JPH02141562A - 電気電子部品用銅合金の製造方法 - Google Patents
電気電子部品用銅合金の製造方法Info
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- JPH02141562A JPH02141562A JP29365188A JP29365188A JPH02141562A JP H02141562 A JPH02141562 A JP H02141562A JP 29365188 A JP29365188 A JP 29365188A JP 29365188 A JP29365188 A JP 29365188A JP H02141562 A JPH02141562 A JP H02141562A
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- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 229910009038 Sn—P Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目 的〕
本発明は、トランジスタや集積回路(IC)などの半導
体機器のリード材や、コネクター、端子、リレー、スイ
ッチ等の導電性ばね材に適する銅合金に関するものであ
る。特に錫又は半田めっき耐熱剥離性(ここで耐熱剥離
性とは半田めっき又は半田付けを行った材料が熱等の影
響に対して耐剥離効果を有する性質を意味する。)に優
れた銅合金の製造方法に関するものである。
体機器のリード材や、コネクター、端子、リレー、スイ
ッチ等の導電性ばね材に適する銅合金に関するものであ
る。特に錫又は半田めっき耐熱剥離性(ここで耐熱剥離
性とは半田めっき又は半田付けを行った材料が熱等の影
響に対して耐剥離効果を有する性質を意味する。)に優
れた銅合金の製造方法に関するものである。
従来、半導体機器のリード材としては、熱膨張係数が低
く、素子及びセラミックとの接着及び封着性の良好なコ
バール(Fe−29Ni−16Co) 、42合金(F
e−42Ni)などの高ニッケル合金が好んで使われて
きた。しかし、近年、半導体回路の集積度の向上に伴い
消費電力の高いICが多くなってきたことと、封止材料
として樹脂が多く使用され、かつ素子とリードフレーム
の接着も改良が加えられたことにより、使用されるリー
ド材も放熱性のよい銅基合金が使われるようになってき
た。
く、素子及びセラミックとの接着及び封着性の良好なコ
バール(Fe−29Ni−16Co) 、42合金(F
e−42Ni)などの高ニッケル合金が好んで使われて
きた。しかし、近年、半導体回路の集積度の向上に伴い
消費電力の高いICが多くなってきたことと、封止材料
として樹脂が多く使用され、かつ素子とリードフレーム
の接着も改良が加えられたことにより、使用されるリー
ド材も放熱性のよい銅基合金が使われるようになってき
た。
一般に半導体機器のリード材としては以下のような特性
が要求されている。
が要求されている。
(1) リードが電気信号伝達部であるとともに、パ
ッケージング工程中及び回路使用中に発生する熱を外部
に放出する機能を併せ持つことを要求される為、優れた
熱及び電気伝導性を示すもの。
ッケージング工程中及び回路使用中に発生する熱を外部
に放出する機能を併せ持つことを要求される為、優れた
熱及び電気伝導性を示すもの。
(2) リードとモールドとの密着性が半導体素子保
護の観点から重要であるため、リード材とモールド材の
熱膨張係数が近いこと。
護の観点から重要であるため、リード材とモールド材の
熱膨張係数が近いこと。
(3)パッケージング時に種々の加熱工程が加わる為、
耐熱性が良好であること。
耐熱性が良好であること。
(4) リードはリード材を抜き打ち加工し、又曲げ
加工して作製されるものがほとんどである為、これらの
加工性が良好なこと。
加工して作製されるものがほとんどである為、これらの
加工性が良好なこと。
(5) リードは表面に貴金属のメツキを行う為、こ
れら貴金属とのメツキ密着性が良好であること。
れら貴金属とのメツキ密着性が良好であること。
(6)パッケージング後に封止材の外に露出している、
いわゆるアウター・リード部に半田付けするものが多い
ので良好な半田付は性を示すこと。
いわゆるアウター・リード部に半田付けするものが多い
ので良好な半田付は性を示すこと。
(7)機器の信頼性及び寿命の観点から耐食性が良好な
こと。
こと。
(8)価格が装置であること。
さらに、近年、半導体に対する信頼度の要求がより厳し
くなるとともに、小型化に対応した面付実装タイプが多
くなってきた為、従来問題とされていなかった錫又は半
田めっき耐熱剥離性が非常に重要な特性項目となってき
た。
くなるとともに、小型化に対応した面付実装タイプが多
くなってきた為、従来問題とされていなかった錫又は半
田めっき耐熱剥離性が非常に重要な特性項目となってき
た。
すなわち、リードフレームとプリント基板とが半田付け
をされるが、使用中外的温度及び通電による発熱により
最高120℃程度までリードフレーム、及び半田付は部
