JPH0394457A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH0394457A JPH0394457A JP23110589A JP23110589A JPH0394457A JP H0394457 A JPH0394457 A JP H0394457A JP 23110589 A JP23110589 A JP 23110589A JP 23110589 A JP23110589 A JP 23110589A JP H0394457 A JPH0394457 A JP H0394457A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体製品に用いられるリードフレームおよび
その製造方法に関するものである．従来の技術 一般に半導体に用いられるリードフレームは、鉄とニッ
ケルの合金である４２アロイからなるものと銅を主成分
としたものとがある．最近はニッケルの高騰もあってコ
ストの面から後者を用いる比率が大きくなってきている
． ところで、この銅を主戒分としたリードフレーム（以下
、銅リードフレームという）は、半導体チップがのるダ
イパッドと金線をボンドするインナーリードとに銀メッ
キすることが一般的であるが、この銀が半導体チップの
樹脂モールドパッケージの外にはみ出している場合は、
銀マイグレーションといって、湿度の高い環境下で使用
されたときのアウターリード間に銀によるブリッジが形
成されて、リーク不良を引き起こすことが知られている
．このため、銀メッキの際にはメッキする部分以外に銀
が付着しないように細心の注意がなされているのが実情
である． 発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のようにして作成された銅リードフ
レームにおいても、半導体チップを接着するグイボンド
工程および、金線を張るワイヤーボンド工程などを経る
際に、熱によって酸化され、形成された酸化膜は銅基材
との密着性が余り良く無く、半田リフローなどの熱衝撃
が加わると剥離して耐湿性が劣化し、信頼性上の問題と
なることがあった． 本発明は上記従来の問題を解決するもので、銅リードフ
レームの酸化を防止し、信頼性の向上を図ることのでき
るリードフレームおよびその製造方法を提供することを
目的とするものである．課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明のリードフレームは銅
を主成分とし、表面の銅を銀と置換せしめてなるもので
ある． さらに、本発明のリードフレームの製造方法は、銅を主
戒分とするリードフレームをプレス加工により製造する
に際し、前記プレス加工工程の前に表面の銅を銀と置換
せしめる置換工程を行うものである． 作用 上記構成により、メッキ部以外の銅表面にも極僅かな銀
を付けているために酸化されに＜＜、耐湿性が向上し、
しかも、銀マイグレーションに対しても量的に銀が少な
いので湿度の高い環境下で使用しても銀ブリッジ形成の
問題も無く、信頼性は向上する． さらに、プレス加工工程の前にリードフレーム表面の銅
を銀と置換せしめる置換工程を行えば、プレス加工断面
の銀置換部はなくなるため、銀マイグレーションに対し
て余裕度が得られ、信頼性の向上が一段と図られること
になる。
その製造方法に関するものである．従来の技術 一般に半導体に用いられるリードフレームは、鉄とニッ
ケルの合金である４２アロイからなるものと銅を主成分
としたものとがある．最近はニッケルの高騰もあってコ
ストの面から後者を用いる比率が大きくなってきている
． ところで、この銅を主戒分としたリードフレーム（以下
、銅リードフレームという）は、半導体チップがのるダ
イパッドと金線をボンドするインナーリードとに銀メッ
キすることが一般的であるが、この銀が半導体チップの
樹脂モールドパッケージの外にはみ出している場合は、
銀マイグレーションといって、湿度の高い環境下で使用
されたときのアウターリード間に銀によるブリッジが形
成されて、リーク不良を引き起こすことが知られている
．このため、銀メッキの際にはメッキする部分以外に銀
が付着しないように細心の注意がなされているのが実情
である． 発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のようにして作成された銅リードフ
レームにおいても、半導体チップを接着するグイボンド
工程および、金線を張るワイヤーボンド工程などを経る
際に、熱によって酸化され、形成された酸化膜は銅基材
との密着性が余り良く無く、半田リフローなどの熱衝撃
が加わると剥離して耐湿性が劣化し、信頼性上の問題と
なることがあった． 本発明は上記従来の問題を解決するもので、銅リードフ
レームの酸化を防止し、信頼性の向上を図ることのでき
るリードフレームおよびその製造方法を提供することを
目的とするものである．課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明のリードフレームは銅
を主成分とし、表面の銅を銀と置換せしめてなるもので
ある． さらに、本発明のリードフレームの製造方法は、銅を主
戒分とするリードフレームをプレス加工により製造する
に際し、前記プレス加工工程の前に表面の銅を銀と置換
せしめる置換工程を行うものである． 作用 上記構成により、メッキ部以外の銅表面にも極僅かな銀
