JP2005259915A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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alloy ball
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Tomomutsu Obiya
智睦 帯屋
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    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48817—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48824—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
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Abstract

【課題】長期信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０４と、半導体チップ１０４に設けられたアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂと、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂ上に設けられ、金とＰｄとを含有する合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂと、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂに接続し、金からなる表面を有する金線１１０ａ、１１０ｂと、を備える半導体装置１００を提供する。合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂは、金を９８質量％以上９９．５質量％以下含み、パラジウムを０．５質量％以上２質量％以下含有する組成とすることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、半導体素子の高信頼性の実現を目的として、様々なワイヤーボンディング法による半導体素子の接続方法の開発が精力的に行われている。この種の技術として、特許文献１記載のものがある。同文献に記載された半導体装置を図４に示す。
この半導体装置（高周波回路装置２００）は、ベースプレート２０１上に高周波用半導体基板２０４と高周波用回路基板２０６とを備える。高周波用回路基板２０６上には高周波伝送線路２０５が設けられている。
一方、高周波用半導体基板２０４上にはボンディングパッド２０８が設けられている。ボンディングパッド２０８上には金属バンプ２１１が設けられている。ワイヤーボンディング始点２０９から伸ばされたボンディングワイヤ２０７は金属バンプ２１１に接続している。
この技術では、接続部での信頼性の充分な保持が得られるように、ボンディングパッド２０８上に金、銅などの金属からなる金属バンプ２１１をあらかじめ形成し、これにワイヤーボンディングを行っている。
また、この種の技術として、特許文献２記載のものもある。同文献に記載された半導体装置を図５に示す。
この半導体装置３００は、配線基板３０１上に下側の半導体チップ３０３と上側の半導体チップ３０６とを備える。下側の半導体チップ３０３は、配線基板３０１と金ボールバンプ３０４ａ、３０４ｂを介してフェイスダウン接続している。半導体チップ３０６は、主面が上向きとなるように、接着剤３０７を介して下側の半導体チップ３０３上に設けられている。半導体チップ３０３の側面および下面は接着性樹脂層３０９に覆われており、接着性樹脂層３０９により配線基板３０１上に固着されている。
上側の半導体チップ３０６の上面には、アルミニウムなどからなる電極パッド３１０ａ、３１０ｂが設けられている。配線基板３０１の上面にも、アルミニウムなどからなる接続パッド３０２ａ、３０２ｂが設けられている。電極パッド３１０ａ、３１０ｂと接続パッド３０２ａ、３０２ｂとはボンディングワイヤ３０８ａ、３０８ｂによりそれぞれ接続されている。
この技術では、複数の半導体素子を高密度に実装することを目的とし、上記のような構造を採用している。また、アルミニウムなどからなる電極パッド３１０ａ、３１０ｂおよび接続パッド３０２ａ、３０２ｂ上に直接ワイヤーボンディングを行っている。
また、この種の技術として、特許文献３記載のものもある。同文献に記載された半導体装置を図６に示す。
この半導体装置４００は、絶縁膜４１０内にリード４０５を備える。絶縁膜４１０およびリード４０５上には、接着テープ４０６を介して、半導体チップ４０１が設けられている。半導体チップ４０１上には電極パッド４０２が設けられている。電極パッド４０２上には金ボールバンプ４１４が設けられている。
リード４０５上のワイヤーボンディング始点４１５から伸ばされたボンディングワイヤ４０４が、金ボールバンプ４１４に接続している。接着テープ４０６、半導体チップ４０１、電極パッド４０２、金ボールバンプ４１４、ボンディングワイヤ４０４、ワイヤーボンディング始点４１５は、いずれも樹脂封止体４０７により封止されている。絶縁膜４１０の裏面には半田ボール４０８が設けられている。
この技術では、半導体装置の小型化を目的として、電極パッド４０２に金ボールバンプ４１４を形成した後、ワイヤーボンディング始点４１５から垂直に近い角度でボンディングワイヤ４０４を伸ばし、金ボールバンプ４１４までリバースワイヤーボンディングしている。
特開２００１−２３７２６３号公報 特開２００１−１５６７７号公報 特開平１１−９７４７６号公報
しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
本発明者は、上述のようなエポキシ樹脂などの樹脂封止体により封止された半導体装置で、半導体チップと外部リードとを接続するのに、純度９９．９９％程度の純金からなる金線のワイヤーボンディングを使用する場合、長期に渡り使用した場合に、微量の水分により半導体チップのアルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性が低下する場合があることを見出した。
特許文献１は、アルミニウムなどからなるボンディングパッド上に予め金、銅などからなる金属バンプを形成しているが、上述のように、アルミニウムパッドと金バンプとの接合部分のコンタクト性は、長期に渡る使用により低下する場合がある。また、金属バンプが銅バンプである場合に、金線によるワイヤーボンディングを行った場合には、銅バンプと金線とのコンタクト性が不充分となる場合がある。