が温度上昇する。このような温度に長時間さらされると
半田とリードフレームとの剥離が生じ、半導体が動作し
ない事が起こりえるため、寿命という観点から高信頼度
が要求される場合、この錫又は半田めっき耐熱剥離性は
最も重要な特性の1つとなるわけである。とりわけP
P P (FLAT PLASTICPACKAGE)
やPLCC(PLASTICLEADED CHIP
CARRIER)に代表される面付実装タイプはプリン
ト基板に装入するのではなく、面接触になる為、より錫
又は半田めっき耐熱剥離性が重要になってくるわけであ
る。
をされるが、使用中外的温度及び通電による発熱により
最高120℃程度までリードフレーム、及び半田付は部
が温度上昇する。このような温度に長時間さらされると
半田とリードフレームとの剥離が生じ、半導体が動作し
ない事が起こりえるため、寿命という観点から高信頼度
が要求される場合、この錫又は半田めっき耐熱剥離性は
最も重要な特性の1つとなるわけである。とりわけP
P P (FLAT PLASTICPACKAGE)
やPLCC(PLASTICLEADED CHIP
CARRIER)に代表される面付実装タイプはプリン
ト基板に装入するのではなく、面接触になる為、より錫
又は半田めっき耐熱剥離性が重要になってくるわけであ
る。
又、従来、電気機器用ばね、計測器用ばね、スイッチ、
コネクター等に用いられる導電性ばね材の分野でも、接
触抵抗低減、耐食性の向上等の理由で錫又は半田めっき
が施され、又、半田付けが実施される事が多い為、先に
述べたような錫又は半田めっき耐熱剥離性が、近年の信
頼性向上の要求から極めて重要となってきている。
コネクター等に用いられる導電性ばね材の分野でも、接
触抵抗低減、耐食性の向上等の理由で錫又は半田めっき
が施され、又、半田付けが実施される事が多い為、先に
述べたような錫又は半田めっき耐熱剥離性が、近年の信
頼性向上の要求から極めて重要となってきている。
こういった錫又は半田めっき耐熱剥離性の厳しい要求に
対して、現状のりん青銅系合金ではこたえることができ
ず、錫又は半田めっき耐熱剥離性を改善した高力高導電
銅合金の現出が待たれていた。
対して、現状のりん青銅系合金ではこたえることができ
ず、錫又は半田めっき耐熱剥離性を改善した高力高導電
銅合金の現出が待たれていた。
一゛本発明はかかる点に鑑みなされたもので、従来の銅
基合金のもつ欠点を改良し、半導体機器のリ−ド材及び
導電性ばね材として好適な諸特性を有する銅合金を提供
しようとするものである。
基合金のもつ欠点を改良し、半導体機器のリ−ド材及び
導電性ばね材として好適な諸特性を有する銅合金を提供
しようとするものである。
本発明は、Sn 0.1〜3.0wt%、 P 0.
01〜0.10vt%を含み、残部Cu及び不可避的不
純物からなる銅合金において、最終圧延の後、非酸化性
もしくは還元性雰囲気に於いて、歪取焼鈍を行うことを
特徴とする錫又は半田めっき耐熱剥離性の良好な電気電
子部品用銅合金の製造方法及びSn 0.1〜3.0w
t%、P 0.01〜0.10νt%を含み、さらに副
成分として、Be1Mg、 A1.Si、Ti、Cr、
Mn、 Fe%Co、 Ni、Zn、 Pb、 Ag
、 Zrからなる1種又は2種を総量で0゜001〜3
.0wt%含み、残部Cu及び不可避的不純物からなる
銅合金において、最終圧延の後、非酸化性もしくは還元
性雰囲気に於いて、歪取焼鈍を行うことを特徴とする錫
又は半田めっき耐熱剥離性の良好な電気電子部品用銅合
金の製造方法に関するものであり、半導体機器のリード
材用銅合金及び導電性ばね材として優れた電気及び熱伝
導性、耐熱性、加工性、メツキ密着性、半田付は性、耐
食性、ばね特性を有するばかりでなく、錫又は半田めっ
き耐熱剥離性をも著しく改良したことを特徴とするもの
である。
01〜0.10vt%を含み、残部Cu及び不可避的不
純物からなる銅合金において、最終圧延の後、非酸化性
もしくは還元性雰囲気に於いて、歪取焼鈍を行うことを
特徴とする錫又は半田めっき耐熱剥離性の良好な電気電
子部品用銅合金の製造方法及びSn 0.1〜3.0w
t%、P 0.01〜0.10νt%を含み、さらに副
成分として、Be1Mg、 A1.Si、Ti、Cr、
Mn、 Fe%Co、 Ni、Zn、 Pb、 Ag
、 Zrからなる1種又は2種を総量で0゜001〜3
.0wt%含み、残部Cu及び不可避的不純物からなる
銅合金において、最終圧延の後、非酸化性もしくは還元
性雰囲気に於いて、歪取焼鈍を行うことを特徴とする錫
又は半田めっき耐熱剥離性の良好な電気電子部品用銅合
金の製造方法に関するものであり、半導体機器のリード
材用銅合金及び導電性ばね材として優れた電気及び熱伝
導性、耐熱性、加工性、メツキ密着性、半田付は性、耐
食性、ばね特性を有するばかりでなく、錫又は半田めっ
き耐熱剥離性をも著しく改良したことを特徴とするもの
である。
次に本発明合金を構成する合金成分の限定理由を説明す
る。
る。
Snは添加することにより、強度を向上させる元素であ
り、一般には、Sn含有量が5〜9wt%であるC 5
191、C5210等が使用される。Sn含有量を0.