を付けているために酸化されに＜＜、耐湿性が向上し、
しかも、銀マイグレーションに対しても量的に銀が少な
いので湿度の高い環境下で使用しても銀ブリッジ形成の
問題も無く、信頼性は向上する． さらに、プレス加工工程の前にリードフレーム表面の銅
を銀と置換せしめる置換工程を行えば、プレス加工断面
の銀置換部はなくなるため、銀マイグレーションに対し
て余裕度が得られ、信頼性の向上が一段と図られること
になる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する． 第１図は本発明の一実施例におけるリードフレームの概
要を示す斜視図である。第１図において、リードフレー
ム１は銅を主成分としてなり、その中央部にダイパット
２が設けられている．このグイパット２は半導体チップ
を載置させるためのものである．このダイパット２の周
囲にはインナーリード３が設けられ、これらグイパット
２とインナーリード３のダイパット２側の一部には銀メ
ッキがほどこされている．この銀メッキ部４以外のイン
ナーリード３およびこのインナーリード３の外測のアウ
ターリード５の表面部には極僅かの銀が付けられている
． 上記リードフレーム１の製造方法は、まず、リードフレ
ーム１の材料である銅板の中央部以外の部分に置換防止
用のレジストをした後、銅板中央部に銀メッキをほどこ
す．次に、この置換防止用のレジストを取り除き、銀が
溶けている溶液中に、この部分メッキした銅板を浸漬さ
せ、イオン化傾向の差を利用して、銀メッキ以外の表面
の銅と銀を置換させる．さらに、プレス加工により、リ
ードフレーム１を形成するものである． 以下、上記リードフレーム１の各種置換条件とそのとき
の銅表面酸化状態および銀マイグレーションについて説
明する．表１．２は置換条件を色々変えて表面酸化およ
び銀マイグレーションの試験を行った結果を示すもので
、表面酸化については極僅かの銀置換がなされれば効果
が得られ、銀マイグレーションについてはかなりのＲ挨
がなされても問題にはならないことがわかる．また、試
験馳７に示すように、置換工程の後でプレス加工を行っ
たものは、さらに銀マイグレーションにたいして余裕を
持たすことが可能となる。これは、プレス加工断面の銀
置換がなくなるためである．く表１〉置換条件と表面酸
化 及び銀マイグレーション 〈表２〉置換条件と表面酸化 及び銀マイグレーション ※置換後プレス加工．ｆｌ！１はプレス加工後に置換処
理． 表面酸化試験条件 リードフレーム単体を１５０℃， ９０１Ｎｎ ， Ｎ
２ １５１／ＩＩｉｎのオーブンに入れる． 銀マイグレーション試験条件 完成品（半田ディップ済）のアウターリード間に純水の
水滴を落とし、リード間に１２Ｖ， １０分印加後顕微
鏡で析出物を観察した。
する． 第１図は本発明の一実施例におけるリードフレームの概
要を示す斜視図である。第１図において、リードフレー
ム１は銅を主成分としてなり、その中央部にダイパット
２が設けられている．このグイパット２は半導体チップ
を載置させるためのものである．このダイパット２の周
囲にはインナーリード３が設けられ、これらグイパット
２とインナーリード３のダイパット２側の一部には銀メ
ッキがほどこされている．この銀メッキ部４以外のイン
ナーリード３およびこのインナーリード３の外測のアウ
ターリード５の表面部には極僅かの銀が付けられている
． 上記リードフレーム１の製造方法は、まず、リードフレ
ーム１の材料である銅板の中央部以外の部分に置換防止
用のレジストをした後、銅板中央部に銀メッキをほどこ
す．次に、この置換防止用のレジストを取り除き、銀が
溶けている溶液中に、この部分メッキした銅板を浸漬さ
せ、イオン化傾向の差を利用して、銀メッキ以外の表面
の銅と銀を置換させる．さらに、プレス加工により、リ
ードフレーム１を形成するものである． 以下、上記リードフレーム１の各種置換条件とそのとき
の銅表面酸化状態および銀マイグレーションについて説
明する．表１．２は置換条件を色々変えて表面酸化およ
び銀マイグレーションの試験を行った結果を示すもので
、表面酸化については極僅かの銀置換がなされれば効果
が得られ、銀マイグレーションについてはかなりのＲ挨
がなされても問題にはならないことがわかる．また、試
験馳７に示すように、置換工程の後でプレス加工を行っ
たものは、さらに銀マイグレーションにたいして余裕を
持たすことが可能となる。これは、プレス加工断面の銀
置換がなくなるためである．く表１〉置換条件と表面酸
化 及び銀マイグレーション 〈表２〉置換条件と表面酸化 及び銀マイグレーション ※置換後プレス加工．ｆｌ！１はプレス加工後に置換処
理． 表面酸化試験条件 リードフレーム単体を１５０℃， ９０１Ｎｎ ， Ｎ
２ １５１／ＩＩｉｎのオーブンに入れる． 銀マイグレーション試験条件 完成品（半田ディップ済）のアウターリード間に純水の
水滴を落とし、リード間に１２Ｖ， １０分印加後顕微
鏡で析出物を観察した。
発明の効果
以上のように本発明のリードフレームによれば、銀置換
により表面酸化が防止されるために耐湿性が向上し、し
かも、銀マイグレーションの問題もなく、信頼性の高い
半導体製品を得ることができる．さらに、プレス加工工
程の前に銀置換工程を行えば、銀マイグレーションに対
してさらに余裕ができ、その信頼性を一段と向上させる
ことができる．
により表面酸化が防止されるために耐湿性が向上し、し
