JPH08236565A - メッキしたボンディングワイヤ及びそれを用いて形成した相互接続 - Google Patents

メッキしたボンディングワイヤ及びそれを用いて形成した相互接続

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JPH08236565A
JPH08236565A JP8001764A JP176496A JPH08236565A JP H08236565 A JPH08236565 A JP H08236565A JP 8001764 A JP8001764 A JP 8001764A JP 176496 A JP176496 A JP 176496A JP H08236565 A JPH08236565 A JP H08236565A
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JP
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core
region
wire
metal
ball
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JP8001764A
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English (en)
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Michael R Vinson
アール．ビンソン マイクル
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Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 相互接続のためのボールボンディングに使用
される従来の金属ワイヤでは、半導体装置等の増進する
小型化に十分に対処できない。 【解決手段】 コア材料（１）が電気的導体（表皮効果
は存在しない）であるとき、コア材料は、接続を行うべ
きボンドパッドに適合性を有するように選択され使用さ
れる特定の材料を有するアルミニウム、銅、銀または金
等の高い電気的導電性を示す。外部メッキ材料は、電気
的導電性を示すと共に外部接続点の材料に適合性を有
し、かつボンドパッドに適合性を有するコア材料と合金
を形成することができるように選択される。２つのメッ
キ層が使用されるとき、中間層（３）は一般にワイヤ材
料及び外部層（５）との間で合金を形成することとな
り、該外部層はコア材料及び外部層のみの場合に比して
ボンドパッドに一層適合可能である。高周波オペレーシ
ョン（表皮効果が存在）の場合、コアは優れた電気的導
体である必要がないのに対して、メッキは優れた電気的
導体である必要がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電気的ワイヤ及
びそれを用いて行われる相互接続に関し、特に、半導体
装置等のボンドパッドに接続を行うのに使用するワイ
ヤ、相互接続及び相互接続を行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子装置の電気的相互接続は、現在のと
ころ、半導体装置のダイ上のパッド及びリードフレーム
のリードに金線を超音波併用溶接することによって一般
に行われている。この後、半導体装置及びリードフレー
ムの一部はプラスチック中に封止される。ワイヤの両端
の電気的接続において良好なボンディングを達成するた
め、装置を２４０℃を上回る温度に加熱する必要があ
る。
【０００３】ボールボンディングは周知の相互接続方法
であり、相互接続部の一端が半導体装置上のパッドに接
続されるものであるが、一般に金から成る相互接続ワイ
ヤの一端を加熱することによってワイヤの前記端部にボ
ールを形成するようになっている。次いで、一端にボー
ルを有するワイヤはキャピラリに通されて、一般に超音
波併用溶接によって半導体装置上のボンドパッドの表面