特許文献２は、アルミニウムパッドに直接、金線のワイヤーボンディングを行っている構成であるため、上述のように、アルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性が、長期に渡る使用により低下する場合がある。
特許文献３は、電極パッド上に金ボールバンプを備える構成であるため、電極パッドがアルミニウムパッドである場合には、上述のように、アルミニウムパッドと金バンプとの接合部分のコンタクト性は、長期に渡る使用により低下する場合がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、長期信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。
本発明によれば、半導体素子と、半導体素子に設けられた電極パッドと、電極パッド上に設けられ、金とＰｄとを含有する金属バンプと、金属バンプに接続し、金からなる表面を有する導電線と、を備える半導体装置が提供される。
この構成によれば、金属バンプは、金とＰｄとを含有するため、電極パッドと金属バンプとの接合部分のコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持され、長期信頼性に優れる半導体装置が得られる。
また、本発明によれば、半導体素子に電極パッドを設ける工程と、電極パッド上に、金とＰｄとを含有する金属バンプを設ける工程と、金属バンプに金からなる表面を有する導電線を接続する工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
この方法によれば、電極パッド上に、金とＰｄとを含有する金属バンプを設ける工程を含むため、コンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される電極パッドと金属バンプとの接合部分を形成でき、長期信頼性に優れる半導体装置を製造できる。
以上、本発明の構成について説明したが、これらの構成を任意に組み合わせたものも本発明の態様として有効である。また、本発明の表現を他のカテゴリーに変換したものもまた本発明の態様として有効である。
例えば、本発明の半導体装置は、単独の半導体素子を備える半導体装置であってもよいが、複数の半導体素子を備える半導体装置であってもよい。これらの半導体素子は互いに接続されていてもよいし、互いに接続されていなくてもよい。
本発明によれば、特定の組成からなる金属バンプを備えるため、長期信頼性に優れる半導体装置が得られる。
本発明において、金属バンプは、金を９８質量％以上９９．５質量％以下含み、Ｐｄを０．５質量％以上２質量％以下含有することができる。
この構成によれば、長期にわたる使用においても、電極パッドと金属バンプとの接続部における腐食の発生が抑制されるため、電極パッドと金属バンプとのコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される。
また、電極パッドは、アルミニウムを含有してもよい。
この構成によれば、導電性、加工性および低コスト性に優れるアルミニウムからなる電極パッドを備える半導体装置を得ることができる。また、長期にわたる使用においても、アルミニウムからなる電極パッドと金属バンプとの接続部における腐食の発生が抑制されるため、電極パッドと金属バンプとのコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される。
また、上記導電線は、金線であってもよい。
この構成によれば、金線は成形性が良好であり、金線と上記組成からなる金属バンプとのコンタクト性も良好であるため、ワイヤーボンディングなどにより金線と金属バンプとの接続を好適に行うことができる。また、金線は導電性にも優れる。
また、上記導電線は、ＴＡＢテープ上の導電線であってもよい。
この構成によれば、ＴＡＢテープは成形性が良好であり、ＴＡＢテープ上の金からなる表面を有する導電線と上記組成からなる金属バンプとのコンタクト性も良好であるため、ＴＡＢボンディングなどによりＴＡＢテープ上の導電線と金属バンプとの接続を好適に行うことができる。
本発明において、上記半導体装置は、半導体素子と、電極パッドと、金属バンプと、導電線と、を封止する樹脂封止体をさらに備えてもよい。
この構成によれば、樹脂封止体により水分の侵入が抑制されるため、電極パッドと金属バンプとのコンタクト抵抗の安定性が長期にわたって維持される。
本発明において、上記半導体装置は、リード線と、リード線の端部に設けられ、導電線と接続し、金とＰｄとを含有する第二の金属バンプと、をさらに備えてもよい。
この構成によれば、リード線と金属バンプとの接続部における腐食の発生が抑制されるため、リード線と金属バンプとのコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される。
また、リード線の端部は、アルミニウムを含有してもよい。
この構成によれば、導電性、加工性および低コスト性に優れるアルミニウムからなるリード線を備える半導体装置を得ることができる。また、アルミニウムを含有するリード線の端部と金属バンプとの接続部における腐食の発生が抑制されるため、リード線と金属バンプとのコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される。
また、樹脂封止体は、リード線の端部と、第二の金属バンプと、をさらに封止してもよい。
この構成によれば、樹脂封止体により水分の侵入が抑制されるため、リード線の端部と金属バンプとのコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
<実施形態１>
図１は、本実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。
半導体装置１００は、アイランド１０２の上に接着剤で接着された半導体チップ１０４を備える。半導体チップ１０４上面には、ワイヤーボンディング用のアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂが形成されている。アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂ上には、それぞれ合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂが形成されている。
半導体チップ１０４の両側には、半導体チップ１０４と間隔を空けてリード１１２ａ、１１２ｂが設けられている。リード１１２ｂの端部には、合金ボールバンプ１１８が設けられている。合金ボールバンプ１１８は、高純度金線１１０ｂにより合金ボールバンプ１０８ｂと接続されている。リード１１２ａの端部は、高純度金線１１０ａにより、合金ボールバンプ１０８ａと接続されている。
