鉛対クロムの比が4:
1以上であるクロムと亜鉛との混合体であり、 前記最も外側の金属層(20)の一部が、ポリマ樹脂に接
着されており、 前記最も外側の金属層(20)の厚さが、10オングストロ
ームから100オングストロームであることを特徴とす
る、パッケージ。 - 【請求項2】請求項1記載のパッケージにおいて、前記
導電性の金属基板(14)が銅、鉄、ニッケル、および、
それらの合金から成る群から選定されることを特徴とす
る、パッケージ。 - 【請求項3】請求項2記載のパッケージにおいて、前記
導電性の金属基板(14)が銅合金であることを特徴とす
る、パッケージ。 - 【請求項4】請求項3記載のパッケージにおいて、亜鉛
とクロムが同時に沈着されることを特徴とする、パッケ
ージ。 - 【請求項5】請求項4記載のパッケージにおいて、 前記パッケージが、モールド・プラスチック・パッケー
ジ(10)であり、 前記内部導線(16)がモールド・プラスチック・パッケ
ージ(10)の中に封止されることを特徴とする、パッケ
ージ。 - 【請求項6】請求項4記載のパッケージにおいて、 前記パッケージが、基板部品(42)とカバー部品(44)
とを有する電子パッケージ(40)であり、 前記内部導線(16)が前記基板部品(42)と前記カバー
部品(44)との間に配置され、かつ、前記内部導線(1
6)が前記基板部品(42)および前記カバー部品(44)
に接合されることを特徴とする、パッケージ。 - 【請求項7】請求項5または請求項6記載のパッケージ
において、前記内部導線(16)が最も外側の金属層(2
0)で被覆されていないことを特徴とする、パッケー
ジ。 - 【請求項8】請求項6記載のパッケージにおいて、前記
基板部品(42)および前記カバー部品(44)が銅、また
は、アルミニウム、または、それらの合金であるように
選定されることを特徴とする、パッケージ。 - 【請求項9】請求項8記載のパッケージにおいて、前記
基板部品(42)および前記カバー部品(44)が、少なく
とも接着接合手段(46)と接触したこれらの表面を被覆
する接着増進層(20′)を有することを特徴とする、パ
ッケージ。 - 【請求項10】請求項9記載のパッケージにおいて、前
記基板部品(42)および前記カバー部品(44)がアルミ
ニウムまたはアルミニウム合金であり、かつ、前記接着
増進層(20′)が陽極酸化層であることを特徴とする、
パッケージ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US82237392A | 1992-01-17 | 1992-01-17 | |
US822,373 | 1992-01-17 | ||
US001,014 | 1993-01-06 | ||
US08/001,014 US5343073A (en) | 1992-01-17 | 1993-01-06 | Lead frames having a chromium and zinc alloy coating |
PCT/US1993/000393 WO1993014518A1 (en) | 1992-01-17 | 1993-01-08 | Lead frames with improved adhesion |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8205863A Division JPH09172125A (ja) | 1992-01-17 | 1996-08-05 | 優れた接着特性を有するリードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07503103A JPH07503103A (ja) | 1995-03-30 |
JP3070862B2 true JP3070862B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=26668421
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5512688A Expired - Lifetime JP3070862B2 (ja) | 1992-01-17 | 1993-01-08 | 優れた接着特性を有するリードフレーム |
JP8205863A Pending JPH09172125A (ja) | 1992-01-17 | 1996-08-05 | 優れた接着特性を有するリードフレーム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8205863A Pending JPH09172125A (ja) | 1992-01-17 | 1996-08-05 | 優れた接着特性を有するリードフレーム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5343073A (ja) |
EP (1) | EP0621981B1 (ja) |
JP (2) | JP3070862B2 (ja) |
KR (1) | KR100286631B1 (ja) |
AU (1) | AU3475893A (ja) |
DE (1) | DE69330711T2 (ja) |
WO (1) | WO1993014518A1 (ja) |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6493952B2 (ja) | 2014-08-26 | 2019-04-03 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
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JPH03283556A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Hitachi Cable Ltd | 1c用リードフレーム |
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-
1993
- 1993-01-06 US US08/001,014 patent/US5343073A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-08 JP JP5512688A patent/JP3070862B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-08 WO PCT/US1993/000393 patent/WO1993014518A1/en active IP Right Grant
- 1993-01-08 EP EP93903531A patent/EP0621981B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-08 AU AU34758/93A patent/AU3475893A/en not_active Abandoned
- 1993-01-08 KR KR1019940702467A patent/KR100286631B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-01-08 DE DE69330711T patent/DE69330711T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-07-01 US US08/270,064 patent/US5449951A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-08-05 JP JP8205863A patent/JPH09172125A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69330711T2 (de) | 2002-07-04 |
EP0621981A4 (en) | 1995-05-17 |
WO1993014518A1 (en) | 1993-07-22 |
US5449951A (en) | 1995-09-12 |
JPH09172125A (ja) | 1997-06-30 |
DE69330711D1 (de) | 2001-10-11 |
KR940704060A (ko) | 1994-12-12 |
EP0621981A1 (en) | 1994-11-02 |
KR100286631B1 (ko) | 2001-04-16 |
US5343073A (en) | 1994-08-30 |
AU3475893A (en) | 1993-08-03 |
JPH07503103A (ja) | 1995-03-30 |
EP0621981B1 (en) | 2001-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 13 |