に溶接される。次いで、ワイヤの他端がキャピラリによ
ってリードフレーム等に対して押し付けられて押しつぶ
され、一般に超音波併用溶接によって、ワイヤの他端で
の接続が行われる。接続の順番に関して何らの区別も要
求されないため、これは現在利用できる最も高速の技術
である。従って、接続を行うために、作業またはツール
の向きにおける変化は何ら要求されない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】大寸法のダイが利用さ
れることに関連して半導体装置の小型化が増進されるこ
とに起因して、益々小型化される半導体装置のパッド寸
法における所要の低減のために、相互接続部自体の面積
または幾何学的形状を小さくすることは勿論のこと、ワ
イヤボンディングが行われる温度を下げることが必要で
ある。この理由は、多数のＩ／Ｏにおいて、加熱するこ
とによってダイ／リードフレームを異なる比率で膨脹さ
せ、それらの間の接着剤にクラックを発生させ得るとい
うことによる。この増進する小型化によって、現在のボ
ールボンディング技術が極めて扱い難いものとなってい
る。また、対向端部で異なる化学的性質を有するワイヤ
を提供することがしばしば必要である。何故ならば、２
つの接続箇所の化学的性質が異なるからであり、このこ
とによって従来技術のワイヤの使用において問題が引き
起こされる。従って、現在のボールボンディング技術
は、新しい世代の小型化された半導体装置には適合しな
いことになる。
【０００５】部品の更なる小型化と関連してボールボン
ディングを使用すべきであるならば、より小さなボール
には、ボール端部に対向するワイヤの端部に非常に小さ
なボンドを設ける必要があり、これは、この温度はクリ
ティカルではないが、実質的に約２０℃の極めて低い温
度で実行することが好ましい。プロセスの観点から、室
温でのオペレーションは、ヒータ及び関連する制御に対
する要求を除外するために価値がある。殆どのプロセス
は、約６０℃から約３５０℃に変化する或る程度の加熱
を考慮することとなる。次に最も望ましい温度は１７５
℃である。これは、殆どの装置がボンディングプロセス
外で少なくともこの温度にさらされるからである。本方
法はボンディング温度を低くするものである。何故なら
ば、結合すべき２つの材料が従来技術に比して一層適合
可能であり、このため少ない時間−温度−圧力が必要な
だけである。ボンドは、該ボンドの寸法を増大する圧力
を必要とするため、本手順はまたボンドの寸法を小さく
するものである。
【０００６】更に生じる問題は、ボール側で結合を行う
材料が、他方のワイヤ端部で結合を行う材料と相違し得
ることである。従って、関連するボンディング領域に対
するボンディングに要求される特性と整合する異なる特
性を対向端部に有するワイヤを備えることが必要である
ことは明瞭である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、大気温
度（約２０℃）を上回る熱を必要とせず、この結果、現
在有効な設備上のボールボンダの高い生産性で熱に敏感
なパッケージを相互接続することができるプロセスが提
供される。ダイ上の金属及びリードフレーム上の金属は
一般に異なるので、化学的不整合（原子寸法、結晶構
造、寸法、化学的ボンディング特性等）を含む材料に起
因する或る程度の問題をもたらすことなく、有効に使用
することができる単一材料を見い出だすことはこれまで
不可能であった。この問題もまた本発明によって解消さ
れる。
【０００８】簡潔に述べると、従来技術に固有の諸問題
は、対向端部の異なる特性をもたらすことができるワイ
ヤを提供することによって解消される。第１の実施例に
よれば、金属ワイヤまたはコアは、コア材料とは異なる
金属でメッキされる。ボール形成の際にボールに形成さ
れる複合合金材料は、ワイヤ及びメッキの材料から構成
される。付加的実施例としてこの合金にパッド材を付加
することができる。金属ワイヤ及びメッキ材料は、ボー
ルに形成される合金がパッドにて優れた電気的接続をも