上記のアイランド１０２、半導体チップ１０４、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂ、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、高純度金線１１０ａ、１１０ｂ、リード１１２ａ、１１２ｂの端部は、樹脂封止体１１４により封止されている。
半導体装置１００に用いられる合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１１８は、たとえば９９．９９％以上の純度からなる高純度金に、Ｐｄを混合溶融して得られる金線を用いて作成される。このため、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂと合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとの接合部分のコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される利点がある。なお、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、ＢｅおよびＣａからなる群から選ばれる１種以上の金属を微量に含んでいてもよい。
以下、本実施形態の構成による作用効果について説明する。
半導体装置１００は、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂに高純度金線１１０ａ、１１０ｂが接続している。高純度金線１１０ａ、１１０ｂは、成形性に優れる。また、高純度金線１１０ａ、１１０ｂと、上記組成からなる合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとはコンタクト性も良好である。このため、高純度金線１１０ａ、１１０ｂは、ワイヤーボンディングにより容易に合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとコンタクト性よく接続しうる。よって、半導体装置１００は、コンタクト性および製造安定性に優れる構成を有する利点がある。
一方、従来の半導体装置においては、半導体チップのアルミニウムパッドと金線とが直接に接合していたので、長期に渡り使用した場合に、微量の水分によりアルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性が低下する場合があった。
図８は、このようにアルミニウムパッドと金線とが直接に接合する構成を備える半導体装置について説明するための模式的な断面図である。
図８（ａ）は、Ｂｒ腐食モードによるアルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性の低下のメカニズムを示す模式的な断面図である。このように、アルミニウムパッドと金線との接合部分の周囲の樹脂中にＢｒが含まれている場合、樹脂中のＢｒが触媒となり、ボンディングボール８０２と接触するアルミニウムパッド中の合金層が酸化され、腐食層８０４となる場合がある。
具体的には、下記の２式に示す化学反応が生じると考えられる。
Ａｕ4Ａｌ＋３Ｂｒ→ＡｌＢｒ3＋４Ａｕ
２ＡｌＢｒ3＋３Ｏ→Ａｌ2Ｏ3＋６Ｂｒ
このように、最終的には、アルミニウムパッドの表面にアルミナが生成してしまう。
図８（ｂ）は、カーケンダールボイドモードによるアルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性の低下のメカニズムを示す模式的な断面図である。このように、ボンディングボール８０２とアルミニウムパッドとの接合部分におけるＡｕとＡｌとの拡散係数の差により接合部分の周囲にボイドが発生し、カーケンダールボイド層８０６となる場合がある。
図９は、従来の半導体装置におけるアルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性について説明するための写真断面図である。
図９（ａ）は、Ｂｒ腐食モードによるアルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性の低下のメカニズムを示す写真断面図である。このように、ボンディングボール９０２と接触するアルミニウムパッド中の合金層が酸化され、腐食層９０４となる場合がある。
図９（ｂ）は、カーケンダールボイドモードによるアルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性の低下のメカニズムを示す写真断面図である。このように、ボンディングボール９０２とアルミニウムパッドとの接合部分におけるＡｕとＡｌとの拡散係数の差により接合部分の周囲にボイドが発生し、カーケンダールボイド層９０６となる場合がある。
これに対して、本実施形態の半導体装置においては、金線のボンディングボールとアルミニウムパッドとの間に、金とＰｄとを含有する合金ボールバンプが設けられているため、アルミニウムパッドと合金ボールバンプとの接合部分のコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される。また、金線のボンディングボールと金とＰｄとを含有する合金ボールバンプとのコンタクト性も良好である。よって、この構成によれば、長期信頼性に優れる半導体装置が得られる。
金線のボンディングボールとアルミニウムパッドとの間に、金とＰｄとを含有する合金ボールバンプが設けられている場合には、下記のメカニズムによりアルミニウムパッドと合金ボールバンプとの接合部分のコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持されると考えられる。
図１０は、本実施形態において、アルミニウムパッドと合金ボールバンプとの接合部分のコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持されるメカニズムを説明する参考とするための写真断面図である。
図１０には、金とＰｄとを含有する合金線をアルミニウムパッドにワイヤーボンディングした場合の、合金線のボンディングボール１００２とアルミニウムパッドとの接合部分が拡大して示されている。Ｐｄ元素濃度の濃い箇所ほど白く示されており、ボンディングボール１００２とアルミニウムパッドとの接合部分に沿ってＰｄリッチな層１００４が形成されていることがわかる。
一般には、ＡｕとＡｌが拡散していく時、ＡｕとＡｌとの合金層においては、Ａｌの方が絶対量が少なく、Ａｕリッチな層ができる。ところが、本実施形態においては、合金線にＰｄが含有されることによって、ボンディングボール１００２とアルミニウムパッドとの界面近傍にＰｄリッチな層１００４が形成される。このＰｄリッチな層１００４は、上部のボンディングボール１００２からのＡｕの拡散を抑制することで、ＡｕとＡｌとの合金層がＡｕリッチとなることを抑制する。なぜなら、ＰｄはＡｕに拡散しにくい性質を有するからである。このため、ボンディングボール１００２とアルミニウムパッドとの接合部分においてボイドの発生が抑制される。
