JPH0228260B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半
導体素子の電極より延びる金属細線の銅系部材よ
りなるリ−ドへのボンデイング方法に関するもの
である。
導体素子の電極より延びる金属細線の銅系部材よ
りなるリ−ドへのボンデイング方法に関するもの
である。
一般に半導体装置は例えば放熱板に半導体素子
を固定すると共に、半導体素子の電極と一端が半
導体素子の近傍に位置するように配置されたリ−
ドとを金属細線にてボンデイングし、かつ半導体
素子を含む主要部分を樹脂材にてモ−ルド被覆し
て構成されている。
を固定すると共に、半導体素子の電極と一端が半
導体素子の近傍に位置するように配置されたリ−
ドとを金属細線にてボンデイングし、かつ半導体
素子を含む主要部分を樹脂材にてモ−ルド被覆し
て構成されている。
ところで、リ−ドは銅系部材にて構成されてい
る関係で、その表面には半導体装置の製造に利用
するまでの間に１〜2μｍの酸化銅（CuO）が形
成される。このために、半導体素子の電極より延
びる金属細線をリ−ドに超音波ボンデイングして
も安定したボンデイング強度が得られない。
る関係で、その表面には半導体装置の製造に利用
するまでの間に１〜2μｍの酸化銅（CuO）が形
成される。このために、半導体素子の電極より延
びる金属細線をリ−ドに超音波ボンデイングして
も安定したボンデイング強度が得られない。
従つて、従来においてはリ−ドにおける金属細
線のボンデイング予定部分に予めニツケル、銀の
順にメツキ層を形成したり、或いは銀又は金のメ
ツキ層を形成したりすることによつて金属細線の
リ−ドへのボンデイング性を良好ならしめてい
る。
線のボンデイング予定部分に予めニツケル、銀の
順にメツキ層を形成したり、或いは銀又は金のメ
ツキ層を形成したりすることによつて金属細線の
リ−ドへのボンデイング性を良好ならしめてい
る。
しかし乍ら、金属メツキ層には銀、金などの貴
金属が用いられる上、部分的にメツキ処理される
関係で、材料費は勿論のこと、加工費も高くな
り、半導体装置のコストが高くなるという問題が
ある。
金属が用いられる上、部分的にメツキ処理される
関係で、材料費は勿論のこと、加工費も高くな
り、半導体装置のコストが高くなるという問題が
ある。
このために、近時、金属メツキ層を省略してコ
スト低減を図ると共に、金属細線のリ−ドへのボ
ンデイング性を、金属メツキ層を具えたものに比
し余り損なわれないように配慮した製造方法が提
案されている。
スト低減を図ると共に、金属細線のリ−ドへのボ
ンデイング性を、金属メツキ層を具えたものに比
し余り損なわれないように配慮した製造方法が提
案されている。
例えば特開昭56−93338号公報には表面に金属
メツキ層の形成されていない銅系部材よりなるリ
−ドに金属細線に超音波ボンデイングするに際
し、リ−ド表面の酸化銅を水素焔又は水素流によ
つて還元する半導体装置の製造方法が開示されて
いる。
メツキ層の形成されていない銅系部材よりなるリ
−ドに金属細線に超音波ボンデイングするに際
し、リ−ド表面の酸化銅を水素焔又は水素流によ
つて還元する半導体装置の製造方法が開示されて
いる。
この方法によれば、リ−ド表面の酸化銅が水素
焔によつて還元されるために、金属細線のボンデ
イング性を良好ならしめることができるものの、
通常、金属細線のボンデイング時間は１個所当り
0.2〜0.3秒程度と極めて短いこともあつて、水素
焔によるリ−ド表面の還元を確実に行うことがで
きず、充分に満足しうるボンデイング性が得られ
ないという問題がある。
焔によつて還元されるために、金属細線のボンデ
イング性を良好ならしめることができるものの、
通常、金属細線のボンデイング時間は１個所当り
0.2〜0.3秒程度と極めて短いこともあつて、水素
焔によるリ−ド表面の還元を確実に行うことがで
きず、充分に満足しうるボンデイング性が得られ
ないという問題がある。
それ故に、本発明の目的は簡単な構成によつて
金属メツキ層の形成されていないリ−ドに金属細
線を確実に超音波ボンデイングできる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
金属メツキ層の形成されていないリ−ドに金属細
線を確実に超音波ボンデイングできる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
そして、本発明の特徴は半導体素子の電極より
延びる金属細線を表面に金属メツキ層の形成され
ていない銅系部材よりなるリ−ドに超音波ボンデ
イングするに先立つて、上記リ−ドの表面に亜酸
化銅を形成することにある。
延びる金属細線を表面に金属メツキ層の形成され
ていない銅系部材よりなるリ−ドに超音波ボンデ
イングするに先立つて、上記リ−ドの表面に亜酸
化銅を形成することにある。
この発明によれば、リ−ドの表面には酸化銅に