たらすと共に、メッキ自体がワイヤの対向端部でワイヤ
を接続すべき表面と良好な電気的接続をもたらすように
選択される。このようにして、ワイヤの相互接続部の双
方の端部で、最適化された特性がもたらされる。
【０００９】動作において、ダイパッド上の第１ボンド
はメッキされたワイヤの一端を溶融することによって形
成されて、場合場合で、コア及びメッキの合金またはコ
ア及びメッキの均一混合物から成るボールを形成するよ
うになっている。次いで、相互に拡散するボール及び恐
らくはダイパッドからの或る種の材料から構成されるパ
ッドでの合金の形成において、ボールは標準的な方法で
キャピラリに込められ、例えば超音波等によって標準的
な方法でダイパッド金属に取り付けられる。ダイパッド
の材料はメッキまたはワイヤと同一であっても良いし、
或いは単にボールの材料に適合性を有する（compatibl
e）ものであって良い。ワイヤを溶融することによっ
て、メッキは幾分コア材料と混合して、より多くのコア
材料特性を帯びることとなる。第２ボンドは、従来技術
におけるようなキャピラリを用いてリード材料にワイヤ
を直接打ち付けて（directly smashing ）、超音波でリ
ード材料にワイヤを結合させることによって形成され
る。メッキは、主要なコンタクト材料である。ダイパッ
ド及びリード材料の特性に応じて、異なるコア及びメッ
キ材料を使用することができる。
【００１０】メッキがもたらす別の利点は、特にコアワ
イヤが腐蝕及び／又は酸化を受け易ければ、腐蝕を阻止
することにある。例えば、ニッケルでメッキされたアル
ミニウムワイヤの場合、一旦プラスチック中に封止され
ると、ワイヤはニッケルによってシールドされることと
なる。ワイヤを加熱して溶融させることによってもたら
されるボール形成プロセスは、酸素（通常は空気）雰囲
気中で加熱されるときに腐蝕を引き起こす。例えばアル
ミニウム及びマグネシウム等の金属は、実際に可燃性で
ある。メッキはコア材料の周囲にシールドをもたらすこ
とによって他の場合は勿論のこと、処理の際にこの種の
腐蝕を阻止する。このために、例えば、銀及び／又は恐
らくは純粋なアルミニウム等のさもなくば除かれるコア
材料の中には、メッキによって酸化及び／又は腐蝕から
保護されて使用することができるものもある。
【００１１】電流が表皮効果に起因して導体の表面上を
流れるために、メッキ材料が高い導電性を示せば、高周
波装置は高い性能を示すこととなる。メッキされたワイ
ヤは新規なものではないが、半導体装置の相互接続にお
いてメッキされたワイヤを使用することは、現在のとこ
ろない。
【００１２】概略すると、半導体装置等のボンドパッド
に接続を行うのに使用するワイヤと、相互接続と、半導
体装置等及び１つ以上の異なるメッキ層を有することが
できるメッキされたワイヤを備えた外部接続点の間に相
互接続を行う方法とが提供される。コア材料が電気的導
体（表皮効果は存在しない）であるとき、コア材料は、
接続を行うべきボンドパッドに適合するように選択され
た特別の材料を有するアルミニウム、銅、銀または金等
の高い電気的導電性を示す。外側のメッキ材料は、電気
的に導電性であると共に外部の接続点の材料に適合性を
有し、かつボンドパッドに適合性を有するコア材料と共
に合金を形成することができるように選択される。例え
ば、ニッケル及びパラジウムは、メッキ材料に好適であ
る。２つのメッキ層を使用するとき、中間層は一般にワ
イヤ材料との合金をもたらすこととなり、外側の層はコ
ア材料に比してボンドパッド材料により適合性を有する
こととなる。中間層は、例えば内部層に外部層を固着す
る等の他の望ましい特性をもたらすことにも使用するこ
とができる。表皮効果が存在する高周波オペレーション
の場合、コアは優れた電気的導体である必要がないのに
対して、メッキは優れた電気的導体である必要がある。
さもなくば、ボンディングに対する要求は同一である。
一般に、コア材料及びメッキ材料の特性は、要求される
端部使用のための導体の総合的全特性を高めるべく形成
することができる。