また、半導体装置１００は、樹脂封止体１１４を備える場合には、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂとの接合部分における腐食がさらに抑制され、コンタクト抵抗の安定性がさらに長期にわたり維持される。
また、半導体装置１００は、このように、合金ボールバンプ１１８が、たとえば９９．９９％以上の純度からなる高純度金に、Ｐｄを溶融混合して得られる合金線を用いて作成されているので、リード１１２ｂと合金ボールバンプ１１８との接合部分のコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される。なお、合金ボールバンプ１１８には、他にもＡｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、ＢｅおよびＣａからなる群から選ばれる１種以上の金属が含まれていてもよい。
また、アルミニウムからなるリード１１２ｂの端部と合金ボールバンプ１１８との接合部分のコンタクト抵抗の安定性も同様に長期にわたり維持される。
この箇所においても、高純度金線１１０ｂが合金ボールバンプ１１８に接続している。高純度金線１１０ａ、１１０ｂは、成形性に優れる。また、高純度金線１１０ａ、１１０ｂと、上記組成からなる合金ボールバンプ１１８とはコンタクト性も良好である。このため、高純度金線１１０ａ、１１０ｂは、ワイヤーボンディングにより容易に合金ボールバンプ１１８とコンタクト性よく接続しうる。このため、本実施形態に係る半導体装置１００は、このような構造を備える場合にはさらに長期信頼性に優れる利点がある。
ここで、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂ上およびリード１１２ｂ端部に形成する合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１１８の材料となる金線、金ボールまたは金めっきなどの組成は、特に限定しないが、例えば、金を９８質量％以上９９．５質量％以下含み、Ｐｄを０．５質量％以上２質量％以下含有する組成とすることができる。
また、銀が３０ＰＰＭ以下、銅が２０ＰＰＭ以下、鉄が１０ＰＰＭ以下、マグネシウムが２０ＰＰＭ以下、ベリリウムが２０ＰＰＭ以下、カルシウムが４０ＰＰＭ以下含有された組成とすることができる。
この場合、このような組成からなる金線を用いて、金線、金ボールまたは金めっきにより合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１１８を形成することができる。
このような組成の場合には、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂとの接合部分、および合金ボールバンプ１１８と高純度金線１１０ｂとの接合部分における腐食が効果的に抑制され、コンタクト抵抗の安定性がさらに長期にわたって維持される。
また、このような組成であれば、導電性および成形性にも優れる。さらに、後述する金線とのコンタクト性も良好となる。よって、導電性、成形性、長期信頼性のバランスに優れた合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１１８を形成することができる。
また、半導体装置１００は、アルミニウムパッド１０６ａ，１０６ｂおよびリード１１２ｂ上に形成された合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１１８に９９．９９％程度の高純度金線１１０ａ、１１０ｂによりワイヤーボンディングを行う。
このような組成の金線を用いると、ワイヤーボンディングなどに用いた場合の成形性がよく、また合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとのコンタクト性にも優れる。さらに、このような組成の金線は、導電性にも優れる。
一方、上述のアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂとの接合部分のコンタクト性の低下を抑制するためには、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂを設けることなく、高純度金線１１０にパラジウムや銀、銅等の金属を２％以下溶融混合して得られる金線を用いることも可能である。しかし、この場合には、高純度金線にこれらの金以外の異種金属を微量に溶融混合すると、金線の硬度が増し、所望の金線形状を得られない場合がある。
図１１は、材料の異なる導電線によるワイヤーボンディングの作業性を比較した結果を示したグラフ図である。
図１１に示したように、純金線を直接アルミニウムパッドにワイヤーボンディングした場合のＵ−Ｂａｒは、金とＰｄとを含有する合金線よりも大きい。このように、合金線は純金線に比べると、堅くてもろい場合があり、半導体装置組み立て工程中のワイヤーボンディングの作業性が純金線に比べると低下する場合がある。
なお、Ｕ−Ｂａｒとは、半導体装置の製造ラインにおけるワイヤーボンディング工程のチョコ停（一時的にラインを停止する必要のある不具合の発生を意味する）から次のチョコ停までに行うことができる作業数を意味する。
たとえば、１時間に２０００回作業を行うとして、１時間に３回のチョコ停が発生すると、Ｕ−Ｂａｒの値は、２０００／３≒６６７となる。Ｕ−Ｂａｒの値は高いほど作業性が良好となり、好ましい。
これに対して、本実施形態に係る半導体装置１００は、高純度金線１１０ａ、１１０ｂを用いているため、ワイヤーボンディングにより容易に合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとのコンタクト性が良好な接続を形成可能であり、コンタクト性および成形性に優れる構成を有する。また、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂを備えるので、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂとの接合部分における腐食が抑制され、コンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持される。
このため、半導体装置１００は、ワイヤーボンディングなどに適するコンタクト性、導電性、製造安定性および長期信頼性などに優れる構成を備える。
すなわち、本実施形態の半導体装置１００によれば、金とＰｄとを含有する合金ボールバンプと、高純度金線と、からなる二つの要素の組合せ構造により、電極パッドがアルミニウムパッドである場合にも、従来は実現が困難であった、ワイヤーボンディングの際の製造安定性と長期信頼性とのバランスに優れる半導体装置を提供することができる。
また、高純度金線１１０ａ、１１０ｂ以外にも、薄いリボン状の樹脂などからなる細線に高純度金めっき等を施してなる導電線を用いても良い。