1〜3.0wt%とする理由は、0,1wt%未満では
強度向上の効果がなく、3.0νt%を超えると加工が
困難となると共に製造コストも高くなるためである。
り、一般には、Sn含有量が5〜9wt%であるC 5
191、C5210等が使用される。Sn含有量を0.
1〜3.0wt%とする理由は、0,1wt%未満では
強度向上の効果がなく、3.0νt%を超えると加工が
困難となると共に製造コストも高くなるためである。
Pは添加することにより、強度、靭性を向上させる元素
であるが、0.01〜0.10wt%添加する理由は、
0.01%+1%未満ではその効果がなく、0.]0w
t%を超えると錫又は半田めっき耐熱剥離性が著しくは
2種を総量で0.001〜3 、0wt%含有する理由
は、強度を向上させるためであるが、その量が0.00
1wt%未満では効果がなく、3.(ht%を超えると
導電性が著しく低くなり、加工性も悪くなるためである
。これらの元素の中で、 Zn、 Mnは、添加するこ
とにより錫又は半田めっき耐熱剥離性を向上させる元素
であり、どちらかもしくは両方を0.05〜0.5νt
%添加することが推奨される。
であるが、0.01〜0.10wt%添加する理由は、
0.01%+1%未満ではその効果がなく、0.]0w
t%を超えると錫又は半田めっき耐熱剥離性が著しくは
2種を総量で0.001〜3 、0wt%含有する理由
は、強度を向上させるためであるが、その量が0.00
1wt%未満では効果がなく、3.(ht%を超えると
導電性が著しく低くなり、加工性も悪くなるためである
。これらの元素の中で、 Zn、 Mnは、添加するこ
とにより錫又は半田めっき耐熱剥離性を向上させる元素
であり、どちらかもしくは両方を0.05〜0.5νt
%添加することが推奨される。
最終圧延の後、非酸化性もしくは還元性雰囲気に於いて
歪取焼鈍を行う。元来、Cu −Sn −P系の合金は
、リード材用等の用途に於いて、歪取焼鈍を行うという
技術思想は存在しなかった。本発明者は、歪取焼鈍を行
うことにより、ばね性及び曲げ加工性を向上させ、さら
に錫又は半田めっき耐熱剥離性も向上することを見い出
した。その理由は、歪取焼鈍を行わない曲げ加工性の悪
い材料は、めっき後曲げ加工を行う場合、曲げ加工に対
しめっき層が母材に追従しにくい。そして機械的に脆い
界面に応力が集中し、剥離し易くなる。又、歪取焼鈍を
行っていない材料は加熱により収縮が起こるため、めっ
き後加熱されると母材が縮み「めっき層−拡散層−母材
」間の界面に応力が集中し剥離し易くなるためである。
歪取焼鈍を行う。元来、Cu −Sn −P系の合金は
、リード材用等の用途に於いて、歪取焼鈍を行うという
技術思想は存在しなかった。本発明者は、歪取焼鈍を行
うことにより、ばね性及び曲げ加工性を向上させ、さら
に錫又は半田めっき耐熱剥離性も向上することを見い出
した。その理由は、歪取焼鈍を行わない曲げ加工性の悪
い材料は、めっき後曲げ加工を行う場合、曲げ加工に対
しめっき層が母材に追従しにくい。そして機械的に脆い
界面に応力が集中し、剥離し易くなる。又、歪取焼鈍を
行っていない材料は加熱により収縮が起こるため、めっ
き後加熱されると母材が縮み「めっき層−拡散層−母材
」間の界面に応力が集中し剥離し易くなるためである。
以下に本発明材料を実施例をもって説明する。
第1表に示される本発明合金に係る各種成分組成のイン
ゴットを電気銅あるいは無酸素銅を原料として、高周波
溶解炉で大気、不活性又は還元性雰囲気中で溶解鋳造し
た。次にこれを800℃で熱間圧延して厚さ4■の板と
した後、細則を行って冷間圧延で厚さ1.0Wlとした
。これを500℃にて1時間焼鈍したのち、冷間圧延で
厚さ0.5 nunの板とし、これを150〜500℃
の温度で歪取焼鈍を行い、評価した。評価としては、強
度、伸びを引張試験により、電気伝導性(放熱性)を導
電率によって表面に発生するフクレの有無を目視観察す
ることにより評価した。
ゴットを電気銅あるいは無酸素銅を原料として、高周波
溶解炉で大気、不活性又は還元性雰囲気中で溶解鋳造し
た。次にこれを800℃で熱間圧延して厚さ4■の板と
した後、細則を行って冷間圧延で厚さ1.0Wlとした
。これを500℃にて1時間焼鈍したのち、冷間圧延で
厚さ0.5 nunの板とし、これを150〜500℃
の温度で歪取焼鈍を行い、評価した。評価としては、強
度、伸びを引張試験により、電気伝導性(放熱性)を導
電率によって表面に発生するフクレの有無を目視観察す
ることにより評価した。
本特許のポイントである錫又は半田めっき耐熱剥離性に
ついては、素材に5μの錫又は半田めっき(60%Sn
、40%pb)を施し、150℃の恒温槽に1000h
rまで保持し、 100hr毎に取り出して90°曲げ
往復1回を施して錫又は半田の剥離の有無を調べた。こ