【００１３】「メッキ」という用語は、これまでコア上
の被覆層（layer 又はlayers）を説明するのに使用して
きたが、この層状体（layer ）は任意の既知の技術によ
ってコア上に形成することができ、この発明はメッキの
プロセスに制限されないことを了知すべきである。この
層状体はコア上のクラッドであることが単に必要であ
る。
【００１４】本発明に従って使用することができるワイ
ヤの例の中には、Ａｌ／Ｐｔ，Ａｌ／Ｐｄ，Ａｌ／Ｎ
ｉ，Ｃｕ／Ａｌ，Ｃｕ／Ｎｉ，Ｃｕ／Ｐｄ，Ａｌ／Ｎｉ
／Ｐｄ及びＣｕ／Ｎｉ／Ｐｄが含まれる。１つの層状体
を有するワイヤに対するコアに関する層状体の寸法は、
一般に、全断面の５０％未満であり、２つの層状体を有
するコアに対しては、一般に、全断面の６０％未満であ
る。
【００１５】第２の実施例によれば、ワイヤは、最初、
これらに限定されることはないが、例えばＣｕ／Ａｕ，
Ｃｕ／Ｍｇ，Ｃｕ／Ｂｅ／Ｌｉ、及びこれらの金属のう
ちの１つが既に酸素のゲッタでなければ酸素ゲッタ、好
ましくはそのうちの少なくとも１つが例えば酸化／還元
形式の反応によって変換されて、最初の均一合成物を取
り囲む新しい合金合成物の晶帯（a zone of new alloy
composition ）を生成できるような銅及びアルミニウム
（アルミニウムは酸素のゲッタである）等の少なくとも
２つの金属から成る均一混合物である。このプロセス
は、超伝導合金及び支持ケーシングを生成するのに使用
するものと同様である。反応は、例えば酸化物または窒
化物微粒子等の反応要素によって細かい微粒子の分散を
生成することができたり、または晶帯における反応要素
の合金を凅渇させる（deplete ）ことができる。分散の
例は、９０原子％のＣｕ及び１０原子％のＬｉのＣｕ／
Ｌｉ合金である。合金に酸素を部分的に拡散させること
によって、より純粋な形式の銅が外部／拡散領域に優れ
た導体として残存し、一方コアは合金の特性を維持する
こととなる。合金の凅渇の例は、Ｚｎを酸浴槽（acid b
ath ）によってＣｕから除去することができる黄銅（Ｃ
ｕ７０％、Ｚｎ３０％）である。ワイヤに存在する各要
素の量はクリティカルではなく、単にここで論じるよう
な所要特性をもたらすのに十分であれば良い。
【００１６】次いで、酸素は、ワイヤ中に部分的に伸び
ている領域中に拡散される。加熱すると直ちに、酸素は
銅を浄化（purify）すると共に、表面領域のアルミニウ
ム酸化物中のアルミニウムを酸化する。銅は表面領域で
相互接続用の多孔性を維持すると共に高い導電性を示す
のに対して、ワイヤの中央部分は２つの高い導電性の金
属を含むと共に高い電気的導電性を示す。この結果、分
散したアルミニウム酸化物及びコアの均一な最初の混合
物を有するワイヤの外面上に単一金属が形成される。こ
のワイヤの利点は、別に要求されるような形成ガス雰囲
気以外の大気雰囲気中でキャピラリを使用して、標準的
方法で接続することができるということである。また、
クラッド段階は何ら必要ない。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１について参照すると、本発明
の第１の実施例によって使用されるワイヤが示されてい
る。このワイヤは電気的導電性材料１から成るコアを含
んでいる。このコアはアルミニウムであるとして示さ
れ、ニッケルであるとして示されると共に１ミクロンの
厚さを有するメッキ３を含んだ２５．４μｍ（０．００
１インチ）の直径を有している。図に示した形式のワイ
ヤを加熱してボールを形成するとき、ボール中の得られ
た混合物は、重量百分率でアルミニウムが約６０％でニ
ッケルが約４０％である。ボールは一般に標準的方法で
アルミニウムパッドに結合されるのに対して、ワイヤの
対向端部は標準的方法でリードフレーム材料に打ち付け
（smashing）られる。ニッケルメッキは主要なコンタク
ト材料であって、一般にパラジウムメッキされたリード
に対して打ち付けられる。
【００１８】図２について参照すると、パラジウムから
成る付加的な層５が付加された点を除いて図１と同一の