また、高純度金線１１０ａ、１１０ｂ以外にも、高純度金からなる導電線を備える樹脂テープなどからなるＴＡＢテープを用いてもよい。ＴＡＢテープは成形性に優れるため、良好なＴＡＢボンディングに用いることができる。ＴＡＢテープ上の導電線の表面が高純度金めっき等に覆われていれば、導電性に優れ、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１１８とのコンタクト性に優れる。
なお、ＴＡＢとは、Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇの略であり、耐熱フィルムをベース基板に用いたＩＣ・ＬＳＩの薄型実装方式を意味する。
本実施形態に用いるアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂおよびリード１１２ｂは、純粋なアルミニウム金属を材料としてもよく、アルミニウムと他の金属との合金などを材料としてもよい。
ここで、従来の半導体装置においては、アルミニウムパッドと金線との接合部において、通常は微量な水分の侵入により腐食が生じる場合があった。
しかし、本実施形態の半導体装置１００においては、特定の組成の合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂでアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂ近傍を接合し、その上に高純度金線１１０ａ、１１０ｂでワイヤーボンディングを行う。このため、高純度金線１１０ａ、１１０ｂとアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂとの距離を確保できるために、接合部分の腐食を回避できる。
リード１１２ｂがアルミ系の金属で構成されている場合は、リード１１２ｂの端部に、異種金属元素を含む金線などを用いて、合金ボールバンプ１１８を形成すれば、同様に腐食を抑制できる。合金ボールバンプ１１８を形成する代わりに、同様の組成からなる合金めっきをリード１１２ｂの端部に施しても同様の作用効果を得る。
なお、リード１１２ａのように、合金ボールバンプを形成せずに、直接高純度金線１１０ａを接続してもよいが、コンタクト性の面からは、リード１１２ｂのように、合金ボールバンプ１１８を設けることが効果的である。
このとき、ワイヤーボンディングは、半導体チップ１０４側から開始し、リード１１２ａ、１１２ｂ側へボンディングするノーマルボンディングにて行ってもよい。または、リード１１２ａ、１１２ｂ側から開始し、半導体チップ１０４側へボンディングするリバースボンディングで行ってもよい。
また、リード１１２ａ、１１２ｂ側には、純粋なアルミニウムからなるリードの代わりに、鉄系合金または銅系合金、アルミ系合金等の金属を使用したＱＦＰ等の構造からなるリード１１２ａ、１１２ｂが設けられていてもよい。この場合にも、半導体装置１００は、信頼性に優れるモールド系半導体装置として動作し得る。
リード１１２ａ、１１２ｂ側には、純粋なアルミニウムからなるリードの代わりに、セラミックス基板またはガラスエポキシ基板に銅やニッケル、アルミ、金、チタンなどの金属配線を施し、リードとしたリード１１２ａ、１１２ｂが設けられていてもよい。この場合にも、半導体装置１００は、全体を樹脂封止した場合には、信頼性に優れるモールド系のＢＧＡ形式の半導体装置として動作し得る。
また、半導体装置１００は、樹脂封止体１１４を備えるため、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂとの接合部分にくわえ、合金ボールバンプ１１８と高純度金線１１０ｂとの接合部分における腐食も同様に抑制され、コンタクト抵抗の安定性が一層良好となる。
本実施形態の半導体装置１００を封止する樹脂封止体１１４は、絶縁性を有する樹脂または樹脂組成物であれば、任意の樹脂封止体１１４で封止することができる。たとえばエポキシ樹脂等の有機材で樹脂封入するタイプとしてもよい。このようなエポキシ樹脂等の有機材からなる樹脂封止体１１４は、絶縁性、成形性および耐湿性に優れるため、信頼性に優れる半導体装置１００を実現できる。
<実施形態２>
図２および図３は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示した工程断面図である。
図２（ａ）は、リードフレームにチップを搭載接合する断面図である。実施形態１に係る半導体装置１００を製造するには、図２（ａ）に示すように、アイランド１０２上に半導体チップ１０４を設ける。アイランド１０２と半導体チップ１０４とは、たとえば接着剤などにより接合する。半導体チップ１０４上面には、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂを形成する。また、半導体チップ１０４とは間隔を空けて、アルミニウムなどからなるリード１１２ａ、１１２ｂを設ける。
図２（ｂ）は、合金をワイヤボンダによりボールを形成し高温状態で接合した断面図である。図２（ｂ）に示すように、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂの上およびリード１１２ｂの上にワイヤボンダやウエファボンダを用いて、特定の組成構成を有する合金線で合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂおよび合金ボールバンプ１１８を形成する。なお、特定の組成構成とは、高純度金にＰｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、ＢｅおよびＣａからなる群から選ばれる１種以上の金属を添加してなる合金を含む組成構成を意味する。
合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂおよび合金ボールバンプ１１８は、金めっき方式にて形成してもよい。なお、リード１１２ｂの端部には、合金ボールバンプ１１８を形成しなくてもよい。また、リード１１２ａの端部にも合金ボールバンプを形成してもよい。
図３（ｃ）は、高純度金線をワイヤボンダにより形成する図である。図３（ｃ）に示すように、高純度金線１１０ａ、１１０ｂを用いて、ワイヤボンダにて半導体チップ１０４上の合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂからリード１１２ａの端部およびリード１１２ｂの端部に設けられた合金ボールバンプ１１８に向かってワイヤリングを行う。
このとき、たとえば、左側のリード１１２ａにおいては、アルミニウムパッド１０６ａ上にのみ合金ボールバンプ１０８ａが形成されたところに、半導体チップ１０４側からリード１１２ａ側へ高純度金線１１０ａによるワイヤーボンディングを行う。