れらの結果を第1表に示した。
ついては、素材に5μの錫又は半田めっき(60%Sn
、40%pb)を施し、150℃の恒温槽に1000h
rまで保持し、 100hr毎に取り出して90°曲げ
往復1回を施して錫又は半田の剥離の有無を調べた。こ
れらの結果を第1表に示した。
本発明例2〜7は本発明例1に各種副成分を添加した合
金である。いずれも強度が向上していることがわかる。
金である。いずれも強度が向上していることがわかる。
これらの中で本発明例6は、Zn、Mnを添加した合
金であるが、錫又は半田めつき耐熱剥離性が本発明例1
に比べてより向上していることがわかる。本発明例8,
9はSn量が多い例であり、Sn量の増加に伴い強度が
向上していることが法で230±5℃の半田浴(錫60
%、鉛40%)に5秒間浸漬し、半田のぬれの状態を目
視観察することにより評価した。メツキ密着性は試料に
厚さ3μのAgメツキを施し、450℃にて5分間加熱
し、歪取焼鈍を行わなかった例である。本発明例1〜9
に比べて伸び、ばね限界値が低く、又、繰り返し曲げ性
も悪い。そして錫又は半田めっき耐熱剥離性も悪いこと
がわかる。
金であるが、錫又は半田めつき耐熱剥離性が本発明例1
に比べてより向上していることがわかる。本発明例8,
9はSn量が多い例であり、Sn量の増加に伴い強度が
向上していることが法で230±5℃の半田浴(錫60
%、鉛40%)に5秒間浸漬し、半田のぬれの状態を目
視観察することにより評価した。メツキ密着性は試料に
厚さ3μのAgメツキを施し、450℃にて5分間加熱
し、歪取焼鈍を行わなかった例である。本発明例1〜9
に比べて伸び、ばね限界値が低く、又、繰り返し曲げ性
も悪い。そして錫又は半田めっき耐熱剥離性も悪いこと
がわかる。
本発明の製造方法によるCu −Sn −P系の合金は
、錫又は半田めっき耐熱剥離性が著しく改善されて、電
気電子部品用銅合金として好適である。
、錫又は半田めっき耐熱剥離性が著しく改善されて、電
気電子部品用銅合金として好適である。
以下余白
Claims (2)
- (1)Sn0.1〜3.0wt%、P0.01〜0.1
0wt%を含み、残部Cu及び不可避的不純物からなる
銅合金において、最終圧延の後、非酸化性もしくは還元
性雰囲気に於いて、歪取焼鈍を行うことを特徴とする錫
又は半田めっき耐熱剥離性の良好な電気電子部品用銅合
金の製造方法。 - (2)Sn0.1〜3.0wt%、P0.01〜0.1
0wt%を含み、さらに副成分として、Be、Mg、A
l、Si、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn
、Pb、Ag、Zrからなる1種又は2種を総量で0.
001〜3.0wt%含み、残部Cu及び不可避的不純
物からなる銅合金において、最終圧延の後、非酸化性も
しくは還元性雰囲気に於いて、歪取焼鈍を行うことを特
徴とする錫又は半田めっき耐熱剥離性の良好な電気電子
部品用銅合金の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29365188A JPH02141562A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 電気電子部品用銅合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29365188A JPH02141562A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 電気電子部品用銅合金の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02141562A true JPH02141562A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17797473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29365188A Pending JPH02141562A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 電気電子部品用銅合金の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02141562A (ja) |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29365188A patent/JPH02141562A/ja active Pending
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