ワイヤが示されている。動作において、外部層はパラジ
ウムから成るので、この材料は、図１のニッケルに比し
てパラジウム被覆のリードフレームに対してより一層適
合性を有する。その他の点では、動作は、ニッケルの他
に或る程度のパラジウムを含んだボールでの合金におい
て同一である。この実施例では、ニッケル層の厚さは、
該ニッケル層の厚さの約半分の厚さを有するパラジウム
層を用いているので、図１の厚さに対し幾分低減するこ
とができる。例として、２５ミクロンのアルミニウムの
コアに対して、ニッケル層は約０．１ミクロンで、パラ
ジウム層は約０．０５ミクロンである。
【００１９】図３を参照すると、本発明によって使用す
ることができるワイヤの更なる実施例が示されている。
ワイヤ１１は、リチウムが均一に分散され、重量百分率
で最初３％であった銅から構成される。次いで、酸素
が、１３で示されている領域のワイヤ中に約１％から約
５０％（薄い層は高周波に対して好ましい）拡散され、
加熱される。この結果、領域１３のリチウムが、不純物
に対するゲッタとして作用するリチウムを有するリチウ
ム酸化物に変えられる。形成されたリチウム酸化物は、
該リチウム酸化物によって占有されない空間を銅が満た
している状態で相互接続用の多孔性を有するため、領域
１３は高い電気的導電性を示す。酸素が拡散しないワイ
ヤの中央部分は、銅及びリチウムの均一混合物として残
っており、高い電気的導電性を示す。従って、ボール
は、実質的に銅、リチウム及び或る程度のリチウム酸化
物から成るワイヤの一端に形成することができるのに対
して、ワイヤの対向端部は、銅のリードフレームに適合
性を有する銅を大部分含むことになる。
【００２０】以上、この発明を特定の好ましい実施例に
ついて説明したが、多くの変形及び修正は当業者にとっ
て直ちに明瞭となろう。従って、この種の全ての変形及
び修正を含むべく、特許請求の範囲は従来技術を考慮し
てできる限り広く解釈すべきである。
【００２１】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）電気的相互接続を行う複合ワイヤにおいて、
（ａ）金属コアと、（ｂ）前記コアの材料以外の材料か
ら成る前記コアを取り囲む金属を含んだ領域であって、
前記ワイヤの一端で実質的に前記コアの材料及び前記領
域の材料の混合物から成るボールを形成することがで
き、前記混合物は所定のパッド材料に電気的に適合性を
有すると共に、前記領域は前記パッド材料とは異なる所
定のリード材料に電気的に適合性を有してなる前記領域
と、を具備したことを特徴とする前記ワイヤ。 （２）第１項記載のワイヤにおいて、前記コアは銅また
はアルミニウムのうちの一方であり、前記領域は、前記
コアがアルミニウムのとき、プラチナ、パラジウム、ニ
ッケルまたはニッケル上に被覆されたパラジウムのうち
の１つであり、かつ前記コアが銅のとき、アルミニウ
ム、ニッケル、パラジウムまたはニッケル上に被覆され
たパラジウムのうちの１つであることを特徴とする前記
ワイヤ。 （３）第１項記載のワイヤにおいて、前記コアは前記領
域に比してより高い電気的導電性を示すことを特徴とす
る前記ワイヤ。
【００２２】（４）第１項記載のワイヤにおいて、前記
領域は、前記コアに比してより高い電気的導電性を示す
ことを特徴とする前記ワイヤ。 （５）第１項記載のワイヤにおいて、前記コアは銅及び
リチウムの混合物であり、前記領域は銅及びリチウム酸
化物の混合物であることを特徴とする前記ワイヤ。 （６）電気的接続を形成する方法において、（ａ）第１
の材料から成る第１の領域及び電気的相互接続が行われ
る前記第１の材料とは異なる材料から成る第２の領域を
設ける段階と、（ｂ）金属コアを設ける段階と、（ｃ）
前記コアの材料以外の材料から成る前記コアを取り囲む
金属を含んだ領域であって、ワイヤの一端で実質的に前
記コアの材料及び前記領域の材料の混合物から成るボー
ルを形成することができ、前記混合物は前記第１の領域
の前記第１の材料に電気的に適合性を有すると共に、前