または、リード１１２ａ、１１２ｂの側から半導体チップ１０４上の合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂに向かってリバースボンディングによるワイヤリングを行う。
図３（ｄ）は、全体を樹脂封止しリードを所定の形状に形成した断面図である。図３（ｄ）に示すように、リード１１２ａ、１１２ｂの外側の端部をのぞく半導体装置１００全体を、樹脂封止体１１４により樹脂封止する。さらに、リード１１２ａ、１１２ｂの外側の端部を所定の形状に形成する。
この方法によれば、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂの上面に、高純度金にＰｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、ＢｅおよびＣａからなる群から選ばれる１種以上の金属を添加してなる合金を含む、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂを設ける工程を含むため、長期にわたる使用におけるコンタクト性の低下が抑制されたアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂと合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとの接合部分を形成することができ、長期信頼性に優れる半導体装置１００を製造できる。
また、リード１１２ｂの端部に、高純度金にＰｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、ＢｅおよびＣａからなる群から選ばれる１種以上の金属を添加してなる合金を含む、合金ボールバンプ１１８を設けた構成を備えるため、長期にわたる使用におけるコンタクト性の低下が抑制されたリード１１２ｂと合金ボールバンプ１１８との接合部分を有することとなり、長期信頼性に優れる半導体装置１００が得られる。
また、成形性に優れる高純度金線１１０ａ、１１０ｂによりワイヤーボンディングを行っているので、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとのコンタクト性に優れるワイヤーボンディングを容易に行うことができる。
半導体装置１００の左側に関しては、アルミニウムパッド１０６ａの上に合金ボールバンプ１０８ａが形成されており、リード１１２ａには合金ボールバンプが形成されておらず、これに高純度金線１１０ａにてリード１１２ａ側から半導体チップ１０４側へリバースボンディングを行う。
半導体装置１００の右側に関しては、アルミニウムパッド１０６ｂの上とリード１１２ｂに合金ボールバンプ１０８ｂ、１１８が形成されており、これに高純度金線１１０ｂにてリード１１２ｂ側から半導体チップ１０４側へリバースボンディングを行う。
このとき、同一の半導体チップ１０４で、上記半導体装置１００の左側の構成と同じになるように両側をボンディングしても良いし、上記半導体装置１００の右側の構成と同じになるように両側をボンディングしても良い。また、上記半導体装置１００の左側の構成と右側の構成とを混合して使用しても良い。
また、樹脂封止体１１４により、リード１１２ａ、１１２ｂの外側の端部をのぞく半導体装置１００全体を封止するため、水分の侵入を効果的に抑制できる。このため、長期にわたる使用において、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂと合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂとのコンタクト性の低下が抑制され、信頼性の高い半導体装置１００を製造できる。また、リード１１２ｂと合金ボールバンプ１１８とのコンタクト性の低下が抑制され、信頼性の高い半導体装置１００が得られる。
<実施形態３>
図７は、本実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を示した工程断面図である。
本実施形態に係る半導体装置５００は、基本的には、実施形態１に係る半導体装置１００と同様の構成であるが、複数の半導体チップ１０４ａ、１０４ｂを備える点において異なる。
半導体装置５００は、アイランド１０２の上面および下面にそれぞれ半導体チップ１０４ａ、１０４ｂを備える。これらの半導体チップ１０４ａ、１０４ｂは、アイランド１０２の上面および下面に、たとえば接着剤などにより接合されている。
半導体チップ１０４ａの上面には、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂが設けられている。アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂ上にはそれぞれ合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂが形成されている。
一方、半導体チップ１０４ｂの下面には、アルミニウムパッド１０６ｃ、１０６ｄが設けられている。アルミニウムパッド１０６ｃ、１０６ｄの下にはそれぞれ合金ボールバンプ１０８ｃ、１０８ｄが形成されている。
半導体チップ１０４ａ、１０４ｂとは間隔を空けて、アルミニウムなどからなるリード１１２ａ、１１２ｂが設けられている。リード１１２ｂの端部の上面および下面には、それぞれ合金ボールバンプ１１８ａ、１１８ｂが形成されていてもよい。
合金ボールバンプ１１８ａ、１１８ｂは、それぞれ合金ボールバンプ１０８ｂ、１０８ｄと、高純度金線１１０ｂ、１１０ｄを用いて、ワイヤーボンディングにより接続されている。
リード１１２ａの端部は、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂと、高純度金線１１０ａ、１１０ｃを用いて、ワイヤーボンディングにより接続されている。
半導体装置５００は、リード１１２ａ、１１２ｂの外側端部をのぞいて、樹脂封止体１１４により封止されている。
この構成によれば、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄの上面に、高純度金にＰｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、ＢｅおよびＣａからなる群から選ばれる１種以上の金属を添加してなる合金を含む、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄを設ける工程を含むため、長期にわたる使用におけるコンタクト性の低下が抑制されたアルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄと合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄとの接合部分を形成することができ、長期信頼性に優れる半導体装置５００を製造できる。