比し柔らかい亜酸化銅（Cu2O）が形成されてい
るので、金属細線の超音波ボンデイング時に、亜
酸化銅の被膜を超音波エネルギ−によつて確実に
破壊できることもあつて、金属細線のリ−ドに対
するボンデイング強度を充分に確保することがで
きる。
比し柔らかい亜酸化銅（Cu2O）が形成されてい
るので、金属細線の超音波ボンデイング時に、亜
酸化銅の被膜を超音波エネルギ−によつて確実に
破壊できることもあつて、金属細線のリ−ドに対
するボンデイング強度を充分に確保することがで
きる。
又、リ−ド表面の亜酸化銅は室温程度では安定
であり、酸化銅に変換されることもないので、特
別な保管状態を設定する必要がなく、在庫管理を
容易化できる。
であり、酸化銅に変換されることもないので、特
別な保管状態を設定する必要がなく、在庫管理を
容易化できる。
次に本発明の一実施例について説明する。
まず、銅材よりなるリ−ドフレ−ムを水素炉に
挿入し、放熱板、リ−ドの表面に形成されている
酸化銅（CuO）を還元する。次に、このリ−ドフ
レ−ムを酸素が不足する加熱雰囲気内に配置し、
それの表面に１〜2μｍの亜酸化銅（Cu2O）を形
成する。次に、リ−ドフレ−ムの放熱板に半導体
素子を導電性ペ−ストを用いて固定する。次に、
半導体素子の電極とリ−ドとを金属細線にて超音
波ボンデイング法によりボンデイングする。以
下、通常の方法にて半導体装置を製造する。
挿入し、放熱板、リ−ドの表面に形成されている
酸化銅（CuO）を還元する。次に、このリ−ドフ
レ−ムを酸素が不足する加熱雰囲気内に配置し、
それの表面に１〜2μｍの亜酸化銅（Cu2O）を形
成する。次に、リ−ドフレ−ムの放熱板に半導体
素子を導電性ペ−ストを用いて固定する。次に、
半導体素子の電極とリ−ドとを金属細線にて超音
波ボンデイング法によりボンデイングする。以
下、通常の方法にて半導体装置を製造する。
この実施例によれば、リ−ドフレ−ムにおける
リ−ドには亜酸化銅が形成されているので、金属
細線の超音波ボンデイング時に、亜酸化銅被膜が
破壊され易い。このために、金属細線のリ−ドに
対するボンデイング強度を充分に高めることがで
きる。
リ−ドには亜酸化銅が形成されているので、金属
細線の超音波ボンデイング時に、亜酸化銅被膜が
破壊され易い。このために、金属細線のリ−ドに
対するボンデイング強度を充分に高めることがで
きる。
又、リ−ドフレ−ムには貴金属によるメツキ層
が全く形成されないので、コストを大巾に低減で
きる。
が全く形成されないので、コストを大巾に低減で
きる。
さらには亜酸化銅の形成により酸化銅の生成を
防止できるために、金属細線のボンデイング性を
常に良好ならしめることができる。
防止できるために、金属細線のボンデイング性を
常に良好ならしめることができる。
Claims (1)
- １ 半導体素子の電極より延びる金属細線を表面
に金属メツキ層の形成されていない銅系部材より
なるリ−ドに超音波ボンデイングするに先立つ
て、上記リ−ドの表面に亜酸化銅を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114895A JPS607162A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114895A JPS607162A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607162A JPS607162A (ja) | 1985-01-14 |
| JPH0228260B2 true JPH0228260B2 (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=14649331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58114895A Granted JPS607162A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607162A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243222A (en) * | 1991-04-05 | 1993-09-07 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
| US5130274A (en) * | 1991-04-05 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58114895A patent/JPS607162A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS607162A (ja) | 1985-01-14 |
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