記領域は前記第２の領域の前記材料に電気的に適合性を
有してなる前記金属を含んだ領域を設ける段階と、
（ｄ）前記ボールを形成する段階と、（ｅ）前記第１の
領域に前記ボールを固定する段階と、を具備したことを
特徴とする前記方法。
【００２３】（７）第６項記載の方法において、前記ボ
ールから離隔した前記ワイヤの端部の前記領域を前記第
２の領域に固定する段階を更に具備したことを特徴とす
る前記方法。 （８）第６項記載の方法において、前記コアは銅または
アルミニウムのうちの一方であり、前記領域は、前記コ
アがアルミニウムのとき、プラチナ、パラジウム、ニッ
ケルまたはニッケル上に被覆されたパラジウムのうちの
１つであり、かつ前記コアが銅のとき、アルミニウム、
ニッケル、パラジウムまたはニッケル上に被覆されたパ
ラジウムのうちの１つであることを特徴とする前記ワイ
ヤ。 （９）第６項記載のワイヤにおいて、前記コアは前記領
域に比してより高い電気的導電性を示すことを特徴とす
る前記方法。
【００２４】（１０）第６項記載のワイヤにおいて、前
記領域は、前記コアに比してより高い電気的導電性を示
すことを特徴とする前記方法。 （１１）第７項記載の方法において、前記コアは銅また
はアルミニウムのうちの一方であり、前記領域は、前記
コアがアルミニウムのとき、プラチナ、パラジウム、ニ
ッケルまたはニッケル上に被覆されたパラジウムのうち
の１つであり、かつ前記コアが銅のとき、アルミニウ
ム、ニッケル、パラジウムまたはニッケル上に被覆され
たパラジウムのうちの１つであることを特徴とする前記
方法。 （１２）第７項記載のワイヤにおいて、前記コアは前記
領域に比してより高い電気的導電性を示すことを特徴と
する前記方法。
【００２５】（１３）第７項記載のワイヤにおいて、前
記領域は、前記コアに比してより高い電気的導電性を示
すことを特徴とする前記方法。 （１４）第１項記載のワイヤにおいて、前記コアは銅及
びリチウムの混合物であり、前記領域は銅及びリチウム
酸化物の混合物であることを特徴とする前記方法。 （１５）（ａ）第１の材料から成る第１の領域及び電気
的相互接続を行うべき前記第１の材料とは異なる材料か
ら成る第２の領域と、 （ｂ）一方の端部にボールを備えたワイヤであって、
（ｉ）金属コアと、（ｉｉ）前記コアの材料以外の材料
から成る前記コアを取り囲むと共に、実質的に前記コア
の材料及び金属領域の材料の混合物から構成される前記
ボールを形成する前記金属領域であって、前記混合物が
前記第１の領域の材料に電気的に適合性を有し、前記領
域が前記第２の領域の材料に電気的に適合性を有する前
記金属領域と、を含む前記ワイヤと、 （ｃ）前記ボール及び前記第１の領域の間の電気的接続
部と、を具備したことを特徴とする電気的接続。
【００２６】（１６）第１５項記載の接続において、前
記ボールから離隔した前記ワイヤの端部の前記領域及び
前記第２の領域の間の電気的接続部を更に具備したこと
を特徴とする接続。 （１７）第１５項記載の接続において、前記コアは銅ま
たはアルミニウムのうちの一方であり、前記領域は、前
記コアがアルミニウムのとき、プラチナ、パラジウム、
ニッケルまたはニッケル上に被覆されたパラジウムのう
ちの１つであり、かつ前記コアが銅のとき、アルミニウ
ム、ニッケル、パラジウムまたはニッケル上に被覆され
たパラジウムのうちの１つであることを特徴とする前記
接続。 （１８）第１５項記載の接続において、前記コアは前記
層に比してより高い電気的導電性を示すことを特徴とす
る前記接続。
【００２７】（１９）第１５項記載のワイヤにおいて、
前記層は、前記コアに比してより高い電気的導電性を示
すことを特徴とする前記接続。 （２０）第１６項記載の接続において、前記コアは銅ま
たはアルミニウムのうちの一方であり、前記領域は、前
記コアがアルミニウムのとき、プラチナ、パラジウム、
ニッケルまたはニッケル上に被覆されたパラジウムのう
ちの１つであり、かつ前記コアが銅のとき、アルミニウ
ム、ニッケル、パラジウムまたはニッケル上に被覆され
たパラジウムのうちの１つであることを特徴とする前記