また、リード１１２ｂの端部に、高純度金にＰｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、ＢｅおよびＣａからなる群から選ばれる１種以上の金属を添加してなる合金を含む、合金ボールバンプ１１８ａ、１１８ｂを設けた構成からなるため、長期にわたる使用におけるコンタクト性の低下が抑制されたリード１１２ｂと合金ボールバンプ１１８ａ、１１８ｂとの接合部分を有することとなり、長期信頼性に優れる半導体装置５００が得られる。
また、成形性に優れる高純度金線１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄによりワイヤーボンディングを行っているので、合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄ、１１８ａ、１１８ｂとのコンタクト性に優れるワイヤーボンディングを容易に行うことができる製造安定性に優れた半導体装置５００が得られる。
また、樹脂封止体１１４により、リード１１２ａ、１１２ｂの外側の端部をのぞく半導体装置５００全体を封止する構成からなるため、水分の侵入を効果的に抑制できる。このため、長期にわたる使用において、アルミニウムパッド１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄと合金ボールバンプ合金ボールバンプ１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄとのコンタクト性の低下が抑制され、信頼性の高い半導体装置５００が得られる。また、リード１１２ｂと合金ボールバンプ１１８ａ、１１８ｂとのコンタクト性の低下が抑制され、信頼性の高い半導体装置５００が得られる。
以上、本発明の構成について説明したが、これらの構成を任意に組み合わせたものも本発明の態様として有効である。また、本発明の表現を他のカテゴリーに変換したものもまた本発明の態様として有効である。
例えば、上記実施の形態ではアイランド１０２の上面および下面に半導体チップ１０４ａ、１０４ｂを設ける構成としたが、アイランド１０２の上面に半導体チップ１０４ａ、１０４ｂを積層してなる構成としてもよい。このとき、半導体チップ１０４ａ、１０４ｂは、ともにフェイスアップした形で積層されてもよい。あるいは、半導体チップ１０４ａ、１０４ｂは、半導体チップ１０４ｂがフェイスダウンした形で積層されてもよい。このようにすれば、半導体チップ１０４ａ、１０４ｂを、たとえば半導体チップ１０４ｂの貫通電極による接続やフェイスダウン接続などにより互いに容易に短い経路で接続することができ、信号伝達速度の高速化を図ることができるという利点が得られる。
以下、本発明を実施例によりさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<実験例１>
アルミニウムパッド上に、金９９質量％とＰｄ１質量％とを含む合金線を用いて作成した合金ボールパッドを設け、その合金ボールパッドに純度９９．９９％以上の高純度金線によりワイヤーボンディング接続を行って、基板にワイヤーボンディングされた半導体チップを備える試験サンプル（Ｉ）を作成した。
<実験例２>
アルミニウムパッド上に、金９９．８質量％とＰｄ０．２質量％とを含む合金線を用いて作成した合金ボールパッドを設け、その合金ボールパッドに純度９９．９９％以上の高純度金線によりワイヤーボンディング接続を行って、基板にワイヤーボンディングされた半導体チップを備える試験サンプル（ＩＩ）を作成した。
<実験例３>
アルミニウムパッド上に、純度９９．９９％以上の高純度金線を用いて作成した金ボールパッドを設け、その合金ボールパッドに純度９９．９９％以上の高純度金線によりワイヤーボンディング接続を行って、基板にワイヤーボンディングされた半導体チップを備える試験サンプル（ＩＩＩ）を作成した。
<評価結果>
上記のようにして得た試験サンプル（Ｉ）〜（ＩＩＩ）を１５０℃、１７５℃、２００℃などの幾つかの温度条件において加熱処理して、加速安定性試験を行った。そして、１６８時間、５００時間、１０００時間、２０００時間、３００００時間などの幾つかの時点で、試験サンプル（Ｉ）〜（ＩＩＩ）を一時取り出し、それぞれ２０個ずつのボンディングボールの断面を観察し、Ｂｒ腐食またはカーケンダールボイドの発生があるか否かを顕微鏡で確認した。
Ｂｒ腐食またはカーケンダールボイドの確認されたボンディングボールをそれぞれ欠点数として対数正規プロットし、欠点発生時間Ｌ（１０）を以下のように定義した。
Ｌ（１０）：電気的特性は無視して、半導体チップ全体のボンディングボールの中で１０％のボンディングボールにＢｒ腐食またはカーケンダールボイドが発生する時間として定義した。
このようにして求めた、試験サンプル（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のＬ（１０）の評価結果を図１２に示す。
図１２は、材料の異なる合金ボールバンプによるワイヤーボンディングのコンタクト抵抗の安定性を比較した結果を示したグラフ図である。
このように、Ｐｄを１質量％含む合金ボールバンプを備える試験サンプル（Ｉ）は、高純度金からなる金ボールバンプを備える試験サンプル（ＩＩＩ）に比べて、半導体チップのワイヤーボンディング箇所の寿命を推定する指標となるＬ（１０）の値が大きい。
よって、Ｐｄを１質量％含む合金ボールバンプを備える半導体装置は、高純度金からなる金ボールバンプを備える半導体装置よりも、長期信頼性に優れることがわかる。
また、Ｐｄを１質量％含む合金ボールバンプを備える試験サンプル（Ｉ）は、Ｐｄを０．２質量％含む合金ボールバンプを備える試験サンプル（ＩＩ）に比べて、半導体チップのワイヤーボンディング箇所の寿命を推定する指標となるＬ（１０）の値が大きい。
よって、合金ボールバンプを備える半導体装置は、Ｐｄを０．２質量％含む合金ボールバンプを備える半導体装置よりも、長期信頼性に優れることがわかる。
以上、本発明を実施例に基づいて説明した。この実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
たとえば、上記実施例では、合金ボールバンプとしてＰｄを１質量％含む合金ボールバンプを用いたが、Ｐｄ以外の元素を微量であれば含有していてもよい。たとえば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、ＢｅおよびＣａからなる群から選ばれる１種以上の金属が含まれていてもよい。この場合、それぞれの元素の特性に応じた合金ボールバンプの特性の改善効果が期待される。