かも、銀マイグレーションの問題もなく、信頼性の高い
半導体製品を得ることができる．さらに、プレス加工工
程の前に銀置換工程を行えば、銀マイグレーションに対
してさらに余裕ができ、その信頼性を一段と向上させる
ことができる．
第１図は本発明の一実施例におけるリードフレームの概
要を示す斜視図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパット、３・・
・インナーリード、４・・・銀メッキ部、５・・・アウ
ターリード。
要を示す斜視図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパット、３・・
・インナーリード、４・・・銀メッキ部、５・・・アウ
ターリード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、銅を主成分とし、表面の銅を銀と置換せしめてなる
リードフレーム。 ２、銅を主成分とするリードフレームをプレス加工によ
り製造するに際し、前記プレス加工工程の前に表面の銅
を銀と置換せしめる置換工程を行うリードフレームの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23110589A JPH0394457A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23110589A JPH0394457A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0394457A true JPH0394457A (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=16918378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23110589A Pending JPH0394457A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0394457A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399804A (en) * | 1992-01-08 | 1995-03-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
| US5639694A (en) * | 1994-10-07 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Method for making single layer leadframe having groundplane capability |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59231844A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-26 | Nec Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS63168043A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS6418246A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Shinko Electric Ind Co | Lead frame for semiconductor device |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP23110589A patent/JPH0394457A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59231844A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-26 | Nec Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS63168043A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS6418246A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Shinko Electric Ind Co | Lead frame for semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399804A (en) * | 1992-01-08 | 1995-03-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
| US5639694A (en) * | 1994-10-07 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Method for making single layer leadframe having groundplane capability |
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