接続。 （２１）第１６項記載の接続において、前記コアは前記
領域に比してより高い電気的導電性を示すことを特徴と
する前記接続。
【００２８】（２２）第１６項記載の接続において、前
記領域は、前記コアに比してより高い電気的導電性を示
すことを特徴とする前記接続。 （２３）第１６項記載の接続において、前記コアは銅及
びリチウムの混合物であり、前記領域は銅及びリチウム
酸化物の混合物であることを特徴とする前記接続。 （２４）半導体装置等のボンディングパッドに対する接
続を行うのに使用するワイヤと、相互接続と、半導体装
置等及び１つ以上の異なるメッキ層を有することができ
るメッキ３されたワイヤ１を有する外部接続点の間の相
互接続を行う方法。コア材料１が電気的導体（表皮効果
は存在しない）であるとき、コア材料は、接続を行うべ
きボンドパッドに適合性を有するように選択され使用さ
れる特定の材料を有するアルミニウム、銅、銀または金
等の高い電気的導電性を示す。外部メッキ材料は、電気
的導電性を示すと共に外部接続点の材料に適合可能であ
り、かつボンドパッドに適合性を有するコア材料と合金
を形成することができるように選択される。例えば、ニ
ッケル及びパラジウムは適切なメッキ材料である。２つ
のメッキ層が使用されるとき、中間層３は一般にワイヤ
材料及び外部層５との間で合金を形成することとなり、
該外部層はコア材料及び外部層のみの場合に比してボン
ドパッドに一層適合性を有する。高周波オペレーション
（表皮効果が存在）の場合、コアは優れた電気的導体で
ある必要がないのに対して、メッキは優れた電気的導体
である必要がある。それ以外では、ボンディングに対す
る要求は同一である。一般に、コア材料及びメッキ材料
の特性は、所定の端部使用に対する導体の総合的な全特
性を高めるように形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従って使用される１つの金属層を有す
る複合ワイヤの断面図である。
【図２】本発明に従って使用される２つの金属層を有す
る複合ワイヤの断面図である。
【図３】層状体が本発明の別の実施例に従って均一コア
からの化学作用によって形成されたワイヤの断面図であ
る。
【符号の説明】
１ コア ２ メッキ ３ 付加的層 １１ ワイヤ １３ 領域 １５ 中央部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気的相互接続を行う複合ワイヤにおい
    て、（ａ）金属コアと、（ｂ）前記コアの材料以外の材
    料から成る前記コアを取り囲む金属を含んだ領域であっ
    て、前記ワイヤの一端で実質的に前記コアの材料及び前
    記領域の材料の混合物から成るボールを形成することが
    でき、前記混合物は所定のパッド材料に電気的に適合性
    を有すると共に、前記領域は前記パッド材料とは異なる
    所定のリード材料に電気的に適合性を有してなる前記領
    域と、を具備したことを特徴とする前記ワイヤ。
  2. 【請求項２】 電気的接続を形成する方法において、
    （ａ）第１の材料から成る第１の領域及び電気的相互接
    続が行われる前記第１の材料とは異なる材料から成る第
    ２の領域を設ける段階と、（ｂ）金属コアを設ける段階
    と、（ｃ）前記コアの材料以外の材料から成る前記コア
    を取り囲む金属を含んだ領域であって、ワイヤの一端で
    実質的に前記コアの材料及び前記領域の材料の混合物か
    ら成るボールを形成することができ、前記混合物は前記
    第１の領域の前記第１の材料に電気的に適合性を有する
    と共に、前記領域は前記第２の領域の前記材料に電気的
    に適合性を有してなる前記金属を含んだ領域を設ける段
    階と、（ｄ）前記ボールを形成する段階と、（ｅ）前記
    第１の領域に前記ボールを固定する段階と、を具備した
    ことを特徴とする前記方法。
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