実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。 実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示した工程断面図である。 実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示した工程断面図である。 従来の半導体装置を模式的に示した断面図である。 従来の半導体装置を模式的に示した断面図である。 従来の半導体装置を模式的に示した断面図である。 実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を示した工程断面図である。 従来の半導体装置におけるアルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性について説明するための模式的な断面図である。 従来の半導体装置におけるアルミニウムパッドと金線との接合部分のコンタクト性について説明するための写真断面図である。 実施形態において電極パッドと金属バンプとの接合部分のコンタクト抵抗の安定性が長期にわたり維持されるメカニズムを説明する参考とするための写真断面図である。 材料の異なる導電線によるワイヤーボンディングの作業性を比較した結果を示したグラフ図である。 材料の異なる合金ボールバンプによるワイヤーボンディングのコンタクト抵抗の安定性を比較した結果を示したグラフ図である。
符号の説明
１００ 半導体装置
１０２ アイランド
１０４ 半導体チップ
１０６ アルミニウムパッド
１０８ 合金ボールバンプ
１１０ 高純度金線
１１２ リード
１１４ 樹脂封止体
１１８ 合金ボールバンプ
２００ 高周波回路装置
２０１ ベースプレート
２０４ 高周波用半導体基板
２０６ 高周波用回路基板
２０５ 高周波伝送線路
２０７ ボンディングワイヤ
２０８ ボンディングパッド
２０９ ワイヤーボンディング始点
２１１ 金属バンプ
３００ 半導体装置
３０１ 配線基板
３０２ 接続パッド
３０３ 半導体チップ
３０４ 金ボールバンプ
３０６ 半導体チップ
３０７ 接着剤
３０８ ボンディングワイヤ
３０９ 接着性樹脂層
３１０ 電極パッド
４００ 半導体装置
４０１ 半導体チップ
４０２ 電極パッド
４０４ ボンディングワイヤ
４０５ リード
４０６ 接着テープ
４０７ 樹脂封止体
４０８ 半田ボール
４１０ 絶縁膜
４１４ 金ボールバンプ
４１５ ワイヤーボンディング始点
５００ 半導体装置
８０２ ボンディングボール
８０４ 腐食層
８０６ カーケンダールボイド層
９０２ ボンディングボール
９０４ 腐食層
９０６ カーケンダールボイド層
１００２ ボンディングボール
１００４ Ｐｄリッチな層

Claims (15)

  1. 半導体素子と、
    前記半導体素子に設けられた電極パッドと、
    前記電極パッド上に設けられ、金とパラジウムとを含有する金属バンプと、
    前記金属バンプに接続し、金からなる表面を有する導電線と、
    を備えることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１に記載の半導体装置において、
    前記金属バンプは、金を９８質量％以上９９．５質量％以下含み、パラジウムを０．５質量％以上２質量％以下含有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１または２に記載の半導体装置において、
    前記電極パッドは、アルミニウムを含有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置において、
    前記導電線は、金線であることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置において、
    前記導電線は、ＴＡＢテープ上の導電線であることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１乃至５いずれかに記載の半導体装置において、
    前記半導体素子と、前記電極パッドと、前記金属バンプと、前記導電線と、を封止する樹脂封止体をさらに備えることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至６いずれかに記載の半導体装置において、
    リード線と、
    前記リード線の端部に設けられ、前記導電線と接続し、金とパラジウムとを含有する第二の金属バンプと、
    をさらに備えることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項７に記載の半導体装置において、
    前記リード線の端部は、アルミニウムを含有することを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項７または８に記載の半導体装置において、
    前記樹脂封止体は、前記リード線の端部と、前記第二の金属バンプと、をさらに封止することを特徴とする半導体装置。
  10. 半導体素子に電極パッドを設ける工程と、
    前記電極パッド上に、金とパラジウムとを含有する金属バンプを設ける工程と、
    前記金属バンプに金からなる表面を有する導電線を接続する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記導電線を接続する工程は、金線をワイヤーボンディングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記導電線を接続する工程は、ＴＡＢテープ上の導電線をＴＡＢボンディングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  13. 請求項１０乃至１２いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記半導体素子と、前記電極パッドと、前記金属バンプと、前記導電線と、を樹脂封止体により封止する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  14. 請求項１０乃至１３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    リード線の端部に、金とパラジウムとを含有する第二の金属バンプを設ける工程と、
    前記第二の金属バンプに前記導電線を接続する工程と、
    をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  15. 請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
    前樹脂封止体により封止する工程は、前記リード線の端部と、前記第二の金属バンプと、を前記樹脂封止体により封止する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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